电子元器件可靠性系统工程1

1、 质量与可信性质量与可信性 质量通常要转化成有规定指标的特性，质量通常要转化成有规定指标的特性， 一般包括：一般包括： 功能：指各项技术指标功能：指各项技术指标 可信性：是一个集合性术语，表示可用性及其可信性：是一个集合性术语，表示可用性及其 影响，仅用于非定量的一般描述，其指导思想是影响，仅用于非定量的一般描述，其指导思想是 以预防为主，及早发现缺陷并采取纠正措施。可以预防为主，及早发现缺陷并采取纠正措施。可 用性是在外外部资源得到保证的情况下，处于执用性是在外外部资源得到保证的情况下，处于执 行功能的能力，它是产品可靠性、维修性、测试行功能的能力，它是产品可靠性、维修性、测试 性、维修保障

2、性（简称四性）的综合反映。性、维修保障性（简称四性）的综合反映。 还应包括产品的安全性、经济性、美学性等。还应包括产品的安全性、经济性、美学性等。 偶发失效耗损失效早 期 失 效 入 )(t te tw 0 t 集成电路工作失效率集成电路工作失效率 Q: 质量系数质量系数 T：温度应力系数温度应力系数 V：电压应力系数电压应力系数 E：环境系数环境系数 L：成熟系数成熟系数 C1. C2：电路复杂度失效率电路复杂度失效率 C3：封装复杂度失效率封装复杂度失效率 以上失效率模型包括了单片双极与以上失效率模型包括了单片双极与MOSMOS数字数字. .模拟电路模拟电路. .存储器存储器 可编程只读存

3、储器可编程只读存储器PROMPROM失效率模型为：失效率模型为： p pQ QCC1 1. .T T. .V V.PTPT+(C+(C2 2+C+C3 3) )E E L L 式中式中: :PT为为PROM只读存贮器的工艺系数只读存贮器的工艺系数 p pQ QCC1 1. .T T. .V V.+(C+(C2 2+C+C3 3) )E E L L 国产半导体分立器件质量等级国产半导体分立器件质量等级 国产国产单片单片集成电路的质量等级集成电路的质量等级 美国半导体分立元件的质量等级美国半导体分立元件的质量等级 美国集成电路的质量等级美国集成电路的质量等级 国产元件的质量等级国产元件的质量等级

4、的质量等级的质量等级 的质量等级的质量等级 的质量等级的质量等级 失效率等级失效率等级 6 6、军用电子元器件的有效贮存期及超期复验、军用电子元器件的有效贮存期及超期复验 (1)(1)军用电子元器件的有效存贮期军用电子元器件的有效存贮期 决定存贮期的三大因素决定存贮期的三大因素: : . .产品的设计工艺与元材料产品的设计工艺与元材料 . .存贮元器件的环境条件存贮元器件的环境条件 . .产品存贮后的合格判据产品存贮后的合格判据 (2)(2)元器件有效存贮期与电子整机有效存贮期的关系元器件有效存贮期与电子整机有效存贮期的关系 (3)(3)元器件超期后的复验及继续有效期元器件超期后的复验及继续有

5、效期 超期复验技术条件超期复验技术条件 A类复验技术条件类复验技术条件 B类复验技术条件类复验技术条件 军用电子元器件到货期限的规定军用电子元器件到货期限的规定 根据有关国军标和过去一贯执行的实际情况根据有关国军标和过去一贯执行的实际情况, ,为了确保军用电子元器件的质量。为了确保军用电子元器件的质量。 特重申在订购军用电子元器件时，必须控制元器件的生产年限。特重申在订购军用电子元器件时，必须控制元器件的生产年限。 现将各类元器件有的有效期公布如下：现将各类元器件有的有效期公布如下： 半导体器件类半导体器件类 A A塑封器件塑封器件 2 2年年 B B其它形式封装器件其它形式封装器件 3 3年

6、年 电真空器件电真空器件 A A电阻电位器具电阻电位器具 3 3年年 B B固体钽电解电容器及其它电容器固体钽电解电容器及其它电容器 3 3年年 C C液体钽电解电容器、铝电解电容器液体钽电解电容器、铝电解电容器 2 2年年 机电元件类机电元件类 A A密封电磁继电器密封电磁继电器 2 2年年 B B电连接器电连接器 3 3年年 C C石英谐振器石英谐振器 3 3年年 偶发失效耗损失效早 期 失 效 入 )(t te tw 0 t 工业品军用品航天设备 单个元器件4715 电路板级255075 系统级45120300 现场运行(用户) 215100010000000 发现阶段 应用场合 根据航

7、天五院近年来对失效元器件的试验分析统计, 由于国产半导体器件存在多余物, 造成器件短路失效已有 数十例. 这种失效模式占器件失效的百分之十.继电器属于 可靠性较低的一类元件。常见的失效模式有：活动多余物 粒子造成触点开路或短路、内部污染导致接触电阻增大或 开路等。据统计1996年至2003年7月航天继电器质量， 因多余物引起的故障67次，约占失效的60%。 目前各国PIND粒子检测，基本上是参照美国军用规 范、采用进口美国的PIND仪器检测。PIND检测设备要使 用一台最低频率响应为500KHz、视觉显示灵敏度为 20mv/cm的示波器和一套带有扬声器的,用于监视来自粒 子碰撞噪声,检测电子线

8、路音频信号的声频系统来完成。 外观检查外观检查常温初测常温初测 跌落跌落外观检查外观检查 高低温测试高低温测试 存高温储存高温储温度循环温度循环 常温终测常温终测密封性检验密封性检验 电功率老化电功率老化终测合格终测合格出筛选报告出筛选报告 外观检查常温初测 常温中测高温反偏老 电功率老化 高温储存温度循环 密封性检验敲击 常温终测作标志出筛选报告 外观检查常温初测 高温测试 高温功率老化 低温测试 高温储存温度循环 常温中测恒定加速度 密封性检查PIND常温终测 出筛选报告作标志外观检查 外观检查常温初测 常温终测密封性检验 外观检查 温度循环高温负荷 低温测试高温测试 作标志出筛选报告 某

9、军用项目筛选程序某军用项目筛选程序 美国883级微电子器件标志 一般军用电子整机及大型电子系统都采用883质量等级器件 所谓883级实际是美国质量等级中的b一1级器件由于各公司标志 不同为了便于识别下面举例说明： （1）、美国马克斯公司（MAXIM）的看门狗电路， MAX691MJE 数字后面的字母M，表示军温条件即-55125 如果其后标注“883B”才可以证明是“883”器件（B1级 质量等级器件）。 （2）、美国莫托罗拉公司（MOTOROLA） 54F33/BRAJC，斜杠后面的B表示该器件为“883B”产品 。 (3）、美国哈里斯公司（HARRJS）的HCT电路 CD54HCT34F3

10、A，其中F3A表示“883B”级器件。 由于美国各公司微电路产品命名方法、质量等级标注 各不相同，所以在选择器件时一定要搞清各公司标注上的字 母含义，以防搞错。 电浪涌主要来源以下几个方面：电浪涌主要来源以下几个方面： 、动力线路上大功率负载的接通或断开瞬间，、动力线路上大功率负载的接通或断开瞬间， 在电源线和地线内产生电浪涌在电源线和地线内产生电浪涌 、集成电路在开关状态下工作产生电浪涌、集成电路在开关状态下工作产生电浪涌 、开关稳压电源引起的电浪涌、开关稳压电源引起的电浪涌 、接通电容负载时或断开电感性负载时产生、接通电容负载时或断开电感性负载时产生 电浪涌电浪涌 、驱动白炽灯可产生电浪涌

11、、驱动白炽灯可产生电浪涌 、高压放电产生电浪涌、高压放电产生电浪涌 静电对电子产品的损害，被称做静电对电子产品的损害，被称做“鼠害鼠害”，电子产品生，电子产品生 产过程中的静电控制是一个系统工程。这个系统工程应以静产过程中的静电控制是一个系统工程。这个系统工程应以静 电技术标准为依据，以工程设计的防护设施为硬件，以静电电技术标准为依据，以工程设计的防护设施为硬件，以静电 防护的各项管理要求为软件，来衡量一个单位的防静电的好防护的各项管理要求为软件，来衡量一个单位的防静电的好 坏。我国电子信息行业也逐渐认识到静电放电对电子产品的坏。我国电子信息行业也逐渐认识到静电放电对电子产品的 危害，对在产品

12、制造，使用过程中静电产生的原因，造成静危害，对在产品制造，使用过程中静电产生的原因，造成静 电损害的机理，进行研究。并提出对静电放电防护的对策，电损害的机理，进行研究。并提出对静电放电防护的对策， 保证电子产品的可靠性。保证电子产品的可靠性。 静电放电：静电放电： 当带电体周围的强电场超过周围介质强度时， 因介质产生电离而使带电体上的电电荷部分或 全部消失时的现象。 早在几千年以前，人类就已察觉静电现象，随着早在几千年以前，人类就已察觉静电现象，随着 科技的发展，人们开始用静电造福人类。现在我们用的科技的发展，人们开始用静电造福人类。现在我们用的 静电复印静电复印. .静电除尘，及静电喷涂都是

13、利用静电的实静电除尘，及静电喷涂都是利用静电的实 例例 ，但是静，但是静 在许多领域给人们带来重大的损失和危在许多领域给人们带来重大的损失和危 害。害。 静电对电子产品造成的损失，更是无法统计，由静电对电子产品造成的损失，更是无法统计，由 于大多数情况下，电子器件受到损失是潜在性的，即使于大多数情况下，电子器件受到损失是潜在性的，即使 器件受到静电损伤，一般也无法用测试或筛选的方法将器件受到静电损伤，一般也无法用测试或筛选的方法将 其发现，而且有一些电参数其发现，而且有一些电参数仍仍在合格范围之内，但这些在合格范围之内，但这些 器件的防静电能力已削弱，寿命已明显缩短，可靠性受器件的防静电能力已

14、削弱，寿命已明显缩短，可靠性受 到严重的影响，而且由于受静电损伤的隐串很难事先察到严重的影响，而且由于受静电损伤的隐串很难事先察 觉觉, , 所以具有更大的危害性所以具有更大的危害性. . 双极数字双极数字IC: IC: 输入输入 双极双极线性线性IC: IC: 输入失调电压增大输入失调电压增大, ,失调失调 MOS IC: MOS IC: 输入输入. .输出漏输出漏 静电敏感器件的分类静电敏感器件的分类 原则上讲：控制静电的产生和控制静电的消散两个原则上讲：控制静电的产生和控制静电的消散两个 方面。控制静电产生主要是控制产品在全过程中不受静方面。控制静电产生主要是控制产品在全过程中不受静 电

15、放电的损害，对受到静电影响的产品通过静电的泄漏电放电的损害，对受到静电影响的产品通过静电的泄漏 和中和，使静电电平不超过产品的安全限度，利用两者和中和，使静电电平不超过产品的安全限度，利用两者 的共同作用达到静电防护的目的。的共同作用达到静电防护的目的。 安全工作区要根据各单位所用产品的静电敏感度及 所在的湿度情况及所受静电放电影响的程度，合理的选 择防护措施。静电安全防护区一般按如下要求设置： 安全作业区的室温控制在 ：放电体静电压，按计算 ：最大允许接地电阻 ：为人体电容一般取 将以上数值代入上式 e1 . 要达到将的静电压在钟衰减到的安全电压放电回 路的允许接地电阻应小于一般规定在之 间

16、 FE 数字数字IC:IC: 功耗功耗. . 输出电流输出电流. . 结温结温. . 数字数字IC:IC: 电源电压电源电压. .输入电压输入电压. .输出电流输出电流. .功耗功耗. . 结温结温. . 半导体模拟集成电路的降额参数和降额因子半导体模拟集成电路的降额参数和降额因子 半导体数字和混合集成电路的降额参数和降额因子半导体数字和混合集成电路的降额参数和降额因子 不同降额等级的适用条件不同降额等级的适用条件 1.电阻电阻选用选用 (1)(1)电容量电容量 电容量是指电容器加上电压后的贮存电量电容量是指电容器加上电压后的贮存电量 的能力。用电荷的能力。用电荷Q Q和加在电极上的电压和加在

17、电极上的电压U U的比值来的比值来 表示即表示即 1 1、电容器的主要技术性能指标、电容器的主要技术性能指标 U Q C cossinUIUIpaptg tgRCRC UU /1)/(Q 22 有功功率有功功率P P与无功功率与无功功率P P 之比。之比。 按国标按国标GB2470GB24708181电容器型号命名方法，电容器型号由以下四部分组成：电容器型号命名方法，电容器型号由以下四部分组成： 第一部分：主称用字母第一部分：主称用字母C C表示；表示； 第二部分：表示材料；第二部分：表示材料； C C表示高频陶瓷；表示高频陶瓷； T T表示低频陶瓷；表示低频陶瓷； D D铝电介；铝电介； A

18、 A钽电介；钽电介； Z Z纸介；纸介； J J金属化纸介；金属化纸介； Y Y 云母；云母； H H纸膜复合；纸膜复合； I I玻璃釉；玻璃釉； Q Q漆膜；漆膜； L L 聚酯薄膜。聚酯薄膜。 第三部分：分类第三部分：分类 1 1圆形；圆形； 2 2管形；管形； 3 3叠片；叠片； 4 4独石；独石； 5 5串心；串心； 6 6支柱；支柱； 8 8高压；高压； W W微调；微调； G G高功率。高功率。 另外质量等级标志另外质量等级标志 K K表示国军标产品；表示国军标产品； G G七专产品七专产品 标志标志 3 3、电解电容器电解电容器 （1 1）概述）概述 （2 2）电解电容器）电解电

19、容器 的合理选择的合理选择 （3 3）电解电容器的检测与筛选）电解电容器的检测与筛选 tgcftSchVnipp/65. 5 0 )( 2 X X LC U Q C tg cossinUIUIpaptg tgRCRC UU /1)/(Q 22 tg tg 瓷介电容器一般分瓷介电容器一般分类和类和类两种瓷料类两种瓷料 类瓷介电容器的主要特点的稳定性高，即电容类瓷介电容器的主要特点的稳定性高，即电容 量随温度、频率、电压和时间变化小；量随温度、频率、电压和时间变化小；高频特能好，高频特能好， 损耗小；抗电强度高等。损耗小；抗电强度高等。而且有很宽的温度系数，可而且有很宽的温度系数，可 以从以从+1

20、20+120至至-1300PPM/-1300PPM/，适合用于高频回路做温度适合用于高频回路做温度 补偿，补偿，其缺点是电容量小。其缺点是电容量小。 类瓷介电容器最突出之处是具有铁电性能和非类瓷介电容器最突出之处是具有铁电性能和非 线性的电容温度特性。因此电容率非常大，但电容量线性的电容温度特性。因此电容率非常大，但电容量 对温度的变化率也很大，与电压呈非线性关系，在强对温度的变化率也很大，与电压呈非线性关系，在强 电场下容量下降电场下容量下降30%-50%30%-50%，所以只能用在低频电路中，所以只能用在低频电路中. . 它的最突出优点是体积小、容量范围宽。它的最突出优点是体积小、容量范围

21、宽。 瓷介电容器瓷介电容器.有以有以 卜下主要特点卜下主要特点: 独石瓷介电容器独石瓷介电容器 SMD片式瓷介电容器片式瓷介电容器 5.5.聚碳酸酯电容器聚碳酸酯电容器 聚碳酸酯电容器是有机介质聚碳酸酯电容器是有机介质 中的一种新型介制材料。它除了中的一种新型介制材料。它除了 有有机介质电容器的特点，如容有有机介质电容器的特点，如容 量范围宽、绝缘性能好、温度性量范围宽、绝缘性能好、温度性 能好及损耗小等优点外，而且具能好及损耗小等优点外，而且具 有突出的抗冲击强度和蠕变性能。有突出的抗冲击强度和蠕变性能。 在耐用性、耐磨性及尺寸稳定性在耐用性、耐磨性及尺寸稳定性 方面也优于其他电容器方面也优

22、于其他电容器 3.3.其他元件其他元件 2. 连接器连接器 连接器品种繁多，一般按工作连接器品种繁多，一般按工作 频率划分可分为高频连接器和低频频率划分可分为高频连接器和低频 连接器两面大类，下面重点介绍以连接器两面大类，下面重点介绍以 上两大类中的用量较多可靠性较高上两大类中的用量较多可靠性较高 的部分品种。的部分品种。 (1) (1) 高频连接器高频连接器 下面重点介绍国际上通用的三种联接器：下面重点介绍国际上通用的三种联接器： （a a）BNCBNC型射频同轴连接器主要用在型射频同轴连接器主要用在 频率频率3000MHZ3000MHZ以下，特性阻抗为以下，特性阻抗为5050欧姆，欧姆，

23、整机射频及视频同轴射频电缆的连接器。整机射频及视频同轴射频电缆的连接器。 利用卡口快速连接机构达到快速连接，利用卡口快速连接机构达到快速连接， 是目前用量最多的一种高频连接器。是目前用量最多的一种高频连接器。 （b b）N N型射频同轴连接器型射频同轴连接器 N N型射频同轴连接器主要适用于型射频同轴连接器主要适用于11GHZ11GHZ以以 下的软电缆，半硬同轴电缆和硬同轴电缆的下的软电缆，半硬同轴电缆和硬同轴电缆的 连接。连接。N N型射频同轴连接器采用螺纹连接机构型射频同轴连接器采用螺纹连接机构 ，在中、低功率供整机及电缆的连接，阻抗，在中、低功率供整机及电缆的连接，阻抗 为为5050欧姆

24、和欧姆和7575欧姆。为了防止欧姆。为了防止5050欧姆和欧姆和7575欧欧 姆的连接发生错误连接，姆的连接发生错误连接，7575欧姆连接器必须欧姆连接器必须 清楚的做出标记。按国标清楚的做出标记。按国标GB11313-89GB11313-89射频射频 同轴连接器总规范同轴连接器总规范如果用色码表示连接器如果用色码表示连接器 的标称阻抗，的标称阻抗，5050欧姆不涂颜色，欧姆不涂颜色，7575欧姆应涂欧姆应涂 黄色和黑色。黄色和黑色。 （c c）SMASMA型射频连接器是供工作在微型射频连接器是供工作在微 波频率，性能要求较高的电子整机连接波频率，性能要求较高的电子整机连接 射频同轴电缆，一般

25、工作频率为射频同轴电缆，一般工作频率为18GHZ18GHZ， 对于高质量等级的一级连接器可工作在对于高质量等级的一级连接器可工作在 24GHZ24GHZ频率范围内，其反射频系数不大于频率范围内，其反射频系数不大于 0.10.1，特性阻抗为，特性阻抗为5050欧姆。欧姆。 高频连接器的选择与应用高频连接器的选择与应用 （1 1）高频连接器的标志及型号命名方法）高频连接器的标志及型号命名方法 （2 2）高频连接器的气候类别）高频连接器的气候类别 （3 3）高频连接器的等级）高频连接器的等级 （4 4）高频连接器射频电缆的装接对电性能的）高频连接器射频电缆的装接对电性能的 影响影响 （5 5）要避免

26、两种不同标准的连接器互联）要避免两种不同标准的连接器互联 （6 6）连接器装接电缆要按连接器电缆代号规）连接器装接电缆要按连接器电缆代号规 定的电缆型号进行连接。定的电缆型号进行连接。 3 3、低频连接器、低频连接器 (1(1）低频连接器的选择）低频连接器的选择 （2 2）低频连接器的应用）低频连接器的应用 （3 3）连接器的降额应用）连接器的降额应用 （4 4）要认真选择连接器的供货商）要认真选择连接器的供货商 降额参数降额参数 降降 额额 等等 级级 级级级级级级 最高工作电压最高工作电压0.50.50.70.70.80.8 额定工作电流额定工作电流0.50.50.70.70.850.85

27、 最高额定温度最高额定温度505025252020 表表23 23 连接器的降额准则连接器的降额准则 谢谢 谢 谢 电子元器件的失效分析电子元器件的失效分析 C、利用测试特性曲线进行分析 1为饱和沟道特性 2为非饱和沟道特性 图14 “靠背椅”击穿特性曲线 图15 分段击穿特性曲线 图17“二次击穿”特性曲线 图18 击穿电压蠕变特性曲线 图19双线击穿特性曲线 图20双线击穿特性曲线 图21击穿点附近发生振荡特性曲线 图22 管道型击穿输出特性曲线 图23 小电流注入小输出特性曲线 图24输出特性曲线倾斜 图25漏电流大的输出特性曲线 图26饱和压降过大时的输出特性曲线 图27输出特性曲线漂

28、移 图28 大注入时减小的输出特性曲线 图29两段饱和输出特性曲线 图30.IC两管脚开路特性曲线 图31.IC两管脚短路特性曲线 图32.IC两管脚有一个电阻的特性曲线 图33 IC两管脚有一个正向二极管 与电阻并联的特性曲线 图34.二极管与电阻并联的电路原理图 图35.IC两管脚有一个正向二极 管与电阻串联时的特性曲线 图36.二极管与电阻串联的电路原理图 图36.IC两管脚是一个反向二极管 的特性曲线 CMOS倒向器基本单元 图38 DTL门电路基本单元 图38是DTL门电路单元，这种器件是在 P型衬底的外延N型层上用三次扩散完成晶 体管、二极管、电阻结构。用扩散扩穿外延 N型层形成各

29、元器件之间的电隔离。 图39 DTL门电路元器件截面图 图40每一元件与寄生元件构成的电路结构 图40是各种元件与其寄生元件一起构成的电结构，把 这些电结构代入图40的电路中。 图41 连同寄生元件一起构成的DTL“修正”电路图 图41的“修正” 电路图，它表示 DTL门电路单元各 端脚之间的全部电 流通路。由于存在 大量并联寄生元件 对各端脚的扫描曲 线的解析是很困难 的，必须与良品的 对应测试结果进行 比较，才能确定器 件的失效形式，缩 小器件失效原因的 调查范围。 图42 .对CMOSIC抗闩锁性能测试原理图 图38 DTL门电路基本单元 图38是DTL门电路单元，这种器件是在 P型衬底

30、的外延N型层上用三次扩散完成晶 体管、二极管、电阻结构。用扩散扩穿外延 N型层形成各元器件之间的电隔离。 图39 DTL门电路元器件截面图 图40每一元件与寄生元件构成的电路结构 图40是各种元件与其寄生元件一起构成的电结构，把 这些电结构代入图40的电路中。 图41 连同寄生元件一起构成的DTL“修正”电路图 图41的“修正”电 路图，它表示DTL 门电路单元各端脚 之间的全部电流通 路。由于存在大量 并联寄生元件对各 端脚的扫描曲线的 解析是很困难的， 必须与良品的对应 测试结果进行比较， 才能确定器件的失 效形式，缩小器件 失效原因的调查范 围。 一丿一一一丿一一 图42 .对CMOSI

31、C抗闩锁性能测试原理图 一、概述一、概述 静电是一种电能，是正负电荷在局部范围内失去平衡的结果。 它是通过电子或离子的转换形成的。静电放电是电荷在产生和消失 过程中产生的一种电现象。 静电对电子产品造成的损失，更是无法统计，由于大多数情况静电对电子产品造成的损失，更是无法统计，由于大多数情况 下，电子器件受到损失是潜在性的，即使器件受到静电损伤，一般下，电子器件受到损失是潜在性的，即使器件受到静电损伤，一般 也无法用测试或筛选的方法将其发现，而且有一些电参数仍在合格也无法用测试或筛选的方法将其发现，而且有一些电参数仍在合格 范围之内，但这些器件的防静电能力已削弱，寿命已明显缩短，可范围之内，但

32、这些器件的防静电能力已削弱，寿命已明显缩短，可 靠性受到严重的影响，而且由于受静电损伤的器件隐患很难事先察靠性受到严重的影响，而且由于受静电损伤的器件隐患很难事先察 觉，所以具有更大的危害性。觉，所以具有更大的危害性。 静电对电子产品的损害，被称做“鼠害”，电子产品生产过程 中的静电控制是一个系统工程。这个系统工程应以静电技术标准为 依据，以工程设计的防护设施为硬件，以静电防护的各项管理要求 为软件，来衡量一个单位的防静电的好坏。我国电子信息行业也逐 渐认识到静电放电对电子产品的危害，对在产品制造，使用过程中 静电产生的原因，造成静电损害的机理，进行研究。并提出对静电 放电防护的对策，保证电子

33、产品的可靠性。 二、静电的危害二、静电的危害 早在几千年以前，人类就已察觉静电现象，随着 科技的发展，人们开始用静电造福人类。现在我们用 的静电复印.静电除尘，及静电喷涂都是利用静电的 实例 ，但是静 在许多领域给人们带来重大的损失 和危害。 静电对电子产品造成的损失，更是无法统计，由 于大多数情况下，电子器件受到损失是潜在性的，即 使器件受到静电损伤，一般也无法用测试或筛选的方 法将其发现，而且有一些电参数 在合格范围之内， 但这些器件的防静电能力已削弱，寿命已明显缩短， 可靠性受到严重的影响，而且由于受静电损伤的隐串 很难事先察觉, 所以带有更大的危害性. 静电放电：静电放电： v/m;

34、陶瓷 3107v/m; 氧化硅氧化硅 1109v/m; 一般mos器件中的氧化硅栅层,厚度仅为0.1um.其击穿场强仅为v 11090.110-6100v, 一一 （5 5）静电放电损害实例）静电放电损害实例 I、某单位的CMOS电路经筛选测试后，发现失效约占5%失效 模式输入漏电流增大，经失效分析，发现是ESD损伤引起的，主要 原因是经筛选测试后，放置在一般塑料盒内，塑料盒上的静电荷传 递给器件,当器件与接地金属或一般人身接触立即导致CMOS器件 损伤失效。 II、静电不仅对MOS器件造成损伤，对双极型器件也可造成静 电损害，如某单位用的3DG142高频晶体管，在入厂测试和筛选过 程中经常出现失效，经分析是由ESD损伤引起的，由于这种高频管 是浅给器件，E、B之间反向电压很低，由于没有采取防静电保护 措施，所以造成静电放电损伤，希望对高频晶体管要采取适当的防 静电措施。 原则上讲：控制静电的产生和控制静电的消散两个方面。控制原则上讲：控制静电的产生和控制静电的消散两个方面。控制 静电产生主要是控制产品在全过程中不受静电放电的损害，对受到静电产生主要是控制产品在全过程中不受静电放电的损害，对受到 静电影响的产品通过静电的泄漏和中