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文档简介

1、nCMOS集成电路通常制造在尽可能重掺集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的杂硼的P型（型（100）衬底上以减小衬底）衬底上以减小衬底电阻电阻 ,防止闩锁效应。防止闩锁效应。nCMOS工艺的第一步是在衬底上生长一工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的层轻掺杂的P型外延层，比标准双极工型外延层，比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层，因为工艺不需要外延层，因为MOS管可以管可以直接在直接在P型衬底上形成。外延工艺增加型衬底上形成。外延工艺增加了成本，但是采用了成本，但是采用P+衬底可以提高抗衬底可以提高抗闩锁效应的能力。闩锁效应的能力。 N阱扩散

2、阱扩散n使用使用N阱掩模版对甩在氧化层上的光刻阱掩模版对甩在氧化层上的光刻胶进行光刻。胶进行光刻。光刻光刻1，刻刻N阱掩膜版阱掩膜版光刻光刻1，刻刻N阱掩膜版阱掩膜版光刻胶光刻胶掩膜版掩膜版光刻光刻1，刻刻N阱掩膜版阱掩膜版光刻光刻1，刻刻N阱掩膜版阱掩膜版N阱阱光刻光刻2，刻有源区掩膜版，刻有源区掩膜版二氧化硅二氧化硅掩膜版掩膜版光刻光刻2，刻有源区掩膜版，刻有源区掩膜版二氧化硅二氧化硅氮化硅氮化硅掩膜版掩膜版光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版FOX光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版栅氧栅氧光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版，刻多晶硅掩膜版掩膜版掩膜版光刻光刻4，刻，刻P+离子注入离子注入掩膜版掩膜版掩膜版掩膜版P+光刻光刻5，刻，刻N+离子注入离子注入掩膜版掩膜版N+PSG光刻光刻6，刻接触孔刻接触孔掩膜版掩膜版P+N+光刻光刻7，刻刻Al掩膜版掩膜版AlVDDVoVSS光刻光刻

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