华为产品介绍V2

1、HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Security Level: 华为华为LTELTE产品培训交流产品培训交流 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Security Level: Page 2 目录目录 产品介绍产品介绍 规格介绍规格介绍 1 2 配置介绍配置介绍3 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 3 共平台双模 BBU8通道单通道2通道 DRRU31 61-fae DRRU3172-fad DRRU3182- FAD SingleRAN平台 单/双通道、 La

2、mpsite 双通道、 天线RRU一体化 八通道、 天线RRU一体化 八通道、 天线RRU一体化 双通道、 微站 DRRU3152-e RRU3182-e RRU3273 RRU3277 (D频段) 微站 BTS3205E 微站(D频段) Lampsite （E频段） pRRU3901 pRRU3902 RRU3275 DRRU3168e-fa Relay RRN3201 AAU3240 BBU3900 BBU3910 Blade BBU3910A AAU3215 (D频段) DRRU3172m ini-fad RRU3235E 2015年年TD-LTE集采华为无线投标产品集采华为无线投标产品

3、 皮站 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 4 序号产品分类频段设备型号输出功率支持载波数推出时间 1 BBU -BBU3900-老设备 2-BBU3910-老设备 3-BBU3910A-新设备 4 8通道RRU DRRU32738 * 25 WD: 3*20M 17L老设备 5DRRU32778 * 30 WD: 3*20M 17L新设备 6FDRRU3168e-fa8 * 22 WFA: 1*20M +15C 20LF改频 7 双通道RRU FA+D DRRU3172-fadFA:2*30W; D: 2*40W

4、FA:20M + 15C ; D:3*20M 12LF改频 8FA+D DRRU3182-FADFA:2*35W; D: 2*60WFA:20M + 15C ; D:3*20M 18L新设备 9DRRU32752 * 60 WD: 3*20M 12L老设备 10EDRRU3152-e2 * 50 WE: 2*20M +6C 11L老设备 11ERRU3182-e2 * 60 WE: 2*20M + 10M 11L新设备 12 单通道RRU FA+EDRRU3161-faeFA:1*30W; E:1*50WFA:1*20M +15C; E:2*20M +6C 11LF改频 产品产品一览表一览表

5、HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 5 序号产品分类频段设备型号输出功率支持载波数推出时间 13 天线RRU 一体化 DAAU32158 * 30 WD: 3*20M 新设备 FA+ D AAU3240FA:2*15W; D: 2*30W FA:1*20M + 15C; D: 3*20M 13L F改频14 15微站DBTS3205E2 * 5 WD: 2*20M 6L老设备 16 Relay FRRN3201回传模块：24dBm回传模块：F：1*20M 4LF改频，回传模块单独投标 17DRRN3201回传模块：

6、24dBm回传模块：D：1*20M 4L老设备，回传模块单独投标 18 微RRU FADRRU3172-miniFA：2*10W， D：2*10W8L老设备 19DRRU3235E2 * 5 WD: 3*20M 4L新设备 20 分布式皮站 EpRRU39012 * 125 mWE: 1*20M 2.6L老设备 21EpRRU39022 * 125 mWE: 2*20M 1.2L新设备 产品产品一览表（续）一览表（续） HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 6 Blade SiteBBU3910ABlade Site

7、BBU3910A主要规格主要规格 单基带板规格 (合一板卡)UMDU=UMPT+UBBPd9 6*20M 8T8R/12*20M 2T2R（仅TDL） Ir接口速率6*9.8G 传输接口FE/GE一光一电 对外供电1POE(60W)回传 时钟GPS、北斗和1588v2 尺寸12L(400 x100 x300mm)、24L(备电) 重量12kg，33kg(备电) 供电DC -48V 功耗150W 电源功率容量3000W(满足1BBU+3RRU)，备电20AH 防护自然散热，IP65 BBU 电源 （选配） 备电 （选配） 应用场景：公路、郊区、农村 特点：“0”站址，2小时安装，MIN故障率 H

8、ISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 7 8T8R RRU（ RRU3273/RRU3277） RRU 小型态BBU 性能优 部署快 全新一代ASIC芯片，内置serdes接口， 集成度更高，功耗小 首次采用氮化镓功放技术，功放效率显 著提升，支持更大输出功率 优化电源等电路，提升效率 型号RRU3273 RRU3277 （三期新产品） 配置2.6G 8T8R2.6G 8T8R 功率8*25W8*30W 载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M 重量17Kg17Kg 尺寸17L17L 工作温度-40C55C-40

9、C55C 安装方式 抱杆抱杆 功耗460W560W 型号RRU3273 RRU3277 （三期新产品） HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 8 性能优 新增D频段不需要新 增天线和RRU 部署快 零馈损，相比FA&D 独立电条合入方式， 性能提升将近3dB FA&D独立电调 FAD天线 & D频段RF 原FA RRU 天线天线RRU一体化设备（一体化设备（ AAU3215） RRU 小型态BBU 型号 AAU3215 （三期新产品） AAU3213 配置 2.6G 8T8R（有源） +FA 8T8R（无源） 2.6

10、G 8T8R（有源） +FA 8T8R（无源） 功率8*30W8*25W 载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M 天线增益16dBi16dBi 电调双频独立电调双频独立电调 重量/尺寸 35Kg， 1400*320*230 35Kg， 1400*320*230 工作温度-40C55C-40C55C 安装方式 抱杆抱杆 功耗560W460W HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 9 双通道双通道FAD RRU 效率更高的新功放管 提升电源的输出功率，并提升效率 优化硬件电路，使用性能更好的器件 RRU 小型态B

11、BU 设备型号DRRU3172-fad DRRU3182-fad （三期新产品） 通道数 2通道2通道 工作频带宽度 F+A+DF+A+D 容量 F+A：30M+15M D：3*20M F+A：30M+15M D：3*20M 输出功率 FA:2*30W D:2*40W FA:2*35W D:2*60W 光纤接口 2*9.8G2*9.8G 级联情况 6级6级 功耗 350W560W 尺寸（L） 12L18L 重量（Kg） 12kg18kg HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 10 室内双通道室内双通道E频段频段RRU

12、 采用效率更高的新功放管 提升电源的输出功率，并提升效率 优化硬件电路，使用性能更好的器件 RRU 小型态BBU 设备型号DRRU3152-e RRU3182-e （三期新产品） 通道数 2通道2通道 工作频带宽度 EE 容量 2*20M TDL + 6C TDS2*20M +10M TDL 输出功率 2*50W2*60W 光纤接口 2*9.8G2*9.8G 级联情况 6级6级 功耗 365W375W 尺寸（L） 11L11L 重量（Kg） 10kg10kg HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 11 室外双通道室外

13、双通道D频段微频段微RRU Page 11 易 部 署：书本式造型，Pad大小，天线内/外置按需 选择，部署更灵活 高 集 成：依托华为最新一代自研中射频芯片，业界 最高集成度，业界一半，更易部署 宏微协同：与宏站共BBU，支持多小区合并，宏微协 同效果，网络性能更优异 设备型号RRU3235E 通道数 2通道 工作频带 D 3*20MHz 输出功率 2*5W 光纤接口 2*9.8G 级联情况 6级 功耗 90W 尺寸（L） 4L 重量（Kg） 4.5kg 天线 10dBi，支持外接 供电 AC/DC RRU 小型态小型态BBU HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TE

14、CHNOLOGIES CO., LTD. Page 12 宿主基站 DBS3900 RRN 中继基站 中继站 方案一： 回传模块+小站 ATOM体积小，利于部署 方案二： 回传模块+宏站 宏站功率大，覆盖更远 RRN 灵活部署的华为Relay ，回传模块可与中继基站灵活组合，满足不同覆盖需求 RelayRelay延伸延伸LTELTE覆盖覆盖 设备型号 RRN3201R 频率支持 （D频段）2575MHz2635MHz频段 （F频段）1885MHz1915MHz频段 带宽规格 20MHz 发射功率 24dBm， 1T2R 天线规格 D频段：15dBi，F频段：12dBi 体积重量 3.5Kg 尺

15、寸 4.0L 安装方式 抱杆/ 挂墙 供电方式 PoE 供电 防护等级 IP65 RRU 小型态小型态BBU HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 13 室内覆盖室内覆盖LampSiteLampSite(pRRU3901/pRRU3902)(pRRU3901/pRRU3902) BBU3900 RHUB3908 pRRU3902 RRU 小型态小型态BBU 设备型号pRRU3901 pRRU3902 （三期新产品） 频段1.8(2T2R)+2.3(2T2R) 输出功率 1*50mW for 1.8G GSM 2*12

16、5mW for 2.3G TDL 1*50mW for 1.8G GSM 2*125mW for 2.3G TDL IBW GSM: 20MHz TDL: 20MHz 20MHz for GSM 2*20MHz for TDL 载波数 1.8: 4GSM 2.3G: 1TDL 1.8: 4GSM or 1FDL 2.3G: 2TDL(单RF卡) 天线内置：2dBi，支持外接天线 体积重量2.6L/3Kg1.2L/1.2Kg 传输电口千兆以太网电口千兆以太网 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 14 Page 14

17、目录目录 产品介绍产品介绍 规格介绍规格介绍 1 2 配置介绍配置介绍3 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 15 名称名称单板说明单板说明备注备注 WMPT4E1主控板，含高灵敏度星卡。提供1个4E1接口+1个FE电口+1个FE光口。 UMPTb7含高灵敏度星卡。提供1个4E1接口+1个FE/GE电口+1个FE/GE光口。 LCR8.0新增 UBBP UBBPb：支持24C的基带处理能力，提供6个CPRI/IR光口，支持2.5/6.144G速率。仅slot2、slot3槽位上的单板提供接口功能。 UBBPc：支持

18、12C的基带处理能力，提供6个CPRI/IR光口，支持2.5/6.144G速率。仅slot2、slot3槽位上的单板提供接口功能。 LCR6.0新增 UBBP(a)：支持12C的基带处理能力，提供3个CPRI/IR光口，支持2.5速率。仅2、3槽位的单板提供接口功能。 不新发货 UTRP UTRP2：提供2个FE/GE光口。IP组网，需增加FE或GE光口时配发。 UTRP3：支持8E1传输，提供2个4E1接口。ATM组网时根据客户需求确认配发数量。 FANc/FANd 风扇模块，主要用于风扇的转速控制及温度检测。 LCR6.0/8.0新增 UPEUc/UPEUd 电源环境监控模块，支持电源均流

19、，提供8路干结点信号接口和2路RS485信号接口。但注意：ILC29/ILC29 Ver.D中每个机柜风扇会占用一路485端口。 LCR6.0/8.0新增 部件介绍-BBU-单板功能说明 TDS单板功能说明 名称名称单板说明单板说明备注备注 UMPT UMPTb4：含高灵敏度星卡，提供1个FE/GE电口+1个FE/GE光口。 2.0新增 UMPTb3：不含星卡，提供1个FE/GE电口+1个FE/GE光口。 2.0新增 LBBPd/ UBBPd9 不支持跨基带板合并（8+2、4+2场景除外），提供6个CPRI/IR光口，支持2.5G/4.9G/6.144G/9.8G速率。双模F/单E/双D频段（

20、3172）仅slot2槽位上的单板提供接口 功能，双E（3152-e）、纯D频段(32533257AAU3210RRU3275)、700M RRU（RRU3250）时仅slot4、slot2、slot5、slot1、slot0槽位上的基带板提供接口功能。 SRAN3.0新增UBBBPd9 FANc/FANd 风扇模块，主要用于风扇的转速控制及温度检测。 2.0新增 UPEUc/UPEUd 电源环境监控模块，支持电源均流，提供8路干结点信号接口和2路RS485信号接口。但注意：ILC29/ILC29 Ver.D中每个机柜风扇会占用一路485端口。 2.0新增 TDL单板功能说明 HISILICO

21、N SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 16 部件介绍-BBU-单板功能说明 TDL基带板规格说明 注：由于LBBPd/UBBPd9不支持跨基带板合并(8/4+2除外)，小区合并不同的组合可能导致需要的基带板数量不一样，详细请参见下页的LBBPd/UBBPd9单板资源碎片说明。 LBBPd单板规格 UBBPd9单板规格 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 17 RRU小区合并资源碎片示意图 返回主目返回主目录录 RRU小区合并资源碎片说明： 1. LBBP

22、d/UBBPd9不支持跨基带板合并(8/4+2除外)，也就意味着，LBBPd/UBBPd9的基带碎片资源不能跨基带板共用，小区合并不同的组合可 能导致需要的基带板数量不一样。例如：某站点配置20个1T1R 的RRU，当要求小区1、小区2和小区3分别要求配置8个，8个和4个RRU合并 时，则2块基带板可以满足要求。当要求小区1、小区2和小区3分别要求配置7个，7个和6个RRU合并时，则需要3块基带板才能满足。因此， 一线在进行小区合并操作时需注意LBBPd/UBBPd9 单板的资源碎片问题，避免小区建立不成功。 部件介绍-BBU-单板功能说明 LBBPd/UBBPd9单板资源碎片问题，以LBBP

23、d 1T1R为例说明： HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 18 部件介绍-BBU-单板配置原则 名称名称选配选配/ /必配必配最大配置最大配置槽位槽位配置说明配置说明 WMPT 必配1Slot7TDS 主控板 UMPTb7 UMPTb4 UMPTb3 必配1Slot6TDL主控板 UBBP必配3Slot05三期TDS基带板，不新发货。槽位优先级：30145 UBBPb必配3Slot05TDS基带板。TDS单模时从Slot3出光口。槽位优先级：30145 UBBPc必配3Slot05TDS基带板。TDS单模时从Sl

24、ot3出光口。槽位优先级：30145 LBBPd 必配4Slot05 TDL基带板 单F/单E/FA/FAE频段：Slot2Slot0Slot1Slot4Slot5（Slot2出光口） 双E/D频段：Slot4Slot2Slot5Slot1Slot0（Slot4，Slot2，Slot5，Slot1和Slot0出光口， 每槽位最多6个光口） UBBPd9 FANc必配1FAN风扇模块，仅配套BBU3900。 FANd必配1FAN风扇模块，仅配套BBU3910。 UPEUc必配2PWR2、PWR1BBU3900电源环境监控模块，仅配套BBU3900。槽位优先级：PWR2PWR1 UPEUd必配1P

25、WR2电源环境监控模块，仅配套BBU3910。 UTRP选配2Slot5、Slot4传输扩展板。槽位顺序：Slot5Slot4 BBU单板配置原则 返回主目返回主目录录 注： TDS基带板：支持各种基带板的混插，BBI优先级：UBBPbUBBPcUBBPa。 TDL基带板：支持各种基带板的混插，BBI优先级：UBBPd9LBBPd。 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 19 部件介绍-BBU-配置规格说明 l光口使用原则： RRU包括DRRU3168(e)-fa、DRRU3162-fa、DRRU3161-fae、

26、DRRU3172-fad、 DRRU3158(e)-fa、DRRU3152-fa、DRRU3151(e)-fae 、DRRU3151-fa ，有LTE业 务时从Slot2的LTE基带板出光口。 RRU包括DRRU3152-e 、RRU3253 、 RRU3257 、 RRU3275 、 RRU3250 、 AAU3210，从Slot4/2/5/1/0的LTE基带板出光口。 l时钟方案： 现网TDS存量向TDS-TDL双模演进时，新增LTE制式的时钟同步方式借用现有TDS的时钟同步系统（共享方式）， TDS-TDL双模共用时钟源，无需新增GPS或功 分器。 SRAN 2.0/3.0 GPS可接在

27、TDS或TDL主控板上， 当接在TDS主控板上时，TDL可共享TDS的时钟源，当接在TDL主控板上时，TDS可共享TDL的时钟源； 双模新建站，TDS主控板使用带星卡主控板，TDL主控板使用不带星卡的主控板，GPS接在TDS主控板上，TDL共享TDS时钟源； SRAN 2.0/3.0仅支持GPS的共享和互锁和1588V2的互锁，不支持1588V2的共享以及1pps+TOD时钟源，其中GPS也仅支持部署在主控板上，不支持部署在USCUb 上。 l传输方案： TDS-TDL双模改造时， Iub接口采用分路传输：TDS传输不改动，TDL新增IP传输，采用GE光或GE电接口， 推荐采用GE光传输。 双

28、模新建站时， Iub、S1/X2接口采用分路传输，Iub推荐采用FE光传输。 S1/X2推荐采用GE光传输。 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 20 部件介绍-RRU-配置规格说明 lRRU双光纤原则： 对于DRRU3158(e)-fa的双模场景，单小区当大于20M+6C场景采用双光纤方案(6.144G) 。 对于DRRU3168(e)-fa的双模场景，单小区当大于20M+6C场景采用双光纤方案(6.144G)或单光纤方案(9.8G)，建议采用9.8G单光纤方案。 LCR 8.0及后续版本不支持TDS单模双光纤组

29、网规格。 lRRU级联原则： 考虑实际应用的约束、容量、工程便利性、可靠性以及双模演进，8通道RRU不允许级联，特殊情况请联系研发。 考虑双模室分系统光口数量限制，建议室分RRU级联时尽量把推荐的级联数用满，不推荐星型连接。 DRRU3151/3161系列与DRRU3152系列允许在同一个BBU内混用，但不允许级联。 不推荐不同规格的RRU级联，如果非要级联，则高规格RRU的规格下降，与低规格RRU相同。 在非压缩场景，采用UBBPd9单板，组网规格为3*20M/8T8R+3*20M/2T2R，2T2R RRU的拉远规格最大20km，对一线可以约束最大两级级联，或者三级级联的 总拉远距离小于2

30、0km。 返回主目返回主目录录 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 21 部件介绍-RRU-配置规格说明 返回主目返回主目录录 RRU类型站型光口速率 SRAN 2.0级联数 （推荐级联/最大级联） SRAN 3.0级联数 （推荐级联/最大级联） 压缩压缩 RRU3151-fa RRU3151-fae 1*20M+9C6.144G4/64/6 RRU3151e-fae RRU3161-fae 2*20M+12C 2*20M+15C (SRAN3.0) 6.144G4/44/4 9.8G 4/6 注：前3个光口最大6

31、级，此时后 3个光口无法使用。 4/6 注：配套LBBPd时前3个光口最大 6级，此时后3个光口无法使用。配套 UBBPd9时6个光口都可以支持6级。 1*20M+12C 1*20M+15C (SRAN3.0) 6.144G4/64/6 9.8G4/64/6 RRU3152-fa RRU3162-fa 1*20M+9C6.144G2/32/3 1*20M+6C6.144G2/42/4 RRU3152-e 2*20M 4.9G2/22/2 9.8G 2/3 注：前3个光口最大3级，此时后 3个光口无法使用。 2/4 注：配套LBBPd时前3个光口最大 3级，此时后3个光口无法使用。配套 UBBP

32、d9时6个光口都可以支持4级。 1*20M 4.9G2/42/4 9.8G2/42/4 RRU级联规格表 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 22 部件介绍-RRU-配置规格说明 返回主目返回主目录录 RRU类型站型光口速率 SRAN 2.0级联数 （推荐级联/最大级联） SRAN 3.0级联数 （推荐级联/最大级联） 压缩压缩 RRU3172-fad 3*20M+12C (SRAN3.0) 6.144G1/11/1 9.8G2/22/2 2*20M+12C 2*20M+15C (SRAN3.0) 2*20M+6C

33、 6.144G2/22/2 9.8G 2/3 注：前3个光口最大3级，此时后 3个光口无法使用。 2/3 注：配套LBBPd时前3个光口最大3级，此时 后3个光口无法使用。配套UBBPd9时6个光口都 可以支持3级。 1*20M+12C 1*20M+15C (SRAN3.0) 1*20M+6C 6.144G2/32/3 9.8G2/42/4 RRU3275 3*20M9.8G2/22/2 2*20M9.8G 2/3 注：前3个光口最大3级，此时后 3个光口无法使用。 2/3 注：配套LBBPd时前3个光口最大3级，此时后 3个光口无法使用。配套UBBPd9时6个光口都可 以支持3级。 1*20

34、M9.8G2/42/4 RRU级联规格表（续) 注： 1.因为LBBPd规格是6*20M/2T2R，所以RRU3152-e在2*20M组网规格时无法实现4级级联，UBBPd9可以支持在2*20M组网规格时实 现4级级联。 2.如果采用单载波+多级联的组网方式（以上蓝色背景），进行载波扩容时需要进行RRU拓扑改造。 3.上表1*20M+6C、2*20M+6C中的级联规格适用于高铁、N+M方案。 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 23 部件介绍-RRU-配置规格说明 返回主目返回主目录录 RRU个数规格表（TDL单模

35、/TDS-TDL双模） 站型与RRU类型SRAN 1.0规格SRAN 2.0规格SRAN 3.0规格 1*20M 1T1R RRU3151(e)-fae RRU3161-fae 24 光口：6光口*6级=36个 基带：6 RRU*4基带板=24个 36 光口：6光口*6级=36个 基带：12 RRU*1 BBI+10 RRU*3 BBP=42个 36 光口：6光口*6级=36个 基带：12 RRU*4基带板=48个 2T2R RRU3152-fa RRU3162-fa 18 光口：6光口*3级=18个 基带：6 RRU*1BBI+5 RRU*3 BBP=21个 18（16） 光口：6光口*3级

36、=18个 基带：6 RRU*1BBI+5 RRU*3 BBP=21个 18（16） 光口：6光口*3级=18个 基带：12 RRU*1BBI+8 RRU*3 BBP=36个 2T2R RRU3152-e 24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个 24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个 48 光口：分散出纤，不受限 基带：12 RRU*4基带板=48个 2T2R RRU3172-fad NA 18（高铁12） 光口： 6光口/6.144G*3级=18个 6光口/9.8G*4级=24个 基带：6 RRU*1 BBI+5 RRU*3 BBP=21 个

37、 18（高铁12） 光口： 6光口/6.144G*3级=18个 6光口/9.8G*4级=24个 基带：12 RRU*1 BBI+8 RRU*3 BBP=36个 2T2R RRU3275 NA 24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个 48 光口：分散出纤，不受限 基带：12 RRU*4基带板=48个 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 24 部件介绍-RRU-配置规格说明 返回主目返回主目录录 RRU个数规格表（TDL单模/TDS-TDL双模） 注： 1.单BBU最大支持的RRU个数取决与光

38、口级联能力和基带资源规格中的较小值，单BBU最多支持4块LTE基带板。 2.如果采用”小载波（比如单载波扩容双载波，或双载波扩容三载波等）+多RRU”的组网方式，进行载波扩容时需要进行BBU拆分，必须提前知会 客户。 站型与RRU类型SRAN 1.0规格SRAN 2.0规格SRAN 3.0规格 2*20M 1T1R RRU3151e-fae RRU3161-fae 12 光口：6光口/6.144G*4级=24个 基带：3 RRU*4基带板=12个 18 光口：6光口/6.144G*4级=24个 3光口/9.8G*6级=18个 基带：6 RRU*1 BBI+5 RRU*3 BBP=21个 24

39、光口：6光口/9.8G*6级=36个 基带：6 RRU*4基带板=24个 2T2R RRU3152-e 12 光口：分散出纤，不受限 基带：3 RRU*4基带板=12个 12 光口：分散出纤，不受限 基带：3 RRU*4基带板=12个 24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个 2T2R RRU3172-fad NA 9 光口： 6光口/6.144G*2级=12个 3光口/9.8G*3级=9个 基带：3 RRU*1 BBI+2 RRU*3 BBP=9个 12 光口： 6光口/6.144G*2级=12个 6光口/9.8G*3级=18个 基带：6 RRU*1 BBI+4 RR

40、U*3 BBP=18个 2T2R RRU3275 NA 12 光口：分散出纤，不受限 基带：3 RRU*4基带板=12个 24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 25 部件介绍-RRU-配置规格说明(续) 小区合并规格： uTDS小区合并原则 lTDS的RRU合并小区和TDL的RRU合并小区相互独立。 lTDS支持跨基带板合并小区，普通模式推荐最大使用8path合并，最大支持16Path合并。 uTDL小区合并原则 l同一LBBPd基带板上的12个1T1

41、R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区， RRU数量超过6个需要双拼。或6个2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个 小区，高铁场景最大支持3个小区， RRU数量超过3个需要双拼。 l同一UBBPd9基带板上的12个1T1R/2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区， RRU数量超过6个需要双拼。 l不支持跨基带板小区合并。 1path场景 UBBPd9 BBI和BBP都支持12个1T1R RRU(1*20M)、6个小区或6个1T1R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并； BBI槽位的LBBPd支持12个1T1R RRU(1*20M)、6个小区或6个1T1

42、R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并， BBP槽位的LBBPd支持10个1T1R RRU(1*20M)、6个小区或5个1T1R RRU(2*20M)、5个小区的室分小区合并。 SRAN2.0单BBU最大支持18个小区， SRAN3.0单BBU最大支持36个小区。 2path场景 BBI槽位的UBBPd9支持12个2T2R RRU(1*20M)、6个小区或6个2T2R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并； BBP槽位的UBBPd9支持8个2T2R RRU(1*20M)、6个小区或4个2T2R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并； BBI槽位的LBBPd支持6个2T

43、2R RRU(1*20M)、 6个小区或3个2T2R RRU(2*20M)、 6个小区的室分小区合并， BBP槽位的LBBPd支持5个2T2R RRU(1*20M)、 5个小区或2个2T2R RRU(2*20M)、 5个小区的室分小区合并。 SRAN2.0单BBU最大支持18个小区， SRAN3.0单BBU最大支持36个小区。 注：同频点时，支持同通道数不同RRU类型的双拼。 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 26 产品规格和限制说明 物理小区及其数量计算方法物理小区及其数量计算方法 1、物理小区的概念 物理小区

44、：是站在基带的角度看到的一个逻辑小区的基带处理的最小单位，对应1个小区扇区设备。 小区扇区设备（EuSectorCellEqm）：指小区使用的扇区设备以及基带设备。 2、物理小区数量的计算方法 物理小区数量 = EuCellSectorEqm（小区扇区设备）的数量，可以通过 LSTEUCELLSECTOREQM 查询。 计算方法： l不双拼场景：物理小区数量 = SUM（每个小区RRU数量）； l双拼场景：物理小区数量 = SUM（每个小区RRU数量/2向上取整）； l举例：以宏站/室分的双拼场景为例说明。 组网信息组网信息扩容前扩容前扩容后扩容后 基站类型基站类型基带板数量基带板数量小区中的

45、小区中的RRURRU数量数量小区数量小区数量物理小区数物理小区数小区数量小区数量物理小区数物理小区数 宏站宏站1 11/1/11/1/1（均为（均为1 1个）个）3 33 36 66 6 室分室分1 14/2(4/2(一个一个4 4个，另一个个，另一个2 2个个) )2 22+1=32+1=34 46 6 室分室分1 13/3(3/3(均为均为3 3个个) )2 22+2=42+2=44 48 8 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 27 产品规格和限制说明 小区合并规格介绍小区合并规格介绍 TDL小区合并规格（以

46、下描述的小区，均指物理小区）： l同一LBBPd基带板上的12个1T1R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，单载波时RRU数量超过6个需要双拼。双载波时RRU数量 超过3个需要双拼。或6个2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，高铁场景最大支持3个小区，RRU数量超过3个需要双拼。 l同一UBBPd9基带板上的12个1T1R/2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，单载波时RRU数量超过6个需要双拼；双载波时 RRU数量超过3个需要双拼。 l不支持跨基带板小区合并。 lSRAN2.0单BBU最大支持18个小区， SRAN3.0单BBU最大支持36个小区。

47、HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 28 LTE载波扩容站点实施原则 站点实施原则站点实施原则 1、LTE载波扩容方案评估要素 考虑基带板规格：物理小区数，20M的数量； 考虑RRU级联规格：RRU类型、光模块速率、载波数量； 考虑背板通道规格：组网场景（高铁/非高铁）、基带板类型； 考虑RRU能力：如3151-fae不支持双载波； 考虑电源和风扇能力：主要新增C板或者替换A板； 考虑传输带宽：载波数量； 考虑网管管理能力影响：基站数量、载波数量； 考虑硬件License：RRU支持多载波有硬件License控制；

48、 2、基站硬件扩容原则 基带板： l根据基带板实际能力，评估是否需要新增UBBPd9以及新增的数量； lLBBPd4回收原则：各局点跟客户沟通，单BBU满配置不超过4块基带板； 主控板：保证主控板和基带板的配套（eRAN7.0禁止UMPTa+UBBPd9 配套使用，eRAN8.0以后版本不受限）； RRU：3151-fae不支持双载波，需要更换为3161-fae； 风扇板：使用FANc或者FANd类型，否则需要更换； 电源板：配置两块UPEUc或者一块UPEUd（具体类型和机框类型相关），否则新增或者更换； RRU级联级数和光模块：核查是否超过规格，超过的站点进行整改。 HISILICON S

49、EMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 29 Opt1:BBU Only架构(适用UMTS /LTE-FDD /LTE-TDD+LTE-FDD) Opt3:集成WiFi架构(适用UMTS /LTE-FDD /LTE-TDD/WiFi) （带WiFi） 以太网交换机 Cate5e AC Opt2:BBU+DCU架构 LAMPSITE组网 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 30 LAMPSITE单单双网线所支持的带宽配置双网线所支持的带宽配置 网线数量网线数量 C

50、PRI压缩比压缩比(2：1)CPRI压缩比 压缩比(3： 1) CPRI压缩比压缩比(4： 1) G+U1根 2U+GSM 20 1根 B. 1*L10+GSM 10 B. 1*L10+GSM 10 B.1*L20+GSM 10 C.1*L20+GSM 8 C+1*L 1根 同上同上 同上 G+2*L 2根 2*L必须在一根网 线上 2*L必须在一根网 线上 2*L必须在一根 网线上 page1 类别类别序号序号组网限制说明组网限制说明 入口功率入口功率1DCU的RFC射频板端口不能 不能输入总功率大于20dBm的射频信号，信源为RRU时，需要根据RRU的发射功率选择 2030dB的衰减器/耦

51、合器，不可不可直接将RRU信号接入RFC端口，会造成RFC单板损坏。 光模块光模块4BBU-DCU-RHUB之间的光纤链路，光模块必须为9.8G。 拉远拉远 5 GSM/CDMA组网时，BBU-DCU-末级RHUB光纤拉远距离不超过10KM，DCU-末级RHUB光纤拉远距离不超过3KM； 涉及到DCU与BBU混合组网，取DCU和BBU的组网限制交集。 BBU和DCU之间各个光口的光纤长度尽量保持一致，最 大长度差小于30m（确保BBU到DCU的基带数据时延对齐）。 6 BBU+DCU联合双网线组网时，BBU侧配置为负荷分担方式；不允许配置为单链方式。 BBU+DCU双网线组网时，pRRU上的网

52、线优先占用RHUB的01/23/45/67网口，配对使用，pRRU的供电口E0口优先插 在偶数口，E1口优先插在奇数口，DCU配置在E1口对应的RHUB GE口。 组网规格组网规格 7不支持 不支持：多个BBU接入一个DCU的场景；支持：一个BBU接入一个DCU、一个BBU接入多个DCU。建议组网设计时按照 1：1设计。 8DCU的一条光纤上通过 4级RHUB级联，最多可以连接16个pRRU，系统最大规格为96个pRRU。 9禁止禁止GSM信源与DCU+Lampsite共覆盖 共覆盖相同区域。 LAMPSITE组网限制 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOL

53、OGIES CO., LTD. Page 31 Page 31 光口CPRI压缩模式 BBU-RHUB间光口CPRI压缩模式由 CELL.CPRICompression决定，压缩 模式可配置为“不压缩”或“普通压 缩”。 电口CPRI压缩模式 RHUB-pRRU间电口CPRI压缩模式 由CELL.CpriEthCompressionRatio 决定，配置为“2:1压缩”、“3:1压 缩” ，分别表示在RHUB和pRRU之 间按照2:1比率、3:1比率压缩pRRU 射频合路组的CPRI数据占用的带宽 。 CPRI压缩两个概念 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHN

54、OLOGIES CO., LTD. Page 32 Page 32 光口上支持的CPRI净荷带宽 光口上支持的CPRI净荷带宽计算公式如下： 光口上支持的CPRI净荷带宽 = CPRI带宽 (15/16) (4/5) = 0.75 CPRI带宽 其中：CPRI带宽是指CPRI的线速率，即CPRI Specification V5.0.1协议4.2.7.Frame Structure章节规定的 2.4576Gbps，4.9152Gbps，6.144Gbps，9.8304Gbps几种。15/16为CPRI协议中业务面数据带宽占CPRI带宽的比例 。4/5为8B/10B编码效率因子。可使用下表速查C

55、PRI净荷带宽。 CPRI带宽带宽2.4576 Gbit/s4.9152 Gbit/s6.144 Gbit/s9.8304 Gbit/s CPRI净荷带宽净荷带宽1.8432 Gbit/s3.6864 Gbit/s4.608 Gbit/s7.3728 Gbit/s 小区载波带宽未经CPRI压缩的 1T1R I/Q数据带宽 经2:1的比率压缩后 1T1R I/Q数据带宽 经3:1的比率压缩后 1T1R I/Q数据带宽 20MHz921.6Mbit/s460.8Mbit/s307.2Mbit/s 15MHz921.6Mbit/s460.8Mbit/s307.2Mbit/s 10MHz460.8Mb

56、it/s230.4Mbit/s不支持 5MHz230.4Mbit/s115.2Mbit/s不支持 特别的LampSite小区数是指 扇区设备组 而非通常 所指的CELL 当前LampSite支持压缩模式：普通压缩（2:1）， 不压缩（1:1） 以9.8G为例：有效载荷为7.37Gbit/s 如果一条光纤上建立5个FDD 20M 2T2R 小区则不 压缩情况下I/O数据带宽为：0.921*2*5 = 9.21Gbit/s 7.37Gbit/s CPRI资源不足 采用普通压缩后：0.46*2*5 =4.6Gbit/s 63A*1 - 100A*1 2. 黄色场景（3RRU+1BBU(宏站)）：80

57、A*1 - 63A*2 - 100A*1 3. 蓝色场景（6RRU+1BBU(室分)）：80A*2 - 63A*2 - 100A*2 4. 橙色场景（6RRU+1BBU(宏站)）：80A*2 - 100A*2 5. 红色场景（3RRU+2BBU、4BBU）：80A*2 - 63A*2 - 100A*1 6. 紫色场景（3BBU）：80A*1 - 63A*1 - 100A*1 注：如果使用双路空开，必须使用DCDU-12B。 1 IMB03/DRRU/19英寸/TMC ILC29 Ver.BILC29 Ver.D 室分宏站室分宏站室分宏站 DCDU-03B3RRU+1BBU3RRU+1BBU 3

58、RRU+1BBU3RRU+1BBU NANA 3RRU+2BBU3RRU+2BBU DCDU-12B 3RRU+1BBU3RRU+1BBU3RRU+1BBU3RRU+1BBU 3RRU+1BBU3RRU+1BBU 6RRU+1BBU6RRU+1BBU 6RRU+1BBU6RRU+1BBU3RRU+2BBU3RRU+2BBU 4BBU4BBU 3BBU3BBU HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 51 参数参数 指标指标 功能实现一路-48V DC输入，10路-48V DC输出，给BBU、RRU等设备供电。 输入电流

59、 1. 输入能力1*80A或2*80A。 2. 1*80A输入电源线线径为1路16mm2电源线。 3. 2*80A输入电源线线径为2路16mm2电源线。 配电规格10*30A（6个大快插端子+4个小快插端子） 尺寸（宽*高*深）442mm*42mm*65mm 防雷差模/共模：10KA/20KA 重量1.65kg 典型使用场景BBU室内放置，直流供电场景。DCDU-12B可给BBU、RRU集中供电。 1.DCDU-12B 提供10路空开，使用10个快插端子，可支持现场做线。6个大快插端子支持2.510 方电源线，4个小快插端子支持2.54方电源线。 2.DCDU-12B支持1*BBU+6*RRU

60、+1*FAN或4BBU+1*FAN供电，超过3个RRU需要2路16方输入，具体参 见附录1。 3.对于两路空开并联为同一个DCDU-12B供电的情况，需要注意以下几点： - 两路空开必须是由同一个电源系统输出。 -两路空开的规格必须完全一致（包括空开大小、型号等）。 -两路输入电源线的规格必须完全一致（包括电源线长度、线径等）。 部件介绍-DCDU-12B 说明 返回主目录 HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. Page 52 部件介绍- OCB-01M 参数参数指标指标 功能 电源线转接盒。1进1出：直流电源线支持3.3方进