2010-微电子工艺复习提纲(共4页)

1、精选优质文档-倾情为你奉上2008级微电子工艺复习提纲一、衬底制备1. 硅单晶的制备方法。2. 晶圆的处理工艺，晶圆晶向的表征方法。3. 理解最大固浓度的概念，硅的杂质源和掺杂特点。二、外延生长1. 外延的定义和外延的几种方法。2. 四氯化硅氢气还原法外延制备硅的技术，理解温度、反应剂浓度、衬底晶向对生长速率的影响。3. 理解硅的外延生长模型解释硅外延生长为平面生长技术。4. 硅外延多晶与单晶生长条件。三、薄膜制备1-氧化1. 干法氧化，湿法氧化和水汽氧化三种方式的优缺点。2. 理解氧化厚度的表达式和曲线图。3. 温度、气体分压、晶向、掺杂情况对氧化速率的影响。4. 理解采用干法热氧化和掺氯措

2、施提高栅氧层质量这个工艺。四、薄膜制备2-化学气相淀积CVD1. 工艺中影响台阶覆盖、间隙填充的图形保真度的因素。2. 三种常用的化学气相淀积方式，在台阶覆盖能力，呈膜质量等各方面的优缺点。3. CVD的Grove模型提出的影响薄膜淀积速率的两个因素。4. 本征SiO2，磷硅玻璃PSG，硼磷硅玻璃BPSG的特性和在集成电路中的应用。5. 热生长SiO2和CVD淀积SiO2膜的区别。五、薄膜制备3-物理气相淀积PVD1. 两种真空蒸发方法和区别。2. 溅射的不同的种类。溅射与真空蒸发的比较。3. 等离子体的概念，高能粒子与芯片表面作用会发生的情况。六、扩散和离子注入1. 费克扩散方程。2. 恒定

3、表面源扩散和恒定杂质总量两种扩散方式下结深及杂质总量的计算。 以下给出五道例题，请大家注意，能自己做出来。(1) 已知N-Si衬底NB=1015cm-3,在1150作硼再分布扩散后测得Xj=2.5m, NS=2×1019cm-3, D=6×10-13 cm2/s, 求扩散时间t=_min.(只保留整数部分)扩散时间为44min.(2) 已知N-Si衬底NB=1015cm-3，硼预扩散温度为1000，D=2×10-14cm2/s ,时间为20min,Ns=4×1020cm-3, 求通过单位表面积扩散到硅片内部得杂质总量Q=_×1015cm-2.(

4、答案保留三位有效数字)杂质总量为2.21_×1015cm-2。(3) 某数字集成电路的埋层采用锑源箱法扩散，扩散温度为1200，扩散时间为2小时，试求n+埋层的厚度为_m。已知Ns=6.4×1019cm-3, NB=2×1015cm-3，D=3×10-13cm2/s, erfc-1(3.125×10-5)=2.9.n+埋层的厚度为_2.69_m(4) 某硅晶体管基区硼预淀积的温度为950，衬底NB=2×1015cm-3，要求预淀积后的方块电阻为80/，试确定预淀积所需要的时间为_min.（保留整数）已知电阻率=660·cm-

5、1, Ns=4×1020cm-3, erfc-1(2.5×10-5)=2.95 ,D=5×10-15cm2/s. 计算得到预淀积时间为34min。(5) 某集成电路采用的n型外延层衬底浓度为NB=2×1016cm-3，晶体管基区硼预淀积的温度为950，时间为10min, NS1=4×1020cm-3,D1=5×10-15cm2/s, erfc-1(5×10-5)=2.89, 再分布的温度为1180，D2=1×10-12cm2/s, 时间30分钟. 试求再分布后的结深为_m。（答案保留三位有效数字）。预淀积后的杂质总

6、量为再扩散后的杂质分布为当NS2=NB时，结深为2.12um。3. 理解硅扩散中扩硼（B），扩磷（P），扩砷（As）的图像。4. 理解扩散工艺中，时间t和温度T对掺杂浓度和结深的影响。5. 理解离子注入的优势在于：注入离子剂量和注入能量分别控制掺杂浓度和形成的结深。6. 离子注入过程中可能出现的沟道效应及解决办法。7. 集成电路工艺中阱注入，源漏注入，阈值电压调整和LDD工艺中分别会采用的离子注入工艺条件。8. 对离子注入工艺引入的损伤进行处理，杂质激活所采用的退火工艺。掌握普通热退火和快速热退火的区别。9. 理解硼（B）和磷（P）的退火特性。七、光刻与刻蚀1. 现代光刻工艺的基本步骤。2.

7、正胶和负胶的区别。3. 三种曝光方法的优缺点，投影步进光刻机的优势。4. 理解光刻的分辨率和特征尺寸的概念。5. 理解光刻工艺对曝光强度，曝光深度和曝光剂量的要求。6. 湿法腐蚀与干法刻蚀各自的特点。7. 硅的湿法腐蚀液和V型槽的腐蚀，SiO2的湿法腐蚀方法。8. 干法刻蚀通常将离子刻蚀和溅射刻蚀结合，保证刻蚀的各向异性和选择性。常用的干法刻蚀系统：RIE，ICP，ECR等。八、金属化1. 在接触层和互联层常用的金属薄膜，理解经常出现的铝楔和电迁移的现象。2. 金属化的一般工艺流程、理解Polycide、Salicide的概念。3. 局部平坦化技术：BPSG/PSG回流，光刻胶回刻、SOG回刻等4. 化学机械抛光CMP技术九、典型工艺流程1. 埋层双极晶体管的制作流程，理解埋层的作用及工艺制备中需要注意的问题。2. BJT多晶硅发射极和基区自对准工艺。3. MOS自对准多晶硅栅源漏工艺。4. MOS工艺里的侧墙工艺，LDD工艺，金属硅化物Saliside工艺。5. CMOS的简要工艺流程：阱，隔离，栅（阈值电压调整，LDD），自对准源栅漏，金属化（接触层，互连层），钝化。6. 识别给出的具体器件（标准埋层BJT，自对准多晶硅基区