数电第七章半导体存储器

1、！单元数庞大！单元数庞大！输入！输入/输出引脚数目有限输出引脚数目有限ROMROM PROMEPROM掩模可编程可擦除的可编程RAMRAM动态静态存储单元存储单元：二极管、三极管、二极管、三极管、MOSMOS管，只能存放一位二值代码，对应的地址代码管，只能存放一位二值代码，对应的地址代码地址译码器地址译码器：将输入地址代码译成相应的控制信号，选定指定单元并送出将输入地址代码译成相应的控制信号，选定指定单元并送出)(高阻时，时，ZYNEAYNE10二位地二位地址代码址代码字字线线位位线线3133202311100WWdWWWdWWdWWd013012011010AAWAAWAAWAAW31332

2、02311100WWdWWWdWWdWWd013012011010AAWAAWAAWAAWu出厂时所有交叉点都作了存储元件，即出厂时所有交叉点都作了存储元件，即存入存入1u在所需单元将熔丝烧断即存入在所需单元将熔丝烧断即存入0u设计人员根据自己的需要只能写入一设计人员根据自己的需要只能写入一 次，次，一经写入无法更改，使用编程器写入数据一经写入无法更改，使用编程器写入数据1616SIMOSMOS叠栅注入管:cfGG控制栅 控制数据的读出和写入浮置栅 长期保存注入电荷通处正常逻辑高电平下导上未充负电荷，则若导通处正常逻辑高电平下不上充以负电荷，则若工作原理：cfcfGGGG注入电荷需要注入电荷需

3、要25V电压，电压，擦除时间一般半个小时擦除时间一般半个小时左右左右256256256256个存储单元个存储单元高四位选中某一行高四位选中某一行低四位选中某行中的存低四位选中某行中的存储单元储单元EN=0EN=0，数据输出，数据输出l编程器写入编程器写入l擦除器擦除擦除器擦除)(管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与,/cmVmSiODGf78210102存储管存储管选通管选通管（隧道区）区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间SGnmOSGfif15102CS=0,RAMCS=0,RA

4、M正常工作正常工作CS=1,RAMCS=1,RAM所有输入输出呈现所有输入输出呈现高阻态，不能进行读写操作高阻态，不能进行读写操作R/W=1R/W=1，执行读操作，将存储，执行读操作，将存储单元的数据送到单元的数据送到I/OI/OR/W=0R/W=0，执行写操作，将，执行写操作，将I/OI/O数据写入到存储单元数据写入到存储单元0000000000CS=0 R/W=1CS=0 R/W=1，执行读操作，执行读操作CS=0, R/W=0CS=0, R/W=0，执行写操作，执行写操作SCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,1024 84256 8):(110025625670A个地址个字，需要每一片提供SCYYAAAA分别接四片的译成即将两位代码区分四片用,30898989AA4321SCSCSCSCABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321产生：用),(),(),(),(1521441410767