lightning方案优劣与IPHONE充电数据线起火分析

1、现在越来越多的手机使用了快速充电技术Quick Charge 3. 0,可以达到9V/2A (18W), 随着IPHONE新产品的发布，充电也提髙为快充技术，由于体积小而电流大，这样一来对充 电线元件器要求也越来越髙：iPhone数据线Lightning接头为BGA封装技术，这块区域由 四颗主要芯片组成,分别是NXP20P3、STUSB2A、TI BQ2025等；苹果悄然升级Lightning 接头一方而是为了改进供电，而另一方面则是有可能会加入最新的加密协议。如此一来，将 会给破解增加更大难度，从而保证自家配件能够赚取更多的利润。IPHONE原装线测试过程中功率有浮动不大，差不多保持在17W

2、左右;然而市而上IPHONE原装线太贵，充电数据线山寨版本很多，我来说说MOSFET的问题oMOSFET 做为一个开关，实现的功能是导通和关断，理论上导通的电阻为0欧姆，但实际器件是不可能做到0欧姆。MOSFET的垠大 导通电阻仿品A仿品B仿品c苹果原装lightninglllmQ150mQ69m Q22m Q（下图为劣质充电线）从上图可以看到，山寨基本就是一个解密芯片、一个MOSFET：这种普通的MOSFET电流小, 容易发热，充IPHONE老款产品勉强够用，对于快充时代的来临（9V/2A）,只能而临淘汰。（下图优质充电线方案）我司专业于H0SFET器件领域，拥有全球最小封装MOSFET（3

3、0系列），体枳在667um*743um, 实际过流达到3A,且低温：20系列MOSFET （贴片0805封装）可以达到15A,对于小体 枳且需要大电流的设备有很大优势，产品的相关测试数据标准等同欧美同类产品，为客 户提高产品的转换效率。QQ: 1170989036电话从上而的表中，可看到原装lightning头导通的电阻比仿品的要小很多。电阻的大小会对充 我们可以从公式：U=I X R计算岀I二1A和2A时MOS管上的电压降以及MOSFET上的功率消 耗。MOSFET的最大 导通电阻仿品A仿品B仿品c苹果原装lightninglllmQ150mQ69m Q22m Q电

4、流1=1 A时的圧降0.111V0.150V0.069V0.022V电流I=2A时的斥 降0.222V0.3V0.138V0.044V电流I=2A时MOSFET的损耗0.444W0.6W0.276W0.088W从上而的表中，我们可以看出，任充电电流为1A时，比如充I PHONE,仿品线的MOSFET压 降/功耗还是可以接受的，最大压降为0.15V,对于总电压5V来说，影响不是太大。但在充 电电流为2A （或者2A）时，比如充IPAD,仿品线上MOSFET的压降就会明显增加，最大的 为0. 3V,如果加上线材上的压降，实际压降必然会0. 5V,即到达IPAD 口的电压不足4. 5V, 且MOSFET的功耗有0.6W之多，接口处温度会慢慢升高，达到发烫的程度。实际使用时，也 可能会因为压降太多，IPAD自动减少充电电流，造成充电时间过长。总结一下仿品线的弊端：通讯方而，可能会被苹果设备识别出来，显示不兼容。（也有些破解比较彻底的，可以 骗过设备。）充电方面.如果是充IPHONE老款手机、IPOD设备，充电电流在1A左右的，问题不大。3,如果是充IPHONE新产品带快充设备，充电电流为2A时，可能会有3种情况：a）IPHONE维持2A的充电电lightning头的温度会逐步上升，达到发烫的程度，甚至有可能烧坏li