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文档简介

1、 简单的放大器 电路 电路器件剖面图P型硅单晶、单面抛光片、晶向111、 电阻率815.cm 工艺目的： 制作注入掩蔽层 工艺方法：（干湿干）氧化 工艺要求： tox1000nm左右 工艺目的：定义隐埋层注入区 工艺方法：光刻8步骤（HMDS气相成底膜、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜、检查）、湿法刻蚀、湿法去胶 工艺要求：边缘整齐、无针孔、无小岛 工艺目的：制作 。 工艺方法：干氧氧化 工艺要求： tox25nm左右 注入能量：100KEV 注入剂量：4.0E15（4.01015 ions/cm2） 工艺目的：获得合适的掺杂浓度分布和薄层电阻 以及杂质的电激活 工艺方法：N2/O

2、2气氛高温退火 工艺要求：R20/ 左右 a. 杂质固溶度大 b. 高温时在Si中的扩散系数小，以减小上推 c. 与衬底晶格匹配好，以减小应力tox600nm左右，做隔离扩散的掩蔽层。定义隔离区域。刻蚀、湿法去胶。 工艺目的：获得高质量的器件表面保护层 工艺方法：去除硅片上的隔离氧化层、硅片清洗 （干湿干）高温氧化 工艺要求：tox450nm左右工艺目的：定义晶体管的基极注入区及电阻注入 区。 工艺方法：湿法腐蚀、不去胶 工艺要求：同埋层光刻 工艺目的：形成NPN晶体管的基区及扩散电阻 注入能量：60KEV 注入剂量：4.0E14 工艺目的：获得合适的基区掺杂浓度分布、方块 电阻和结深，注入杂

3、质的电激活。 推进的作用：注入杂质电激活 符合要求的掺杂分布 生长一定厚度的二氧化硅以掩蔽 后续的磷扩散。 工艺方法： （干湿干）高温推进 工艺要求： R200/左右 ，Xj = 3m左右 ：定义晶体管的发射极扩散区、集电 极接触区以及隔离岛N接触区。： 工艺目的：形成NPN晶体管的发射区、集电极接 触区以及隔离岛N接触区。 扩散方法：预扩散：POCl3源扩散 再分布及氧化：（干湿干）高温 工艺要求：HFE100200倍 BVCEO= 10 30V 工艺目的：在晶体管的基区、发射区、集电区、 电阻区以及隔离区等开出窗口以便引出金属布线。 工艺方法：湿法腐蚀、湿法去胶工艺目的：制作电路元器件的金

4、属电极工艺方法：溅射材料AlCu（1），磁控溅射 工艺要求：厚度1.5m左右 工艺目的：形成电路的金属互连线工艺方法：涂厚胶，用Cl基气体干法RIE刻蚀， 干法氧等离子体去胶。 工艺目的：保护电路器件表面 钝化层的作用：防止金属线划伤、表 面吸潮、 表面沾污。 工艺方法：PECVD生长氧化硅和氮化硅复合介质 工艺要求：tox400nm左右、tSiN600nm左右。 工艺目的：开出金属电极窗口以便压焊键合 工艺方法：涂厚胶，干法刻蚀，干法去胶 工艺目的：金属与器件有源区形成良好的欧姆 接触 。 工艺方法：在合金炉中进行， 温度450 480 ，时间30min（N2H2） 工艺目的：电路参数测试，合格电路芯片拣选 工艺方

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