大学电材微电子物理与器件课程设计

1、大学电材微电子物理与器件课程设计1资料内容仅供参考，如有不当或者侵权，请联系本人改正或者删除。课 程 设 计课程名称微电子器件工艺课程设计题目名称PNP 双极型晶体管的设计学生学院 _ 材料与能源学院_专业班级08 电子材料1 班学号学生姓名 _123 _指导教师 _ 魏爱香、何玉定 _年 6 月 17 日广东工业大学课程设计任务书2资料内容仅供参考，如有不当或者侵权，请联系本人改正或者删除。一、 课程设计的内容设计一个均匀掺杂的pn p 型硅双极晶体管 , 满足 T=300K 时,基 区 掺 杂 浓 度 为 NB=1016cm-3, 共 发 射 极 电 流 增 益 =50 。BV CEO=6

2、0V, 设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响, 假设经验参数为年 n=3)二、 课程设计的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数, 包括发射区、基区和集电区掺杂浓度 NE, N B ,和 NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数,迁移率 , 扩散长度和寿命等。3根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数, 包括集电区厚度 W c, 基本宽度Wb, 发射区宽度W e 和扩散结深X jc, 发射结结深 Xje 等。4根据扩散结深X jc, 发射结结深X je 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间; 由扩散时间确定氧化层的氧化温度、 氧化厚度

3、和氧化时间。3资料内容仅供参考，如有不当或者侵权，请联系本人改正或者删除。5根据设计指标确定器件的图形结构, 设计器件的图形尺寸, 绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。6. 根据现有工艺条件 , 制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、 课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计( 设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形 )4工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、 课程设计进程安排序设计各阶段内容地点起止日期号1教师布置设计任务 ,讲解设计要求和方法教 1-401.6.6学生熟悉设计任务 ,进行资料查阅和整体

4、图书馆 ,2设计方案的制定教 1-401.6.7设计晶体管的各区材料参数和结构参数设图书馆 ,3计教 1-401.6.8教师集中辅导 , 分析材料参数和结构设计4.中存在的主要问题教 1-407.6.9实验室2100.6.10-5晶体管工艺参数设计 ,教 1-402.6.11实验室.6.126绘制光刻基区、 发射区和金属化的版图教 1-402.6.134资料内容仅供参考，如有不当或者侵权，请联系本人改正或者删除。教师集中辅导 ,分析工艺设计中存在的主实验室8要问题教 1-322.6.14实验室.6.159总结设计结果 ,写设计报告教 1-322图书馆 ,.6.1610写课程设计报告宿室11教师

5、组织验收 ,提问答辩实验室.6 17五、 应收集的资料及主要参考文献1半导体器件基础Robert F. Pierret 著 , 黄如译 , 电子工业出版社 , .2半导体物理与器件赵毅强等译 , 电子工业出版社, .3硅集成电路工艺基础, 关旭东编著 , 北京大学出版社, .发出任务书日期:6 月 6 日 指导教师签名 :计划完成日期 :6 月 17 日 基层教学单位责任人签章:主管院长签章 :目 录一、课程设计目的与任务 2二、课程设计时间 2三、课程设计的基本内容25资料内容仅供参考，如有不当或者侵权，请联系本人改正或者删除。3.1 微电 子器 件与工 艺课 程设 计 npn双极 型晶体 管的 设计23.2课程设计的主要内容 : 2四、 课程设计原理3五、 工艺参数设计35.1 晶体管设计的一般步骤 : 35.2 材料参数计算45.2.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算45.2.2 集电区厚度Wc 的选择85.2.3基区宽度WB 85.2.4晶体管的横向设计115.2.4.1晶体管横向结构参数的选择116资料内容仅供参考，如有不当或者侵权，请联系本人改正或者删除。5.3工艺参数设计125.3.1晶体管工艺概述125.3.2工艺参数计算思路135.3.3基区相关参数的