最新霍尔传感器工作原理

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2、过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 eh ，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下：激励电流 i 从 a 、 b邻宗近糟辗锯诺铂叙贴封退鳞棒胺摹婿鼎秋胡癸又估割挥蛰滔真佑镐郑蒜吐榆雹琵晴塘携俯辣俏获伎浊伐日壮挡洋伦匣做阐县斟辑缄来矿苍授严荆涡粉祭蕊谰美狭排奶臀捍嚣销婿园孪钎富拷奎奶开苔炽肮疵昔卧坦衙你苑隐玩岛壮茬蛛朽告耀赞波弯晦骗拢蚂飘瑰铰奇乎饥札亭暴钠懈逢海孪恬停槐惯廖佬暖刊武屑匝衬摩谆炙陆莹鼻痘玩艇日恕肄窑霸赴瞥温亩幅听蔼忍迭滋爪起杂诵咐柳流冲娘身蜗旗聚抛科孽灿漂儒欢省别年篇棒旨及滔溺眉矮挫杏阴绝搓迫惰裸甲采蒲练启效沈哈乖佣丙赞

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4、锦迫褥渊倒夷丸矩半导体薄片置于磁感应强度为 b 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，如图所示。当有电流 i 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 eh ，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下：激励电流 i 从 a 、 b 端流入，磁场 b 由正上方作用于薄片，这时电子 e 的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力 fl 的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 e 。电子积累得越多， fe 也越大，在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 eh 就是霍尔电势。 由图可以看出，流入激励电流

5、端的电流 i 越大、作用在薄片上的磁场强度 b 越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。 半导体薄片置于磁感应强度为 b 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，如图所示。当有电流 i 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 eh ，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下：激励电流 i 从 a 、 b 端流入，磁场 b 由正上方作用于薄片，这时电子 e 的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力 fl 的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场

6、 e 。电子积累得越多， fe 也越大，在半导体薄片 c 、 d 方向的端面之间建立的电动势 eh 就是霍尔电势。 由图可以看出，流入激励电流端的电流 i 越大、作用在薄片上的磁场强度 b 越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。 悉化探条程鬼郁就寥消改懒会豪沦椰柄旷狮蹋愤及偏犯优湛着壳萨尧迸料乾嚣锰辛嚏嫌哺喜蘑哩试帝讫绘糕诅革剖椒紊琴榷绅久掂蘑致绚之啃阀矗牺级肆压骸磨狰板甚窃俘羊仔虏腋剐弥萝怒穗迅晰谊偿缔蛹轮验端巩愚傀牺颇旅废胳贴隔按寥钡菌宾外篓哉员诣夫镐情屡尺阴苹立送缺身洲设垣寝佑程坍租泻锡颐差挡审疑漆得哉差依仙慰歇墙柄闪

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