2004年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告(精)

1、2004年半导体所成果、论文、专利及著作奖励通告所属各单位：科技开发处对2004年我所科技人员（所属单位为半导体所）在国际学术期 刊上发表的论文，专利申请和授权情况进行了统计。并根据半发科技字20049号半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的奖励办法对以下成果进行奖 励。2004年我所在获奖、论文、专利及著作等方面取得了较好的成绩，获国家 奖一项；在国际学术期刊上共发表论文125篇；申请专利146项，版图设计8项，授权专利20项；编著一本、译著一本，希望全所科技人员在新的一年中 作出更多更优秀的科研成果，取得更高水平的论文和申请更多的专利。附件：1、半导体所2004年国际期刊发表论文统计表2

2、、半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表3、2004年国际期刊影响因子附表4、半发科技字20049号半导体所科研成果获奖、专利、论文及专著的 奖励办法中国科学院半导体研究所2005年4月28日附件一：半导体所2004年国际期刊发表论文统计表1、超晶格室33篇，共奖励 元 其中：1)Chinese Physics Letters62)J. Appl Phys.43)JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER24)Applied Physics Letters25)Solid state Comm26)Journal of Crystal Growth37)Supe

3、rlattices and Microstructures18)Physical Review B 49)Physical Review A310) Optics Communications111) J.Phys.A：Math.Gen.112)J. Phys. D:Appl. Phys113) Phil.Trans.R.Soc.Lond.A114)JPN J APPL PHYS115)J.Phy.:Condens.Matter12、材料开放室33篇，共奖励 元其中：1)J. Appl. Phys.32)Journal of Crystal Growth193)Appl. Phys. Lett

4、.34)Physica E15)IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS16)Journal of Physics: Condensed Matter17)Nanotechnology18)Chinese Journal of Chemistry19)J. Vac. Sci. Technol.B,110)Physica Status Solidi (b)111)Eur.Phys.J.Appl.Phys1 3、 光电子工艺中心38篇，共奖励 元 其中：1.Appl. Phys. Lett.32.Journal of Crystal Growth 83.J. Phys.

5、D: Appl. Phys.14.J. Appl. Cryst 15.Solid state Communications 16.Optics and lasers in Engineering17.Chin.Phys.Lett 48. IEE Proc.-Optoelectron 19. IEEE Journal of Quantum Electronics210.IEEE Photonics Technology Letters 311. Thin Solid Film112. J. A. P113. Electronics Letter114. Optical Engineering61

6、5. Optics Communications116. Science in China E117.Materials Chemistry and Physics 118JPN J APPL PHYS14,材料中心4篇,奖励 元1, Journal of Nuclear Materials12, Science in China Ser. E Engineering & materials Science 13, chinese physics 14，Eur.Phys.J.Appl.Phys15,工程中心6篇,奖励元1, J. Cryst. Growth 22, Chinese Ph

7、ysics Letters 13, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY14，Acta Physica Sinica15, MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS16,表面物理室10篇，奖励 元1, Journal of Applied Physics12, J. Crystal Growth53, Science in China Ser. E Engineering & materials Science 1 4，Journal ofNon-Crystalline Solid15,Solid Energy

8、 Material & Solar Cells16，Acta Physica Sinica17,集成技术中心1篇，奖励 元Electronics Letters1附件二：半导体所2004年各室奖励奖励情况及列表，成果名称类别姓名奖励金额（元）半导体纳米结构物理性质的理论 研究国家二等奖夏建白、李树深、 常凯30000、论文部门：超晶格室（元）基数：500元作者刊名单位排序影响因子奖励金额（元）备注董庆瑞J.A.P12.251125董庆瑞:CHIN.PHYS.LETT11.0500董庆瑞J.Phys:Co nde ns.Matter11.75875倪海桥A.P丄14.02000龚政Sol

9、id State Communi cati on11.5750龚政J.Phys:Co nde ns.Matter11.75875龚政J.C.G11.5750龚政A.P丄14.02000迟峰Superlattic andMicrostructures10.5250艾合买提Physical Review A12.51250李树深CHIN.PHYS.LETT21.0250杨谋Physical Review B13.01500杨谋Physical Review B13.01500金光生Physical Review A12.51250白彦魁Physical Review A12.51250李新奇Phy

10、sical Review B13.01500张国峰Optics Communi catio ns11.5750王亮J.Phys.A:Mathematical a ndGen eral11.25625江德生J.C.G11.5750边历峰Chi n. Phys. Lett11.0500边历峰Solid State Commu ni cations11.5750常凯J.A.P12.251125常凯Physical Review B13.01500李桂荣J.Phys:Co nde ns.Matter11.75875黄劲松J.C.G11.5750黄劲松:CHIN.PHYS.LETT11.0500徐晓华C

11、HIN.PHYS.LETT11.0500方志丹J.Phys.D:Appl.Phys11.25625李国华Phys.stat.sol.(b)11.0500苏付海J.A.P12.251125马宝珊J.A.P12.251125欧晓斌JPN J APPL PHYS11.25625谭平恒Phil.Tra ns.R.Soc丄o nd.A11.0500部门：光电子工艺中心（元）基数：500元作者文章刊名单位排序影响因子奖励金额（元）备注赵德刚A.P.L.14.02000刘建平J.C.G11.5750刘建平J.C.G11.5750刘建平A.P.L.14.02000刘建平J.Phys.D:Appl.Phys11

12、.25625张纪才J.C.G11.5750张纪才Acta Physica Si nica11.25625张纪才J.C.G11.5750张纪才J.Appl.Cryst.12.251125张宝顺J.C.G11.5750伍墨J.C.G11.5750金瑞琴J.C.G11.5750李娜Solid state Communications11.5750国伟华:CHIN.PHYS.LETT11.0500黄永箴IEE Proc. Optoeletro nic11.0500国伟华IEEE Jour nal of Quan tumElectro nics12.751375国伟华IEEE Phot onics Te

13、ch no logyLetters12.251125金潮渊IEEE Jour nal of Quan tumElectro nics12.751375陆巧银IEEE Phot onics Tech no logyLetters12.251125李传波Thin Solid Film11.5750李传波J.A.P.12.251125李传波A.P.L.14.02000李传波Electro nics Letter11.0500毛荣伟IEEE Phot onics Tech no logyLetters12.251125夏金松Optics Communi catio ns11.5750夏金松Optics

14、 Communi catio ns11.5750夏金松Optical Engin eeri ng11.0500夏金松CHIN.PHYS.LETT11.0500李艳萍CHIN.PHYS.LETT11.0500王书荣Optical Engin eeri ng11.0500王书荣JPN J APPL PHYS11.25625王书荣J.C.G11.5750王书荣:CHIN.PHYS.LETT11.0500杨林Optical Engin eeri ng11.0500杨林Optical Engin eeri ng11.0500祝宁华Science in Chi na Ser. E Engineeri ng

15、 & materials Science10.25125吴远大Materials Chemistry and Physics11.25625徐应强CHIN.PHYS.LETT11.0500部门：材料开放室（元）基数：500元作者刊名单位排序影响因子奖励金额（元）备注尹志岗J.A.P.12.251125刘力峰J.C.G11.5750刘力峰J.C.G11.5750刘力峰J.C.G11.5750周剑平J.C.G11.5750周剑平J.C.G11.5750李艳丽J.C.G11.5750宋书林J.C.G11.5750宋书林J.C.G11.5750李艳丽J.C.G11.5750张富强J.C.G11

16、.5750陈晨龙J.C.G11.5750金鹏A.P.L.14.02000张春玲J.C.G11.5750史桂霞J.C.G11.5750黄秀颀J.C.G11.5750赵凤瑗Physica E11.0500赵凤瑗Jour nal of Physics: Condensed Matter11.75875张子炀IEEE PHOTONICSTECHNOLOGYLETTERS12.251125叶小玲Eur.Phys .J .Appl.Phys10.75375五春华J.C.G11.5750孙捷J.C.G11.5750孙捷Nano tech no logy12.251125孙捷Chin ese Jour nal

17、 ofChemistry10.5250何军A.P.L.14.02000卢励吾J.C.G11.5750李杰民J. Vac. Sci. Technol.B11.5750陆沅A.P.L.14.02000陆沅J.A.P.12.251125:陆沅J.C.G11.5750吴洁君J.C.G11.5750韩修训J.C.G11.5750韩修训Physica Status Solidi (b)11.0500部门：材料中心（元）基数：500元作者刊名单位排序影响因子奖励金额备注张晓昕CHIN.PHYS.11.25625:董志远Science in Chi na Ser. EEngineering & mat

18、erialsScience10.25125Jour nal of NuclearMaterials11.25625赵有文Eur.Phys .J .Appl.Phys10.75375部门：工程中心（元）基数：500元作者刊名单位排序影响因子奖励金额备注曾湘波J.C.G11.5750曾湘波Acta Physica Si nica11.25625陈维德J.C.G11.5750宋淑芳J.C.G11.5750:宋淑芳J.C.G11.5750部门：表面物理室（元）作者刊名单位排序影响因子奖励金额备注钟源SEMICONDUCTORSCIENCE ANDTECHNOLOGY11.5750钟源MICROWAVE

19、 ANDOPTICAL TECHNOLOGYLETTERS10.5250林涛J.C.G11.5750江李J.C.G11.5750王勇刚Acta Physica Si nica11.25625王勇刚Chin ese Physics Letters11.0500基数：500元宋淑芳J.A.P12.251125胡志华Science in Chi na Ser. EEngineering & materialsScience10.25125胡志华J.C.G21.5500张世斌Jour nal of Non-Crystalli neSolid11.5750张世斌Solid En ergy Mat

20、erial &Solar Cells21.25416部门：集成技术中心（元）基数：500元作者刊名单位排序影响因子奖励金额备注李建明Electro nics Letters11.0500三、专利申请半导体所2004年专利申请及授权统计表2004年申请的专利（项）：奖励元序号专利名称类别姓名奖励金额（元）1.高效硅基共振腔增强型探测器器件 的制作方法发明李传波8002.电泵浦边发射半导体微腔激光器的 制作工艺发明路秀真8003.在硅衬底上生长无裂纹3族氮化物 薄膜的方法发明陆沅8004.利用光掩模板作无源对准的方法发明陈弘达8005.用于实现光波导制备的方法发明李健8006.正交频分复用

21、系统帧同步技术发明刘扬8007.平顶和陡峭带边响应的窄带热光调谐Fabry-Perot滤波器发明蔡晓8008.具有平顶输出响应的窄带Fabry-Perot滤波器发明蔡晓8009.混合集成的可调谐半导体激光器发明徐庆扬80010厂制造半导体双极器件的方法发明徐嘉东80011.锁模光纤光栅外腔半导体激光器结 构发明陈少武80012.应用自聚焦透镜阵列的并行光发射 模块及制作方法发明陈弘达80013.提高半导体光电转换器件性能的方 法发明李建明80014.抑制相邻通道间耦合串扰的电极布发明贺月娇800线结构及其制造方法115.可提高消光比的电光型波导光开关 结构发明陈少武80016.便携式低功耗微照

22、明用光纤冷光源发明祝宁华80017.米用非平面工艺实现硅基二氧化硅 波导偏振无关的方法发明安俊明80018.基于脊形光波导的强限制多模干涉 耦合器的制作方法发明樊中朝、80019.掩埋有咼反射率布拉格反射镜的基 片键合方法发明毛容伟80020.带内同频道数字音频广播中模拟调 制载波干扰消除方法发明于云华80021.二元判定图器件发明吴南健80022.测量激光器芯片用的夹具及其制作 方法发明张胜利80023.带有锥形增益区的脊形波导高功率 半导体激光器结构发明张洪波80024.湿法腐蚀两步法制备超溥柔性硅衬 底的腐蚀工艺发明王晓峰80025.制备纳米级超薄硅可协变衬底的可 控性腐蚀方法发明王晓峰

23、80026.氮化镓基肖特基结构紫外探测器及 制作方法发明赵德刚80027.氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫 外探测器及制作方法发明赵德刚80028.单电子模拟数字信号转换装置发明吴南建80029.同轴封装半导体激光器陶瓷插针发明王欣80030.模式识别专用神经网络计算机系统 及应用方法发明王守觉80031.光纤疋位槽、光斑转换器和光波导 器件的一体化制作方法发明杨笛80032.低生长温度下提咼化合物半导体中n型掺杂浓度的方法发明江李80033.具有倾斜波导结构的半导体光放大 器封装用的热沉发明刘超80034.低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧 化物薄膜的方法发明杨少延80035.透过式兼输出镜的半导

24、体可饱和吸 收镜发明王勇刚80036.便携式低功耗微照明用光纤冷光源发明祝宁华80037.氮化傢咼电子迁移率晶体管的结构 及制作方法发明王晓亮80038.高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方发明肖红领800法39.生长高迁移率氮化镓外延膜的方法发明王晓亮80040.生长高阻氮化镓外延膜的方法发明王晓亮80041.改进砷化傢晶片表面质量的方法发明李建明80042.脊形波导量子级联激光器制作方法发明路秀真80043.单电子数字模拟信号转换装置发明欧晓斌80044.自适应柔性层制备无裂纹硅基III族 氮化物薄膜的方法发明吴洁君80045.一种在硅衬底上生长咼质量氮化铝 的新方法发明张南红80046.氮化傢

25、紫外色度探测器及其制作方 法发明赵德刚80047.PIN结构氮化傢基紫外探测器及其 制作方法发明赵德刚80048.一种氮化铝交叠式单片集成微通道 热沉发明马杰慧80049.表面态式驰豫区的半导体可饱和吸 收镜发明王勇刚80050.半导体光放大器封装用的具有斜面 结构的热沉发明刘超80051.咼击穿电压的咼电子迁移率晶体管发明徐晓华80052.光纤激光器谐振腔的制作方法发明冯小明80053.一种竖直式高温大功率碳化硅外延 材料制造装置发明孙国胜80054.一种微机械可调谐光滤波器发明候识华80055.一种离子注入碳化硅高温退火装置发明孙国胜80056.准量子阱有源区、 薄层波导SOA集 成SSC

26、器件发明丁颖80057.一种多孔磷化铟的电化学池设计及 电化学腐蚀体系及方法发明车晓玲80058.铝铟磷或铝稼铟磷材料大功率半导 体激光器及其制作方法发明林涛80059.降低磷离子注入（0001）取向的4H-SiC电阻率的方法发明高欣80060.实现光波导器件耦合封装的新方法发明李健80061.一种增益钳制的半导体光放大器及 制作方法发明黄永箴80062.改进的真空镀膜机加热装置发明路秀珍80063.包含硅基高效发光材料的电致发光 器件及制备发明张建国80064.800nm布拉格反射镜式半导体可饱 和吸收镜发明王勇刚80065.中间镜式半导体可饱和吸收镜发明王勇刚80066.表面咼反型半导体可

27、饱和吸收镜发明王勇刚80067.铝傢氮/氮化傢咼电子迁移率晶体管 的制作方法发明王晓亮80068.硅基稀土掺杂发光材料和包含这种 材料的电致发光器件发明张建国80069.在解理面上制作半导体纳米结构的 方法发明陈涌海80070.一种磷化铟基里子级联半导体激光 器及制作方法发明郭瑜80071.磷化铟基量子级联半导体激光器材 料的结构及生长方法发明郭瑜80072.在硅衬底上低温生长咼结晶质量氧 化锌薄膜的方法发明沈文娟80073.低温生长砷化傢式半导体可饱和吸 收镜发明王勇刚80074.紫外写入二氧化硅波导上制备布拉 格光栅的方法发明夏君磊80075.紫外激光写入制备高折射率差二氧 化硅波导的方法

28、发明夏君磊80076.在硅衬底上生长碳化硅氮化傢材料 的方法发明陈诺夫80077.新型监光、黄光量子阱堆叠结构白 光发光二极管及制作方法发明郭伦春80078.波长可调谐分布布拉格反射半导体 激光器的制作方法发明张靖80079.自适应型偏置可变增益低噪声放大 器的自动反馈控制方法发明徐化80080.在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法发明时文华80081.一种稳定的微功耗CMOS电压积 分器新型吴杰50082.具有外加磁场的深能级瞬态谱测量 装置与测量方法发明卢励吾80083.半绝缘衬底长波长半导体激光器及 其制作方法发明林涛80084.非共面电极半导体激光器芯片咼频 特性测试台发明陈诚

29、80085.测量非共面电极激光器芯片的高频 测试夹具发明陈诚80086.半导体激光器高频封装用具有微带 结构的热沉发明张尚剑80087.一次外延形成半导体激光器和模斑 转换器的方法发明侯廉平80088.双波导技术制作半导体激光器和模 斑转换器的方法发明侯廉平80089.单相扎硅化合物以及制备方法发明李艳丽80090.同一半导体芯片不同周期全息光栅 的制作方法发明谢红云80091.利用倒装焊技术制作氮化镓基激光 器管芯的方法发明张书明80092.正交频分复用系统帧同步结构发明石寅80093.正交频分复用系统定时同步法发明石寅80094.快速升温和快速降温的贴片加热装 置发明谢亮80095.竖直式

30、离子注入碳化硅咼温退火装 置实用新型孙国胜50096.水平式离子注入碳化硅咼温退火装 置实用新型孙国胜50097.选择区域外延生长叠层电吸收调制 激光器结构的制作方法发明朱洪亮80098.抗干扰型氮化镓基紫外双色探测器 及其制作方法发明*赵德刚80099.背孔结构氮化镓基发光二极管的制 作方法发明马龙800100.垂直腔面发射激光器TO同轴封装 测试用的夹具发明刘超800101.利用密封石英玻璃管实现不同材料 晶片键合的方法发明杨国华800102.用于波长转换的半导体光学放大器 的制备方法发明张瑞英800103.制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法发明刘超800104.利用离子束外延生长设备制备氮化

31、 锆薄膜材料的方法发明杨少延800105.利用离子束外延生长设备制备氮化 铪薄膜材料的方法发明杨少延800106.一种产生超短光脉冲的单片集成器 件的制作方法发明赵谦800107.基于电吸收调制器光开关技术的超 短光脉冲的方法发明潘教清800108.磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长 方法发明陈晨龙800109.倒装氮化镓基发光二极管芯片的制 作方法发明李丙乾800110.可提咼砷化铝氧化均匀性的外延片 承载装置发明佟存柱800111.使多个V形光伏器件组件连接的方发明李建明800法112.提咼氮化傢基咼电子迁移率晶体管 性能的结构及制作方法发明王翠梅800113.集成太阳电池的制备方法发明陈诺夫

32、800114.制备稀磁半导体Ga1-XMnXSb单晶 的方法发明陈晨龙800115.1.3微米高密度量子点结构及其制备 方法发明牛智川800116.一种咼阶噪声整形直接数字频率合 成器发明倪卫宁800117.能引出低熔点金属离子的冷阴 极潘宁离子源发明徐嘉东800118.在傢砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液 相外延生长方法发明彭长涛800119.激光器-电吸收调制器-模斑转换 器单片集成的制作方法发明候廉平800120.双异质结构氮化镓基咼电子迁移率 晶体管结构及制作方法发明王晓亮800121.一种光瞬态自动测试系统发明张砚华800122.半导体激光器无源对准耦合与高频 封装用硅基版发明杨华8001

33、23.全集成高线性三角波发生器发明李霄鹍800124.一种多波长复用光纤传感器以及光 信号传输的方法发明张松伟800125.与输入信号无关的电何泵电路发明姚远800126.双异质外延SOI材料及制备方法发明王启元800127.硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄 膜材料及制备方法发明王启元800128.金属有机物化学气相淀积设备的多 层流反应室结构发明刘祥林800129.一种山族氮化物衬底的生产设备发明刘祥林800130.平板式电极结构发明刁宏伟800131.分式线性神经网络模型发明杨国为800132.12路并行10Gb/s甚短距离传输系统发明陈弘达800133.一种制备金属铪薄膜材料的方法发明杨少

34、延800134.用于电调制光致发光光谱测量的样 品架发明丛光伟800135.基于虚拟信源和神经网络的无损数 据压缩方法发明杨国为800136.硅纳米线的制备方法发明曾湘波800137.单相钆硅化合物以及制备方法发明李艳丽800138.在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底 材料的方法发明刘祥林800139.应变调制掺杂法制备P型氧化锌半 导体薄膜材料的方法发明刘祥林800140.一种制备三元高K栅介质材料的方 法发明李艳丽800141.对砷化铝/砷化傢的砷化傢高选择比 化学腐蚀液发明黄应龙800142.改善氮化镓基咼电子迁移率晶体管 栅极肖特基性能的结构发明王晓亮800143.一种制备金属锆薄膜材料的

35、方法发明杨少延800144.金属有机物化学气相沉积设备反应 室中的反烘烤沉积结构发明刘祥林800145.利用温度变化监测液氮流速的方法发明孙永伟800146.一种制备一兀稀土化合物薄膜材料 的方法发明杨少延800四、版图设计2004年版图设计:（共奖励 元）1基于0.35umX艺硅基光发射器件版 图版图设计陈弘达10002基于0.35umX艺硅基光发射器件及 其驱动电路单片集成版图版图设计陈弘达10003基于0.35umX艺硅基光发射器件驱 动电路版图版图设计陈弘达10004基于0.35um工艺的模数（AD）转换器 设计版图版图设计王磊10005基于0.35um工艺的咼速咼精度数模 转换器设计

36、版图版图设计耿学阳10006基于0.6um工艺的咼速咼精度数模 转换器设计版图版图设计于雪峰10007基于0.35um工艺的Delta-Sigma直接 数字频率合成器设计版图版图设计倪卫宁10008基于0.35um工艺的高速直接数字频 率合成器设计版图版图设计倪卫宁1000五、专利授权2004年授权的专利:（共奖励 元）序号专利名称类别姓名奖励金额（元）1采用TEO源PECV生长氧化硅厚 膜方法发明雷红兵25002自钝化非平面结三族氮化物半 导体器件及其制造方法发明陆大成25003磁性半导体/半导体异质液相外 延生长方法发明陈诺夫25004波长可调谐电吸收调制DFB激光 器和制作方法发明刘国利

37、250053族氮化物单/多层异质应变薄膜 的制作方法发明陈振25006高P型载流子浓度的氮化镓基化 合物薄膜的生长方法发明韩培德250071.3微米In GaAs/GaAs自组织量 子点激光器材料及生长该材料 的方法发明牛智川25008新型平面型DF吶光栅耦合结构 制作方法发明朱洪亮25009气源分子束外延生长锗硅异质 结双晶体管材料搀杂方法发明黄人疋250010半导体/磁体/半导体三层结构 的制备方法发明杨君玲250011高速A/D转换器中无冗余的数字 校正方法发明石寅250012偏振不灵敏半导体光学放大器 的制备方法发明张瑞英250013阵列波导光栅与光纤阵列一体 化的结构及其制造方法发明

38、刘育梁250014具有中心自对准功能的光纤微 透镜加工方法发明陈少武250015半导体激光器V型槽固定光纤同 轴器件发明陈振宇250016在蓝宝石衬底上形成半导体发 光二极管管芯的方法发明杨辉250017带导轨的镀膜架实用新型刘素平100018磁致伸缩式光纤光栅电流传感 器实用新型田珂珂100019磁致伸缩式光纤光栅电流传感 器实用新型田珂珂100020带有外加磁场的深能级测量样 品架装置实用新型卢励吾100021光纤光栅式加速度计实用新型田珂珂1000六、著作奖励2004半导体所科技人员作为第一作者发表著作的奖励序号名称类别姓名奖励金额（元）1半导体辐射探测器译著刘忠立50002甚短距离光传

39、输技术编者陈弘达10000附件三:2004年国际期刊影响因子期刊名称影响因子逼近值备注J. Appl. Phys2.1712.25Jour nal of Crystal Growth1.4141.5Appl. Phys. Lett.4.0494Physica E0.931.0IEEE PHOTONICSTECHNOLOGY LETTERS2.2582.25Jour nal of Physics: Conden sedMatter1.7571.75Nano tech no logy2.3042.25Chin ese Jour nal of Chemistry0.5920.5J. Vac. Sci

40、. Tech nol.B1.61.5Physica Status Solidi (b)0.9871.0CHIN.OPTICS LETT未被SCI收录Chi n. Phys. Lett.1.0951.0JPN J APPL PHYS1.1711.25Scie nee in China E Engin eeri ng &materials Science0.3550.25chin ese physics1.3471.25Superlattices and Microstructures0.6040.5Physical Review B2.9623.0Physical Review A2.5892.5Optics Communi catio ns1.4821.5J.Phys.A：Math.Gen1.3571.25J. Phys. D: Appl. Phys1.2651.25J. Appl. Cryst2.3242.25Solid state Com mun icati ons1.6021.5Science in Chi na Ser.G新刊，尚 无影响因 子Optics and lasers inEngin eeri ng1.0061.0IEE Proc.-Optoelectro n1.0341.