sg3525中文资料要点

1、sg3525摘要：对pwm空制芯片sg3524与sg3525的工作性能作了介绍和比较，通过实验得出了 在软起动功能上较 sg3524有很大的改进。关键词：sg3524; sg3525;脉宽调制；软起动0 引言：目前，开关电源越来越广泛地应用于各行各业中，是各种用电设备的重要组成部分。在开关电源的设计过程中，常常使用各种pwm勺ico因此，作为开关电源的设计者，有必要熟悉各种pwm勺集成芯片的性能差别， 才能在设计的时候灵活应用。下面主要针对常用的 sg3524与sg3525两种芯片进行对比分析。1sg3524与 sg3525:1(a)所示，内sg3524是定频pwmfe路，采用16引脚标准di

2、p封装。其各引脚功能如图zi n 二zi n zi zi施fvse替后ec乳曾ca曾e 田他控制 卅推部框图如图1(b)所示。反谢人匚rwia 匚屈铸端出匚电用限制枪削小匚电褊限制匚rt匚ct匚就匚(a) sg3524的弓|脚mvi口 8i5振弟i辩i也(b)内部框图图1sg3524引脚及内部框图脚9可以通过对地接阻容网络，补偿系统的幅频和相频响应特性。根据试验结果，对地接电容就可以实现软起动功能。sg3525也是定频pwm电路，采用16引脚标准dip封装。其各引脚功能如图 2(a)所示，内部 框图如图2(b)所示。脚8为软起动端。良福特i人匚 防a结人匚同步端匚再的端神出匚ct匚rt匚放电端

3、匚 场启韵端匚二|证旺u书二i的e二i a, bffc31地zj a皆支二i团碘拄制zj料惜(a) sg3525的弓|脚敕启动（b）内部框图图2sg3525引脚及内部框图2sg3525相对sg3524的改进：sg3525在sg3524的基础上，主要作了以下改进。1 ）增设欠压锁定电路电路主要作用是当ic输入电压8v时，集成块内部电路锁定，停止工作（基准源及必要电路除外），使之消耗电流降至很小（约2ma）。2）有软起动电路比较器的反相端即软起动控制端脚8可外接软起动电容。该电容由内部5v基准参考电压的 50 aa恒流源充电，使占空比由小到大（50%）变化。3 ）比较器有两个反相输入端sg3524

4、的误差放大器、电流控制器和关闭控制3个信号共用一个反相输入端，现改为增加一个反相输入端，误差放大器与关闭电路各自送至比较器的反相端。这样，便避免了彼此相互影响，有利于误差放大器和补偿网络工作精度的提高。4 ）增加pwm顿存器使关闭作用更可靠比较器（脉冲宽度调制）输出送到pw械锁存器也可维持一个周期的关闭控制,直到下一个周期时钟信号使锁存器复位存器，锁存器由关闭电路置位，由振荡器输出时间脉冲复位。这样，当关闭电路动作，即使过电 流信号立即消失， 为止。5 ）振荡器作了较大改进sg3524中的振荡器只有 ct及rt两引脚，充电和放电回路是相同的。sg3525的振荡器，除了 ct及rt弓脚外，增加了

5、放电引脚 7、同步引脚3。rt阻值 决定对ct充电的内部恒流值，ct的放电则由脚5及脚7之间外接的电阻值 rd决定。把充电和放电回路分开，有利于通过 rd来调节死区的时间，这是重大的改进。 在sg3525中增加了同步引脚3专为外同步用，为多个 sg3525的联用提供了方便。6 ）输出级作了结构性改进电路结构改为确保其输出电平处于高电平，或低电平状态。另外，为了适应驱动mosfet勺需要，末级采用了推挽式电路，使关断速度更快。sg3525增加的工作性能在实际应用中具有重要意义。例如，脚 8增加的软起动功能，避免了开关电源在开机瞬间的电流冲击，可能造成的末级功率开关管的损坏。3实验结果：对sg35

6、25与sg3524的软起动功能作了对比试验。图 3给出了 sg3525与sg3524软起动试验的原理图。图 4给出了 sg3525脚8接100a f电容和sg3524脚9接100 a f电容时，在通电 2s和5s时的输出脉宽波形图。(a)采用 sg3525(b)采用 sg3524图3软起动试验原理图(a) sg3524通电2s的波形(b) sg3525通电2s的波形(c) sg3524通电5s的波形(d) sg3525通电5s的波形图4两种控制器分别在启动2s及5s后的波形从图4的波形以及表1和表2的数据比较可以看到， 虽然sg3524与sg3525都可以实现软起动功能，但是，由于 sg352

7、5本身设计了软起动电路，因此，在实际实现软起动的过程中，由其内部的恒流源给外部电容充电，工作时不会影响到其它的电路，而sg3524要实现软起动，就要与误差放大器、电流控制器等同用一个反相端，就会彼此互相影响。另外，在相同电容量的情况下，sg3525更有利于提高软起动时间。表1sg3525脚8接不同的对地电容时的软起动时间脚8对地电容。叱f软启动时间t/s100.58221.26331.84472.331004.76表2sg3524脚9接不同的对地电容时的软起动时间脚9对地电容c/心f软启动时间t/s100.29220.58330.97471.16 11002.234 结语：通过实验证明，sg3

8、525的软起动性能优于 sg3524。sg3525中文资料引脚图应用电路图（1）简介：sg3525中文资料引脚图应用电路图随着电能变换技术的发展，功率mosfet在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了 sg3525,以用于驱动。关键字：sg3525随着电能变换技术的发展，功率mosfet在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了sg3525,以用于驱动 n沟道功率mosfet。sg3525是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成pwm控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、pw

9、m锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。其性能特点如下：1）工作电压范围宽：835v。2）内置5. 1 v1. 0%的基准电压源。3）芯片内振荡器工作频率宽100hz400 khz。4）具有振荡器外部同步功能。5）死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速 度更陕，末级输出或吸入电流最大值可达400ma。6）内设欠压锁定电路。 当输入电压小于 8v时芯片内部锁定，停止工作（基准源及必要电路除 外），使消耗电流降至小于 2ma。7）有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚8,可外接软启动电容。该电容器内部白基准电压 uref由

10、恒流源供电，达到 2. 5v的时间为t=（2. 5v/50pa）c,占 空比由小到大（50%）变化。8）内置pwm（脉宽调制）。锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除。只有在下一 个时钟周期才能重新置位，系统的可靠性高。l脉宽调制器sg3525简介1. 1结构框图sg3525是定频pwm电路，采用原理16引脚标准dip封装。其各引脚功能如图1所示，内 部原理框图如图2所示。反相输入同枇输入同步端版篇湍输电ct心放电端软扇动端12 3 4 5 6 7 06 5 4 3 2 1 09 t 1 1 1 1 1 1inn *b管ea、b管 e地a管e闭锁控制 补掇图1 sg3525引肺功能% 1

11、&i 一接电器v* ie4w|内耙ground 12xrlljl幅定cornpcnsatiuu 9 inv input 笈ngnivn input 2 *?soft-start 8 . shutdown 10 -匚n 50k镜存弱li一4j一:.111output a图2 sg3525内部原理框图1. 2引脚功能说明直流电源vs从脚15接入后分两路，一路加到或非门；另一路送到基准电压稳压器的输入端，产生稳定的元器件作为电源。振荡器脚5须外接电容 ct,脚6须外接电阻rt。振荡器频率厂由外接电阻rt和电容ct决定，g(j号 +3/振荡器的输出分为两路，一路以时钟脉冲形式送至双稳态触发器及两个或非

12、门；另一路以锯齿波形式送至比较器的同相输入端，比较器的反向输入端接误差放大器的输出，误差放大器的输出与锯齿波电压在比较器中进行比较，输出一个随误差放大器输出电压高低而改变宽度的方波脉冲，再将此方波脉冲送到或非门的一个输入端。或非门的另两个输入端分别为双稳态触发器和振荡器锯齿波。双稳态触发器的两个输出互补， 交替输出高低电平， 将pwm脉冲送至三极管 vt1及v t2的基极，锯齿波的作用是加入死区时间，保证 vt1及vt2不同时导通。最后，vtl及vt2分别输出相位相差为 180 的pwm波。2系统结构设计本电源输入电压是由带隔离变压器的+30v电源提供，图3是选用sg3525设计的dc dc直

13、流变换器原理图。性能指标是：输入电压为dc2435v可调，输入额定电压为 30v,输出为5v/1a。本系统由sg3525产生两路反向方波来控制 mosfet的导通与关闭， mosf et驱动采用推挽方式，本设计在变压器的中心抽头加入30v直流电压，输出部分采用全波整流，在输出点上有分压电阻给tl431提供参考电压，并通过光电隔离反馈到sg3525,以调节控制输出方波占空比来稳定输出电压。由于本设计采用推挽式功率变换电路，在输入回路中仅有一个开关的通态压降，而半桥和全桥电路有 2个，因此在同样的条件下，产生的通态损耗较小，这种拓扑特别适合输入电压较低的场合，这也是本设计为什么采用推挽变换器的原因

14、。其中的变压器可同时实现直流隔离和电压变换的功能，磁性元件数目较少， 成本较低。m版囱! mrtffl2. 1高频变压器设计推挽变换器的高频变压器如图3中所示，原边和副边的绕组都分别有一个中心抽头。磁心参数选择如下:变压器输入电压幅值 up1=24v,直流输出电压 5v,串联二极管串联压降取0. 6v,所以次级绕组电压幅值 up2取5. 6v,最大工作比 a =0 45,次级绕组峰值电流ip2=1 a,次级绕组电流有效值小二由|h/pi = 0.69a, 初级绕组峰值电流卜=孑，%=023a.初 级电流有效（二石q = 0】5a,因此变压 器的输出功率6=怎 up2 d = 3. 7 w ,变

15、 压器计算功率片=巴巫+ & =10,5w.fj105x10- = 0.029cm（变压器效率 刀取为1,这个效率不包括整流二极管在内 ），取工作磁感应强度 bm=170mt , 电流密度j取4. 8a/mm2,铜在磁心窗口中的占空系数 km（初选时取0. 20. 3）,实际 计算是取km=0 . 2 5,则计算面积乘积4krn /b(n/ 4x0.25x45x 170k4 8取ee16磁心，它的中心磁铁截面积 （ae）19. 2mm2 ,磁心的窗口面积（aw）为39. 85mm2 , 因此ee16的功率容量为 aexaw=19 . 2x39. 85mm4=0 . 0765cm4,而计算面积乘积 ap=o . 029cm4,它明显小于上面的功率容量的乘积0. 0765,可见采用ee16磁心时，其功率容量已足够大。绕组匝数计算如下：先确定最低电压绕组的匝数m =432算101洱人5.6“910 rm=7.722x0.17x0.192取偶数n1=34,其中开关管最大导通时间tcn=9s,控制器输出频率 f=45khz。按照原边3 4匝，副边8匝绕制变压