0.8um-5V-CMOS-process-flowPPT优秀课件

1、E-1 李永辉（Confi）2003/10/13114 wafer start1.Wafer Start P TYPE , 8-12OHM-CM- 晶向：具较小的缺陷密度，可晶向：具较小的缺陷密度，可 生长质量生长质量 好的氧化层好的氧化层.2.Wafer laser mark3.Scrubber clean after wafer laser mark4.C1 clean5 18 N-well implant5.Pad oxide(1000 deg c ; Tox: 350A)-作用：作为作用：作为nitride的垫底，抵消的垫底，抵消nitride与与Si直接接直接接 触的应力触的应力.

2、机台：机台：1F1，1F2，2F1，2F2，5F1，5F2，5F4，6F16.Si3N4 deposition (Thickness: 1500 ANG)-作用：作为作用：作为N-Well IMP.幕罩，为后续幕罩，为后续 Twin Well的形成作准备，的形成作准备，LPCVD 反应式：反应式：SiH2Cl2+7NH3 Si3N4+3NH4Cl+3HCl+6H2 机台：机台：1F4，2F4，9F1P TYPE SubstratePad OxideSi3N4E-1 李永辉（Confi）2003/10/1327.RCA C1 clean8.After Si3N4 deposition inspe

3、ction9.NITRIDE DUMMY OR WAIT CHILD LOT TO MERGE10.PR coat (JSG-7980;TK=1.22u;SVG=111;TEL=1)11.N well alignment exposure (192)-通过微影（光阻覆盖通过微影（光阻覆盖coating、曝光、显影等工序）、曝光、显影等工序） 将掩膜板上的图形转移到将掩膜板上的图形转移到wafer上，定义出上，定义出N-well区域，非区域，非N-well上保留光阻。上保留光阻。P TYPE SubstrateSi3N4PRE-1 李永辉（Confi）2003/10/13312.Develop

4、PR (MF320, NON-CD; JSR-7980; SVG=77; TEL=7)13.ADI check14.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE15.Hard-bake (1180C 35min)16.Si3N4 dry-etch (490ABC: Si3N4 )-作用：用作用：用dry etch将无光阻覆盖的将无光阻覆盖的N-well上的上的nitride去去 除，为除，为N-well Imp. 作准备为防止离子通道效应（作准备为防止离子通道效应（Channeling Effect),实际上会留下实际上会留下Pad Oxide17.Pad t

5、hickness-measure (after Si3N4 etch) (1.0um : MTKNW1; 0.8um : MTKNW2)18.N-Well implant (P31/100keV/1.0E13)-作用：植入作用：植入P以形成以形成N-well。机台：。机台：IMP-MED 1/2/3P TYPE Substrate Si3N4PRN-WELLP31E-1 李永辉（Confi）2003/10/1341931 P-Well implant19.Ashing(PSC partial-strip: poly, code-imp)-作用：去除作用：去除wafer上的光阻机台：上的光阻机台

6、： PSC为为O2 Plasma干蚀刻机台，以干蚀刻机台，以O2分解大部分分解大部分 20.Photoresist stripping(H2SO4) 光阻；光阻；CR是是H2SO4+H2O2反应的湿蚀刻机台用来反应的湿蚀刻机台用来 去除去除PSC Ashing后的残留光阻。后的残留光阻。PSC+CR21.After-etch inspection22.Standard clean23.Well oxidation(980 DEG C;Tox:6000)-作用：通过热氧化在作用：通过热氧化在N-Well上生成上生成6000 SiO2作为作为P-Well Imp.幕罩，同时将幕罩，同时将N-wel

7、l Imp.的杂质向的杂质向Si-sub内推进内推进 机台：机台：5F1，5F2，5F4，6F124. BOE 10:1 WET ETCH ( AEWO04/05 : 0 MIN 30 SEC ) P TYPE SubstrateSi3N4PRN-WELLWell OxideE-1 李永辉（Confi）2003/10/13525.Si3N4-1 Stripping (Hot H3PO4 , low ratio, PCS.X2 )-利用热利用热H3PO4与与Si3N4反应反应 去除去除wafer上的上的Si3N4，以便，以便P-well Imp26.Pad thickness-measure(A

8、fter Si3N4 Strip, Tox=350ANG) (1.0um: MTKNR1; 0.8um: MTKNR2)27.After -etch inspection28.P-Well implant (B11/100keV/6.5E12)-植入植入B11，能量，能量100Kev，剂量，剂量6.5E12，倾角，倾角 7o 。因。因N- well上有上有6000 oxide可以阻挡可以阻挡 Imp.对对N-well的影响的影响 机台：机台：IMP-MED 1/2/330.C1 clean29.CR clean (second H2SO4 tank)31.Well diffusion (115

9、0 deg C; 2200 ANG; VD=1.5hrs)-藉高温扩散将藉高温扩散将Imp植入的植入的 离子离子drive-in，直至，直至P-well所需的深度所需的深度 机台：机台：3F2，3F3，4F2，4F3P TYPE SubstrateN-WELLWell OxideP-WELLE-1 李永辉（Confi）2003/10/13632-62 P-field implant32.BOE 10:1 Wet-etch (BOE7, BOE9:12 min 0 sec)-用用BOE（Buffer Oxide Etching,HF+NH4F+H2O）去除）去除WAFER表面的表面的SiO2，为

10、，为active area（MOS心区心区 域域,即源，汲，闸极即源，汲，闸极 区域）的定义作准备区域）的定义作准备33.After-etch inspection34.C1 clean35.PRE-IMPLANT/DIFFUSION OXIDE (920 DEG C; Tox: 250 ANG) (Pad Oxide 250 ANG)-作为作为nitride的垫底，抵消的垫底，抵消nitride与与Si直接接触的应力直接接触的应力 机台：机台：1F1，1F2，2F1，2F2，5F1，5F2，5F4， 6F1 (1.0um : APDOX1; 0.8um: APIOX1)36.Si3N4 de

11、position (Thickness: 1500 ANG)-同同6，为定义，为定义active area 作准备，防止作准备，防止 active area 被氧化被氧化 机台：机台：1F4，2F4，9F137.RCA C1 cleanP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4E-1 李永辉（Confi）2003/10/13738.After Si3N4 deposition inspection39.NITRIDE DUMMY OR WAIT CHILD LOT TO MERGE40.PR coat (V3; TK=1.26u; SVG=141)41. SI

12、N (120) ALIGN EXPOSURE (SIN 1500: PAD-OX 250)-形成形成active area (1.0um: AEXOD1; 0.8um: AEXOD2)42.Develop PR (MF320; Si3N4 ;V3; SVG=31; TEL=3)43. OD (120) ADI CD MEAS 1.2 CD BAR (SPEC=1.20+-0.12 UM; CDOD120B) (1.0um: MSEOD1; 0.8um: MSEOD2)44.ADI Check45.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE46.Hard ba

13、kePR PRP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4E-1 李永辉（Confi）2003/10/13847.SIN DRY ETCH ( 08SIN)-定义出定义出Active area，为后来的，为后来的LOCOS方法制作方法制作Field Oxide做准备做准备 机台：机台：Lam 490方法：用方法：用NF3来进行干蚀刻来进行干蚀刻 (1.0um: ANDOD1; 0.8um: ANDOD2)48. PAD THICKNESS-MEASURE (AFTER 08SIN ETCH) (1.0um: MTKOD1; 0.8um: MTKOD2)49.As

14、hing (PSC Partial-strip: poly, code-imp)-PSC+CR 去除光阻，为下一步离子去除光阻，为下一步离子 注入做准备注入做准备50.Photoresist stripping (H2SO4)51.After-ecth inspection52.1500/250/5X: SIN AEI-CD S6000(+-0.12) (1.0um: MCDOD1; 0.8um: MCDOD4)P TYPE SubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4E-1 李永辉（Confi）2003/10/13953.PR coat (JSR-7980;TK=1.6u;

15、SVG=221;TEL=2)54.P-Field implant alignment exposure (193/191)-为了在后来的为了在后来的Field Oxide下面形下面形 成成 一个高一个高 搀杂以形成搀杂以形成Shallow Junction的的P-Type区域，用光阻定义出区域，区域，用光阻定义出区域，193为光罩代码为光罩代码55.Develop PR (MF320,NON-CD;JSR-7980;SVG=77;TEL=7)56.ADI Check57.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE58.P-Field implant (B11

16、/25keV/5.0E13)-作为通道阻绝作为通道阻绝(Channel stop ) 用，防止用，防止Current Leakage，有时也植入，有时也植入N-Field。方法：。方法：B11,剂量：剂量：5.0E13,能量：能量：25Kev 角度：角度：7o 机台：机台：IMP-MED1/2 /3,IMP-HIFP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4PRPF PFE-1 李永辉（Confi）2003/10/131059.Ashing (PSC Partial-strip: poly, cod-imp)-PSC+CR 去除光阻，引进炉管不能有去除光阻，引进

17、炉管不能有 光阻存在光阻存在60.Photoresist stripping (H2SO4)61.After-etch inspection62.Standard clean63-72 locos&vt implant63.Field oxide (980 DEG C;6000 ANG)-作用：作为器件隔离作用：作为器件隔离 机台：机台：5F1,5F2,5F4,6F1 方法：厚度较厚，用湿法氧化制作方法：厚度较厚，用湿法氧化制作64.BOE 10:1 Wet-etch (BEO7,BEO9:30sec)P TYPE SubstrateN-WELLP-WELLSi3N4Si3N4PRFOXE-1

18、 李永辉（Confi）2003/10/131165.Si3N4 2 Stripping (Hot H3PO4)-作用：去除作用：去除SiN，为，为Source，Drain，Gate的制作做的制作做 准备。方法：用热磷酸湿式蚀刻法去除准备。方法：用热磷酸湿式蚀刻法去除66.PAD THICKNESS MEASURE (AFTER SIN STRIP , Tox=250) (1.0um: MTKNR1; 0.8um: MTKNR3) 67.After-etch inspection68.HF 50:1 Pad oxide remove (9 min)-作用：垫氧化层去除，也是为作用：垫氧化层去除，

19、也是为Source，Drain Gate 的制作做准备的制作做准备 。方法：用。方法：用50:1的的HF湿式蚀刻法，蚀刻速率为湿式蚀刻法，蚀刻速率为 6015/min，时间不能，时间不能 太久，否则太久，否则FOX会会LOSS 太多太多。69. Standard cleanP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXE-1 李永辉（Confi）2003/10/131270.SAC oxide (920 DEG C; Tox:350 ANG)-作用：牺牲氧化层，是为了去除底材表面作用：牺牲氧化层，是为了去除底材表面 的的Defect和和 一些微粒，并对下一步骤一些微粒，并对下一

20、步骤 的离子植入有一定的散射作用，即降低通道效应的影响的离子植入有一定的散射作用，即降低通道效应的影响 机台：用机台：用Gate Ox.管管1F1，1F2，2F1，2F2来生长来生长 方法：一般用干氧化法方法：一般用干氧化法71.VT implant (IMP-MED) (B11/25keV/2.5E12)-作用：因为作用：因为NMOS和和PMOS的开的开 启电压不相同，为了在启电压不相同，为了在CMOS中输入一个固定的电压，两个中输入一个固定的电压，两个MOS能同时开启，所以我们要对能同时开启，所以我们要对 其进行调整，方法：由于后来的其进行调整，方法：由于后来的Poly上搀杂的是上搀杂的是

21、N-Type的的POCl，导致，导致NMOS的的VT略小略小 PMOS，所以我们植入的是，所以我们植入的是P-Type的的B11 机台：机台：IMP-MED1/2/372.CR clean (second H2SO4 tank)73-90 gate oxide&poly gate define73.HF 50:1 SAC oxide 350 ANG remove (9 min)-作用：接下来我们要做作用：接下来我们要做Gate Ox. ，它对氧化膜的质，它对氧化膜的质 量要求非常高，所以我们要去除以前的牺牲氧化层，重新生长一曾质量更好量要求非常高，所以我们要去除以前的牺牲氧化层，重新生长一曾质

22、量更好 的氧化膜。方法：用的氧化膜。方法：用50:1的的HF湿式蚀刻法，时间不能太久，否则会影响到下面的底材及湿式蚀刻法，时间不能太久，否则会影响到下面的底材及 FOX LOSS.74.C1 cleanP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXB11E-1 李永辉（Confi）2003/10/131375.GATE OX(920 DEG C;Tox:170+-20 ANG)-作用：这是作用：这是CMOS元件中最重要的一层绝元件中最重要的一层绝 缘层，它对开启电压有很大的影响，它的质量的好坏将影响元件的性质缘层，它对开启电压有很大的影响，它的质量的好坏将影响元件的性质 机台：

23、机台：1F1，1F2，2F1，2F2 方法：干氧化法方法：干氧化法 (1.0um: AGAOX1; 0.8um: AGAOX3) 76.Poly deposition (630 deg c;3500 ANG)-作用：由于金属和下面的氧化层接触不是作用：由于金属和下面的氧化层接触不是 太好，更重要的是影响后面的高温制程，所以我们用太好，更重要的是影响后面的高温制程，所以我们用Poly来代替金属作为导电层，它空来代替金属作为导电层，它空 隙较多，容易搀杂低阻化。方法：隙较多，容易搀杂低阻化。方法：LPCVD，它的成长温度对，它的成长温度对MOS器件的特性有很大的器件的特性有很大的 影响，一般控制在

24、影响，一般控制在6303 机台：所用炉管为机台：所用炉管为1F3，2F3，7F477.Standard clean78.N+Poly dope (950 DEG C;9-12 OHM/SQ)-作用：使作用：使Poly-Si阻值降低，达到我们所要求的导阻值降低，达到我们所要求的导 电特性。方法：扩散法电特性。方法：扩散法 机台：所用炉管为机台：所用炉管为6F2，6F3，6F479.5% HF Poly deglaze (HF 5%;3 min)-去除表面的玻璃？去除表面的玻璃？POLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXE-1 李永辉（Confi）2003/10/131

25、480.C1 clean81.PR coat (V3;TK=1.23u;SVG=161)82.POLY (130) ALIGN EXP.TCD (POLY, TL32)*G7*-定义出定义出Gate并为并为N-LDD的的 植入定义了范围植入定义了范围 (1.0um: AEXP11; 0.8um: AEXP12) 83.DEV PR (MF320;poly;V3;SVG=31;TEL=3)84.POLY (130) ADI CD MEAS 0.8 CD BAR (SPEC=0.8+-0.12 UM;CDP1120B) (1.0um: MSEP11; 0.8um: MSEP12)PR PRPOLY

26、P TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXE-1 李永辉（Confi）2003/10/131585.ADI & OVERLAY CHECK (+-0.25; 0.8CMOS; POLY) (1.0um: MADP11; 0.8um: MADP12)86.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE87.Hard-bake (118C 35min)88.PO-ET (4420AB:3500;5000AB:3500)-作用：蚀刻出作用：蚀刻出gate方法：因为导电层线宽控方法：因为导电层线宽控 制要非常的精确，所以要用非等向的蚀刻法。对制要非常

27、的精确，所以要用非等向的蚀刻法。对Poly的干蚀刻一般用的气体为的干蚀刻一般用的气体为Cl2。 （Polymer 为使用为使用CF4蚀刻留下的高分子聚合物）蚀刻留下的高分子聚合物） 机台：机台：Lam-442089.After-etch inspection90.HF1% Wet clean (HF 1%:20sec)-为了去除为了去除PolymerPOLYPOLYPRP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXPRE-1 李永辉（Confi）2003/10/131691-102 NLDD Implant91.Ashing (PSC partial-stripping: po

28、ly, code-imp)-PSC+CR92.Photoresist stripping (H2SO4)93.After-etch inspection (poly after PR strip)94.POLY AEI-TCD MEASUREMENT (TL32, PO=0.8+-0.12) (1.0um: MCDPO1; 0.8um: MCDPO4)95.Standard clean96.PRE S/D oxidation (3F1,4/4F1,4;920 DEG C;150 ANG)-作用：作为防止离作用：作为防止离 子植入时的通道效应，并对下面的子植入时的通道效应，并对下面的Si底材有保

29、护的作用，一般厚度不会太厚。底材有保护的作用，一般厚度不会太厚。 机台：机台：4F4,3F4,3F1,4F1P TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXPOLYPOLYE-1 李永辉（Confi）2003/10/131797.PR coat (JSR-7980;TK=1.6u;SVG=221;TEL=2)98.N LDD implant alignment exposure (198/116)99.Develop PR (MF320,NON-CD;JSR-7980;SVG=77;TEL=7)100.ADI Check101.ADI DUMMY OR WAITING CHILD

30、 LOT TO MERGE PRPOLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXE-1 李永辉（Confi）2003/10/1318102.N (LDD) implant(IMP-MED;TILT 0 DEG) (P31/60keV/2.5E13/0 DEG)-LDD(Lightly Doped Drain)轻微掺杂的汲极轻微掺杂的汲极.作用：作用：LDD可以防止热电子效应可以防止热电子效应 (Hot Electron/Carrier Effect) 方法：采用离子植入法，缺点是制程复杂且轻掺杂使方法：采用离子植入法，缺点是制程复杂且轻掺杂使S/D串联电阻增大，导

31、致元件操作速度降串联电阻增大，导致元件操作速度降低低 机台：机台：Imp-MED1/2/3103-118 N+ implant103.Ashing (PSC partial-strip; poly, code-imp)-PSC+CR PSC一般在金属后去除光一般在金属后去除光 阻用阻用O2 plasma法；法；CR是由是由H2SO4和和H2O2构成，用在构成，用在metal前的光阻去除，是在酸槽中进的。前的光阻去除，是在酸槽中进的。104.PR stripping (H2SO4)105.After-etch inspection106.Standard cleanPOLYPOLYP TYPE

32、SubstrateN-WELLP-WELLFOXNLDD NLDDE-1 李永辉（Confi）2003/10/1319107.TEOS Deposition (7E3/9F2;3000 ANG)-保护保护Gate极以及便于形成极以及便于形成N-LDD结构结构 TEOS是一种含有硅与氧的有机硅化物是一种含有硅与氧的有机硅化物 Si(OC2H5)4,在室温常压下为液体在室温常压下为液体EOS base的沉积膜的沉积膜 step coverage佳佳 机台：机台：7F3,9F2（9F2为垂直管）为垂直管）TEOSP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXNLDDNLDDE-1 李

33、永辉（Confi）2003/10/1320108.Spacer dry-etch (4520AB:3000)-蚀刻形成蚀刻形成spacer。方法：是由非等向性蚀刻形成，。方法：是由非等向性蚀刻形成， 在在 Poly两边两边TEOS较厚，在蚀刻同样厚度的情况下，拐角处留下一些不能被蚀刻，因此形较厚，在蚀刻同样厚度的情况下，拐角处留下一些不能被蚀刻，因此形 成成Spacer. 机台机台:Lam-4520109.Thickness-measure(FOX&Tox After spacer etch) (1.0um: MTKSP1; 0.8um:MTKSP2)110.Standard clean111

34、.PRE S/D Oxidation (3F1,4/4F1,4;950 DEG C;200 ang)- S/D_OX.是一种是一种 pre- imp OX.防止离子通道效应防止离子通道效应 机台：机台：4F1,3F1,4F4,3F4POLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXNLDDNLDDE-1 李永辉（Confi）2003/10/1321112.PR coat (JSR-7980;TK=1.6u;SVG=221;TEL=2)113.N+ implant alignment exposure (198/116)-为为Source,Drain的植入定义出区域。

35、的植入定义出区域。 198为光罩层代号为光罩层代号 114.Develop PR (MF320,NON-CD;JSR-7980;SVG=77;TEL=7)115.ADI Check116.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE117.Hard bake (125C 30min)POLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXNLDDNLDDE-1 李永辉（Confi）2003/10/1322118. N+ implant (IMP-HI) (AS75/80keV/5.5E15)-为了形成为了形成NMOS的的Soure及及Dr

36、ain 方法：采用离子植入法，将方法：采用离子植入法，将N type As离子植入到离子植入到wafer 机台：机台：IMP-HI1/2/F119- 130 P+ implant119.Ashing (PSC:CAP-IMP, N+ ,P+,CONTACT,CONTIMP,SA-POLY)120.PR Stripping (H2SO4)-PSC+CR121.After-etch inspectionPOLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+E-1 李永辉（Confi）2003/10/1323122.PR coat (JSR-7980; TK=1.6u

37、; SVG=221; TEL=2)123.P+ implant alignment exposure (197)124.Develop PR (MF320,NON-CD; JSR-7980; SVG=77; TEL=7)125.ADI Check126.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE127.Hard bake (125C 30min)128.P+ S/D implant (IMP-HI) (B11/25keV/2.8E15)- 机台：机台：IMP-HI 3 /FPOLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+

38、P+P+E-1 李永辉（Confi）2003/10/1324129.Ashing (PSC:CAP-IMP, N+ , P+, CONTACT, CONTIMP, SA-POLY)130. PR Stripping (H2SO4)-PSC+CR131-153 Contact (ILD : Inter layer Dielectric)131. After-etch inspection132. Standard cleanPOLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+E-1 李永辉（Confi）2003/10/1325133.BPSG Depos

39、ition (WJ999; 6000 ANG; Bwt%=3.3,Pwt%=4.4)-作用：作用：deposition BPSG是是 起平坦化和隔离作用所形成的起平坦化和隔离作用所形成的BPSG为三层结构为三层结构USG+BPSG+BPSG.USG为不含为不含B,P的的SiO2 作用为防止作用为防止BPSG中的中的B,P析出污染，析出污染， BPSG中加中加B起降低起降低Flow温度作用温度作用P可吸收离子可吸收离子 方法：方法：APCVD:SiH4+PH3+B2H6 SiO2+P2O5+B2O3 机台：机台：WJ999-1/2 (WJ有三根有三根Injector) USG 1200A + B

40、PSG 6300A (1.0um: ABPSG1; 0.8um:ABPSG2)134. BPSG FLOW/REFLOW (3F1,4/4F1,4; 900 C; 75 A; A;TERNATE)-使使BPSG平坦化，以利于上层平坦化，以利于上层 布线和光罩。机台：使用炉管布线和光罩。机台：使用炉管3F4、 4F4 ,温度温度920oC (1.0um: AFLOW1; 0.8um:AFLOW3)135.CR clean(second H2SO4 tank)-将将Flow时从时从BPSG中析出的中析出的B 、P去除去除136.PR coat (V3;TK=1.26u;SVG=141)137.Co

41、ntact layer alignment exposure (156/157)-定义出定义出Contact,为形成为形成Inter-connection,采用正光阻，经采用正光阻，经 过光照显影，将需要开口的地方光阻去除过光照显影，将需要开口的地方光阻去除。 (1.0um: AEXCT1; 0.8um: AEXCT2)138.DEV PR(MF320;poly;V3;SVG=31;TEL=3)139.CONTACT ADI CD MEASUREMENT (SPEC +-0.12um) (1.0um: MADCT1; 0.8um:MADCT2) PRPOLYPOLYP TYPE Substra

42、teN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+BPSGE-1 李永辉（Confi）2003/10/1326140.ADI & OVERLAY CHECK (156_130,VRN:+-0.25UM) (1.0um: MADCT1; 0.8um: MADCT2)141.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE 142.Hard bake (118C 35min)143.Descum (MTX1,MTX2:Descum)144.Contact wet-etch (BPSG Tox=3000 ANG Remained)-作用：将开口作用：将开口contact

43、处的处的BPSG去除去除 形成形成inter-metal- hole.方法：方法： 先用先用BOE10:1刻蚀（等向性蚀刻），后用刻蚀（等向性蚀刻），后用Dry Etc非等向性蚀刻）非等向性蚀刻） (1.0um: ACWCO1; 0.8um: ACWCO2)145. CONTACT WET ETCH AFTER ETCH Tox MEASURE (1.0um: MTKCO2; 0.8um: MTKCO2)146.Hard bake (118C 35min)PRPOLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+BPSGE-1 李永辉（Confi）200

44、3/10/1327147. CONTACT DRY ETCH (4520AB: 1560)-机台：机台：Dry Etcher有有8310/4520148. After-etch inspection149. Ashing (PSC:CAP-IMP, N+ ,P+,CONTACT,CONTIMP,SA-POLY) PSC+CRPRPOLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+BPSGE-1 李永辉（Confi）2003/10/1328150.PR Stripping (H2SO4)151.After-etch inspection (contact

45、 after PR strip)152.Standard clean153.BPSG FLOW/REFLOW (5F3,850 C;N2/O2 65 ANG; ALTERNATE)-将蚀刻后形将蚀刻后形 成的开口由锐利变平滑，以利于溅镀金属，同时可防止溅镀金属线因应力而断线。在进行成的开口由锐利变平滑，以利于溅镀金属，同时可防止溅镀金属线因应力而断线。在进行 Reflow时，炉管里面通有时，炉管里面通有N2，起隔离作用，起隔离作用。154-156 metal-1 deposition154.BOE 50:1 WET ETCH (120 SEC)-将开口处的将开口处的Native oxide去除

46、。去除。 BOE：HF+NH4F,蚀刻速度快，要严格控制时间蚀刻速度快，要严格控制时间 (1.0um: ABOEE1; 0.8um:ABOEE2)POLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+BPSGE-1 李永辉（Confi）2003/10/1329155.BLM:Barrier metal (Ti 400A + TiW 1200A)156.BS:Metal-I Sputter for Al Si Cu 5000 ANG-布导线，先布导线，先deposition Ti,防止布防止布Al 线时产生线时产生Spike现现 象，接着象，接着depos

47、ition TiW,因为因为Al与与Ti接触不好，同时接触不好，同时 TiW也可作为阻层也可作为阻层 最后最后deposition AlSiCu作导线。作导线。 机台：机台：ULVAC MLX 3000 ANELVA ILC1051POLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+BPSGMetal-1E-1 李永辉（Confi）2003/10/1330157- 174 VIA (IMD: Inter Metal Dielectric)157.PR coat (SPR-219;TK=1.95u;TEL=3;TEL=13(HMDS)158.MET-1(

48、160)Align(SPDM:5000AlSiCu/TiW/Ti) Focus + -0.5um159.DEV PR(MF320;poly;SPR-219;SVG=31;TEL=3)160.MET-1 ADI CD MEASUREMENT (SPEC+-0.15um; SEM) (1.0um: MSEM11; 0.8um: MSEM12)POLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+BPSGMetal-1E-1 李永辉（Confi）2003/10/1331161.ADI & OVERLAY CHECK (+-0.25; 0.8umCMOS; ME

49、TAL-1)162.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE163.Hard bake(118C 50min)164. METAL DRY ETCH (8330ABCD: MAX-5K ALSICU-TIW)-机台：机台：AMI-8330 (一一 次可以次可以run18片片)165.PR Stripping (EKC830)-EKC + PSC去除去除Metal上的光阻，上的光阻，EKC为有机溶剂并可以除为有机溶剂并可以除 去去Metal Etch时残留的时残留的Cl,因为因为Cl与空与空 气接触会形成气接触会形成HCl,腐蚀导线，腐蚀导线，PSC除去光阻

50、。除去光阻。166.Ashing (PSC:MATEL)167.After-etch inspection (Metal after PR strip)POLYPOLYP TYPE SubstrateN-WELLP-WELLFOXN+N+P+P+Metal-1BPSGE-1 李永辉（Confi）2003/10/1332168.M1 AEI-CD (ALSICU/TIW: S60 ONLY)169.PEOXIDE Deposition(ND6200;3000ang)-作为作为IMD的一层，我们用的一层，我们用SOG作平坦作平坦 介质，但介质，但SOG吸水，使用吸水，使用PEOX包着包着SOG，防

51、止吸水。方法：采用，防止吸水。方法：采用PECVD法，通入法，通入N2O+SiH4 生成生成 SiO2+N2H2 机台：机台：Novellus ,ND6200170.SOG COATING (3150 ANG）-作为作为IMD中的一层，平坦化作用。中的一层，平坦化作用。VAC-Bake的目的是去除的目的是去除SOG中的水气，用中的水气，用SOG curing固化。使用的是固化。使用的是 Siloxane型型SOG,比较容易吸水，分两次成长。机台：比较容易吸水，分两次成长。机台：SOG171.SOG COATING (3150 ANG/RECIPE-6);THE SECOND COATING17

52、2.VAC-BAKE IN OBM AFTER SOG COATING173.SOG CURING (420 DEG,7F1/7F2)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGE-1 李永辉（Confi）2003/10/1333174.PEOXIDE deposition 5000ang175- 202 Metal-2 Deposition175.Scrubber clean for ND6200 5000A PEOXIDE/PROG.8176. PR coat (V3;TK=1.55u;SVG=1

53、51)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGPE-OxideE-1 李永辉（Confi）2003/10/1334177.VIA LAYER ALIGNMENT EXPOSURE (178) FOCU+(-0.5um) (1.0um: AEXV11; 0.8um: AEXV12)178.DEV PR(MF320;VIA;V3;SVG=31;TEL=3)179.VIA ADI CD measurement (spec+ -0.12um)(spec1.2+ -0.12(1.2)180.ADI & OV

54、ERLAY CHECK (+-0.25; 0.8CMOS; VIA) (1.0um: MADV11; 0.8um:MADV12)181.ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE182.Hard bakeN-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGPE-OxideE-1 李永辉（Confi）2003/10/1335183.Descum (MTX1,MTX2:descum)184.VIA wet-etch (SOG; Tox=3000ang being etch)-1

55、85.VIA WET ETCH AFTER ETCH Tox MEASURE186.Hard bake (118C 35min)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGPE-OxideE-1 李永辉（Confi）2003/10/1336187.VIA dry-etch(590BC,8310AB:VIA;4520AB:1780)188.After-ecth inspection189.Ashing (PSC:VIA,PASSVATION)190.PR stripping(EKC830)- PSC+E

56、KCN-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGPE-OxideE-1 李永辉（Confi）2003/10/1337191.After-etch inspection192.VAC-BAKE IN OBM BEFORE MET-2 SPUT(SILOXANE:58min)-烘烘干因开干因开Via后后, 吸收水气的吸收水气的SOG 机台：机台：OBM 193.AM:metal-2 PRE-SPUT ETCH +TiW film194.BT:Metal-2 sputter for Al-Si-Cu 900

57、0 ANGN-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGPE-OxideMetal-2E-1 李永辉（Confi）2003/10/1338195.PR coat (SPR-219;TK=1.95u;TEL=3;TEL=13(HMDS)196. MET2 (180) ALIGN (9K/TIW/TI)*G7*FOUCS+(-0.5um) (1.0um: AEXM21; 0.8um:AEXM21) 197.DEV PR(MF320;METAL;SPR-219;TEL=13)N-WELLP-WELLFOXMe

58、tal-1BPSGPE-OxidePOLYPOLYN+N+P+P+P TYPE SubstrateSOGPE-OxideMetal-2PRE-1 李永辉（Confi）2003/10/1339198.MET-2 (180) ADI CD MEAS 1.2 CD BAR (SPEC=1.00+-0.15 UM;CDM2150A) (1.0um: MSEM21; 0.8um:MSEM22)199.ADI & OVERLAY CHECK (+-0.25; 0.8CMOS; METAL-2) (1.0um: MADM21; 0.8um:MADM22)200. ADI DUMMY OR WAITING CHILD LOT TO MERGE201.Hard bake(118C 50 min)N-WELLP-WELLFOXMetal-1BPSG