材料科学基础选择题

1、1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（ b ）过渡，最终使晶体结 构类型发生变化。a：共价键向离子键b：离子键向共价键c:金属键向共价键d:键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（ b ）,离 子配位数（）。a：增大，降低b：减小，降低c：减小，增大d:增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，具晶胞分子数是（ c ）。a: 5b: 6c: 4d: 34、nacl单位晶胞中的 分子数”为4, na+填充在cl-所构成的（b ）空隙中。a:全部四面体b:全部八面体c: 1/2四面体d: 1/2八面体5、cscl单位晶胞中的 分子数”为1, cs+填充在cl-

2、所构成的（c ）空隙中。a:全部四面体b:全部八面体c:全部立方体d: 1/2八面体6、mgo晶体属nacl型结构，由一套mg的面心立方格子和一套。的面心立方 格子组成，具一个单位晶胞中有（ b ）个mgo分子。a: 2b: 4c: 6d: 87、萤石晶体可以看作是ca2+作面心立方堆积，f-填充了（ d ）。a:八面体空隙的半数c:全部八面体空隙8、萤石晶体中ca2+的配位数为a: 2c: 69、cscl晶体中cs+的配位数为a: 2c: 610、硅酸盐晶体的分类原则是（a:正负离子的个数b:b:四面体空隙的半数d:全部四面体空隙8, f-配位数为（b ）。b: 4d: 88, c的配位数为

3、（d ）。b: 4d: 8b ）。结构中的硅氧比c:化学组成d:离子半径11、培英石2母24是（a ）。a:岛状结构b:层状结构c:链状结构d:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量si4+被al3+取代，这种现象称为（ c ）。a:同质多品b:有序一无序转变c:同晶置换d:马氏体转变13.镁橄榄石 mg2sio4是（ a ）。a:岛状结构b:层状结构c:链状结构d:架状结构14、对沸石、萤石、mgo三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序 为（a ）。a:沸石萤石mgob:沸石,mgo萤石c:萤石沸石mgod:萤石,mgo沸石15、根据鲍林（pauling）规则，离子晶体mx2中二价阳离子

4、的配位数为8时，一价 阴离子的配位数为（b ）。a: 2b: 4c: 6d: 816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元sio4四面体，两个相邻的sio4四面体之 间只能（a ）连接。a:共顶b:共面c:共棱d: a+b+c17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下 点缺陷中属于本征缺陷的是（ d ）。a:弗仑克尔缺陷b:肖特基缺陷c:杂质缺陷d: a+b18、位错的（a）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。a:攀移b:攀移c:增值d:减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时， 该位置带有负 电荷，为

5、了保持电中性，会产生（ d ）oa:负离子空位b:间隙正离子c:间隙负离子d: a或b20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时， 该位置带有正 电荷，为了保持电中性，会产生（ d ）oa:正离子空位b:间隙负离子c:负离子空位d: a或b21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（d ）。a:稳定品格b:活化品格c:固溶强化d: a+b+c22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（ b ）。a:结构相同是无限固溶的充要条件b:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件c:结构相同是有限固溶的必

6、要条件d：结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（ d ）。a：点缺陷b：线缺陷c:面缺陷d: a+b+c24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ d ）。a：热缺陷b：杂质缺陷c:非化学计量缺陷d: a+b+c25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，具变化规律是（ b ）。a:线性增加b:呈指数规律增加c：无规律d：线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（d ）。a：杂质质点大小b：晶体（基质）结构c：电价因素d: a+b+c27、位错的滑移是指位错在（a ）作用

7、下，在滑移面上的运动，结果导致永 久形变。a：外力b：热应力c：化学力d：结构应力28、柏格斯矢量（burgers vector与位错线垂直的位错称为（a ）,其符号表 示为（）。a:刃位错；! b:刃位错；vx c:螺位错；d:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（schottky defect）时，（b ）。a:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小b:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加c:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加d:正离

8、子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加 30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（frenkel defect）时，（a ）。a:间隙和空位质点同时成对出现b:正离子空位和负离子空位同时成对出现c:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现d:正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（ c）。a:位错不一定是直线b:位错是已滑移区和未滑移区的边界c:位错可以中断于晶体内部d:位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（a）a:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀

9、移b:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移c:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移d:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移d）因素的影响33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（a:组成b:温度c:时间d:a+b+c34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（ c ）,粘度（）a：降低；增加b：不变；降低c：增加；降低d:增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的 o/si比高，低聚物（c ）,粘度（）a：降低；增加c：增加；降低36、硅酸盐熔体的粘度随o/si升高而a：增大，降低c：增大，增大37、由结晶化学观点知，具有（aa：极性共价键c：共价键38、n%o al 2o3 4sio2熔

10、体的桥氧数为b：不变；降低d：增加；不变（ b）,随温度下降而（）b：降低，增大d：降低，降低）的氧化物容易形成玻璃。b:离子键d:金属键（d）。5b: 2a: 1c: 3d: 439、na2o?cao?al2o3?sio2 玻璃的桥氧数为（ b ）。a: 2.5b: 3c: 3.5d:440、如果在熔体中同时引入一种以上的 r2o时，粘度比等量的一种r2o高，这 种现象为（ b）。a:加和效应b:混合碱效应c:中和效应d:交叉效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（a ）。a:降低b:升高c:不变d: a或b42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，o/si减小

11、，表面张力将（a）。a:降低b:升高c:不变d:a或b43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（ c ）的过程。a:可逆与突变b:不可逆与渐变c:可逆与渐变d:不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（ c ）。a:突变性b:不变性c:连续性d: a或b45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，o/si减小，表面张力将（a ）。（a）降低 （b）升高（c）不变 （d） a或b46、不同氧化物的熔点tm和玻璃转变温度tg的比值（tg/tm）接近（b ）易 形成玻璃。a:二分之一b:三分之二c:四分之一d:五分之一47、可用三t （time-temperature

12、-transformatior）曲线来讨论玻璃形成的动力学 条件，三t曲线前端即鼻尖对应析出106体积分数的晶体的时间是最少的，由 此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（a）。a:愈困难b:愈容易c:质量愈好d:质量愈差48、不同o/si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体 中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（ a ）。a:越不容易b:越容易c:质量愈好d:质量愈差49、当熔体中负离子集团以（ c ）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻 璃有利。a:低聚合b:不聚合c:高聚合d: a或c25、桥氧离子的平均数y是玻璃的结构参

13、数，玻璃的很多性质取决于 y值。在 形成玻璃范围内，随y的增大，粘度（d）,膨胀系数（）0a：增大；不变b：降低；增大c：不变；降低d：增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表 面的质点处于（a ）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。a:较高b:较低c:相同d: a或c51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正 常位置的上、下位移，称为（ b）。a:表面收缩b:表面弛豫c：表面滑移d:表面扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，具固体 的表面能（b）液体的表面能。a:小于b:大于13a:

14、不同；相同c：相同；不同53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（a ）0b：相同；相同d:不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性（c ）,粘附界面的强度（）0a：越差；越牢固b：越好；越差c：越好；越牢固d：越好；不变55、离子晶体mx在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的品格位置， 易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（ c,这种重 排的结果使晶体表面能量趋于稳定。a:收缩b:弛豫c:双电层d: b+c56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表 面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂

15、纹长度（），断裂强度（a ）。a：越长；越低b：越长；越高c：越短；越低d：越长；不变57、界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（ d ）的特性。b:界面上原子扩散速度较快d: a+b+c）液体的内聚功，液体即可在固体表面自a:会引起界面吸附c:对位错运动有阻碍作用 58、只要液体对固体的粘附功（b 发展开。a:小于c:小于等于59、当液体对固体的润湿角9 90 液体与固体之间的润湿（a ）。a:更难c:更易61、粘附功数值的大小，标志着周 （b ），固-液两相互相结合（b：大于d:等于时，即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液b:不变d: a 或 b时，即在不润湿的前提下，表面粗糙化后，b:

16、不变d: a 或 b-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值）;相反，粘附功越小，则越易分离。a:越大；越松散b:越大；越牢固c:越小；越牢固d:越大；不变62、为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液 -固界面张力（b ）。a:降低b:升高c:保持不变d:有时升高，有时降低63、对于附着润湿而言，附着功表示为 w=r sv+扎v-市l,根据这一原理，（a ） 才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。a:尽量采用化学组成相近的两相系统b:尽量采用化学组成不同的两相系统c:采用在高温时不发生固相反应的两相系统d:前三种方法都不行64、将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去，则

17、外加组分在表面层的浓度（ c）体积内部的浓度。b：大于d: a 或 b度（）。a：越长；越低c：越短；越低66、吸附膜使固体表面张力（a:增大c：不变b：越长；越高d：越长；不变b）。b：减小d: a 或 b65、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表 面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（ a ）,断裂强67、粗糙度对液固相润湿性能的影响是：ca:固体表面越粗糙，越易被润湿b:固体表面越粗糙，越不易被润湿c：不一定d:粗糙度对润湿性能无影响68、下列关于晶界的说法哪种是错误的。aa：品界上原子与晶体内部的原子是不同的b：品界上原子的堆积较晶体内部

18、疏松c:晶界是原子、空位快速扩散的主要通道d：晶界易受腐蚀69、相平衡是指在多相体系中，物质在各相间分布的平衡。相平衡时，各相的组 成及数量均不会随时间而改变，是（ c ）。a:绝对平衡b:静态平衡c：动态平衡d:暂时平衡70、二元凝聚系统平衡共存的相数最多为 3,而最大的自由度数为（ a ）。b:3a:2c:4d:571、热分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根据系统在冷却过程中温度随 时间的变化情况来判断系统中是否发生了相变化，该方法的特点是（ d ）。a：简便c：能确定相变前后的物相 72、淬冷法是相平衡的研究的动态方法,a:准确度高c：适用于相变速度快的系统73、可逆多晶转变是一种同

19、质多品现象,a:低于c：等于74、不可逆多晶转变的多晶转变温度（b：测得相变温度仅是一个近似值d: a+b其特点是（d）。b：适用于相变速度慢的系统d: a+b多品转变温度（a ）两种晶型的熔点b:高于d: a 或 bb种晶型的熔点。a：低于b：高于c:等于d: a或b75、在热力学上，每一个稳定相有一个稳定存在的温度范围，超过这个范围就变成介稳相。在一定温度下，稳定相具有（ c ）的蒸汽压。a：最高b：与介稳相相等c:最低d: a或b76、多品转变中存在阶段转变定律，系统由介稳状态转变为稳定态不是直接完成 的，而是依次经过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳定状态。 最终存在的 晶相由（d

20、）决定。a：转变速度b：冷却速度c:成型速度d: a与b77、二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为（ c）。a: 3b: 2c: 1d: 078、根据杠杠规则，在二元凝聚系统的相图中，如果一个总质量为m的相分解为质量gi和g2的两个相，则生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的 组成点之间线段（boa:成正比b:成反比c:相等d: a或c79、三元相图中，相界线上的自由度为（ c ）。a: 3b: 2c:1d: 080、固体中质点的扩散特点为：（d ）。a:需要较高温度b:各向同性c:各向异性d: a+c81、在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，

21、后者引起的扩散为（c ）。a:互扩散b:无序扩散c:非本征扩散d:本征扩散82、固体中质点的扩散特点为：da:需要较高温度b:各向同性c:各向异性d: a+c83、扩散之所以能进行，在本质上是由于体系内存在（ a ）0a:化学位梯度b:浓度梯度c:温度梯度d:压力梯度84、固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大影响。则 h、c、cr 在丫fe中扩散的活化能的大小顺序为（b ）。a: qhqcqcb: qcr qc qhc: qc qhqcrd: qcr qh qc85、晶体的表面扩散系数 ds、界面扩散系数 dg和体积扩散系数db之间存在 （a ）的关系。b: db dg dg db

22、c: dg ds dbd: dg ds空位扩散c:易位扩散间隙扩散空位扩散 91、一般晶体中的扩散为（d ）。a:空位扩散c:易位扩散92、由肖特基缺陷引起的扩散为（a ）a:本征扩散c:正扩散93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子,散机制适用于（c ）的扩散。a:各种类型固溶体c:置换型固溶体b:易位扩散间隙扩散二空位扩散d:易位扩散 间隙扩散 空位扩散b:间隙扩散d: a 和 bb:非本征扩散d:负扩散而原子反向迁入空位，这种扩b:间隙型固溶体d: a 和 b94、扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构（ a ）,扩散（）。a：越紧密；越困难b：越疏松；越困难c：越紧密；活化能

23、越小d:越疏松；活化能越大95、不同类型的固溶体具有不同的结构， 其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比 置换型（d ）。a：难于扩散b：扩散活化能大c：扩散系数小d：容易扩散96、扩散相与扩散介质性质差异越大，（b）。a：扩散活化能越大b：扩散系数越大c:扩散活化能不变d:扩散系数越小97、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（d）,使得扩散系数增大。a：增加缺陷浓度b：使晶格发生畸变c：降低缺陷浓度d： a和b98、通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要 是（a ）。a：本征扩散b：非本征扩散c:互扩散d: a+b99、按热力学方法分类，相变可以分为一级相变和二级相变， 一级相变是在相变 时两相化学势相等，其一阶偏微嫡不相等，因此一级相变（ b ）。a：有相变潜热，无体积改变b：有相变潜热，并伴随有体积改变c:无相变潜热，并伴随有体积改变d：无相变潜热，无体积改变100、二级相变是指在相变时两相化学势相等，其一阶偏微