知识点复习资料

1、知识点1 -成膜第一份）1.Sputter设备生产FFS产品时，Glass表面温度约为多少摄氏度（230）2. B3 CF Sheet ID CBM3X9803EFHG-1234Q0各位号码意思 （）3. 在B3 CF分厂，下列选项中全部都有 6轴（Robot RWL,ICL,ANL,ITO个）4. 各 Line 与设备之间的通讯协议是以下哪一项（1,2,1.1 ）氧化铟锡 ）5. CSA CSB CSC及 CSD中 Crane数量分别为（6. 下列靶材与Sputter背板直接接触的物质是（7.B3 CF ITO Lin共有多少个六轴Robot（ 4）8. 正确的防尘服穿着顺序是（9. C/F

2、制作过程中,32寸产品与18.5寸产品主要不同点（TN与FFS模式不同点）10. 属于 PM 时正确做法的是（12. Unpack装 Glass的是 Crate,一般每个 Crate装 0.7t 的 Glass的片数是（300）13. Sputter 设备的腔体有 Heater 的腔体是（M3.1、M4.1、M5.1、M6.1、M7.1、 M7.2、M6.2、M5.2）15.B3 CF Sputter设备每个 Carrier 上 Clamp 的数量为（18）16. B3 CF Sputte使用的Carrier上部从玻璃边缘到第一个 Clamp的距离为 （ 26mm ）17. TFT-LCffi

3、示器的显示性能指标包括（分辨率，色度，响应速度 对比度 等）18. Carrier到达 Sputter Process Chambe时 Carrier 与 Carrier 之间的间隔为（ 重 叠）19. 量产时，Sputter Process Chambe内通入的气体为（氩气和氧气）20. 在生产的过程中，设备重启 PLC后，哪个部分不需回到原（HOM巳点（ Magazine ）21. B3 CF Sputte设备Robot Vaccum数值多少以上为正常（-90 ）22. 关于FFS MODEE确工艺流程的是 （）23. TN Mode 时 Line Flow 中正确流程()24. 3正5S

4、中属于3正的是（正品、正位、正量 ）25. 洁净间内产生最大的污染源因素是（人 ）26. RWL 的全称是(Rework Li ne)27. 等离子体是整体上呈现（辉光放电 ）28. Sputter 设备中阳极的电压是（ Carrier 上， 电势为零 ）29. Spu tter设备中作为阳极的是（Carrier接地 ）30. TN模式中ITO薄膜的主要作用是（共同电极）31. FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（ 电场屏蔽）32. 属于ITO工艺参数的是（温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power 功率 ）33. IT O 生产模式是(P roduct Mode )34. ITO的

5、 Bake模式是(Standby mode )35. ITO的 Offline 首件模式是(Starting Dummy Mode )36. SCS区的 Buffer 存放的是(Inner Dummy ) 37. SCSx的Buffer 一般存放玻璃（44枚） 38. Online情况下需要ITO特性值确认时，Sample玻璃投入口为（port 口 ）39.Offline情况下需要首件确认时，Sample玻璃投入口为（SCS的LD 口 ）40. ITO首件Sample特性值确认项不包括（透过率阻抗膜厚）41. TN模式 ITO膜厚 Spec为(115-145nm 最大：145NM,最小：115

6、NM，平 均： 117130NM)42. TN模式ITO阻抗spec%（ 35 最大：v 50,最小：无，平均：v 40 ）43. FFS模式ITO阻抗spec为（93% 最大：无, 90%,平均： 92%)最小：45. TN 模式玻璃镀膜表面温度（ 120 ）46. TN模式ITO膜要经过Anneal的PBK工序是为了（使ITO结晶更完全47. TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（93% )49. Sputter 正常生产使用 Carrier 的数量为（ 1150. Sputter中起辉气体是（ Ar ）51. Sputter设备共使用靶材的数量为（7）52. Sputter使

7、用的陶瓷靶，其成分In2O3与SnO2的比例为（9:1）53. IT O特性值管控项目管控不包括（管控 透过率 ，阻抗，膜厚 ）54. 影响ITO膜厚的因素有（Power56.提高成膜温度对ITO薄膜的影响（结晶更完全 ）57.设定Carrier定期更换的主要作用是（ 防止OutGas引起的阻抗超标58. carrier更换后要进行必要那些检查（peak、 Clamp,弹簧)59. ITO工序外观检查设备是（ Visual ）60. ITO色差外观异常产生原因是（成膜不均匀）61. Carrier停滞发生后玻璃基板应如何处理（Though Mode单独存放与CST RWK ）62. ITO p

8、article多发时段在（在中期PM和末期PM前 ）63. ITO树状Mura产生的原因（放电异常 ）64. 靶材中期PM的主要包括（研磨靶材、shield Box更换）65. 如果阻抗值超出Spec值，首先要进行（ 停机）66. Spu tter破片发生应确认（Carrier等于玻璃接触的位置）67.靶材表面凸起（Nodule）较多会影响（ITO的Particle及PH ）68. B3 CF Sputte使用靶材厚度为上/中/下（9、7、9mm）69. 下列不良中，肯定不是ICL的洗净不良造成的是（ICL的Brush会产生竖线 ）70. 下列Cleaner采用的新设计中，有利于Clean R

9、oom内洁净度保持的是（FFU 设计 ）71.在 B3 Layout 中与 ICL连接的 Stocker是(CSA )72.ICL Cleaner中Air curtain的使用目的是（分割作用，防止药液过多流入 DIW Chamber ）73.Cleaner内的Ionizer的作用是（ 除静电）74.Li ne中哪条线的清洗机同时带有上下Brush 的是( ICL /ANL )75. RWL产生不良主要包括ITO残留，Pattern残留等等 ）76. 玻璃基板在RWL流动顺序是（PS Stripper-ITO Etch-RGB Stripper)77. RWL流动影响基板洗净效果因素有温度，洗

10、净时间 ）78. RWL中使用酸性药液主要是为了刻蚀ITO层）(4 个 Stripper Chamber)79. RGB Stripper单元有()个 Chamber 80.Stripper 药液 tank 最高使用温度第二份）1. CF ICI有( 3 )台 Robot。2. TFT-LC显示器中，控制各像素电流的器件是（IC驱动电路，TFT ）3. TFT-LC显示器的显示性能指标包括（ 分辨率、色彩浓度、可视角度、响应速度、对比 度、亮度 ）4. 属于Sputter工艺需要关注的参数的是（温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power功率 ） 5.下列没有E-UV装置的Line是（

11、0C ITO ANL ） 6.量产时，Sputter Process Chambe内通入的气体为（Ar、02 ）7. Carrier到达 Sputter Process Chambe时 Carrier与 Carrier之间的间隔为(重叠 )8. B3 CF-台Sputter用到的Target的个数为（7 ）60 )9. UPK的 NG 口处，NG glass在 tilting conveyor 上倾斜的角度是（10. 哪条生产线没有 A0I（ RWL， ICL， IT0， PRL ）11. 关于 CF Cleaner的 Module12. CF Cleaner Roller Brush (IC

12、L 4组 16个， ANL 1组 4个)13. UPK的NG 口处，最多可以容纳的NG glass的数量（2张14. B3 C/F CIM中从Line PC得到生产计划并下放到各设备的是15. Array的5Mask工艺流程顺序是（）16.TFT LC中国大陆第一条6代线的量产时间是（2010年9月16日）17.AOI可以检出的Defect的全部信息（size等）18. CF工场中 Sheet ID CBM3X9803EFHG-123400 其中的 “ 1234(”的是(Sheet ID)19. Rework药剂的说法错误的是（）20.ANL Postbake设备 Buffer 多少层(28

13、层)21. Rework设备基本作业流程(PS Stripper-ITO Etch-RGB Stripper )22. 哪种情况在ITO Line中不会产生Particle（ ） 23.TFT-LC显示器中，需要偏光片的数量是（2 ）24. 以下Line中，Tact最短的是（ITO ）25. 下面广视角技术中，属于BOE独有专利的是（FFS或 ADS）26在CF基板上负责形成金属膜层的设备是（Sputter27. B3 CFX场一台 Sputter 设备的 Tact Time为(39.528. CF UPK 个 Crate装 0.7t Bare Glass的数量是(30029. 下列Line中

14、没有LD 口的是（ ICL ）31. FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（ 屏蔽电场） 32属于ITO工艺参数的是（温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power功率）33. IT O 生产模式是(P roduct Mode )36. SCS区的 Buffer 存放的是(Inner Dummy )37. SCSX 的 Buffer 一般存放玻璃（44s） 38.0niine情况下需要ITO特性值确认时，Sample玻璃投入口为（Port 口）39.0ffli ne情况下需要首件确认时，Sample玻璃投入口为（SCS LD口 ）管控 透过率 ，阻抗，膜厚40. ITO首件Sam pie特

15、性值确认项不包括41. Sputter设备检漏使用的气体是（He气42. 等离子体是整体上呈现 （辉光放电43. Sputter设备中阳极的电压是（0伏特44. Sputter设备中作为阳极的是（carrier 50.ITO 的 Bake模式是(stand-by mode 54.OnIine情况下需要ITO特性值确认时,Sample玻璃投入口为（ Port 口55. Offline情况下需要首件确认时，sampie玻璃投入口为（SCS LD 口56. ITO首件sample特性值确认项不包括（管控透过率，阻抗，膜厚57. TN 模式 ITO膜厚 Spec为(115-145nm最大：145NM，

16、最小：115NM，平均： 117130NM)58. Stripper药液tank最高使用温度（75C ）59. TN模式ITO阻抗spec为（35 最大：v 50,最小：无，平均：V 40 62.玻璃基板在 RWL流动顺序是(PS Stripper-ITO Etch-RGB Stripper63. RWL流动影响基板洗净效果因素有（药液温度，洗净时间）64. RWL中使用酸性药液主要是为了（刻蚀ITO层）67. TN模式ITO膜要经过Anneal的PBK工序是为了（使ITO结晶更完全68. TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（3569. TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜

17、透过率（93%的数量为 （ 11）70. Sputter 正常生产使用 carrier71. Sputter中起辉气体是（氩气72. Spu tter设备共使用靶材的数量为（7 ）9:1)73. Sputter使用的陶瓷靶，其成分ln2O3与SnO2的比例为（74. ITO特性值管控项目管控不包括（管控 透过率，阻抗，膜厚 ）76.下列说法正确的是 （）77.提高成膜温度对ITO薄膜的影响（使ITO结晶更完全）78.不属于ITO工序管理项目是（管控 透过率，阻抗，膜厚79.设定Carrier定期更换的主要作用是（防止产生树状MURA80. carrier更换后要进行必要那些检查（peak、Cl

18、amp,弹簧知识点2-光刻（第一份）1. PS高度设备中无法进行测量的项目是（ITO电阻）2. 使用于Clean设备中2流体的原材料是（DIW, CDA）3. BML上正确的曝光机 Process顺序是(Pre Alignment Gap制御 Alig nment 曝光 )4.工程设备顺序对的是（）5.以下受升华物影响发生的问题点中受影响最少的是（Tact Time 缩短 _ )6.在全数检查机里无法确认的是（mura_ ）7、(PSL )口 8、CF工厂的LOT号是13位的，比如B15C12605000Q其中第四个字母 C表示 （B3工厂基板）9、CF分厂使用的PR胶中只有（OCL ）不是光

19、固化材料。10、Sputter的Chamber内，靶材是以（原子）状态运动并沉积到 Glass表面 的。11、CF工厂有两个CWS的line是（BGR ）。12、液晶行业中使用的 glass是无碱 glass,其特点不包括（）13. BML AOI检查一张glass时的扫描次数为（1 ） 14、( BML / PSL )的 Post-bake后面设计有 BF.15. 哪一部件在 UV Asher有，而EUV没有（_IR红外照射灯或IR Heater）16. 哪一项不是common defect发生的原因17、显影机使用HPMJ的产线是（BML1&设备中不能发出Stop Signal的是（19、

20、关于B3曝光机的说法，错误的是（20、G6曝光机的光源（超高压水银灯21、不属于Coater CWS系统的是（）22. 当今在显示领域处于主导地位的是（TFT-LCD）23. 不属于CF着色层的是（OCL）24.TFT-LC血示器中，控制显示色彩的器件是CF)25.CF包括哪些层（BM、BGR 0C、ITO PS_)26. BOE使用的CF制备工艺属于（ 湿刻）应该是颜料分散法 27.BOE HF使用的基板 Size是(1500X1850 )28. CF膜层中起保护、平坦化作用的是（ OCL40min+5m in_ )29.Glass在OCL的post-bake中处理的时间是（30. 请找出F

21、FS Model中, Line进行Flow中正确的一项是（）31.OC的Mura检查要使用（Na）lamp进行检查。32. G6 line 中，LD和 ULD不是都和 CSB相连的是（ICL IAL、IBL、BLU FIL_33. Clea ner设备中最后除水气的设备是（A/K）34. 为什么要对新员工进行安全教育？下列错误的是（35. Visual的功能不包括以下哪项（36. BGR光阻所要求的主要特性是（37. 以下材料形成的膜不是透明是（ 38、双手臂同时取放Glass的设备是（PBK） 39、Coater机主要的Recipe不包括40、下列部件或系统不属于 Stocker的是 41、

22、已登录过的制造作业日报，还能继续进行的操作不包括42、CIM系统中，BC（ Block Controller）与设备的PLC进行联接的协议是 （MELSECNET ）43. PS光阻所要求的主要特性是44. 下面广视角技术中，属于 BOE独有专利的是（FFS ）45. 哪些项目是在做PM时的注意事项46. CF分厂使用的涂布机生产厂家是（TOK ）47. （ PSL ）Line上的VCD是一个Chamber采用两组Dry Pump进行抽真空。48. 有 DH-Bake（脱水 Bake）的是（OCL ）49. Pre-Bake的 HP有（9 ）块 Heater。50. BML Pre-Bake最

23、多可以以容纳（31）张 Glass 51、正确的防尘服穿着顺序是 52、最大的污染源是（人） 53、哪条生产线没有 AOI （ ITO/ ICL /RWL）。_7um _ ）。54、BML AOI的BM CD测量功能中一般对基板测量（3处 55、FIL AOI接受基板正面反射光的CAMERA勺检出力是（ 56、ITO靶材的主要成分是（_氧化铟锡 ） 57、18.5寸产品中TP mark总共有（96 ）个 58、对B10、B40产品CF工厂分别采用（ 4SHOT. 6SHOT ）曝光 59、CF工场NSK曝光机采用的曝光方式是（接近式曝光_） 60、均有 Reverser的 Line 为（_IC

24、L IAL、IBL ANL、RWL OIA_ 61.与洗净机不相关的用语检查 ）63. P attern Re pair的功能中，不包括（64. Crack检查机在（LD ）位置。65、不属于 B3 C/F CIM 中 Re port System 功能的是（） 66、哪项不属于CF CIM系统的硬件 67、不同型号制品，在ITO生产切换时，lot start特别需要确认的信号为_LineCode（ dummy填充信号 ） 68、设备 Input Status=2意义是(process ) 69、不是倒角检查机判NG标准是 70、CF工厂采用的PR胶的特性是（ 负性胶 ）71 .BML tac

25、t time 为 20s时，cleaner 的搬送速度为(7200_mm/min _)72. VCD的主要作用是（真空干燥，去除Coater后PR胶里的大部分溶剂）73. BLU Li ne上HCP Buffer给曝光机 St op Sig na信号的情况是 （HCP出现Glass堆积，超过set值）74.不属于Coater Mura的是（共同Mura、蝴蝶、显影 Mura等）75. Coater管路中主要用于排除PR内气体的结构单元是（脱泡器）76. 下列设备中哪种设备是PSL所有的（PSM_）77. 显影液的成分是（KOH_78. CF膜层中起液晶层Spacer作用的是（PSL_）79.

26、CF膜层中起挡光作用的是（BML_ ）80. PS高度设备的测量原理是（白光干涉）（第二份）1.利用Hot P late除去Coati ng后残留的Solve nt成分并增加Resist和 Glass之间的 紧密性，且通过Cool Plate把Resist和Glass的温度冷却到常温的工程是（HPCP） 2.不属于影响工程能力的主要要因（4M）的是（）3. BGR Line的设备排序中正确的一项（）4. 不属于BGR重点管理标准的是（）FAB收率 ）5. 整体工序进行期间,关于Reject的Glass的收率定义是（6. 曝光机Unit说明中不对的是（）7. 受升华物影响发生的问题点中受影响最少

27、的是（tact time 8 Line 中 Post bake之后有 Buffer 的门6是(BMLPSL )9. 不属于缩短Coater中的PR的Job Change时间的方法是（AOI检查 ）11. P attern Re pair的功能中，不包括（12.表示检查的特性值是（位置精度I H3H118.当今在显示领域处于主导地位的是（TFT-LCD )oaara13. 显影机使用HPMJ的产线是（BMLAOI )14. BML P attern Re pair的修正情报来自( 15 .关于B3曝光机的说法，错误的是（16. V-PAD的作用( 清洁 nozzle )17. B3 Coater

28、机 Tip的材质（超硬合金19. TFT-LCE显示器中，控制显示色彩的器件是（ CF ）20. TFT-LCffi示器的显示性能指标包括（分辨率、灰度和色度、亮度、对比度、 响应速度、可视角度、开口率）21. BOE B3工厂使用的CF制备工艺属于（ 湿刻 ）22. OCL上 Future Area会安装部分设备，作为 Test Line使用，不包括（23. Coater中异物检查sensor的位置在哪里？ （ nozzle前面）24. 0C的mura检查要使用什么lamp ?（NA灯）25. B3 line 中, ULD未与 CSB相连的是？( OIB PSL FIL )ICL IAL、I

29、BL RPL BML、BLU26. OC层的作用是（起保护、平坦化作用27.为什么要对新员工进行安全教育？下列错误的是（28.员工在安全性生产方面的权利有（29.下列颜色中，不属于安全色的有（安全色：红、绿、黄色30.下列部件或系统不属于Stocker的是（）31. C/F CIM中从Line PC得到生产计划并下放到各设备的是（ BC32.下列哪项不属于CF CIM系统的硬件（）33. CIM系统中，BC（Block Controller）与设备的PLC进行联接的协议是NET/G ）MELSEC34. Report System的登录网址是(/BOE/login

30、.html )35.已登录过的制造作业日报，还能继续进行的操作不包括（36.产线内Force Judge的操作界面位于哪台PC （ BM位置、office37. BM PR的功能不包括下列哪项？（具有提高对比度、阻隔用）BGR减小反射率的作38.哪项不是BGR光阻所要求的主要特性？（ BGR需有高的色纯性、显像后无残留、好的图案平整度）39.哪项不是PS光阻所要求的主要特性？ （ PS需要有涂布均一性、较好的弹性性能、 高感光性和解析度）40. 下面广视角技术中，属于 BOE独有专利的是：（ADS即 FFS）41. LCD相关性能指标中描述不正确的是：（高的透过率和色纯度、高对比度、 低反射率

31、、高平整度、良好的耐受性）42. C/F制作过程中，ADS即FFS产品与TN产品主要不同点：（ADS有背面ITO43. CF Coate设备使用的Nozzle长度为：（ 小于1497mm）44. 哪条Line上的VCD是一个Chamber采用两组Dry Pump进行抽真空：（PSL45. Line DCV均没有 ID Reader的是：(BML、BLU46. 关于HP与CP说法错误的是（）31)。47. BML Pre-Bake最多可以以容纳多少张Glass?（48. 下列关于CF Cassette Cleane说法中错误的是：（49. ADS即卩FFS模式下，CF的工艺流程是（）50. 防尘

32、服穿着顺序是（）100m、5m )51. 一卷研磨带的长度及报警长度（52. FIL AOI接受基板正面反射光的Camera的检出力是多少微米（ 7um ）53. 判断NSK曝光机的号机别及 L R Type（）54. 对于M/C移动时，Cassette处的坐标为（）55.曝光机Fly eye Lens的作用是？（使光强度均一后送入下一个Mirror ） 56. PSL曝光机不同于其他Line的结构？ （DUV filter ）57. 目前 CF工场的 Mask Size是多少(1200 x 850)58. BML曝光机与B/G/R/PS Line曝光机的主要区别是什么：（对位方式不一样59.

33、 以下特性值测长机不能测量的是（OD ）60.测长机测量的完整顺序为（LD -Lift Pin Down-对位，吸真空，测量，Pin UP, ULD ）61. CF工厂采用的PR胶的特性是 （负性胶62. CF工厂内,ULD处设有NG Port的Line为?(Red,RP L,BML,FIL )63关于Coater SPL部的装置不正确的是？（64. Coater SPL部 Cleaning时不包括哪项？（65.由Exposure Photo Mask引起的不良名称是？（共同缺陷）66.哪条 LINE均有 Reverse ICL IAL、IBL、ANL、RWL OIA )67.CF工场中，BU

34、FFER C中 Buffer容量为80s的Line数量及Line别为（BM68.Robot Teachi ng说法正确的是？（69.70.层假设 Line Tact 20sec PBK烘烤时间 18min , PBK Oven至少需要(54RED ULD GR基板未进入SCS Por的可能原因，不包括（）71.关于OIA的作用（测量色度、透过率、段差、阻抗、外观等特性值72. Rework设备基本作业流程：（ 剥离PS-蚀刻ITO剥离RGB/BM清洗73. Mask Cleaner的Stock及Manual Inspection作用分别是：（存放、外观检查 MASK ）74. VCD装置工作的

35、前1015sec缓慢抽真空的原因是？（防止抽真空时产生 气泡）75. CF工厂各Line均在生产过程中，厂务供电端突然跳闸断电2sec, EXP Mask掉落与正在曝光的Glass粘连到一起，请问怎么分开 Mask减少损失？（先放入 水池中浸泡，再分离）76. FIL检出多张21.5inch Glass背面局部泛红泛绿，最可能原因是（Overlay偏 小 ）77. Line有打标设备的是（BML、RWL ）78. BM/BGR/PSL的PBK烘烤时间都w 20min,而OCL的PBK烘烤时间为40min的原因是（OCL属于整体涂布，PR含量较高）79. Sharp四色技术中新加入了哪个色层？（

36、 yellow ） 80.下列参数中可控制Glass涂布前端膜厚，实现膜厚均匀性的是（Pump rate/Gap ）知识点 3-评价（第二份）1.使用于Clean设备中2流体的原材料是（离子水DIW和CDA ）2. Line ULD中没有 NG Port 的 Line 是（ 有 NG Port的 Line为 BM、RPL RED ）3. 在全数检查机里无法确认的是（Mura ）。15. Titler在基板上打出的ID个数为（2）。4. 受升华物影响发生的问题点中受影响最少的是（Tact Time ）。5. BML运营中，曝光完毕后进入的工序是（TTL ）。）。7. 哪条线的 AOI 具有背面异

37、物检查功能（BML、 FIL ）。6.不属于Exposure CP功能的是（功能包含冷却、预对位、检查异物12.不属于Coater CWS系统的是（）。）。2 个 ）。13. V-PAD的作用（ 将Nozzle先端部用清洗液和Air 洗净并干燥 ）。14.关于B3曝光机的说法，错误的是（）。8. Coater涂布后，第一时间去除PR胶中溶剂的设备是（VCD ）。9.在FIL进行的关于Glass检查的收率定义是（FIL Input-PD前工程Force NG-FILNG） /（FIL Input- PD前工程 Force NG） ）10. Clea ner设备中最后除水气的设备是（A/K 11.

38、 TFT-LC血示器中，需要偏光片的数量是（16. PSL 工程设备正确的顺序为（ 预洗、涂布、预烘、曝光、显影、检查）。17.把涂布在 Glass上PR成分中的SOLVENT成分在真空状态下汽化使 Coating 面的平坦度及固化程度维持在一定水准的减压干燥装置是（VCD ）。18. 利用 Hot Plate 除去 Coating 后残留的 Solvent 成分并增加 Resist 和 Glass 之间的紧密性，且通过Cool Plate把Resist和Glass的温度冷却到常温的工 程是（HPCP 预烘）P re-Bake ）。19. BLU Line正确的曝光 Process顺序是（Pr

39、e Alignment Gap 制御f Alignment 曝光）。20.不属于缩短Coater中的PR的Job Change时间的方法是（）。21. BML上正确的曝光机 Process顺序是（ Pre Alignment Alignment Gap 制 御 曝光仔细看曝光 Shot 顺序 Front侧和Back侧）。22. Line 中 Post bake之后有 Buffer 的 Line 是（BML PSL）。23.哪一项不是common defect发生的原因（发生原因根本：Mask被污染 ）。24. EUV使用的光源是（ Xe气灯 ）。25. 利用CDA的湿设备部件是（A/K （优先

40、）Air Curtain）。26.反映BM Pattern宽度的特性值（CD）。）。31. B3曝光机采用下列哪种形式（接近式曝光）。27. Pattern Re pair的功能中，不包括（包含：laser、i nk、uv固化）。）。28. TD相关的是（Nozzle拆解，Nozzle的调整等等29. BML Pattern Repai的修正情报来自（ BM AOI ）。30. 设备中不能发出Stop Signa的是（能发的HPCP后面的Buffer，显影机buffer， Visual检查机，ULD, AOI等32. B3 Coater采用（SPLSpinless Coate，Priming

41、Plate,不是 Priming Roller ）。33. B3 Coater机Tip的材质（超硬合金）。34. 当今在显示领域处于主导地位的是（ LCD ）。35. TFT-LCD示器中，控制显示色彩的器件是（ CF ）。36. TFT-LCDa示器的显示性能指标包括（LCD显示器主要性能指标: 响应时间； 可视角度；分辨率；色彩浓度；亮度；对比度 等37. CF工场的基本工艺流程是(ICL-BML-BLU-GRN-RED-RPL-ITO-PSL-FIL)。38. CF膜层中起液晶层Spacer作用的是（PS 全称 Photo Spacer )。39. BOE HF的显示产品应用领域不包括（

42、MP3/手机 40. Crack检查机在哪个位置（LD 注意ANL ITO LD及 FIL LD口没有Crack检查 机）。41. 在下列工程中，选择与其他工程不一样的工程（ 注意OC FIL ICL ITO-ANLBGR/BM、RWL MCL之间是有区别的42. 影响Pre-bake的最重要参数是（ 加热温度排气压Exhaust，接近及接触加热时间、43.哪一个不是Coater涂布使用的（44. Visual的功能不包括以下哪项（ 送Stop Single及外观检查Visual可以区别Coater和曝光机别，可以发45.下面物流装置中哪一个是直接装载Glass的（CST即卩 Cassette

43、)。46. TFT-LCD勺结构不包含以下哪一个（MASK47.制作过程中，FFS产品与TN产品主要不同点（在背面做ITO48. Re pair动作顺序正确的是（先测，再磨，再测,49.不属于FIL不良检查项目的是（PS高度50. FIL上不需要重新再检查的 FIL Code是（OK 0000, 0001 等）。51. TN模式的制品经过RPL后流向（ITO）。52. FFS模式的制品经过RPL后流向（OC）。53. FIL AO判定OK的进入以下哪台设备（FIL VIS54. RPL Repai运行模式（Auto）。55. FIL Re pai 运行模式（Manual）。56. RPL re

44、pai由几台PC管理（2）。57. PRL ULD有几个 PORT口（ 1 ）。58. Rep air机中测量异物高度在原理是测高Sensor物理测定）。59. Rep air可修补的缺陷（ 黑缺陷）。60. Pattern rep air的ink是在几倍物镜下进行的（10）。61. Pattern repair的Laser是在几倍物镜下进行的（20 ）。62. FIL出荷检查的基板是之前被判定为（RP ,GR）。64.哪项不会影响研磨效果（ 测高Senor偏差，研磨帯问题等会影响）。65.叙述错误的是（）。66. FIL AO叙述正确的是（）。67. PS 高度设备中无法进行测量的项目是（可

45、以测PS高度Size等）。70. 不属于 BGR 重点管理标准的是（ 厚：）。属于色度、线幅、位置精度、外观、膜71. Coater用到的清洗液的主要成份是（异丙醇- PGMER ）。72.曝光机 Unit 说明中不对的是（）。68. 在 BM, BLU, GRN, RED, PSL Li使用的显像液是（KOH 类显影液 ）。）。69. 请找出以下BGR Line的设备排序中正确的一项（）。73. 当 BM TP 及 CD 发生 NG 时，需要用什么设备测量（ 测长机74. line中那条线的清洗机带有 Brush（ ICL ,ANL）。）。75. BML AOI检查一张glass时的扫描次数

46、为（1 76.下面哪一部件在 UV Asher有，而EUV没有（O3 killer即臭氧消除器 或IR红外加热装置 ）。77.下列特性值中，不能在测长机中测量的是（能测得是，BM TP、CPCD ）。78.使PR胶发生反应的工序是（ 曝光期间发生光化学反应）。80. OCL上的全数检查机不能测量的项目有（0C膜厚）。3. V-PAD的作用（同上）。第二份）4. Rep air照明装置有（金属卤素灯 等等）。5. Line ULD中没有 NG Port的 Line是（有的 Line是：BML、RED RPL FIL）。6.不属于Exposure CP功能的是（冷却、预对位、检查异物）。7.哪条线

47、的AOI具有背面异物检查功能（BML,FIL ）。8. Coater涂布后，第一时间去除PR胶中溶剂的设备是（VCD。9.在FIL进行的关于Glass检查的收率定义是（检查收率）。10. Clea ner设备中最后除水气的设备是（A/K）。11. TFT-LC血示器中，需要偏光片的数量是（2）。12.不属于Coater CWS系统的是（）。13. 在全数检查机里无法确认的是（ 异物种类）。14.关于B3曝光机的说法，错误的是（）。15. Titler在基板上打出的ID个数为（2）。16. P atter n Re pair的功能中，不包括（AOI检查）。17.把涂布在 Glass上PR成分中的

48、SOLVENT成分在真空状态下汽化使 Coating28.下列选项中，与TD相关的是（）。VCD）。面的平坦度及固化程度维持在一定水准的减压干燥装置是（ 18. 利用 Hot Plate 除去 Coating 后残留的 Solvent 成分并增加 Resist 和 Glass 之间的紧密性,且通过Cool Plate把Resist和Glass的温度冷却到常温的工程是 （HCP。19. BLU Line正确的曝光Process顺序是（）。20. 在显影过程中由于 BM 显影机漏液造成，直径为 23mm 左右，且发生随机 的 Mura 是（ BM 小黑点 ）。21. BML上正确的曝光机Process顺序是（）。22.以下 Line 中 Post bake之后有 Buffer 的门6是（BML/PSL。23. Repair设备的Process动作是（测量-研磨-测量）。24. EUV使用的光源是（紫外线）。25. 外部 BM 盲失检查区域是（ 2mm）。26. 反映BM Pattern宽度的特性值（CD ）。）。27. 请找出以下BGR Lin