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文档简介

1、 温度为什么会影响半导体器件的性能?温度为什么会影响半导体器件的性能?答:由于温度影响载流子的浓度,而载流子的浓度决议了半答:由于温度影响载流子的浓度,而载流子的浓度决议了半导体的导电性能,因此温度会影响半导体器件的性能。导体的导电性能,因此温度会影响半导体器件的性能。 如何从如何从PN结电流方程来了解其单导游电性及其伏安特性?结电流方程来了解其单导游电性及其伏安特性?答:当答:当PN结正向偏置且结正向偏置且UUT时,时,i ISeU/UT ,电流随电,电流随电压按指数快速变化,呈现出很小的电阻,阐明压按指数快速变化,呈现出很小的电阻,阐明PN结正向偏置结正向偏置时相当于开关导通,同时与伏安特

2、性正向特性电流随电压的时相当于开关导通,同时与伏安特性正向特性电流随电压的变化一样。变化一样。当当PN反向偏置且反向偏置且UUBUE,且,且UBE0.7V硅管;硅管;PNP型管任务在放大区的条件:型管任务在放大区的条件:UEUBUC,且,且UEB0.7V硅管。硅管。 放大电路有何特点?其中的交流信号与直流信号有何关系?放大电路有何特点?其中的交流信号与直流信号有何关系?答:放大电路中直流信号和交流信号共存,其中交流信号驮答:放大电路中直流信号和交流信号共存,其中交流信号驮载在直流信号上,直流信号影响交流信号的失真。载在直流信号上,直流信号影响交流信号的失真。 什么是静态任务点?静态任务点如何影

3、响放大电路?什么是静态任务点?静态任务点如何影响放大电路?答:静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态答:静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态任务点,简称为任务点,简称为Q点点(Q-point) 。Q点包括点包括IBQ、ICQ、 IEQ、 UBEQ、UCEQ 。只需设置适宜的。只需设置适宜的Q点,使晶体管在信号整个点,使晶体管在信号整个周期内全部处于放大形状,放大电路的输出波形才不会失真。周期内全部处于放大形状,放大电路的输出波形才不会失真。 放大电路的组成原那么主要包括哪两个方面?放大电路的组成原那么主要包括哪两个方面?静态时晶体管任务在放大区,有适宜的静态时晶体管任务在

4、放大区,有适宜的Q点;动态保证交流信点;动态保证交流信号的有效传输,即号的有效传输,即输入信号能作用到发射结以产生变化的输入信号能作用到发射结以产生变化的iB和和iC 或或iE ,iC 或或iE 可以产生输出信号作用到负载。可以产生输出信号作用到负载。 为何能将电子电路分解为直流通路和交流通路?如何画为何能将电子电路分解为直流通路和交流通路?如何画直流通路和交流通路?直流通路和交流通路有何用途?直流通路和交流通路?直流通路和交流通路有何用途?答:放大电路中交流信号和直流信号共存,但直流信号和答:放大电路中交流信号和直流信号共存,但直流信号和交流信号作用时半导体器件的模型不同,且电路中的电容、交

5、流信号作用时半导体器件的模型不同,且电路中的电容、电感等元件的等效电路也不同,从而使得交流信号和直流电感等元件的等效电路也不同,从而使得交流信号和直流信号流过的通路不同,因此可将电子电路分解为直流通路信号流过的通路不同,因此可将电子电路分解为直流通路和交流通路。和交流通路。 画直流通路时信号源、电感短路,电容开路;画交流画直流通路时信号源、电感短路,电容开路;画交流通路时直流电压源、容量较大的电容短路。通路时直流电压源、容量较大的电容短路。 利用直流通路可估算静态任务点。利用直流通路和交利用直流通路可估算静态任务点。利用直流通路和交流通路可了解放大电路能否正常放大即了解放大电路的流通路可了解放

6、大电路能否正常放大即了解放大电路的组成原那么。另外还可利用直流通路和交流通路经过图组成原那么。另外还可利用直流通路和交流通路经过图解法分析放大电路的静态和动态,利用交流通路和晶体管解法分析放大电路的静态和动态,利用交流通路和晶体管的交流小信号模型分析放大电路的动态参数。的交流小信号模型分析放大电路的动态参数。 图解法有何优缺陷?如何用图解法分析静态任务点、非图解法有何优缺陷?如何用图解法分析静态任务点、非线性失真、最大不失真输出幅度?线性失真、最大不失真输出幅度?答:图解法优点:能比较直观、全面地反映晶体管的任务答:图解法优点:能比较直观、全面地反映晶体管的任务情况。情况。 缺陷:不方便缺陷:

7、不方便 晶体管特性曲线不易得到晶体管特性曲线不易得到 当输入信号较小或者频率较高时不准确,只适用当输入信号较小或者频率较高时不准确,只适用于信号幅度比较大、变化比较慢的信号低频大于信号幅度比较大、变化比较慢的信号低频大 幅值信幅值信号。号。 图解法分析静态任务点:画直流通路,列输入、输出图解法分析静态任务点:画直流通路,列输入、输出回路方程,在输入特性上作输入回路负载线确定回路方程,在输入特性上作输入回路负载线确定IBQ、UBEQ,在输出特性上作输出回路负载线确定,在输出特性上作输出回路负载线确定IBQ、UBEQ。 图解法分析非线性失真、最大不失真输出幅度:在输图解法分析非线性失真、最大不失真

8、输出幅度:在输出特性上作直流负载线确定出特性上作直流负载线确定Q点,过点,过Q点作交流负载线,点作交流负载线,画画uO波形,分析非线性失真和最大不失真输出幅度。波形,分析非线性失真和最大不失真输出幅度。 直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路各有何特点?它直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路各有何特点?它们的直流负载线与交流负载线各有何关系?们的直流负载线与交流负载线各有何关系?答:直接耦合放大电路可以放大直流和缓慢变化的交流信答:直接耦合放大电路可以放大直流和缓慢变化的交流信号以及中频和高频信号,负载上既有直流信号又有交流信号以及中频和高频信号,负载上既有直流信号又有交流信号;而阻容耦合放大电路不

9、能放大直流和缓慢变化的交流号;而阻容耦合放大电路不能放大直流和缓慢变化的交流信号,但可放大中频和高频信号,负载上只需交流信号。信号,但可放大中频和高频信号,负载上只需交流信号。 直接耦合放大电路的直流负载线与交流负载线斜率一直接耦合放大电路的直流负载线与交流负载线斜率一样,因此重合;阻容耦合放大电路直流负载线斜率比交流样,因此重合;阻容耦合放大电路直流负载线斜率比交流负载线斜率小,因此交流负载线比直流负载线陡。负载线斜率小,因此交流负载线比直流负载线陡。 PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相吗?型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相吗?如何根据波形判别其截止失真和饱和失真?如何

10、根据波形判别其截止失真和饱和失真?答:答: PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相,其输出波形出现的底部失真为截止失真,而顶部失真相,其输出波形出现的底部失真为截止失真,而顶部失真为饱和失真。为饱和失真。 如何画晶体管如何画晶体管h参数等效模型?其运用条件是什么?参数等效模型?其运用条件是什么?答:晶体管答:晶体管h参数等效模型包括两部分:参数等效模型包括两部分:b-e间为间为rbe,c-e间为间为受控电流源受控电流源ib 。 h参数等效模型的运用条件是:输入信号为参数等效模型的运用条件是:输入信号为中低频交流微小信号。中低频交流微小信号。 r

11、be公式?公式? rbe的值受哪些要素影响?的值受哪些要素影响?答:答: ,其值受,其值受rbb,静态电流、温,静态电流、温度等的影响。度等的影响。EQTbbbe)1(IUrr 如何快速判别晶体管根本放大电路是哪种接法共射、共集、如何快速判别晶体管根本放大电路是哪种接法共射、共集、共基?共基?答:先看输入信号和输出信号衔接哪两个端口,剩下哪个端答:先看输入信号和输出信号衔接哪两个端口,剩下哪个端口即为哪种接法。口即为哪种接法。 共射放大电路有何特点?共射放大电路有何特点?答:既能放大电压,又能放大电流;答:既能放大电压,又能放大电流; Uo与与Ui反相;电压放大反相;电压放大倍数倍数|Au|大

12、。大。 要实现电压放大,可选用什么单管放大电路?要实现电压放大,可选用什么单管放大电路? 要实现电流放大,可选用什么单管放大电路?要实现电流放大,可选用什么单管放大电路? 要实现电压跟随,应选用什么单管放大电路?要实现电压跟随,应选用什么单管放大电路? 要实现电流跟随,应选用什么单管放大电路?要实现电流跟随,应选用什么单管放大电路? 假设信号源为内阻较小的电压源,要求放大电路输假设信号源为内阻较小的电压源,要求放大电路输入电阻大,那么应选用什么单管放大电路?入电阻大,那么应选用什么单管放大电路? 假设信号源为内阻很大的电流源,要求放大电路输入假设信号源为内阻很大的电流源,要求放大电路输入电阻小

13、,那么应选用什么单管放大电路?电阻小,那么应选用什么单管放大电路? 需求宽频带放大器,应选用什么单管放大电路?需求宽频带放大器,应选用什么单管放大电路?答:共射或共基;共射或共集;共集;共基;答:共射或共基;共射或共集;共集;共基; 共集;共基;共基。共集;共基;共基。 典型稳典型稳Q电路中为使基极电压根本恒定,要求电路中为使基极电压根本恒定,要求Rb1/Rb2(1+)Re。试问。试问Rb1/Rb2能否越小越好?能否越小越好?答:答: Rb1/Rb2太小时,一方面会使稳太小时,一方面会使稳Q电路的输入电电路的输入电阻太小,另一方面会使阻太小,另一方面会使Rb1和和Rb2上的电流增大,使静上的电

14、流增大,使静态功耗增大。态功耗增大。分析放大电路时需求思索管子能否处于放大形状:分析放大电路时需求思索管子能否处于放大形状: N沟道沟道JFET任务在放大形状的条件?任务在放大形状的条件? N沟道加强型沟道加强型MOS管任务在放大形状的条件?管任务在放大形状的条件?答:答: N沟道沟道JFET任务在放大形状的条件:任务在放大形状的条件:UGS(off) UGS- UGS(off)。N沟道加强型沟道加强型MOS管任务在放大形状的条件:管任务在放大形状的条件: UGSUGS(th) , UDS UGS- UGS(th)。设计放大电路时需求思索在某种条件下管子能否任务在设计放大电路时需求思索在某种条件下管子能否任务在放大形状:放大形状: UGS0时能任务在恒流区的场效应管有哪些?时能任务在恒流区的场效应管有哪些? UGS0时有:时有: P沟道沟道JFET、N沟道加强型沟道加强型MOS管、管、 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管、管、P沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管;管;UGSC,且,且C RL简化的高频混合简化的高频混合模型模型|)|1(CKCCCC C密勒等效变换密勒等效变换 放大电路的放大电路的fL和和fH分别决议于什么参数?分别决议于什么参数? 多级放大电路的多级放大电路的fL、fH、fbw与组成它的各级放大电路与组成它的

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