《传感器与检测技术(第2版)》胡向东 第9章

1、第9章光电式传感器知识单元与知识点光电式传感器的类别、基本形式；光电器件及其基本特性；CCD图像传感器的工作原理、分类、特性参数与应用；光纤的传光原理、光纤的主要特性、光纤传感器的组成、分类与应用；光电式编码器（码盘式、脉冲盘式）的结构、工作原理与应用；计量光栅的结构、组成、工作原理与应用。能力点深入理解光电效应、内光电效应、外光电效应、亮电阻、暗电流、全反射、数值孔径、粗误差、莫尔条纹、辨向与细分等基本概念；了解光电式传感器的类别、基本形式；把握各种光电器件的基本特性；会分析CCD图像传感器、光纤、光电式编码器（码盘式、脉冲盘式）和计量光栅的工作原理；把握CCD图像传感器的分类、特性参数，光

2、纤的主要特性、光纤传感器的组成、分类，光电式编码器（码盘式、脉冲盘式）的结构和计量光栅的结构、组成；了解光电式传感器的应用。重难点重点：基本概念；光电器件的基本特性；光电式传感器的工作原理。难点：CCD图像传感器的工作原理、码盘的辨向原理、计量光栅的辨向原理与细分技术。学习要求熟练掌握光电效应、内光电效应、外光电效应、亮电阻、暗电流、全反射、数值孔径、粗误差、莫尔条纹、辨向与细分等基本概念；了解光电式传感器的类别、基本形式；了解各种光电器件的基本特性；掌握CCD图像传感器、光纤、光电式编码器（码盘式、脉冲盘式）和计量光栅的工作原理；了解CCD图像传感器的分类、特性参数，光纤的主要特性、光纤传感

3、器的组成、分类，光电式编码器（码盘式、脉冲盘式）的结构和计量光栅的结构、组成；掌握二进制与循环码的相互转换方法；了解光电式传感器的应用。9.1概述9.1.1 光电式传感器的类别光电式传感器的类别光电式传感器（或称光敏传感器）是利用光电器件把光信号转换成电信号（电压、电流、电阻等）的装置。按工作原理分类光电效应传感器红外热释电探测器固体图像传感器光纤传感器 光电效应传感器光电效应传感器是应用光敏材料的光电效应制成的光敏器件。光电效应：光电效应：因光照引起物体电学特性改变的现象，包括光照射到物体上使物体发射电子，或电导率发生变化，或产生光生电动势等。红外热释电探测器红外热释电探测器主要是利用辐射的

4、红外光（热）照射材料时引起材料电学性质发生变化或产生热电动势原理制成的一类器件。固体图像传感器固体图像传感器结构上分为两大类，一类是用CCD电荷耦合器件的光电转换和电荷转移功能制成CCD图像传感器，一类是用光敏二极管与MOS晶体管构成的将光信号变成电荷或电流信号的MOS金属氧化物半导体图像传感器。光纤传感器光纤传感器它利用发光管（LED）或激光管（LD）发射的光，经光纤传输到被检测对象，被检测信号调制后，光沿着光导纤维反射或送到光接收器，经接收解调后变成电信号。特点光电式传感器具有结构简单、响应速度快、高精度、高分辨率、高可靠性、抗干扰能力强（不受电磁辐射影响，本身也不辐射电磁波）、可实现非接

5、触式测量等特点可以直接检测光信号，间接测量温度、压力、位移、速度、加速度等其发展速度快、应用范围广，具有很大的应用潜力 9.1.2 光电式传感器的基本形式光电式传感器的基本形式由光路及电路两大部分组成光路部分实现被测信号对光量的控制和调制电路部分完成从光信号到电信号的转换后的电信号传输与输出等四种基本形式（基于光路的特征） 透射式反射式辐射式开关式9.2 光电效应与光电器件光子是具有能量的粒子，每个光子的能量可表示为 光电效应方程 光电效应光电效应：当光照射在某些物体上时，光能量作用于被测物体而释放出电子，即物体吸收具有一定能量的光子后所产生的电效应。Eh v2012kEmvh vA 光电器件

6、光电器件是将光能转变为电能的一种传感器件。是构成光电式传感器的主要部件。光电器件工件的物理基础：光电效应。光电效应分为：内光电效应、外光电效应9.2.1 外光电效应型光电器件外光电效应：外光电效应：当光照射到金属或金属氧化物的光电材料上时，光子的能量传给光电材料表面的电子，如果入射到表面的光能使电子获得足够的能量，电子会克服正离子对它的吸引力，脱离材料表面而进入外界空间的现象即外光电效应是在光线作用下，电子逸出物体表面的现象。根据外光电效应做出的光电器件有光电管光电管和光电倍增光电倍增管管。1、光电管及其基本特性、光电管及其基本特性光电管的伏安特性 光电管的光照特性曲线1表示（银）氧铯阴极氧铯

7、阴极光电管的光照特性，光电流与光通量呈线性关系。曲线2为锑铯阴极锑铯阴极的光电管光照特性，它呈非线性关系 光电管的光谱特性不同光电阴极材料的光电管，对同一波长的光有不同的灵敏度；同一种阴极材料的光电管对于不同波长的光的灵敏度也不同，这就是光电管的光谱特性。曲线1、2分别为（银）氧铯阴极、锑铯阴极对应不同波长光线的灵敏度，3为多种成分（锑、钾、钠、铯等）阴极的光谱特性曲线 2、光电倍增管及其基本特性、光电倍增管及其基本特性主要参数主要参数 倍增系数 M阳极电流 光电倍增管的电流放大倍数光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度暗电流光电倍增管的光谱特性nIi Mi /nI i9.2.2 内光电效应型光电

8、器件内光电效应内光电效应是指在光线作用下，物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的现象内光电效应可分为：因光照引起半导体电阻率变化的光电导效应光电导效应因光照产生电动势的光生伏特效应光生伏特效应 内光电效应分类内光电效应分类光电导效应光电导效应 在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低的现象。如光敏电阻光敏电阻光生伏特效应光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。如光电池光电池 （1）光敏电阻）光敏电阻 1. 光敏电阻的结构与工作原理光敏电阻的结构与

9、工作原理光敏电阻是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性， 使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。无光照时，光敏电阻值（暗电阻）很大，电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时，它的阻值（亮电阻）急剧减小，电路中电流迅速增大。 一般希望暗电阻越大越好，亮电阻越小越好， 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级， 亮电阻值在几千欧以下。典型的光敏电阻有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟(InSb)以及碲化镉汞（Hg1-xCdxTe）系列光敏电阻。光敏电阻的结构金属电极半导体玻璃底板电源检流计RLEI(a)(b)(c)Ra光敏电阻结构 (a)

10、光敏电阻结构； (b) 光敏电阻电极； (c) 光敏电阻接线图2. 光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数暗电阻 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻暗电阻， 此时流过的电流称为暗电流暗电流。 亮电阻 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻亮电阻，此时流过的电流称为亮电流亮电流。 光电流 亮电流与暗电流之差3、光敏电阻的基本特性伏安特性 在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系。403020100I / mA10010001 x500 mW1001 x功率200U / V101 x图 10.9硫化镉光敏电阻的伏安特性 光照特性指光敏电阻的光电流I和光照强度之间的关系光敏电阻的光

11、照特性 光谱特性光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系。即光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。 光敏电阻的光谱特性 频率特性光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化，即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性，这种惰性通常用时间常数表示，对应着不同材料的频率特性。时间常数：光敏电阻自停止光照起到电流下降为原来的63%所需要的时间。时间常数越小，响应越快。100806040200101001 00010 000硫化镉硫化铅S /( %)f / Hz光敏电阻的频率特性 温度特性光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应、

12、灵敏度和暗电阻。硫化铅光敏电阻受温度影响更大。1.02.03.04.00204060801002020 / mS / (%)硫化铅光敏电阻的光谱温度特性 光敏电阻的应用火灾探测PbS的峰值响应波长为2.2um（火焰的特征波长）。由V1、电阻R1、R2和稳压二极管VS构成对光敏电阻R3的恒压偏置电路。当被探测物体的温度高于燃点或被点燃而发生火灾时，物体将发出波长接近于2.2um的辐射（或“跳变”的火焰信号），该辐射光将被PbS光敏电阻接收，使前置放大器的输出跟随火焰“跳变”信号，并经电容C2耦合，由V2、V3组成的高输入阻抗放大器放大。放大的输出信号再送给中心站放大器，由其发出火灾报警信号或自动

13、执行喷淋等灭火动作。（2）光电池）光电池光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。即电源。工作原理：基于“光生伏特效应”。光电池实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时， 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴， 电子-空穴对从表面向内迅速扩散， 在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。光电池结构、符号光电池结构、符号光电池种类光电池种类 光电池的种类很多，有硅光电池、硒光电池、锗光电池、砷化镓光电池、氧化亚铜光电池等最受人们重视的是硅光电池硅光电池。具有性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、转换效率高、能耐高

14、温辐射、价格便宜、寿命长等特点。它不仅广泛应用于人造卫星和宇宙飞船作为太阳能电池，而且也广泛应用于自动检测和其它测试系统中硒光电池硒光电池由于其光谱峰值位于人眼的视觉范围，所以在很多分析仪器、测量仪表中也常常用到。光电池基本特性光谱特性 光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。0400600800 1000120020406080100 / nmS / %硒硅光电池的光谱特性 光照特性光电池在不同光照度下， 其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性0.30.20.10光生电流 / mA0.60.40.202 0004 000短路电流开路电压光生电压 / V照度 / lx 硅光电池

15、的光照特性 频率特性1500 3000 4500 6000 7500020406080100f / Hz相对光电流 / (%)硒光电池硅光电池光电池的PN结面积大，极间电容大，因此频率特性较差。由图可见，硅光电池有较好的频率特性和较高的频率响应，因此一般在高速计算器中采用。温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。硅光电池在1000lx光照下的温度特性曲线如图所示：开路电压随温度的升高而快速下降，短路电流却随温度升高而增加，（在一定温度范围内）它们都与温度成线性关系。温度对光电池的工作影响较大，当它作为测量元件时，最好保证温度恒定，或采取温度补偿措施。2040608010001

16、002003004005002.22.01.8开路电压短 路 电 流温 度 / U / mVI / mA 硅光电池的温度特性 （3）光敏二极管和光敏三极管）光敏二极管和光敏三极管大多数半导体二极管和三极管都是对光敏感的，当二极管和三极管的PN结受到光照射时，通过PN结的电流将增大，因此，常规的二极管和三极管都用金属罐或其它壳体密封金属罐或其它壳体密封起来，以防光照。而光敏管（包括二极管和光敏三极管）则必须使PN结能接收最大的光照射。光电池与光敏二极管、三极管都是光电池与光敏二极管、三极管都是PN结结，它们的主要区别在于:后者的PN结处于反向偏置，无光照时反向电阻很大、反向电流很小，相当于截止状

17、态。当有光照时将产生光生的电子空穴对，在PN结电场作用下电子向N区移动，空穴向P区移动，形成光电流。光敏二极管工作原理光敏二极管工作原理光敏二极管的结构与一般二极管相似、 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。光敏二极管在不受光照射时处于截止状态，只有少数载流子在反向偏压下越过阻挡层，形成微小的反向电流（暗电流）。受光照射时，光子在半导体内被吸收，使P区电子数增多，N区空穴增多，即产生光生电子空穴对，在结电场作用下，电子向N区移动、空穴向P区移动，使PN结的反向电流大为增加，形成光电流，处于导通状态。光生载流子的多少与光照强弱相联系。 光敏晶体管u光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个PN

18、结，只是它的发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。 uNPN:大多数光敏晶体管的基极无引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压u当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，被正向偏置的发射结发出的自由电子填充，形成光电流Ibu同时空穴使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量发射区的电子流向集电极，形成输出电流Ic ，且集电极电流为光电流的倍，所以光敏晶体管有放大作用。 光敏管的基本特性光敏晶体管的光谱特性光敏晶体管的光谱特性是指光敏晶体管在照度一定时，输出的光电流（或相对光谱灵敏度）随入射光的波长而变化的关系。对一定

19、材料和工艺制成的光敏管，必须对应一定波长范围（即光谱）的入射光才会响应，这就是光敏管的光谱响应。从图中可以看出：硅光敏晶体管硅光敏晶体管适用于0.41.1 um波长，最灵敏的响应波长为0.80.9um ；而锗光锗光敏晶体管敏晶体管适用于0.61.8 um的波长，其最灵敏的响应波长为1.41.5 um。 伏安特性指光敏晶体管在照度一定的条件下，光电流与外加电压之间的关系。由图可见，光敏晶体管的光电流比相同管型光敏二极管的光电流大上百倍。 光照特性 下图给出了光敏二极管和光敏晶体管的输出电流 和照度 之间的关系。从图中可以看出它们的关系是正相关的：光照度越大，产生的光电流越强。光敏二极管光敏二极管

20、的光照特性曲线的线性较好 光敏三极管光敏三极管在照度较小时，光电流随照度增加缓慢，而在照度较大时（光照度为几千勒克斯）光电流存在饱和现象，这是由于光敏三极管的电流放大倍数在小电流和大电流时都有下降的缘故。频率特性 是光敏二极管或晶体管输出的光电流（或相对灵敏度）与光强变化频率的关系。光敏二极管的频率特性是很好的，其响应时间可以达到10-710-8 s，因此它适用于测量快速变化的光信号。光敏三极管由于存在发射结电容和基区渡越时间，所以，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差，而且和光敏二极管一样，负载电阻越大，高频响应越差，因此，在高频应用时应尽量降低负载电阻的阻值。光敏二极管和三极管的主要差别 光

21、电流光敏二极管一般只有几微安到几百微安，而光敏三极管一般都在几毫安以上，至少也有几百微安，两者相差十倍至百倍。光敏二极管与光敏三极管的暗电流则相差不大，一般都不超过1uA。响应时间光敏二极管的响应时间在100ns以下，而光敏三极管为510us。因此，当工作频率较高时，应选用光敏二极管；只有在工作频率较低时，才选用光敏三极管。输出特性光敏二极管有很好的线性特性，而光敏三极管的线性较差。光敏管的应用图为路灯自动控制器电路原理图。VD为光敏二极管。当夜晚来临时，光线变暗，VD截止，V1饱和导通，V2截止，继电器K线圈失电，其常闭触点K1闭合，路灯HL点亮。天亮后，当光线亮度达到预定值时，VD导通，V

22、1截止，V2饱和导通，继电器K线圈带电，其常闭触点K1断开，路灯HL熄灭。数字转速表图(a)是光电式数字转速表的工作原理图。在电动机的转轴上安装一个具有均匀分布齿轮的调制盘，当电动机转轴转动时，将带动调制盘转动，发光二极管发出的恒定光被调制成随时间变化的调制光，透光与不透光交替出现，光敏管将间断地接收到透射光信号，输出电脉冲。图（b）为放大整形电路，当有光照时，光敏二极管产生光电流，使RP2上压降增大，直到晶体管V1导通，作用到由V2和V3组成的射极耦合触发器射极耦合触发器，使其输出U0为高电位；反之，U0为低电位。放大整形电路输出整齐的脉冲信号 ，转速可由该脉冲信号的频率来确定，该脉冲信号

23、可送到频率计进行计数，从而测出电动机的转速。每分钟的转速n与脉冲频率f之间的关系为： 式中， N为调制盘的齿数。60nf N光耦合器光电耦合器件是将发光元件和光敏元件合并使用，以光为媒介实现信号传递的光电器件。为了保证灵敏度，要求发光元件与光敏元件在光谱上要得到最佳匹配光谱上要得到最佳匹配。光电耦合器件将发光元件和光敏元件集成在一起，封装在一个外壳内。光电耦合器件的输入电路和输出电路在电气上完全隔离电气上完全隔离，仅仅通过光的耦合才把二者联系在一起。工作时，把电信号加到输入端，使发光器件发光，光敏元件则在此光照下输出光电流，从而实现电光电的两次转换电光电的两次转换。光电耦合器实际上能起到电量隔

24、离电量隔离的作用，具有抗干扰和单向信号传输抗干扰和单向信号传输功能。光电耦合器件广泛应用于电量隔离、电平转换、噪声抑制、无触点开关等领域。光耦合器的应用-燃气灶的脉冲点火控制器煤气是易燃、易爆气体，所以对燃气器具中的点火控制器的要求是安全、稳定、可靠。因此，电路功能设计要求打火针确认产生火花，才可打开燃气阀门，否则燃气阀门保持关闭，以保证燃气具使用的安全。图为燃气灶高压打火确认电路。在高压打火时，火花电压可达一万多伏，这个脉冲高电压对电路工作影响极大，为了使电路正常工作，采用光电耦合器VLC进行电平隔离，大大增强了电路抗干扰能力。当高压打火针对打火确认针放电时，光耦合器中的发光二极管发光，耦合

25、器中的光敏晶体管导通，信号经V1、V2、V3放大，驱动强吸电磁阀将气路打开，燃气碰到火花即燃烧。如果打火针与确认针之间不放电，则光电耦合器不工作，V1等不导通，燃气阀将保持关闭。9.3 CCD固体图像传感器电荷耦合器件（Charge Couple Device, 缩写为CCD）是一种大规模金属氧化物半导体（MOS）集成电路光电器件。它以电荷为信号， 具有光电信号转换、 存储、 转移并读出信号电荷的功能。1. CCD的工作原理的工作原理结构 :CCD是由若干个电荷耦合单元组成的。其基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）电容器。 它以P型（或N型）半导体为衬底，上面覆盖一层SiO2，再在SiO2

26、表面依次沉积一层金属电极而构成MOS电容转移器件。这样一个MOS结构称为一个光敏元或一个像素。将MOS阵列加上输入、 输出结构就构成了CCD器件。 P型 MOS光敏元 (2) 电荷存储原理构成CCD的基本单元是MOS电容器。与其它电容器一样， MOS电容器能够存储电荷。如果MOS电容器中的半导体是P型硅，当在金属电极上施加一个正电压Ug时，P型硅中的多数载流子（空穴）受到排斥，半导体内的少数载流子（电子）吸引到P-Si界面处来，从而在界面附近形成一个带负电荷的耗尽区， 也称表面势阱。对带负电的电子来说， 耗尽区是个势能很低的区域。在一定的条件下，所加正电压Ug越大，耗尽层就越深，势阱所能容纳的

27、少数载流子电荷的量就越大。 如果有光照射在硅片上， 在光子作用下，半导体硅产生了电子-空穴对，光生电子被附近的势阱所吸收，而空穴被排斥出耗尽区。势阱内所吸收的光生电子数量与入射到该势阱附近的光强成正比。（3）电荷转移原理CCD器件基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS光敏元，这些光敏元使用同一半导体衬底；氧化层均匀、连续；相邻金属电极间隔极小。任何可移动的电荷都将力图向表面势大的位置移动。为了保证信号电荷按确定的方向和路线转移，在MOS光敏元阵列上所加的各路电压脉冲要求严格满足相位要求。 三相CCD时钟电压与电荷转移的关系(a) 三相时钟脉冲波形； (b) 电荷转移过程 若两个相邻MOS光敏元所

28、加的栅压分别为 Ug1、Ug2 ，且Ug1Ug2。因 Ug2高，表面形成的负离子多，则表面势 ，电子的静电位能 ，则Ug2 吸引电子能力强，形成的势阱深，则1中电子有向2中下移的趋势。若串联很多光敏元，且使 电压依次升高，可形成一个输运电子的路径，实现电子的转移。21ss210ssqq （4）电荷注入方法PSi(a)tIDnIG1231PSiQ IDt(b)电荷注入方法（a） 背面光注入； （b） 电注入 （5）电荷的输出ERLUoIoOG321P SiN SiCCD输出端结构输出端结构 当输出二极管加上反向偏压时，转移到终端的电荷在时钟脉冲作用下移向输出二极管，被二极管的PN结所收集，在负载

29、 上形成脉冲电流 。输出电流的大小与信号电荷的大小成正比，并通过负载电阻 转换为信号电压 Uo输出。9.3.2 CCD固体图像传感器的分类线阵型CCD图像传感器面阵型CCD图像传感器9.3.3 CCD图像传感器的特性参数光电转移效率光电转移效率 总转移效率10QQ(1)NNNoQQ分辨率分辨率分辨率是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力，是图像传感器最重要的特性，主要取决于感光单元之间的距离灵敏度及光谱响应灵敏度及光谱响应 灵敏度是指单位发射照度下，单位时间、单位面积发射的电量。光谱响应图9.37 光谱灵敏度特性动态范围动态范围饱和曝光量和等效曝光量的比值称为CCD的动态范围CCD器件的动态范

30、围一般在103104数量级暗电流暗电流 暗电流起因于热激发产生的电子-空穴对，是缺陷产生的主要原因。光信号电荷的积累时间越长，其影响就越大。暗电流的产生不均匀，在图像传感器中出现固定图形，暗电流限制了器件的灵敏度和动态范围。暗电流与温度密切有关，温度每降低10，暗电流约减小一半。噪声噪声 CCD是低噪声器件，但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上，使信号电荷的转移受到干扰。噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。9.3.4 CCD固体图像传感器的应用 CCD固体图像传感器的应用主要在以下几方面：计量检测仪器：工业生产产品的尺寸、位置、表面缺陷的非接触在线检测、距离测定等

31、。光学信息处理：光学文字识别、标记识别、图形识别、传真、摄像等。生产过程自动化：自动工作机械、自动售货机、自动搬运机、监视装置等。军事应用：导航、跟踪、侦查(带摄像机的无人驾驶飞机、卫星侦查)。典型应用实例 微小尺寸自动检测微小尺寸自动检测产生夫琅和费衍射图像产生夫琅和费衍射图像 图像暗纹间距：同时基于光敏阵列器件得到的脉冲数N和阵列单元间距有：所以被测细丝或小孔的直径：/dLadNl/()aLdLNll大尺寸物体光学成像02100)(NNNNLLx00210)(LNNNNLxn pM)(210NNNn00LpNM p-像素的间距倍率9.4光纤传感器光纤传感器光纤传感技术是20世纪70年代中期

32、伴随着光通信技术的发展而逐步形成的一门新技术工作基础：光纤中所传输的光信号（光波）的特征量（如光强、光纤中所传输的光信号（光波）的特征量（如光强、相位、频率、偏振态等）将随外界环境因素（温度、压力、电场、相位、频率、偏振态等）将随外界环境因素（温度、压力、电场、磁场等）的变化而变化磁场等）的变化而变化光纤传感器的优点：频带宽、动态范围大、灵敏度高固有的安全性好抗电磁干扰耐高、耐腐蚀、电绝缘性好能与数字通信系统兼容，集传感与传输于一体，易实现远距离测量等光纤传感器受到世界各国的广泛重视。光纤传感器已用于位移、振动、转动、压力、速度、加速度、电流、磁场、电压、温度等70多个物理量的测量在生产过程自

33、动控制、在线检测、故障诊断、安全报警等方面有广泛的应用前景。1、光纤的结构光纤是一种多层介质结构的同心圆柱体，包括纤芯、包层和保护层（涂敷层及护套）。核心部分是纤芯和包层，纤芯粗细、纤芯材料和包层材料的折射率，对光纤的特性起决定性影响。纤芯纤芯是光波的主要传输通道；纤芯材料的主体是SiO2，并掺入微量的GeO2、P2O5，以提高提高材料的光折射率材料的光折射率。纤芯直径575um。包层包层可以是一层、二层或多层结构，总直径约100200 um，包层材料主要也是SiO2，掺入了微量的B2O3或SiF4以降低降低包层对光的折射率包层对光的折射率；包层的折射率略小于纤芯，这样的构造可以保证入射到光纤

34、内的光波集中在纤芯内传输。涂覆层涂覆层保护光纤不受水汽的侵蚀和机械擦伤， 同时又增加光纤的柔韧性， 起着延长光纤寿命的作用。2、光纤的传光原理ic光全反射条件光全反射条件：12sinsinnnrk10sinsininn2022111212000101sinsincos1(sin)90ckrrnnnnnnnnnnn22120arcsin1cnnn3、光导纤维的主要参数数值孔径数值孔径NA（Numeral Aperture) 2212sincnn数值孔径只取决于折射率，与光纤的几何尺寸、光源的发射功率等因素无关数值孔径是光纤的一个重要参数，它能反映光纤的集光能力，光纤的NA越大，表明它可以在较大入

35、射角 范围内输入全反射光，集光能力就越强，光纤与光源的耦合越容易，即实现全反射越容易。但数字孔径越大，光信号的畸变也越大。故要适当选择NA的大小，石英光纤的NA=0.2-0.4（即11.523.5度）光纤模式光纤模式光波在光纤中的传播途径和方式称为光纤模式光波在光纤中的传播途径和方式称为光纤模式。对于不同入射角的光线，在界面反射的次数是不同的，传递的光波间的干涉也是不同的，这就是传播模式不同。一般总希望光纤信号的模式数量要少，以减小信号畸变的可能。单模光纤单模光纤直径较小（212um)，只能传输一种模式。其优点是：信号畸变小、信息容量大、线性好、灵敏度高；缺点：纤芯较小，制造、连接、耦合较困难

36、。多模光纤多模光纤直径较大(50-100um)，传输模式不只一种，其缺点是：性能较差。优点：纤芯面积较大，制造、连接、耦合容易。传播损耗传播损耗 光信号在光纤中的传播不可避免地存在着损耗。为什么？光纤传输损耗主要有材料吸收损耗（因材料密度及浓度不均匀引起）散射损耗（因光纤拉制时粗细不均匀引起）光波导弯曲损耗（因光纤在使用中可能发生弯曲引起）。光纤传感器工作原理工作原理由于外界因素（温度、压力、电场、磁场、振动等）对光纤的作用，会引起光波特征参量（振幅、相位、频率、偏振态等）发生变化，只要能测出这些参量随外界因素的变化关系，就可以用它作为传感元件来检测对应物理量的变化 光纤传感器的组成光纤传感器

37、的组成由光源、光纤、光探测器等组成。由光源、光纤、光探测器等组成。光源光源一般要求光源的体积尽量小，以利于它与光纤耦合；光源发出的光波长应合适，以便减少光在光纤中传输的损失；光源要有足够亮度，以便提高传感器的输出信号。另外还要求光源稳定性好、噪声小、安装方便和寿命长等。 光纤传感器使用的光源种类很多，按照光的相干性可分为相干光和非相干光。非相干光源有白炽光、发光二极管；相干光源包括各种激光器，如氦氖激光器、半导体激光二极管等。光探测器光探测器光探测器的作用是把传送到接收端的光信号转换成电信号，以便作进一步的处理。它和光源的作用相反，常用的光探测器有光敏二极管、光敏三极管、光电倍增管等。光探测器

38、性能的好坏既影响被测量的变换准确度，又关系到光探测接收系统的质量（线性度、灵敏度、带宽等）光纤传感器的分类光纤传感器的分类 按光纤在传感器中功能的不同可分为：按光纤在传感器中功能的不同可分为：功能型（传感型）光纤传感器是利用光纤本身的特性把光纤作为敏感元件，被测量对光纤内传输的光波进行调制，使传输的光信号的强度、相位、频率或偏振等特性发生变化，再通过对被调制过的信号进行解调，从而得出被测信号。非功能型（传光型）光纤传感器是利用其他敏感元件感受被测量的变化，与其它敏感元件组合而成的传感器，光纤只作为光信号的传输介质。被测对象光纤敏感元件光源光探测器至信号处理系统光纤光源光探测器至信号处理系统光纤

39、被测对象光敏感元件(a)(b)光纤传感器组成示意图（a） 传感型； （b） 传光型 按光纤传感器调制的光波参数不同按光纤传感器调制的光波参数不同强度调制光纤传感器 (图a)相位调制光纤传感器(图b)波长（频率）调制光纤传感器（多普勒效应：运动物体近光源） 时分调制光纤传感器 偏振调制光纤传感器 1(1/ )1/v ciifffv cv c 1(1/ )1/v ciifffv cv c 按光纤传感器检测对象不同按光纤传感器检测对象不同光纤温度传感器光纤位移传感器光纤流速传感器等等。光纤传感器的应用光纤传感器的应用测温光强调制型光纤温度传感器测温光强调制型光纤温度传感器其测量范围随半导体材料和光源

40、而变，通常在其测量范围随半导体材料和光源而变，通常在100-300度，响应时间度，响应时间2s，测量精度在，测量精度在3度。度。光纤图像传感器光纤图像传感器 图像光纤是由数目众多的光纤组成一个图像单元(或像素单元)，典型数目为0.3万10万股，每一股光纤的直径约为10um。在光纤的两端，所有的光纤都是按同一规律整齐排列的。投影在光纤束一端的图像被分解成许多像素，图像的每一个象素（强度与颜色）通过一根光纤单独传送，并在另一端重建原图像。图9.46光纤图像传输图9.47 工业用内窥镜系统原理光源发出的光通过传光束照射到被测物体上，通过物镜和传像束把内部图像传送出来，以便观察、照相，或通过传像束送入

41、CCD器件，将图像信号转换成电信号，送入微机进行处理，可在屏幕上显示和打印观测结果。（3）光纤旋涡式流量传感器）光纤旋涡式流量传感器光纤旋涡式流量传感器是将一根多模光纤垂直地装入管道，当液体或气体流经与其垂直的光纤时，光纤受到流体涡流的作用而振动，振动的频率与流速有关。测出光纤振动的频率就可确定液体的流速。tvfSdtdS光纤的直径斯托劳哈尔系数（无量纲常数）9.5 光电式编码器光电式编码器编码器是将机械转动的位移（模拟量）转换成数字式电信号的传感器。编码器在角位移测量方面应用广泛，具有高精度、高分辨率、高可靠性的特点。光电式编码器从结构上可分为码盘式和脉冲盘式两种。 码盘式编码器（绝对编码器

42、）主要由安装在旋转轴上的编码圆盘（码盘）、 窄缝以及安装在圆盘两边的光源和光敏元件等组成。码盘由光学玻璃制成，其上刻有许多同心码道， 每位码道上都有按一定规律排列的透光和不透光部分，即亮区和暗区。当光源将光投射在码盘上时，转动码盘，通过亮区的光线经窄缝后， 由光敏元件接收。光敏元件的排列与码道一一对应， 对应于亮区和暗区的光敏元件输出的信号，前者为“1”，后者为“0”。 当码盘旋至不同位置时，光敏元件输出信号的组合，反映出按一定规律编码的数字量，代表了码盘轴的角位移大小。 9.5.1 码盘式编码器码盘式编码器码盘式编码器工作过程码盘式编码器工作过程 编码器码盘按其所用码制可分为二进制码、 十进

43、制码、 循环码等。 对于6位二进制码盘，最内圈码盘一半透光， 一半不透光，最外圈一共分成26=64个黑白间隔。每一个角度方位对应于不同的编码。例如零位对应于000000（全黑）；第23个方位对应于010111（码盘码盘“内高外低内高外低”、编码、编码“左高右低左高右低）。（第32位呢？）测量时根据码盘的起始和终止位置可以确定角位移，而与转动的中间过程无关（故称绝对码盘）。 一个n位二进制码盘的最小分辨率，即能分辨的角度为=360/2n， 一个6位二进制码盘， 其最小分辨的角度5.6。 二进制码的特点：二进制码的特点：当某一较高的数码改变时， 所有比它低的各位数码均需同时改变，如0100和001

44、1,1000和0111。编码器采用二进制编码的缺点：编码器采用二进制编码的缺点：任何微小的制作误差，都可能造成读数的粗误差粗误差。如四位的 0000顺时针到1111（15，对应角度？），可能为1000（8，对应角度？ ）。解决办法：解决办法：为了消除粗误差，可用循环码代替二进制码。循环码是一种无权码，从任何数变到相邻数时，仅有一位数码发生变化。如果任一码道刻划有误差，只要误差不太大，且只可能有一个码道出现读数误差，产生的误差最多等于最低位的一个比特。对于n位循环码码盘，与二进制码一样，具有2n种不同编码，最小分辨率=360/2n。 四位二进制码与循环码对照表四位二进制码与循环码对照表 码制转换

45、循环码的特点：循环码的特点：译码较困难。解决办法：解决办法：先转换成二进制1(01)nniiiCBCBBin1(01)nniiiBCBCBin编码解码码盘式编码器的特点被测转角不超过360度时，它所提供的是转角的绝对值，即从起始位置（对应于输出各位均为0的位置）所转过的角度。在使用中如遇停电，在恢复供电后的显示值仍然能正确地反映当时的角度。故称为绝对型角度编码器。当被测角大于360度时，为了仍能得到转角的绝对值，可以用两个或多个码盘与机械减速器配合，扩大角度量程，如选用两个码盘，两者间的转速为10:1，此时测角范围可扩大10倍。脉冲盘式编码器（增量编码器）的输出是一系列脉冲，需要一个计数系统对

46、脉冲进行加减(正向或反向旋转时)累计计数，一般还需要一个基准数据需要一个基准数据即零位基准即零位基准，才能完成角位移测量。9.5.2 脉冲盘式编码器脉冲盘式编码器是在圆盘上开有内、外两圈相等角矩的缝隙，内、外圈的相邻两缝隙之间的距离错开半条缝宽。 在内外圈之外的某一径向位置，也开有一缝隙，表示码盘的零位，码盘每转一圈，零位对应的光敏元件就产生一个脉冲，称为“零位脉冲”。 光栏板上有两个狭缝，其距离是码盘上两个相邻狭缝距离的四分之一倍，并设置了两组对应的光敏元件，对应图中的A、B两个信号（四分之一间距差保证了两路信号的相位差为900，便于辨向），C信号代表零位脉冲。 当码盘随被测工作轴转动时，每

47、转过一个缝隙当码盘随被测工作轴转动时，每转过一个缝隙就发生一次光线明暗的变化，通过光敏元件产生一就发生一次光线明暗的变化，通过光敏元件产生一次电信号的变化，所以每圈码道上的缝隙数将等于次电信号的变化，所以每圈码道上的缝隙数将等于其光敏元件每一转输出的脉冲数。利用计数器记录其光敏元件每一转输出的脉冲数。利用计数器记录脉冲数，就能反映码盘转过的角度。脉冲数，就能反映码盘转过的角度。工作原理工作原理辨向原理 光敏元件1和2的输出信号经放大整形后，产生矩形脉冲P1和P2，它们分别接到D触发器的D端和C端，D触发器在C脉冲（即P2 ）的上升沿触发。两个矩形脉冲相差四分之一个周期（或相位相差900）。 当

48、正转正转时，设光敏元件1比光敏元件2先感光，即脉冲P1超前脉冲P2 900，D触发器的输出Q=1 ，使可逆计数器的加减控制线为高电位，计数器将作加法计数。同时P1和P2又经与门Y输出脉冲P ，经延时电路送到可逆计数器的计数输入端，计数器进行加法计数。 当反转反转时，P2超前P1 900，D触发器输出Q=0，计数器进行减法计数。 设置延时电路的目的是等计数器的加减信号抵达后，再送入计数脉冲，以保证不丢失计数脉冲。 不论是正转还是反转，计数器每次反映的都是相对于上次角度的增量，故称为增量式编码器。9.5.3 光电式编码器的应用光电式编码器的应用-测转速测转速频率法：在给定时间内，使门电路选通，编码

49、器输出脉冲允许进入计数器计数。然后由下式求出其转速：例：设某编码器的额定工作参数是 N2048 脉冲/转，在0.2 S时间内测得8192个脉冲，求其转速。解：根据上式有： 111pulses60r/sr/minpulse/rNtNNnNN tNt1608192 601200 r/min2048 0.2NnNt9.5.3 光电式编码器的应用光电式编码器的应用-测转速测转速周期法：通过计数编码器一个脉冲间隔内（半个脉冲周期）标准时钟脉冲个数来计算其转速，因此，要求时钟脉冲的频率必须高于编码器脉冲的频率例：设某编码器的额定工作参数为N 1024 脉冲/转，标准时钟脉冲周期 T106 s，测得编码器输

50、出的两个相邻脉冲上升沿之间标准时钟脉冲输出个数为1000个，求其转速。解：根据题意可知，编码器一个脉冲间隔内标准时钟脉冲的输出个数为：N21000/2500由上式有：22160r/sr/min22nNN TNN T62606058.6 r/min22 500 1024 10nNN T9.6 计量光栅计量光栅9.6.1 光栅的结构及工作原理光栅的结构及工作原理 1. 光栅结构光栅结构 在镀膜玻璃上均匀刻制许多有明暗相间、等间距分布的细小条纹（又称为刻线），这就是光栅。a为栅线的宽度（不透光），b为栅线间宽（透光）， a+b=W称为光栅的栅距（也称光栅常数）。通常a=b=W/2。目前常用的光栅每毫

51、米刻成25、50、 100、125、250条线条。 光栅莫尔条纹的形式 2. 光栅测量原理光栅测量原理 两块具有相同栅距的长光栅叠合在一起，中间留有很小的间隙，并使两者的栅线之间形成一个很小的夹角 ，则在大致垂直于栅线的方向上出现明暗相间的条纹，称为莫尔条纹。 在两块光栅栅线重合的地方，透光面积最大，出现亮带亮带（图中的 d-d）；有的地方两块光栅的栅线错开，形成了不透光的暗带暗带（图中的 f-f）。当夹角 减小时，条纹间距BH增大，适当调整夹角可获得所需的条纹间距。 (1) 位移的放大作用 当光栅每移动一个光栅栅距W时， 莫尔条纹也跟着移动一个条纹宽度BH。莫尔条纹的间距BH与两光栅线纹夹角

52、之间的关系为 H2sin2WWB 越小，BH越大，这相当于把栅距W放大大了1/倍。例如=0.1，则1/573，即莫尔条纹宽度BH是栅距W的573倍， 这相当于把栅距放大了573倍，说明光栅具有位移放大作用， 从而提高了测量的灵敏度。 莫尔条纹测位移的三个特点 （2） 莫尔条纹移动方向 如光栅1沿着刻线垂直方向向右移动向右移动时，莫尔条纹将沿着光栅2的栅线向上移动向上移动；反之，当光栅1向左移动向左移动时，莫尔条纹沿着光栅2的栅线向下移动向下移动。 因此根据莫尔条纹移动方向就可以对光栅1的运动进行辨向。 (3) 误差的平均效应 莫尔条纹由光栅的大量刻线形成，对线纹的刻划误对线纹的刻划误差有平均抵消作用差有平均抵消作用，能在很大程度上消除短周期误差的影响。 0n 例如：例如： 对50线/mm的光栅，用4mm宽的光电元件进行接收，那么光电元件所接收到的就是总共达200条光栅刻线的集体作用的结果，光电元件的输出是这200条刻线共同对光调制结果的总和。 假定其中某一刻线的位置偏移了1 um，则它所造成的光电元件的输出相当于整个光栅的偏差约为0.07um。 莫尔条纹的这种误差平均效应使得它在应用中对光栅质量的要求可以大大降低，这对高精度的测量非常有利。9.6.2 计量光栅的组成计量光栅的组成 计量光栅作为一个完整的测量装置包括光栅读数头、光栅数显表两大部分。光栅读数头光栅读数头利用光栅原