半导体与二极管PPT课件

1、半导体与二极管 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.3 半导体二极管半导体二极管 2.4 二极管基本电路及其分析方法二极管基本电路及其分析方法 2.5 特殊二极管特殊二极管 2.2 PN结的形成及特性结的形成及特性 半导体与二极管 2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体本征半导体 2.1.4 杂质半导体杂质半导体 半导体与二极管 2.1.1 半导体材料半导体材料 根据物体导电能力根据物体导电能力( (电阻率电阻率) )的不同，来划分的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。导体、

2、绝缘体和半导体。 典型的半导体有典型的半导体有硅硅Si和和锗锗Ge以及以及砷化镓砷化镓GaAs等。等。 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称 为半导体。为半导体。 半导体与二极管 半导体的特点半导体的特点 1半导体的导电能力介于导体与绝半导体的导电能力介于导体与绝 缘体之间。缘体之间。 2半导体受外界光和热的刺激时，半导体受外界光和热的刺激时， 其导电能力将会有显著变化。其导电能力将会有显著变化。 3. 在纯净半导体中，加入微量的杂质，在纯净半导体中，加入微量的杂质， 其导电能力会急剧增强。其导电能力会急剧增强。 半导体与二极管 2.1.2 半导体的共价键结

3、构半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 半导体与二极管 2.1.3 本征半导体本征半导体 本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构上化学成分纯净的半导体。它在物理结构上 呈单晶体形态。呈单晶体形态。 本征激发本征激发-本征半导体中的价电子获得足够的随机本征半导体中的价电子获得足够的随机 热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子。热振动能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子。 半导体与二极管 空穴空穴共价键中的空位共价键中的空位。 电子空穴对电子空穴对由热激发而由热激发而 产生的自由电子和空穴对产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动

4、空穴的移动空穴的运动空穴的运动 是靠相邻共价键中的价电子是靠相邻共价键中的价电子 依次充填空穴来实现的。所依次充填空穴来实现的。所 以可用空穴的运动来代替电以可用空穴的运动来代替电 子的运动，因此在分析时可子的运动，因此在分析时可 将空穴看成一个带正电的粒将空穴看成一个带正电的粒 子。子。 用来运载电荷的粒子称为用来运载电荷的粒子称为 载流子载流子。 半导体中空穴与电子相遇而不带电的半导体中空穴与电子相遇而不带电的 现象称为现象称为复合复合。 半导体与二极管 在本征半导体中，空穴和自由电子总在本征半导体中，空穴和自由电子总 是成对出现的，即电子和空穴的数量相是成对出现的，即电子和空穴的数量相

5、等。等。 半导体与二极管 2.1.4 杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质， 可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质 主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体 称为称为杂质半导体杂质半导体。 N型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）掺入五价杂质元素（如磷） 的半导体。的半导体。 P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）掺入三价杂质元素（如硼） 的半导体。的半导体。 半导体与二极管 1. P型半导体型半导体 因三价杂质原子因三价杂质原子 在

6、与硅原子形成共价在与硅原子形成共价 键时，缺少一个价电键时，缺少一个价电 子而在共价键中留下子而在共价键中留下 一个一个空空位位。当其它共当其它共 价键上的电子在本征价键上的电子在本征 激发下来填补这个空位时，从而在原来的硅原子共激发下来填补这个空位时，从而在原来的硅原子共 价键上形成空穴。价键上形成空穴。 半导体与二极管 在在P型半导体中型半导体中空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，它主要由它主要由 掺杂形成掺杂形成；自由自由电子是少数载流子，电子是少数载流子， 由热激发形由热激发形 成。成。 空空位位很容易俘获电子，使杂质原子成为很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子负离子。 三价杂质三价杂

7、质 因因接受电子接受电子而称为而称为受主杂质受主杂质。 1. P型半导体型半导体 半导体与二极管 2. N型半导体型半导体 因五价杂质原子中因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形共价键束缚而很容易形 成自由电子。成自由电子。从而在半从而在半 导体中形成大量的自由导体中形成大量的自由 电子。电子。 半导体与二极管 在在N型半导体中型半导体中自由自由电子是多数载流子，电子是多数载流子，它主要由杂质原它主要由杂质原 子提供子提供；空穴

8、是少数载流子空穴是少数载流子, 由热激发形成。由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因提供自由电子的五价杂质原子因失去电子而带上失去电子而带上正电荷正电荷 成为成为正离子正离子，因此五价杂质原子也称为，因此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。 2. N型半导体型半导体 半导体与二极管 掺入杂掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下室温下, ,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度: : n = p =1.41010/cm3 1 本征硅的原子浓度本征硅的原子浓度: : 4.961022

9、/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2 掺杂后掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度: n=51016/cm3 3. 杂杂质对半导体导电性的影响质对半导体导电性的影响 半导体与二极管 2.2.1 PN结的形成结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂 质质, ,分别形成分别形成N型半导体和型半导体和P型半导体。此时将在型半导体。此时将在 N型半导体和型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物型半导体的结合面上形成如下物 理过程理过程: : 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场

10、内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散 最后最后,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。 多子的扩散运动多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区由杂质离子形成空间电荷区 半导体与二极管 在在P型半导体和型半导体和N型半导体结合后，在它们的交型半导体结合后，在它们的交 界处就出现了电子和空穴的浓度差别，界处就出现了电子和空穴的浓度差别，N型区内型区内 电子很多而空穴很少，电子很多而空穴很少，P型区内则相反，空穴很型区内则相反，空穴很 多而电子很少。这样，电子和空穴都要从浓度高多而电子很少。这样，电子和空穴都要从浓度高 的地方向浓

11、度低的地方扩散。的地方向浓度低的地方扩散。 1、扩散运动、扩散运动 半导体与二极管 2、空间电荷区形成、空间电荷区形成 电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和区和 N区中原来保持的电中性被破坏了。区中原来保持的电中性被破坏了。P区一边失去空穴，区一边失去空穴， 留下了带负电的杂质离子，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了区一边失去电子，留下了 带正电的杂质离子。带正电的杂质离子。 对于对于P型半导体和型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的型半导体结合面，离子薄层形成的 空间电荷区空间电荷区称为称为PN结结。 在空间电荷区，由于缺少

12、多子，所以也称在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层耗尽层。 PN结空间电荷区，电子势能（结空间电荷区，电子势能（=qVo）发生了变化，）发生了变化， 电子要从电子要从N区到区到P区必须越过一个能量高坡，一般称为区必须越过一个能量高坡，一般称为 势垒，因此又把空间电荷区称为势垒区。势垒，因此又把空间电荷区称为势垒区。 半导体与二极管 在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之 间的相互作用，在空间电在区中就形成了一间的相互作用，在空间电在区中就形成了一 个电场，其方向是从带正电的个电场，其方向是从带正电的N区指向带负电区指向带负电 的的P区。由于这个电场是

13、由载流子扩散运动即区。由于这个电场是由载流子扩散运动即 由内部形成的，而不是外加电压形成的，因由内部形成的，而不是外加电压形成的，因 此称为内电场。显然，这个内电场的方向是此称为内电场。显然，这个内电场的方向是 阻止扩散的，因为这个电场的方向与载流子阻止扩散的，因为这个电场的方向与载流子 扩散运动的方向相反。扩散运动的方向相反。 3、内电场的形成、内电场的形成 半导体与二极管 4、扩散与漂移运动的动态平衡、扩散与漂移运动的动态平衡 根据电场的方向和电子、空穴的带电极根据电场的方向和电子、空穴的带电极 性还可以看出，这个电场将使性还可以看出，这个电场将使N区的少数载区的少数载 流子空穴向流子空穴

14、向P区漂移，使区漂移，使P区的少数载流子区的少数载流子 电子向电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩区漂移，漂移运动的方向正好与扩 散运动的方向相反。从散运动的方向相反。从N区漂移到区漂移到P区的空区的空 穴补充了原来交界面上穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，区所失去的空穴， 从从P区漂移到区漂移到N区的电子补充了原来交界面区的电子补充了原来交界面 上上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少。区所失去的电子，这就使空间电荷减少。 因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变 窄，其作用正好与扩散运动相反。窄，其作用正好与扩散运动相反。 半导体与二极管 PN结形成的

15、动画结形成的动画 半导体与二极管 2.2.2 PN结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PN结中结中P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为区的电位，称为 加加正向电压正向电压，简称，简称正偏正偏；反之；反之称为加称为加反向电压反向电压，简称简称反偏反偏。 (1) PN结加正向电压结加正向电压 PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压时的导电情况 半导体与二极管 在外加电场作用下，在外加电场作用下，PN结的平衡状态被打结的平衡状态被打 破，破，P区中的多数载流子空穴和区中的多数载流子空穴和N区中的多区中的多 数载流子电子都要向数载流子电子都要向PN结移动，当结移动，当P区空穴

16、区空穴 进入进入PN结后，就要和原来的一部分负离子结后，就要和原来的一部分负离子 中和，使中和，使P区的空间电荷量减少。同样，当区的空间电荷量减少。同样，当 N区电子进入区电子进入PN结时，中和了部分正离子，结时，中和了部分正离子， 使使N区的空间电荷量减少，结果使区的空间电荷量减少，结果使PN结变窄。结变窄。 即耗尽区厚变薄，这时耗尽区中载流子增加，即耗尽区厚变薄，这时耗尽区中载流子增加， 因而电阻减小，所以这个方向的外加电压称因而电阻减小，所以这个方向的外加电压称 为正向电压或正向偏置电压。为正向电压或正向偏置电压。 半导体与二极管 半导体与二极管 正向特点：正向特点： 低电阻低电阻 大的

17、正向扩散电流大的正向扩散电流 PN结内的电流便由起支配地位的扩散电结内的电流便由起支配地位的扩散电 流所决定，在外电路上形成一个流入流所决定，在外电路上形成一个流入P区的区的 电流，称为正向电流电流，称为正向电流IF。在这种情况下，。在这种情况下， 由少数载流了形成的漂移电流，其方向与由少数载流了形成的漂移电流，其方向与 扩散电流相反，和正向电流比较，其数值扩散电流相反，和正向电流比较，其数值 很小，可忽略不计。很小，可忽略不计。 半导体与二极管 当外加电压使当外加电压使PN结中结中P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为加区的电位，称为加正正 向电压向电压，简称，简称正偏正偏；反之；反之称

18、为加称为加反向电压反向电压，简称简称反偏反偏。 (2) PN结加反向电压结加反向电压 半导体与二极管 半导体与二极管 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是 一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与 所加反向电压的大小无关，所加反向电压的大小无关，这个电流也称为这个电流也称为反向饱和反向饱和 电流电流。 反向特点：反向特点： 高电阻高电阻 很小的反向漂移电流很小的反向漂移电流 半导体与二极管 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具结加正向电压时，呈现低电阻，具 有较大的正向扩散电流；有较大的正

19、向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有结加反向电压时，呈现高电阻，具有 很小的反向漂移电流。很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。结具有单向导电性。 半导体与二极管 (3) PN结结V- I 特性表达式特性表达式 其中其中 iD/mA 1.0 0.5 0.51.00.501.0 D/V PN结的伏安特性结的伏安特性 iD/mA 1.0 0.5 iD=IS 0.51.00.501.0 D/V )1( / SD D T Vv eIi IS 反向饱和电流反向饱和电流 VT 温度的电压当量温度的电压当量 且在常温下（且在常温下（T=300K） V0

20、26. 0 q kT VTmV 26 在硅二极售在硅二极售PN结的结的 两端，施加正、反向两端，施加正、反向 电压时，通过管子的电压时，通过管子的 电流可表达为电流可表达为 半导体与二极管 上式可解释如下：上式可解释如下： （1）当二极管的）当二极管的PN结两端加正向电压时，电压结两端加正向电压时，电压VD为正为正 值，当值，当VD比比VT大几倍时，式中的大几倍时，式中的 远大于远大于1。这。这 样，二极管的电流样，二极管的电流iD与电压与电压VD成指数关系，如上图中的成指数关系，如上图中的 正向电压部分。正向电压部分。 （2）当二极管加反向电压时，）当二极管加反向电压时，VD为负值。若为负值

21、。若|VD|比比VT 大几倍时，指数项趋近于零。因此大几倍时，指数项趋近于零。因此iD=Is，如上图中的，如上图中的 反向电压部分所示。可见反向饱和电流反向电压部分所示。可见反向饱和电流Is是个常数，不是个常数，不 随外加反向电压的大小而变动。随外加反向电压的大小而变动。 e T v D v 半导体与二极管 2.2.3 PN结的反向击穿结的反向击穿 当当PN结的反向电压结的反向电压 增加到一定数值时，反增加到一定数值时，反 向电流突然快速增加，向电流突然快速增加， 此现象称为此现象称为PN结的结的反向反向 击穿。击穿。 iD O VBR D 热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿

22、齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆 半导体与二极管 2.2.4 PN结的电容效应结的电容效应 (1) 势垒电容势垒电容CB 势垒电容示意图势垒电容示意图 半导体与二极管 2.2.4 PN结的电容效应结的电容效应 (2) 扩散电容扩散电容CD 扩散电容示意图扩散电容示意图 半导体与二极管 由于由于PN结结电容（结结电容（CB和和CD）的存在，使其在高频运用）的存在，使其在高频运用 时，必须考虑结电容的影响，时，必须考虑结电容的影响，PN结高频等产电路如图所结高频等产电路如图所 示，图中示，图中r表示电阻，表示电阻，C表示结电容，包括势垒电容和扩表示结电容，包括势垒电容和扩 散电容的总效果。当散电容的

23、总效果。当PN结处于正向偏置时，结处于正向偏置时，r为正向电为正向电 阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容 CD）。当）。当PN结处于反向偏置时，结处于反向偏置时，r为正向电阻，其数值为正向电阻，其数值 很小，结电容较大（主要决定于扩散电容很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当）。当PN结结 处于的向偏置时，处于的向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较为反向电阻，其数值较大。结电容较 小（主要决定于势垒电容小（主要决定于势垒电容CB）。）。 PN结的等效电路结的等效电路 半导体与二极管 2.3 半导体二极管半导体二极管 2.

24、3.1 半导体二极管的结构半导体二极管的结构 半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面 接触型两类。接触型两类。 点接触型二极管是由一根很细的金属触丝和一块半点接触型二极管是由一根很细的金属触丝和一块半 导体的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，导体的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流， 使触丝和半导体牢固地熔接在一起，金属与半导体结使触丝和半导体牢固地熔接在一起，金属与半导体结 合构成合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密结，并做出相应的电极引线，外加管壳密 封而成。由于点接触型二极管金属丝很细，形成的封而成。由于点接触型二

25、极管金属丝很细，形成的 PN结面积很小，所以极间电容很小，也不能承受高结面积很小，所以极间电容很小，也不能承受高 的反向电压和大的电流。的反向电压和大的电流。 面接触型或称面结型二极管的结构，由于这种二极面接触型或称面结型二极管的结构，由于这种二极 管的管的PN结面积大，可承受较大的电流，但极间电容结面积大，可承受较大的电流，但极间电容 也大。也大。 半导体与二极管 半导体与二极管 2.3.2 二极管的二极管的VI特性特性 半导体与二极管 1、正向特性、正向特性 此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏， 但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子但相对来说流过

26、管子的电流却很大，因此管子 呈现的正向电阻很小。呈现的正向电阻很小。 在正向特性的超始部分，由于正向电压较小，在正向特性的超始部分，由于正向电压较小， 外电场还不足以克服外电场还不足以克服PN结的内电场，因而这时结的内电场，因而这时 的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻， 好像有一个门坎。硅管的门坎电压好像有一个门坎。硅管的门坎电压Vth（又称死（又称死 区电压）约为区电压）约为0.5V，锗管的，锗管的Vth约为约为0.1，当正向，当正向 电压大于电压大于Vth时，内电场大为削弱，电流因而迅时，内电场大为削弱，电流因而迅 速增长。速增长。 硅管

27、的导通电压为硅管的导通电压为0.7V，锗管的导通电压为，锗管的导通电压为 0.3V。 半导体与二极管 2、反向特性、反向特性 P型半导体中的少数载流子型半导体中的少数载流子电子和电子和N 型半导体中的少数载流子型半导体中的少数载流子空穴，在反向空穴，在反向 电压作用下很容易通过电压作用下很容易通过PN结，形成反向饱结，形成反向饱 和电流。但由于少数载流子的数目很少，和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以反向电流是很小的，一般硅管的反向所以反向电流是很小的，一般硅管的反向 电流比锗管小得多。电流比锗管小得多。 半导体与二极管 3、反向击穿特性、反向击穿特性 当增加反向电压时，因在一定温度条当

28、增加反向电压时，因在一定温度条 件下，少数载流子数目有限，故起始一件下，少数载流子数目有限，故起始一 段反向电流没有多大变化，当反向电压段反向电流没有多大变化，当反向电压 增加到一定大小时，反向电流剧增，这增加到一定大小时，反向电流剧增，这 叫做二极管的反向击穿。叫做二极管的反向击穿。 半导体与二极管 2.3.3 二极管的参数二极管的参数 一、最大整流电流一、最大整流电流IF。指二极管长期运行时允许通。指二极管长期运行时允许通 过的最大正向平均电流。过的最大正向平均电流。 二、最大反向工作电压二、最大反向工作电压UR。指二极管的使用时所允。指二极管的使用时所允 许加的最大反向电压，超过此值二极

29、管就有发生反向许加的最大反向电压，超过此值二极管就有发生反向 击穿的危险。通常取反向击穿电压的一半作为击穿的危险。通常取反向击穿电压的一半作为UR。 三、反向电流三、反向电流IR。指二极管击穿时的反向电流值。指二极管击穿时的反向电流值。 此值越小，二极管的单向导电性越好。此值与温度有此值越小，二极管的单向导电性越好。此值与温度有 密切关系，在高温运行时要特别注意。密切关系，在高温运行时要特别注意。 四、最高工作频率四、最高工作频率fM。主要由。主要由PN结的结电容大小决结的结电容大小决 定，超过此值，二极管的单向导电性将不能很好地体定，超过此值，二极管的单向导电性将不能很好地体 现。现。 半导

30、体与二极管 2.4.1 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模 图示表示理想二极管的图示表示理想二极管的VI 特性，其中的虚线表示实际特性，其中的虚线表示实际 二极管的二极管的VI特性。由图可见，特性。由图可见， 在正向偏置时，其管压降为在正向偏置时，其管压降为 0V，而当二极管处于反向偏，而当二极管处于反向偏 置时，认为它的电阻为无穷置时，认为它的电阻为无穷 大，电流为零。在实际的电大，电流为零。在实际的电 路中，当电源电压远比二极路中，当电源电压远比二极 管的管压降大时，利用此法管的管压降大时，利用此法 来近似分析是可行的。来近似分析是可行的。 1、理想模型、理想模型 半导体与二极管

31、2. 恒压降模型恒压降模型 当二极管导通后，当二极管导通后， 其管压降认为是恒定其管压降认为是恒定 的，且不随电流而变，的，且不随电流而变， 典型值为典型值为0.7V（Si为为 0.7V、Ge为为0.3V）。）。 不过这只有当二极管不过这只有当二极管 的电流的电流iD近似等于或近似等于或 大于大于1mA时与结果接时与结果接 近。近。 半导体与二极管 3. 折线模型折线模型 为了较真实地描述二极管V-I特性， 认为二极管的管压降不是恒定的， 而是随着通过二极管电流的增加 而增加，所以在模型中用一个电 池和一个电阻rD来作进一步的近 似。这个电池的电压选定为二极 管的门坎电压Vth，约为0.5V。

32、rD 的值，当二极管的导通电流为 1mA时，管压降为0.7V，于是rD 的值可计算如下： 由于二极管特性的分散性，Vth和 rD的值不是固定不变的。 半导体与二极管 4. 小信号模型小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，二极管工作在正向特性的某一小范围内时， 其正向特性可以等效成一个微变电阻。其正向特性可以等效成一个微变电阻。 D D d i v r 即即)1( / SD D T Vv eIi根据根据 得得Q点处的微变电导点处的微变电导 Q dv di g D D d Q Vv T T e V I / S D T V ID d d 1 g r 则则 D I VT 常温下（常温下（T=300K） )mA( )mV(26 DD d II V r T 2.4.1 二极管二极管V- I 特性的建模特性的建模 半导体与二极管 2.5.1 稳压二极管稳压二极管 1. 符号及稳压特性符号及稳压特性 (a)符号符号 (b) 伏安特性伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管 稳压时工作在反向电击穿状态。稳压时工作在反向电击穿状态。 半导体与二极管 (1) 稳定电压稳定电压VZ (2) 动态电阻动态电阻rZ 在规定的稳压管反向在规定的稳压管反向