模拟电子技术模拟试题

1、模拟电子技术模拟试题一一填充题（每空1分，共20分）1 在本征半导体中，有 和两种载流子。2与反向偏置相比，正向偏置时 PN结的宽度、等效电阻。3 晶体管工作在放大区时，要求发射结 向偏置、集电结 向偏置。4. 在晶体管三种基本放大电路中，输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共放大电路，没有电压放大能力的是共 放大电路。5. 在多级放大电路中常用的三种耦合方式中， 只能放大交流信号的耦合方式有 耦合和耦合两种。6. 差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻 Re，可以使电路的 电压放大倍数降低，7. 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 平衡条件和平衡条件。8. 在运放组成的电压比较器中，运

2、放一般工作在 或状态。9. 组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、 正反馈网络外，还有和10. 整流电路的功能是将交流电压转换成 电压，滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的。.分析计算题（共80分）rm川 y附图L 11. （12分）电路如附图所示，已知Ui=18V，硅稳压管Dz的 稳定电压UZ=10V，动态电阻rZ可以忽略。试求：（1）Uo、Io、I、Iz 的值；（2）当负载电阻值减小一半，即R = k Q时的U。、I。、丨、Iz的值及Au、Ri、Ro的值。3. （14分）电路如附图所示，已知集成运放 A性能理想，Ti和T2的特性一致，Uces可以 忽略。（1）请说出R2引入的是哪种反馈

3、？（2）试求该电路的电压放大倍数 Au Uo/Uj的值。（3） 若Ui 1.414sin（3140t）V ,试求输出功率 巳、功放级的电源消耗功率 Pv和效率4.( 14 分)R.V6 - 1H V附图L3电路如附图所示，已知 T1和T2的性能一致,=100、心6 =300 Q、U be = o试求:(1)I C1Q、C1Q ；(2)Aud、Rid、Ro、Auc 及 K CMR 0附图L4式，并判断这是一个什么类型的滤波电路6. （6分）电路如附图所示，设运放性能理想，直流输入电压Ui=2V。试求:（1）Si、S2均闭合时的U。值；（2）Si、S2均断开时的U。值；（3）Si闭合、S2断开时的

4、U。值。7. （ 10分）如附图（a）、（b）所示两个部分电路，参数选择合理。试说出如何连接这两 个部分电路的有关端子，使其构成一个电容三点式正弦波振荡电路。模拟电子技术模拟试题二一填充题（每空1分，共20分）1 掺杂半导体有 型半导体和型半导体两类。2. PN结的电容效应用 电容和电容等效。3当温度升高时，晶体管的 和Icbo ； Ube （ iB不变）。4. 基本放大电路的非线性失真包括 失真和失真。5. 直接耦合放大电路有两个特殊问题，它们是 和。6. 为了使放大电路的Ro增大应引入反馈；深反馈的条件是 。7. 文氏电桥正弦波振荡电路用 网络选频，当电路产生正弦波振荡时，该网络反馈系数的

5、模F =。8. 乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 ，在理想情况下的最高能量转换效率可达到。9. 运放组成的方波-三角波发生器由 和两个单元电路组成。10. 在整流电路的输入电压相等的情况下，半波、全波、桥式三种整流电路中，输出电压平均值最低的是 整流电路，二极管承受反向电压最高的是 整流电路。.分析计算题（共80分）1. （9 分）电路如附图所示，设 T 的 lDss=2mA、UGs（off）= 5V。试求：Ugsq、I dq、U dsq值。3 kQTl-表达式。-G附图2.2-2() kj附图2. 33. （12分）电路如附图所示，设Ti、T2的特性完全对称，=120、Ube=，开关S闭

6、合。 试求：（1）I R、I C2 值；（2）若将开关S打开，经过多少时间后，uo下降到。4. （ 18分）电路如附图所示，已知T为3DG4A型硅管，=50、rbb =80 ，G、C2、Ce 的电容量均足够大。试求：（1 ） U BQ、1 CQ、u CEQ 值；（2） Au Uo/U、Aus Uo/Us、Ri及 Ro值。5. （11分）一个尚未设计完成的文氏电桥振荡器及三个未接入的元件如附图所示，已知 灯泡Rt的冷态电阻小于1 kQ0（1）请将R1、R2、Rt接到应接的位置完成这一电路设计。（2）求出该文氏电桥振荡器的振荡频率 f0 0+ 24 VJ %+1 1L i11一IL+Trx31XS

7、4A+12 kn11. i tn15 kal43 knj1 1n+讥）6.9 knLI-C& 800 pF1R一 12 kn-n-2 kflc6 800 pF-y12 kn附图2. 5I W可忽略。试求Uo值。6. （6分）电路如附图所示，已知U i = 40V,7. （ 12分）电路如附图所示，设集成运放A性能理想，硅稳压管Dz的正向导通电压Udf = ,稳定电压UZ=5V, rZ可以忽略，U R =6V。（1）请问A组成的是单门限比较器还是多门限比较器？（2）计算该比较器的门限电压Uth值，并画出该比较器的电压传输特性曲线。o W7815附图2.7模拟电子技术模拟试题三一填充题（每空1分，

8、共20分）1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 ;当杂质浓度一定时，少数载流子的浓度与有关。2就PN结的结电容大小进行比较，正向偏置时比反向偏置时的结电容 ;就PN结的结电容对性能影响，正向偏置时比反向偏置时的影响 。3半导体三极管是控制器件，场效应管是 控制器件。4. 微变等效电路法只适用于晶体管工作于交流 时的动态分析，放大电路的静态常用法进行分析。5. 在同一晶体管的频率参数f、f、fT中，其值最大的是 ；当信号频率等于fT时，晶体管的| 。6按调零电位器所接位置不同，差动放大电路的调零方式常用的有调零和调零两种。7. 在单门限电压比较器和迟滞比较器中，灵敏度高的是 比较器，抗干扰

9、能力强的是比较器。8. 电流源具有等效交流电阻大的特点，常在集成运放的放大电路中作 ;作为输出级用的互补推挽功率放大电路中，功放用晶体管一般工作在 组态。9. 有源滤波电路常由 和组成。10. 功放电路中的功放管要输出大的电压和大的电流，往往处于尽限工作状态，所以要注 意它们的和。二.分析计算题（共80分）1. （14分）电路如附图所示，设晶体管的=100、rbb=200Q、Ube =。试求：（1 ）1 CQ、U ceq ；(2)be、Au、Ri、Ro 及 f L ；(3)若在输出端并联一 RL=10k Q、Cl=2200pF的负载，求这时电路的中频区电压放大 倍数AuM和fH值。2. (10

10、分)电路如附图所示，设电路中各元器件性能理想。(1) 试求Uo表达式，并说出电路的功能；(2) 若输入电压Ui 2、.2sin(3140t)V，试求输出电压平均值U。阳。3. (14分)电路如附图所示，设R6、R7、R8的阻值及+ Vcc、一 Vee值已知，且能使静态时的输出电压为零；各晶体管特性相同，=99、rbe =1 kQ，均工作于放大区；晶体管 T2的集电极输出电压为u2。试求：(1) 由、T2构成的差动放大电路的差模电压放大倍数 Aud (二Uo2/Ui )及Rid值；(2) 若通过电阻Rf引入反馈以使输出电压稳定，试问Rf两端各应接在哪个晶体管的哪个电极(用文字说明)？若这一反馈为

11、深反馈，试求整个电路的电压放大倍数Auf (= Uo /Ui )值。附图3.34. （12分）电路如附图所示，已知集成运算放大器 A性能理想，Ti和T2的Uces = 2V, 该电路能够产生幅度稳定的正弦波输出。试求：（1）Rt的阻值，并说出Rt应该具有正的还是负的温度系数？（2）输出波形的频率fo ；（3）电路能够输出的最大功率Pom 。附图3+45. （ 10分）电路如附图所示，设各集成器件性能理想。试求运放工作于线性状态的约束 条件及Uo表达式。6. （10分）电路如附图所示，设各运放性能理想。（1）试问A1和A2各组成什么电路？（2）输出电压uO表达式。附图3.5附图3. 67. (1

12、0分)电路如附图所示，已知 W78XX的额定输出电压为Ur，静态工作电流Iw可以 忽略，R为一阻值已知的电阻，Rl为负载电阻，W78XX要求输入电压与输出电压之间至少 有的电压差。Uo等于什么？如果不是，请回IO的表达式及这一恒流源的电压动态范围0W7HXXR” 1R附图乩1Q0.33 甘CL 1U-亠丄(2)试问这是否是一个稳流电路？如果是，请求出输出电流(1) 试问这是否是一个稳压电路？如果是，那么输出电压 答下面一个问题;模拟电子技术模拟试题四一填充题（每空1分，共20分）1 按击穿的机理区分，PN结的击穿分为 击穿和击穿。2.电路如附图所示，当V=5V时测得I d = 2mA;若V增大

13、到10V,Id的值将4mA；若V不变，而环境温度降低时，Id的值将2mA。3 由晶体管共射极输出特性可见，在放大区iB不变时，ic随Uce的增大而略增加，原因是Uce增大时基区有效宽度 ，这称为效应。4 使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是 和元件的。5 若增大固定偏置共射极放大电路中晶体管的I bq ,该放大电路的 增大、减小。6共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是 失真；乙类功放电路的主要缺点是输出有 失真。7 负反馈放大电路的fHf (1 AF)fH，适用于反馈环内只有一个 的电路；负反馈改善放大电路的性能是以 为代价。8 电容三点式正弦波振荡电路的主要优点是 ，

14、主要缺点是。9 为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用 放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应 。10.用集成运放组成的非正弦信号发生器一般由 和两个部分组成。二分析计算题(共80分)1. (12分)有两个相同的基本放大电路，负载开路时的电压放大倍数Aui Au250、输入电阻Ri1 Ri2 2kQ、输出电阻R01 R02 10kQ，现用这两个基本放大电路组成一个多级 放大电路，并用内阻 艮2k Q的正弦波信号源驱动，输出端接10k Q的负载电阻Rl。试求该 多级放大电路的输入电阻 R、输出电阻Ro、电压放大倍数Au及源电压放大倍数Aus o2. (12分

15、)电路如附图所示，设 T1、T2特性相同，Idss = 4mA、U gs二一4V;调零电 位器Rw = 2kQ，其滑动端调在中点。试计算：(1) 静态工作点的值；(2) Aud、Ro ；(3) 若电路改为从T1的漏极与“地”之间输出，求这种情况下的差模电压放大倍数、共模电压放大倍数、共模抑制比以及输出电阻。附图L2附图I. 33. (12分)电路如附图所示，已知集成运放的性能理想，Ti、T2性能一致，输入电压是 一个幅度为1V的正弦波信号。(1) 说出R2引入什么类型的反馈；(2) 试求输出功率p。、功放级的电源消耗功率Pv、 及每个功放管的功耗Pt。4. ( 12分)电路如附图所示。已知集成

16、运放性能均理想，Ri R2 R、R3 R4 R5。试求：(1) Au1(s) U1(s)/Uj(s)的表达式；(2) Au (s) Uo(s)/Ui(s)的表达式；(3) 试问运放A1组成什么电路？整个电路又是什么电路？5. (10分)一比较器如附图所示已知硅稳压管 Dz的稳定电压Uz=6V，正向导通时的电压 降为，Ur = 12V，集成运放性能理想。(1) 试求输出高电平U OH、低电平U OL和阈值电压值；(2) 画出电压传输特性曲线。6. (10分)试用一个性能理想的集成运放和 K 1V-1的模拟乘法器设计一个运算电路，实 现u。 4ui 3u2的运算功能。要求画出电路，标出各电阻之间的

17、比例关系。7. (12分)电路如附图所示，设集成运放性能理想，Ui足够大。试求：(1) 最大输出电压U(max)，并说明在什么条件下获得；(2) 最小输出电压U(min)，并说明在什么条件下获得。2 kn附图4-5附图4, 6模拟电子技术、模拟试题五一填充题（每空1分，共20分）1 当环境温度提高时，一个耐压为100V的锗二极管的击穿电压将 ，另一个Uz为4V的硅稳压管的稳定电压将 。2用同一万用表RX10挡和RX 1k挡测同一个二极管的正向电阻， 挡量程测得的值较大；用万用表测同一个二极管的正向电阻和反相电阻时，若用双手握紧二极管的两个电极，测得的 电阻值误差较大。3有人测得电路中一个三极管

18、两个管脚O 1、的电流，O脚的电流流入管子，。2脚的电流从管子流出，其中O2脚的电流比O1脚的电流略大一些，据此可判断这是一个 型晶体管；他又将该管取下，在集电极和发射极之间接一电池，测得基极开路时的Ic为1mA，基极与发射极短路时的Ic为，据此可估算出该管的 约等于。4.放大电路产生幅频失真是因为放大电路的 随信号频率的变化而改变；产生相频失真是因为放大电路的相移与信号频率不成 关系。5无反馈的多级放大器共用一个直流电源供电时也会产生振荡，这是因为直流电源的 过大引起的；而负反馈放大器的自激振荡是因为反馈环内 引起的。6为了提高反馈效果，串联负反馈希望信号源的内阻尽可能 ，并联负反馈希望信号

19、源的内阻尽可能 。7典型的差动放大电路抑制零点漂移主要是依靠 和。8模拟集成电路大多数采用直接耦合是因为 ，集成电路制造工艺使它制造出来的晶体管、电阻等元器件参数误差大，但误差的 好。9当增大迟滞比较器的回差电压时，比较器的 降低、提高。10.集成稳压器的典型应用电路如附图所示，其中电容 G、C2是用来防止集成稳压器产 生，因为集成稳压器的电路实质是 。二.分析计算题(共80分)1. (12分)电路如附图所示，已知场效应管的 Gss=8mA、U Gs(off)= -4V，各电容足够大。 试求：(1 ) I DQ、U GSQ 和 U DSQ 值；(2)该放大电路的Au、Ri和Ro值。2. (16

20、分)电路如附图所示，已知晶体管T的=20、rbb=80 、Ube=，G、C2、C3均 为10 F，晶体管的结电容和分布电容均可忽略，正弦波输入电压的有效值U i = 1V。试求：(1) 静态工作点值；(2) 输出电压Uo1、U O2 (有效值)；(3) 用内阻r = 10kQ的交流电压表分别测量uo1、Uo2时，表的读数各是多少?(4) 若交流电压表还有1000pF的输入电容，求分别测量uoi、U02时电路的上限截止频率fH1和fH2 0附图乩2附團K3. (8分)用热敏电阻R作传感器的温度测试电路如附图所示，已知热敏电阻在0 C时的电阻值为1kQ、电阻温度系数为 /C,各晶体管的基极电流可以

21、忽略，Ube=,设各集成 运放性能理想。试求：(1) 温度每变化1 C时，输出电压uo值变化多少；(2) 若因为Rs、R9没有完全相等使A3组成电路的Kcmr = 60dB,试求由此引起的测量误 差是多大。9 + 15 V附图5. IR，1 R2、R4 R5 o 试求:4. (8分)电路如附图所示，已知各运放性能理想,(1)输入阻抗Zi Ul的表达式;I i(2)当Z是一个电容时的等效电感Leq的表达式;(3) U。与Ui的关系表达式5. (12分)一比较器如附图所示。已知硅稳压管 DZ的稳定电压UZ = 5V、Ur = 6V，集 成运放和半导体二极管的性能理想。(1)试求输出电压高电平Uoh

22、、低电平UoL和阈值电压值;10 kn 10 ka附圈乩厉附图兄B6. ( 12分)电路如附图所示，已知各集成运放及半导体二极管的性能理想，R3 2尺2R2(1) 试求输出电压Uo的表达式；(2) 说明这是一个什么电路。7. (12分)电路如附图所示，已知晶体管的=20、|Ube|=，集成稳压器的最大输出电 流为，它的静态电流可以忽略，电路的输入电压 Ui足够高且能提供足够大的电流。试求该稳 压电路的最大输出电流Iom和这时的负载电阻Rl的值。模拟电子技术模拟试题一参考答案一.填充题1 电子，空穴；2 .窄，小；3 .正，反；4 .基极，集电极；5 .阻容，变压器；6 .共模，共模 抑制比；7

23、.幅度，相位；&开环，正反馈；9.选频网络，稳幅环节；10.单向脉动，交流分量（即 纹波）。二分析计算题,Ri = kQ、Ro = kQ(1) U O = 10V , I O = 10mA , I = 16mA、IZ = 6mA ； ( 2) U O = 9V , I O = I = 18mA , I Z = 0U BQ =, I EQ =, U CEQ = , Au(1)交直流电压并联负反馈;(2) Au = 10 ； (3) Po =, Pv =,= %(1)I C1Q =, U C1Q =；( 2)Aud = 122, Rid =k Q , Ro=20k Q , Auc =0 , Kcm

24、rAu1 jf/fo，其中 fo2nRc，AupR2R1 ,pf。，一阶有源LPF(1)Uo = 0； (2) Uo = Ui=2V ； (3) Uo=UI=2V7.0与连接，q与连接，e与连接模拟电子技术模拟试题二参考答案一.填充题1. N (电子),P (空穴);2.势垒，扩散；3.增大，下降；4截止，饱和；5.零点漂移，耦合; 6电流负，|1 AF |1 ; 7. RC串并联，1/3; 8零，;9 迟滞比较器，积分器；10 半波，全波。二分析计算题1 . U GSQ = 0 , I DQ = 2mA ,U DSQ =9V2 .交直流电压并联负反馈，UO空昌U|。R1R2 R2 R3 R1

25、R33 . ( 1 ) 1 R =,1 C 1 R ； ( 2) t 0.1S4 . ( 1 ) U BQ =, I CQ =, U CEQ =； (2)Au5.2, Ri =kQ, Ro = 10kQ ,Aus4.75. (1)G与G连接，Cb与连接，R1接在与G间，R2接在e与。间，Rt接在包与O间；(2) f =6 . UO = 24V7 . (1)单门限比较器；(2) Uth = 4V，电压传输特性如附解图所示模拟电子技术模拟试题三参考答案一. 填充题1. 掺杂浓度，温度；2.大，小；3.电流，电压；4.小信号，估算；5. f , 1； 6.集电极， 发射极；7单门限，迟滞；8.有源负

26、载，共集电极；9.集成运放，二. 分析计算题1 . I CQ = , U CEQ =； (2)be = kQ , Au = R = k Q , Ro =0 (u|0)2. (1)半波精密整流电路，u。；(2) Uo(av)2ui (ui 0)/3 . (1) Aud =,凤=6k Q ； ( 2)C 接 T1 的基极，O 接 T4 的发射极，Auf = 5RC网络；10.保护,kQ , fL =； (3) AuM散热。=,fH4 . (1) Rt = 5k Q,正温度系数；(2) f。= ； (3) FOm5 约束条件：uI2 0, uOR1 R? u HKR2u 126 (1) A1组成同相

27、输入比例器，A2组成反相输入比例器；(2) uO (1R4R5R1R3) ui7(1)不是；(2)是，I。 土 , Uo可变范围：0(U| 2.5 Ur)R一.填充题模拟电子技术模拟试题四参考答案1 齐纳，雪崩；2大于，略小于；3变窄，基区调宽；4温度，老化;Au，Ri ； 6 饱和,交越；7 惯性环节，放大倍数下降；8 波形失真小，连续改变振荡频率困难;9 差动，尽可能相等；10.迟滞比较器，RC定时电路(包括有源RC定时电路，如积分器)。二分析计算题1 Ri = 2kQ, Ro = 10k Q , Au =,Aus =2.( 1 ) U GS1Q U GS2Q2.4V , I d1q1 D2Q0.62 mA , U DS1