晶体三极管分析

1、2.1.1晶体三极管的结构、符号、类型晶体三极管的结构、符号、类型2.1.2三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用2.1.3三极管特性曲线三极管特性曲线2.1.4三极管主要参数三极管主要参数2.1.5特殊三极管特殊三极管2.1.6三极管的判别三极管的判别2.12.1晶体三极管晶体三极管BJTBJT BJT（双极结型晶体管）是通过一定的工艺，将两个（双极结型晶体管）是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，一般也称为半导体三极管、结结合在一起的器件，一般也称为半导体三极管、晶体三极晶体三极管，或简称晶体管。管，或简称晶体管。 是由两个是由两个PN结、结、3个杂质半导体区域组个杂质半导体区

2、域组成的。成的。 由于两个由于两个PN结之间相互影响，使三极管表现出不同结之间相互影响，使三极管表现出不同于单个于单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应结的应用发生了质的飞跃。用发生了质的飞跃。2.1.1晶体三极管的结构、符号、类型晶体三极管的结构、符号、类型又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。( (Bipolar Junction Transistor) )三极管的外形如下图所示。三极管的外形如下图所示。三极管有两种类型：三极管有两种类型：NPN 型和型和 PNP 型。型。主要以主要以 NPN

3、 型为例进行讨论。型为例进行讨论。图图 1.3.1三极管的外形三极管的外形3半导体三极管图片半导体三极管图片半导体三极管图片图图 1.3.2(b)三极管结构示意图和符号三极管结构示意图和符号NPN 型型ecb符号符号集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c基极基极 b发射极发射极 eNNP7集电区集电区集电结集电结基区基区发射结发射结发射区发射区集电极集电极 c发射极发射极 e基极基极 bcbe符号符号NNPPN图图 1.3.2三极管结构示意图和符号三极管结构示意图和符号( (b) )PNP 型型8 解释解释v三个电极三个电极 发射极，基极，集电极发射极，基极，

4、集电极发射极发射极箭头方向箭头方向是指发射结正偏时的电流方向是指发射结正偏时的电流方向v三个区三个区 发射区发射区(重掺杂重掺杂)，基区，基区(很薄很薄)，集电区（，集电区（结面积大结面积大）v两个两个PN结结发射结发射结(eb结结),集电结集电结(cb结结)晶体管的结构及类型晶体管的结构及类型常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。图图1.3.2a三极管的结构三极管的结构( (a) )平面型平面型( (NPN) )( (b) )合金型合金型( (PNP) )NecNPb二氧化硅二氧化硅becPNPe 发射极，发射极，b基极，基极，c 集

5、电集电极。极。发射区发射区集电区集电区基区基区10基区基区发射区发射区集电区集电区三极管内部结构要求：三极管内部结构要求：NNPebcN N NP P P1. 发射区掺杂浓度高。发射区掺杂浓度高。2. 基区做得很薄基区做得很薄。通常只有几微。通常只有几微米到几十微米，而且米到几十微米，而且掺杂较少掺杂较少。三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使：外加电源的极性应使发射发射结处于正向偏置结处于正向偏置状态，而状态，而集电结处于反向偏置集电结处于反向偏置状态。状态。3. 集电结面积大，以保证晶体管集电结面积大，以保证晶体管具有电流放大作用。具有电流放大作用。11总结：总结：（

6、1）PNP型和型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同，箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。使用中要注意电源的极性，确保发射结永远加电流方向。使用中要注意电源的极性，确保发射结永远加正向偏置电压，三极管才能正常工作。正向偏置电压，三极管才能正常工作。 （2）实际应用中采用）实际应用中采用NPN型三极管较多，型三极管较多，2.2.三极管的分类三极管的分类 按照频率分：高频管、低频管按照频率分：高频管、低频管 按照功率分：小、中、大功率管按照功率分：小、中、大功率管 按照材料分：硅管、锗管等

7、按照材料分：硅管、锗管等 按照结构按照结构: PNP: PNP管、管、NPNNPN管管X：低频小功率管：低频小功率管D：低频大功率管：低频大功率管G：高频小功率管：高频小功率管A：高频大功率管：高频大功率管IEIEIEICICICIBIBIBebcbcebec(a) 共基极（b) 共发射极(c) 共集电极图130 三极管的三种连接方式2.1.2三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用2、三极管的工作电压、三极管的工作电压以以 NPN 型三极管为例讨论型三极管为例讨论cNNPebbec表面看表面看三极管若实三极管若实现放大，必须从现放大，必须从三极管内部结构三极管内部结构和和外部所加电源外部所加

8、电源的极性的极性来保证。来保证。不具备放不具备放大作用大作用15晶体管处于放大状态的工作条件晶体管处于放大状态的工作条件内部条件内部条件发射区重掺杂发射区重掺杂(故管子故管子e、 c极不能互换极不能互换)基区很薄基区很薄(几个几个 m)集电结面积大集电结面积大外部条件外部条件 发射结发射结(eb结结)正偏正偏E1集电结集电结(cb结结)反偏反偏E2且且E2E1实验：I IC Cm mA AV VV VU UCECEU UBEBER RB BI IB BE EC CE EB B A A三极管共发射极电路电流放大测试结果：三极管共发射极电路电流放大测试结果： IB/mA00.010.020.030

9、.040.05IC/mA0.0010.501.01.6.2.202.90IE/mA0.0010.51.021.632.242.95IC/ IB-5050535558IC/IB-5050606070由实验测量结果可得出如下结论：（1）发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，此结果符合基尔霍夫定律。（2）比大得多。从第二列以后的数据可看出，要比大几十倍。（3）很小的变化可以引起很大的变化。比较第二列以后，后一列与前一列数据的基极电流和集电极电流的变化量之比，即，则得出一个级为重要的结论；基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化。也就是说基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管

10、的电流放大作用（实质是控制作用）。I IB B/mA/mA0 00.010.010.020.020.030.030.040.040.050.05I IC C/mA/mA0.0010.0010.500.501.01.01.6.1.6.2.202.202.902.90I IE E/mA/mA0.0010.0010.50.51.021.021.631.632.242.242.952.95I IC C/ I/ IB B-50505050535355555858I IC C/ /I IB B-50505050606060607070综上所述,可归纳为以下两点：（1）晶体管在发射结正偏，集电结反偏的条件下

11、具有电流放大作用。（2）晶体管的电流放大作用，其实质是对的控制作用，习惯上称晶体管为“放大”元件，但严格地讲它只是一种控制元件，因为它并不能放大能量，只是用一个小的能量来控制电源向负载提供更大的能量。2021-10-12电流分配关系：电流分配关系：三个电极上的电流关系三个电极上的电流关系: :IE =IC+IBNNPBBVCCVRbRCebcIENEPIIEBICNICICBOI发射区发射的电子数目等于基区复合的电子数目与集电区收集的电子数目之和。集电区电流IC占了发射区电流IE的绝大部分，基区电流IB只占IE的极小部分。ICIB三极管的电流放大特性三极管的电流放大特性：为三极管输入回路提供一

12、个很小为三极管输入回路提供一个很小的电流的电流I IB B，便可在其输出回路得到一个大电流，便可在其输出回路得到一个大电流I IC C。NNPBBVCCVRbRCebcIENEPIIECNICICBOIBI对于一只三极管，它的基区厚度和杂质浓度已定，因此IC与IB之间保持一定的比例关系，两者之比称为电流放大系数。集电区直流电流IC与基区直流电流IB的比值称为直流放大系数：BCII 集电区电流的变化量与基区电流的变化量的比值称为交流放大系数：BCIII IC C与与I I B B之间的关系：之间的关系： 三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系BCEIII BC II BE )1(II 第第 2

13、 章章三极管三极管近似有近似有流放大倍数称为晶体管共射状态直 电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 NPN型晶体管的电流关系型晶体管的电流关系 2021-10-12 三极管在工作时要加三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：若在放大工作状态：发射结正偏：发射结正偏：由由VBB保证保证集电结反偏：集电结反偏：由由VCC、 VBB保证保证UCB=UCE - UBE 0NNPBBVCCVRbRCebc共发射极接法共发射极接法c区区b区区e区区+UCE UBEUCB基极回路（输入回路）基极回路（输入回路）集电极回路（输出回路）集电极回路（输出回路）电路与

14、模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 放大状态下晶体管中载流子的传输过程放大状态下晶体管中载流子的传输过程CUceNPNbUBBRB图图22 晶体管内载流子的运动和各极电流晶体管内载流子的运动和各极电流RCC15V电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 cICeIENPNIBRCUCCUBBRBICBO15VbIBNIEPIENICN放大状态下晶体管中载流子的传输过程放大状态下晶体管中载流子的传输过程图图22 晶体管内载流子的运动和各极电流晶体管内载流子的运动和各极电流电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 内部机理晶体管工作的内部机理：晶体管工作的内部机理：-“非平衡载流子非平

15、衡载流子”的传输的传输电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 在发射结处在发射结处以以NPN为例。为例。eb结正偏结正偏，扩散运动扩散运动漂移运动漂移运动。发射区和基区发射区和基区多子多子（电子和空穴）的相互（电子和空穴）的相互注入注入。但。但发射发射区区（e区）高掺杂区）高掺杂，向，向P区的区的多子扩散（电子）多子扩散（电子）为为主（主（IEn）,另有另有P区向区向N区的多子（空穴）扩散，故相区的多子（空穴）扩散，故相互注入是不对称的。扩散互注入是不对称的。扩散(IEP)可忽略。可忽略。以上构成了以上构成了发射结电流的主体发射结电流的主体。电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础

16、在基区内在基区内基区很薄基区很薄。一部分一部分 (N区扩散到区扩散到P区的）区的）不平衡载流子不平衡载流子（电子）（电子）与基区内的空穴（多子）的与基区内的空穴（多子）的复合复合运动（运动（复合电复合电流流I IBNBN ）。）。大多数不平衡载流子连续扩散到大多数不平衡载流子连续扩散到cb结边缘处。结边缘处。以上构成了以上构成了基极电流基极电流（ I IBNBN）的主体。的主体。电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 在集电结处在集电结处集电结反偏集电结反偏。故故 漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动。集电结（集电结（自建电场自建电场）对非平衡载流子（电子）的）对非平衡载流子（电子）的强烈吸

17、引作用强烈吸引作用(收集作用收集作用）形成）形成ICN。另外有基区和集电区本身的另外有基区和集电区本身的少子漂移少子漂移（电子和空（电子和空穴）穴），形成，形成反向饱和漏电流反向饱和漏电流ICBO 。电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 非平衡载流子传输三步曲非平衡载流子传输三步曲(以以NPN为例为例) 发射区向基区的发射区向基区的多子注入多子注入 (扩散运动）扩散运动）为主为主基区的基区的 复合复合 和和 继续扩散继续扩散集电结对非平衡载流子的集电结对非平衡载流子的收集作用收集作用（漂移漂移为主）为主）电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 三极管内部载流子的传输过程三极管内部

18、载流子的传输过程1) ) 发射区向基区扩散多子发射区向基区扩散多子电子电子， 形成发射极电流形成发射极电流 IE。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IB 。基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )IB 3) ) 集电区收集扩散过来的载集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流流子形成集电极电流 ICIC2) )电子到达基区后电子到达基区后( (漂移电流因载流子浓度低而忽略漂移电流因载流子浓度低而忽略) )三极管内载流子运动三极管内载流子运动电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 偏置要求 对对 NPNNPN

19、管管 要求要求 UC UB UE UC UEUB电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 偏置要求 对对 PNPPNP管管 要求要求 UC UB UE UC UEUB电路与模拟电子技术基础电路与模拟电子技术基础 【例例】 一个处于放大状态的晶体管发射极电流为一个处于放大状态的晶体管发射极电流为12.1mA，集电极电流为集电极电流为12.0mA，晶体管的，晶体管的 是多少？是多少？解求基极电流 BEC12.1 12.00.1(mA)IIICB12(mA)1200.1(mA)II 2.1.3 晶体管共发射极特性曲线晶体管共发射极特性曲线一、共发射极输出特性曲线一、共发射极输出特性曲线AmAVV

20、iBiCUCCUBBRCRBuBEuCE测量电路测量电路共发射极输出特性曲线：输出电流共发射极输出特性曲线：输出电流iC与输出电压与输出电压uCE的关系曲线的关系曲线(以以iB为参变量为参变量)（1）uCE=0V时，相当于两个时，相当于两个PN结并联。结并联。输入特性曲线输入特性曲线 ：集电极与发射极之间的电压uCE一定时，基极电流iB与基极、发射极之间的电压uBE之间的关系。+i-uBE+-uBTCE+Ci0.40.2i(V)(uA)BE80400.80.6Bu=0VuCE 1VCEu（3）uCE 1V再增加时，曲线右移很不明显，再增加时，曲线右移很不明显， uCE的变化对的变化对iB的影响

21、可以忽略。的影响可以忽略。（2）当）当uCE=1V时，时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少，减少， 在同一在同一uBE 电压下，电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。减小。特性曲线将向右稍微移动一些。死区电压死区电压硅硅 0.5V锗锗 0.1V导通压降导通压降硅硅 0.7V锗锗 0.3V二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线输入特性有一段死区：输入特性有一段死区：硅硅0.5V0.5V，锗，锗0.1V0.1V输出特性曲线输出特性曲线 ：基极电流iB一定时，集电极电流iC与集电极、发射极之间的电压uCE之间的关系。现

22、以现以iB=60uA一条加以说明。一条加以说明。 （1）当）当uCE=0 V时，时，因集电极无收集作用因集电极无收集作用，iC=0。（2） uCE ic 。 （3） 当当uCE 1V后，后，收集电子的能力足够强。收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成都被集电极收集，形成i iC C。所以所以u uCECE再增加，再增加，i iC C基本保基本保持不变。持不变。同理，可作出同理，可作出iB=其他值的曲线。其他值的曲线。 iCCE(V)(mA)=60uAIBu=0BBII=20uABI=40uAB=80uAI=100uAIB输出特性输出特性IC(mA

23、 )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC= IB称为线性称为线性区（放大区（放大区）。区）。当当UCE大于一大于一定的数值时，定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC= IB。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集电结正偏，集电结正偏， IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE

24、死区电死区电压，称为截压，称为截止区。止区。输出特性曲线可以分为三个区域输出特性曲线可以分为三个区域: :饱和区饱和区该区域内该区域内uCE0.7 V= uBE ，此时，此时发射结正偏，集电发射结正偏，集电结也正偏结也正偏。 iB变化时，变化时，iC基本不变，基本不变， iC受受uCE显著控制的区域显著控制的区域 。截止区截止区为了保证三极管可靠截止，常在发射结外加反向为了保证三极管可靠截止，常在发射结外加反向电压，即电压，即uBE uBE此时，此时，发射结正偏，集发射结正偏，集电结反偏电结反偏。iC仅取决于仅取决于iB，而与而与uCE无关。曲线基本平无关。曲线基本平行等距。该区中有：行等距。

25、该区中有：BCII iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区输出特性三个区域的特点输出特性三个区域的特点:放大区：放大区：发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。 即：即： IC= IB , 且且 IC = IB(2) 饱和区：饱和区：发射结正偏，集电结正偏。发射结正偏，集电结正偏。 即：即：UCE UBE ， IBIC，UCE 0.3V (3) 截止区：截止区： UBE 死区电压，死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 三极管输出的三个区的划分及特点NPN条件各结偏置特点截止区V

26、BVE,VBVCE，C结均反偏IC0放大区VEVBVE,VBVCE，C结均正偏VCE=VCES，IC基本不受IB的控制PNP条件各结偏置特点截止区VBVE,VBVCE，C结均反偏IC0放大区VCVBVEE结正偏，C结反偏ICIB饱和区VBVE,VBVCE，C结均正偏VCE=VCES，IC基本不受IB的控制+i-uBE+-uBTCE+Ci例：例： =50， VCC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当VBB = -2V，2V，5V时，时，晶体管的工作在哪个区？晶体管的工作在哪个区？当当VBB =-2V时：时：ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBEmA2612maxCCCCR

27、VIIB=0 ， IC=0IC最大电流：最大电流：工作在截止区工作在截止区 例：例： =50， UCC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当UBB = -2V，2V，5V时，时，晶体管工作在哪个区？晶体管工作在哪个区？IC ICmax (=2mA) ， 工作在放大区工作在放大区。ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBEVBB =2V时：时：9mA01.0707 .02BBEBBBRUVI0.95mA9mA01050.IIBCVBB =5V时时:例：例： =50， VCC =12V， RB =70k ， RC =6k 当当VBB = -2V，2V，5V时，时，晶体管工作在哪个

28、区？晶体管工作在哪个区？ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBE工作在饱和区，此时工作在饱和区，此时IC 和和IB 已不是已不是 倍的关系。倍的关系。mA061.0707 .05BBEBBBRUVIcmaxBII5m0 .3mA061.050mA2cmaxcII三极管工作状态的判断三极管工作状态的判断例例1：测量某测量某NPN型型BJT各电极对地的电压值如下，各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？试判别管子工作在什么区域？ 解：原则：原则：正偏正偏反偏反偏反偏反偏集电结正偏正偏正偏正偏反偏反偏发射结饱和饱和放大放大截止截止对NPN管而言，放大时对PNP管而言，放大时（1）放大

29、区）放大区（2）截止区）截止区（3）饱和区）饱和区48例例2某放大电路中某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。三个电极的电流如图所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚、管型。试判断管脚、管型。解：电流判断法。解：电流判断法。电流的正方向和电流的正方向和KCL。IE=IB+ ICABC IAIBICC为发射极为发射极B为基极为基极A为集电极。为集电极。管型为管型为NPN管。管。管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。49原则：先求原则：先求UBE，若等于，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于，为硅管

30、；若等于0.2-0.3V，为锗，为锗管。发射结正偏，集电结反偏。管。发射结正偏，集电结反偏。 NPN管管UBE0， UBC0，即即。 PNP管管UBE0， UBC0，即即。50温度对晶体管特性及参数的影响温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对一、温度对ICBO的影响的影响温度每升高温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。增加约一倍。反之，当温度降低时反之，当温度降低时ICBO减少。减少。硅管的硅管的ICBO比锗管的小得多。比锗管的小得多。二、温度对输入特性的影响二、温度对输入特性的影响温度升高时正向特性左移，温度升高时正向特性左移，反之右移反之右移60402000.4 0.8I / mAU

31、 / V温度对输入特性的影响温度对输入特性的影响200600三、温度对输出特性的影响三、温度对输出特性的影响温度升高将导致温度升高将导致 IC 增大增大iCuCEOiB200600温度对输出特性的影响温度对输出特性的影响51（1 1）电流放大倍数）电流放大倍数BCII BCii iCE=20uA(mA)B=40uAICu=0(V)=80uAIBBBIBiIBI =100uACBI=60uAi一般取一般取20200之间之间2.31.538A60mA3 . 2BCII40A40)-(60mA)5 . 13 . 2(BCiiq 共发射极电流放大倍数：共发射极电流放大倍数：选用时选用时值太小，电流放大

32、作用差；值太小，电流放大作用差； 值太大，管子值太大，管子的工作稳定性差。的工作稳定性差。（2 2）极间反向电流）极间反向电流q 集电极发射极间的穿透电流集电极发射极间的穿透电流ICEO 基极开路时，集电极到发射极间的反向基极开路时，集电极到发射极间的反向电流电流穿透电流穿透电流 。ICEO对于放大是无用对于放大是无用的，所以值越小性能越好。的，所以值越小性能越好。其大小与温度其大小与温度有关，随温度的升高而增大。有关，随温度的升高而增大。 q 集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，在其集电结上加反向电压，集电区中的少发射极开路时，在其集电结上加反向电压，集电

33、区中的少数载流子漂移到基区得到反向饱和电流。数载流子漂移到基区得到反向饱和电流。它实际上就是它实际上就是一个一个PNPN结的反向电流。结的反向电流。该值越小性能越好该值越小性能越好。其大小与工作温度有关，其大小与工作温度有关，工作温度升高，该值会变大。工作温度升高，该值会变大。 +ICBOecbICEO （3 3）极限参数）极限参数 Ic增加时，增加时， 要下降。当要下降。当 值值下降到线性放大区下降到线性放大区 值的值的70时，时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。一般选用。一般选用额定值大约为通常使用状态最大电流额定值大约为通常使用状态

34、最大电流2倍以上的管子。倍以上的管子。q 集电极最大允许电流集电极最大允许电流I ICMCMq 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗P PCMCM 集电极电流通过集电结时所集电极电流通过集电结时所产生的功耗，产生的功耗， PC= ICUCE BICEui(V)IBC=100uAB=80uA=60uA(mA)IIB=0B=40uA=20uABIIPCM PCM （4 4）反向击穿电压）反向击穿电压 BJTBJT有两个有两个PNPN结，其反向击穿电压有以下几种：结，其反向击穿电压有以下几种：q U（BR）EBO集电极开路时，发射极与基极之间允许的最集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反

35、向电压。其值一般几伏十几伏。大反向电压。其值一般几伏十几伏。q U（BR）CBO发射极开路时，集电极与基极之间允许的最发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏几百伏。大反向电压。其值一般为几十伏几百伏。q U（BR）CEO基极开路基极开路时，集电极与发射极之间允时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。许的最大反向电压。在实际使用时，还有在实际使用时，还有U（BR）CER、U（BR）CES等击穿电压。等击穿电压。 -(BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU1、复合三极管：用两个三极管相连接而成，总放大倍数近似等、复合三极管：用两个三极管相连接而成，总放大倍数近似等于两个管子放大倍数的乘积。于两个管子放大倍数的乘积。同型号管组成复合管时，其管型不变；异型管组成复合管时，同型号管组成复合管时，其管型不变；异型管组成复合管时，其管型由第一个管子的类型确定。其管型由第一个管子的类型确定。2.1.5特殊三极管特殊三极管2、光电三极管、光电三极管一、等效电路、符号一、等效电路、符号cecei