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1、65nm 工艺小结工作温度： -40C to 125C表（ 1）CSMC180nm 工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K 3.3VNMOSmn330.35u0.22u6.57nm5.26fF/um20.70V0.0336206V 2179uA/3.3PNMOSmp330.3u0.22u6.57nm5.26fF/um2-0.65V0.00925V 249uA/表（ 2）SMIC130nm 工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K 3.3VNMOSmn330.35u0.15u7nm20.596V0.0371827183uA /V 24.93fF/um3.3VPMOS
2、mp330.30u0.15u6.9nm5fF/um2-0.66V0.010955uA/ V 2表（ 3）SMIC65nm 工艺nameLminWmintoxCoxVth0u0K 2.5VNMOS n25110.28u0.3u5.62nm6.14fF/um20.584V0.033037203uA/ V 2P2515.97fF/um266uA/ V 22.5VPMOS0.28u0.3u5.78nm-0.601V0.0110131上海 350nm 工艺name LminWmintoxCoxVth0u0K 3.3VNMOSmn3312.8nm2.69fF/um20.70160.0404257109uA/V2V2-3.3VPMOSmp3312.4nm2.785fF/um0.95080.0219561uA/V 2VNMOS 管值的测量：经计算n0.072PMOS 管值的测量：经计算p0.031NMOS 管电容+cgso= 1.2e-010+dcgso_n25llcgdo= 1.2e-010+dcgdo_n25ll(覆盖电容 F/m
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