完整word版CASTEP计算理论总结实例分析

1、CASTEP 计算原理XBAPRS1CASTE计算理论总结XBAPRSCASTEP寺点是适合于计算周期性结构，对于非周期性结构一般要将特定的部分作为周期性结构，建 立单位晶胞后方可进行计算。CASTEP计算步骤可以概括为三步：首先建立周期性的目标物质的晶体；次对建立的结构进行优化，这包括体系电子能量的最小化和几何结构稳定化。最后是计算要求的性质， 如电子密度分布(Electron density distribution),能带结构(Band structure)、状态密度分布of states)、声子能谱(P ho non sp ectrum)、声子状态密度分布 (DOS of p ho n

2、on)，轨道群分布（De nsity（Orbitalpopulations)以及光学性质(Optical properties) 等。本文主要将就各个步骤中的计算原理进行阐述，并结合作者对计算实践经验，在文章最后给出了几个计算事例，以备参考。CASTEP十算总体上是基于 DFT,但实现运算具体理论有：离子实与价电子之间相互作用采用赝势来表示；超晶胞的周期性边界条件；平面波基组描述体系电子波函数；广泛采用快速 fast Fourier tran sform (FFT)体系电子自恰能量最小化采用迭带计算的方式；采用最普遍使用的交换-相关泛函实现 DFT的计算，泛函含概了精确形式和屏蔽形式。一，CA

3、STEP中周期性结构计算优点与MS中其他计算包不同，非周期性结构在CASTEP中不能进行计算。将晶面或非周期性结构置于一个有限长度空间方盒中，按照周期性结构来处理，周期性空间方盒形状没有限制。之所以采用周期性结构原 因在于：依据Bloch定理，周期性结构中每个电子波函数可以表示为一个波函数与晶体周期部分乘积的形 式。他们可以用以晶体倒易点阵矢量为波矢一系列分离平面波函数来展开。这样每个电子波函数就是平 面波和，但最主要的是可以极大简化Kohn-Sham方程。这样动能是对角化的，与各种势函数可以表示为相应Fourier形式。对体系哈密顿量进行数值化计算;艺|k+GgG + Von（G - G）+

4、 Vh（G - G）+ V Vi are the spherical harmonics and V在不同角动量通道均采用同一个赝势值称为定域赝势（率更高，一些元素采用定域赝势就可以达到准确描述。赝势的硬度（ 重要的概念，当一个赝势可以用很少的此相反。早期发展的准确规范保守赝势很快就发现在过渡元素和第一周期元素（ 十分“硬”，提高规范保守赝势收敛性质的各种方法都已经被提出，在 动能优化而来的规范保守赝势。Van derbilt提出了另一种更基本的方法，放宽规范保守赝势的要求，从而生成更软的赝势。在超软赝势方法中，芯电子区的赝平面波函数可以尽可能的“软”，这样截止能量 就可以大幅度的减少。超软赝

5、势与规范保守赝势相比除了“更软”以外还有其它的优点，在一系列预先 设定的能量范围内遗传算法确保了良好的散射性质，从而使赝势获得更好变换性和准确性。超软赝势通 常将外部芯区按照价层处理，每个角动量通道中的占据态都包含了复合矢。这样就增加了赝势的变换性 和准确性，但同时是以消耗计算效率为代价的。可转移性是赝势的主要优点。赝势是通过孤立的原子或 离子特定的电子排部状态下构建的，因此可以准确的描述原子在那些特定排部下芯区的散射性质。在相 应条件下产生的赝势可以用于各种原子电子排部状态以及各种各样的固体中，同样也确保了在不同的能 量范围内具有正确的散射状态。Milman给出了不同化学环境和一系列结构中采

6、用赝势描述准确性事例。非定域赝势即使在最有效离散表示情况下，体系能量赝势计算依然占用了大量计算时间。此外，在倒易 点阵空间采用非定域赝势会因原子数目增多而耗时以原子立方数增大，因此对于大体系是很适用的。赝 势非定域性是指只有在超过原子芯区时它才会扩展，由于芯区是很小的，特别是当体系包含有许多的真 空腔体时，在实空间采用赝势来计算就有很大的优势。这时计算量随体系中原子数目平方增长，因此是 很适合大体系计算的。将电子划分为芯电子和价电子在处理交换-相关相互作用时会产生新问题，在原子芯区两个亚体系叠加在赝势产生过程中很难完全去屏蔽。在赝势能量算符中与电子密度存在非线形关系 的项就是交换-相关能。Lo

7、uie等采用了一种简单的方法来处理芯电子和价电子密度之间非线性的交换 相关能。这种方法在很大程度上提高了赝势的可变换性，特别是自旋极化的计算更为准确。当准芯区电 子不能简单处理为价电子时非线性核校正就很重要。另一方面将他们简单地包含在价层亚体系中从本质 上可以避免 NLCC处理的必要性。规范保守赝势：采用赝势计算关键在于可以有效的对化学键的价电子进行可再现的近似，赝势与全势在超过离子实半径 以后具有完全相同的函数形式。of the all-electronand pseudized wave functionsFigure 1. Schematic rep rese ntati on and

8、poten tials两个函数平方幅度的积分数值应该 是相同的，这等同于要求赝势波函数具 有规范-保守性，比如每个赝波函数只能 描述一个电子的行为。这样的条件就确 保了赝势可以再现正确的散射性质。（Scatteri ng Prop erties）生成赝势的典型方法如下所述：选 择某个特定的电子排部状态（不一定就是基态)全部电子计算在一个孤立的原子中进行。从而得到原子价电子能量本征值和价电子波函数。选 择一个离子赝势或赝波函数参数形式，通过对参数的调节，使得赝原子计算和全电子原子赝势计算采用 相同的交换-相关势，在超过截止半径后与价电子波函数形式相同，赝势的本征值等于价电子的本征值。 如果电子波

9、函数和赝势波函数满足正交归一，两者在截止半径以外的匹配性决定了规范-保守条件自动成立。离子赝势的截止半径是实际物理芯区的二到三倍。截止半径越小，赝势越“硬”而适用性(transferability)好。计算精度和效率决定了实际中采用的截止半径的大小。在固体计算中依据能量的截止存在一系列优化赝势的方法, 方法：在截止半径规范-保守赝势优化Lin基于Rappe早期工作提出了下列赝势产生cutoff radius )内，赝势波函数可以表达为：PS屮(r)4詁山),即嵩7ji (qir)是球形Bessel函数，在r=0和r=Rc之间有(i-1)个零点。为保证赝势的实用性，截止半径越大越好。超过截止矢量

10、 qc对动能最小化可得到系数i O%(X，qc)町匕门皿%)kC0llQ屮PSl2(q)在第一个方程中让 qc等于q4。其他的三个限制条件使得赝波函数在进行Lagrange连乘(Lagrangemulti pliers )时保持正交化(normalization )，并且使赝波函数在 Rc处的第一个二介偏微分是连续的。半 径相关Kohn-Sham方程反转标准步骤产生的一个具有理想收敛性质的平滑赝势函数。Lee提出了进一步改进的方法，在 CASTEF数据库中固体规范保守赝势就是采用他的思想设计的。这种通用的方法消除了 在特定的截止半径处赝波函数的二介偏微分必须是连续的条件，因为它是自动满足这个条

11、件的。这样对 于特定截止半径Rc允许我们通过调节qc提高赝势的精度和计算效率。超软赝势(ULTRASOFT PSEDUP0TENTIAL)为了能够使平面波基组计算中所采用的截止能量尽可能的小，Van derbilt提出了超软赝势方法。 众所周知规范-保守赝势在收敛优化中存在本身缺陷，所以就设计了另一种方法。超软赝势基础是在大多数情 况下只有当紧密结合原子价轨道加权性分数大部分在芯区时，利用平面波基组计算才要求较高的截止能 量。在这种情况下，减少平面波基组的唯一方法就是解除(violate)规范-保守赝势成立条件，将这些轨道中的电子从芯区移去。芯区的赝势就可以尽可能的“软”，从而使截止能量降低达

12、到要求。从技术上 讲，通过引入一个广义的正交归一化条件就可以完成。为了覆盖全部电子电荷，在芯区对由电子波函数 模平方产生的电子密度进行适度放大(augmented)。电子密度划分成两部分：扩展在整个晶体中“软”部分和定域在芯区的“硬”部分。CASTEP计算原理XBAPRSVNl表达如下:固体中超软赝势公式超软赝势中总能量与采用其他赝势平面波方法时相同，非定域势VNlpn pm投影算符B和系数0)分别表征赝势和原子种类的差别，指数I对应于一个原子位置 。总能量用电子密度可以表示为：n(r)二!*i(r)2+送 0扁()inm,l*i#Q(r)是严格位于芯区的附加函数(Augment functi

13、on)。超软赝势完全由定域部分,是波函数，Vocion (r)和系数D0), Q and 确定，这些变量计算方法在下文中将做介绍。引入一个广义正交归一条件来解除规范-保守赝势的限制条件:6ij S 是哈密顿重叠算符(Hermitian overlap operator )nm,I qnm系数q是通过对Q( r )积分得到，超软赝势的Koh n-Sham方程可以写为:iSH代表了动能和定域势能之和，如下所示:CASTEP 计算原理XBAPRSH = T + V A + 送effnm在Vff中包含离子定域势 Vocion(r)，Hartree势和交换-相关势等项。通过定义一些新参数就可以将因附加(

14、augmented)电子密度而产生所有项全部包含在赝势的非定域部分。IDnmIDnmdrVeff(r)Qnm(r)11与规范-保守赝势对比，不同之处在于在超软赝势中存在重叠算符S,波函数与D有关而且事实上投影算符函数3 (Projector function )数量要比规范-保守赝势中大两倍多。与附加(augmented)电荷相关的一系列计算可以在实空间(real sp ace)中进行，这与函数中定域势的性质有关。多余的步骤不会对计算效 率产生较大的影响。在Laasonen文献中提供了超软赝势计算的详细方法以及总能量微分表达式。赝势生成：与规范-保守赝势情况一样，在自由原子上对所有的电子进行计

15、算，得到屏蔽原子势VAE(r)(screened atomic potential)。每个角动量选择一系列的参考能量，一般两个能量参考点就足够了。这些能量参考范围必须包含良好散射性质，在每个参考能量处求解与半径相关的Koh n-Sham方程，得到规则初始点。选择截止半径，对上面产生的每个全电子波函数构筑一个赝势电 唯一的限制条件是它必须在禺处与屮平滑相交。定义一个比所有芯区半径稍大的辅助半径R。最后就形成了定域轨道(超过R时就消失)：(冷Voc)以及它们矩阵内积(inner products):Bnm这样就可以定义用于固体计算的变量(V locion(r), D ，Q andP)：Qnm(r)

16、Jmn(几;qnm二 drQnmr)采用去屏蔽(descree ning pro cedure)方法计算Vocion(r),D 系数:ionVloc(Vloc-VH (r)Vxc (r )DnmnmJ drV loc ( r )(r )The nonlinear core correction (NLCC)，这与规范-保守赝在去屏蔽方法中可以引入非线性核校正方法(势中所采用的方法完全一致。在以下情况下超软赝势是很适用的: 赝本征值与所有电子本征值相同，在芯半径截止区以外赝轨道波函数与价电子波函数匹配一致；对于每 个参考能量散射性质都是正确的，这样通过增加参考能量点数目就可以系统的提高赝势的适用

17、性；在参 考电子排部情况下，赝势价电子密度与全价电子密度相同。关于非线性核校正Louie等人第一次提出了非线性芯校正，使得赝势对磁系统的描述更准确。然而，对于非自旋极化体 系中准芯区电子，NLCC也具有同样的作用。DFT总能量准确表达需要 NLCC如下：E =t P + E P + F P + F p tot To neeic在赝势的计算式中，电子密度分别来自于芯区电子和价电子。将芯区能量假设为一常数并切不计入计算。用一个价电子密度和由赝势计算得到的离子定域势民n来代替总电子密度，这样芯区电子与价电子之间所有的相互作用全部转移到赝势上。由此可以推断电子密度线性化只是对动能和简单非线性交换-相关

18、能的一个近似，很明显当芯区电子和价电子在空间很好分离时是一个良好的近似。但如果两个区域电子密度 的叠加密切时，计算体系本身就会产生错误，进一步减弱赝势实用性。解决NLCC问题的方法就是调节赝势生成方法以及在固体中计算方法。在产生赝势时每个角动量通道对应一个屏蔽势，并且满足一定的条 件，比如规范-保守，赝波函数本征值与全电子波函数本征值相同等。这些屏蔽势(screened potentials )对应的原子赝波函数(atomic pseudowavefu nctio ns)仅表示价电子。从这些波函数可以得到价层赝电子密度(Pseudo charge density)，通过对势的屏蔽得到光秃”离子

19、势( bare):VionWVVlj-VeeiyM-VxFJr)由于交换-相关势泛函是电子密度的非线性函数，对自旋极化体系采用这种方法产生的离子势与价电子排 列有关。Louie等提出了将上面方程替换为如下表达：Vion(rVl(rVeerv(r)HVxcrv(r pjr)在屏蔽原子势中减去总交换 -相关势。此外，在计算交换 -相关势时芯区电荷必须加到价电子中去，这个 额外原子状态信息传递给CASTEP在所有计算中芯区电荷认为(deemed)是相同的，这种做法的一个缺点是在利用赝势计算时芯区电荷很难准确的用Fourier网格表示。而且通常芯区电子密度比价电子密度大，这很容易将与价电子密度有关的影

20、响掩盖掉。以下部分将对部分芯区校正方程建立做介绍，该方法 充分的认识到价电子与芯电子密度重叠的区域才是我们感兴趣的。靠近原子核的芯电子密度不会产生物 理结果，虽然有如上所述的一些问题。部分NLCC采用一个在特定半径以外与 化一致的函数替代全芯电子密度，在原子核周围这个函数起伏是平滑的。在CASTEP中对一些特定元素在赝势中采用的部分芯区校正使用了数值化的芯区电子密度。在规范保守赝势中虽然有相关的内容，但在计算中并没有采用这个方法。A In troduction to DFT第一性原理(The first principle )计算也称为从头算起(ab-initial calculation)，

21、由于固体的许多基本的 物理性质是由其微观的电子结构决定的，因此通过求解多粒子系统的Schodinger方程，来获取固体全部的微观信息从而预测宏观的性质。利用这个思想建立的能量的哈密顿量非相对论形式可以表示如下：eL+Z 垦+ 2 ZZL 12圉订闲|12片诃2 i 竹j1j2(艺严 k(fe1 eej.fej!h1 rr2,-.弼乗 k(fei，e2e&.eni论;.h考虑到原子核与核外电子质量差别以及电子驰豫时间比原子核驰豫时间要小三个数量级，因此利用Born-Oppenheimer近似将原子核运动和电子的运动分离，从而将体系波函数划分为电子波函数和原子核波函数两个部分，分别用V 和*表示:

22、r ) = V (r r r 帘(re1,re2,re3,V*(n1,n2,.rnj)能量的哈密顿量可以分解为如下的两个方程:CASTEP计算原理XBAPRS(伍e21,2 弋j4詆2电.怙厂ij rerrnjeE 屮(r r rrke (eT e2 e3.ep(生2 V. j mnj j+ !： j i,j |reLnj+ Zj1j2j rnj1rnj2nrnj)- Ekn%rn1,rn2,第一性原理严格求解仅在氢分子中实现了，对于多粒子体系的计算几乎是不可能的。目前均采用不同的 近似方法来实现计算，主要方法有量表示如下：Hartree-Fock近似和 DFT近似。在Hartree-Fock

23、近似中体系的哈密顿E Total送(Jij-K KijKij为交换积分。甲F为第i个电子的Hartree-Fock的轨道能，Jij是库仑积分，表示电子静电互斥能, 交换积分所代表的交换能指电子由于自旋平行而引起的电子轨道库仑能量减少的部分。密度泛函理论(Density Functional Theory)建立了将多电子体系化为单电子方程的理论基础，并且给出了有 效势计算方法，是目前研究多粒子体系性质的一种普遍使用的重要方法。p (r)是决定该系统基态该理论认为对于处于外势场V( r)中相互作用的多电子系统，电子密度分布函数物理性质的基本变量。密度泛函理论中体系的能量泛函表示如下：Et(P) =

24、T(P) +U(P) + Exc(P)t(B : Kinetic energy; U (:classical electrostatic energy;Exc) :exchange and correlation energy由上表达式可见体系能量是电子密度的泛函，因此可以进一步将上式表达为:EtP(r)=心卩仃归打严广彳nP(r)P(r )drdr + Exc(r)在上式中第一项为电子在外场中的势能，第二项为电子的动能, 项为交换相关能，最后一项形式是未知的。系统的电子密度分布可以表达如下：第三项为电子相互之间的库仑能，第四P(r)=*i (r)2i#CASTEP 计算原理XBAPRS利用上

25、式可以将动能项表示为:T P(r)二-V 2U（P）表达为:UP(r) =2耳艸)i a-Z*（r）j +；彳*（1片02）；*（1九（12）+23azLapgRrR13ZaExc（ 9形式确定有两种方法:Gen eral Gradie nt App roximati on均匀电子气的交换-相关能泛函,彳-如十（瞥”Nn局域密度近似(LDA,Local Density Approximation )和广义梯度近似 (GGA,）。在局域密度近似（LDA ）中采用了均匀电子气的分布函数推倒出了非从而得到Exc（的具体形式。从近期计算结果相关报道来看采用局域密度近似（LDA ）计算在绝缘体中会产生较

26、大的误差，而且对带隙宽的半导体等得到不正确的结果。采 用局域密度近似（LDA ）主要的缺陷现归纳如下：对光学跃迁带隙预测很差（一般是过低估计带隙宽度）。这虽然对基态性质如电荷密度，总能量以及力影响不大，但在导带状态计算中却是个大问题，如关于光学性质，运输性质等的计算。在诸如光伏 装置等领域的研究中，带隙就是个很重要的问题。采用“剪刀”（Scissors）工具在固体带隙计算中很有用，但对我们未获得实验结果的物质，是不能采用这个方法的。对类似于二氧化硅这样的电子气分布极不均匀体系，基本假设中关于电子密度分布在空间是缓慢变化的条件是不满足的，这样的体系采用LDA处理就存在难题。LDA简单的认为计算体

27、系是顺磁性（Paramagnetic）的，对于包含未配对（Unpaired）自旋体系采用局域自旋密度近似（LSDA ）（对自旋向上（spin up）和向下（spin down）的电子分别采用密度泛函计算）是很有 用的，比如费米能级（Fermi level）处半填充的系统。最后一个很少关注的领域就是玻璃陶瓷工业，LDA对弱的结合键（如偶极涨落）很难描述，氢键（Hydrogen bond）在LDA中也无法获得准确的计算结果。GGA近似则改进了 L（S）DA,将相关交换能确定为电子密度极其梯度的函数，在GGA学派中以Perdew等人认为交换相关能的泛函形式应该以一定的物理规律为基础，构造了著名的PB

28、E泛函。将电子密度分布函数带入体系能量电子密度泛函中，对泛函变分求极小值，可以得到Kohn-Sham方程：CASTEP计算原理XBAPRS(r ) = Ei(r)-VVKS(r)VKS交换-相关能可以按照下式计算:Exc卩P (r)E P (r )drXCp:nu mber of p articles;E xcP(r):excha nge-correlati on en ergy per p articles in an uniform electr on gas ;p(r):distributi on function of electro n den sity.Tp( r )称为交换-相关

29、势和，表示为:卩 xcP(r)3P( r )在Castep计算中采用了周期性边界条件，单电子的轨道波函数满足Bloch定理，采用平面波展开式有:空i(r gK性i(r)周期性边界条件下的波函数扩展为一系列分离的平面波波矢，这些波矢与晶体的倒易点阵矢量相联系。S(r)Y Ci,GeiGR152.2晶体光学性质的计算基于以下原理:CASTEP计算原理XBAPRS电磁波在真空以及某种材料介质中传播时差别可以用一个复数式的折射指数来表示:N = n + ik在真空中N为实数，而且其大小为1;在其他介质中时若材料对于光是透明的则是一个纯实数，虚部对应材料的吸收系数(Adsorption Coeffici

30、ent )。它们之间的关系方程2所示：吸收系数表示的是电磁波通过单位厚度的材料时能量的衰减分数，通常可以用材料焦耳热的产生来衡量。 反射系数(Reflection Coefficient )可以简单通过将垂直光束照射材料的表面引起1-N1+N(n-fk2(n+fk28#在计算光学性质时一般先计算虚部的介电常数，其他的性质与介电常数之间建立关系。虚部介电常数计 算式由下方程确定：这样折射指数的实部和虚部以及介电常数之间的关系可以写为:2nk光导率(Optical conductivity)也是一个普遍用来描述材料光学性质的物理量。光导率的表达式为方程7：这个参数用来描述金属的光学性质，但在CAS

31、TEP中将计算范围扩大到了绝缘体和半导体。计算过程的主要的区别在于前者的光学谱中IR部分与内部能带之间的转变密切相关，而者则在计算内时并没有完全考虑到这些因素。(Energy Loss Function)，它描述了电子通过均匀从虚部介电常数可以进一步得到材料电子的能量损失函数 的电介质时能量的损失情况，计算式如下所示：-1lm(T在实验中我们可以测定的光学性质参数有吸收系数 n ()和反射系数R)。从理论上而言，得到这些CASTEP计算原理XBAPRS参数以后可以将方程 2、3、4表示为复数的形式之后得到表达式1中的实数部和虚数部。但在实际情况下由于入射光源的复杂性，而且晶体结构中极化效应使得

32、材料介电常数并非是各向同性的。此外材料表 面几何结构也不是理想的平滑表面。这些因素就限制了对其光学参数的预测。在CASTEP中提供的光学性质的计算支持体系极化，但状态只能在同种自旋间相互转化。晶体中声子和电子之间的相互作用可以用电子基态波函数中包含的含时微扰项来表示，声子电场扰动引 起了电子函数占据态和未占据态间的转变（磁场引起的效应要弱一个因数V/C），这些激发态（激子）聚集态称为等离波子。单独的态激发称为单粒子激子，这些激子对光谱产生的结果是导带和价带的状态密 度之间的连接可以通过选择合适的加权性矩阵元素来实现。在casteP虚部介电常数的计算按照方程9进行：2e2电（qT Q,叼k；,c

33、u,r叫EEE）19Fermi-Golden定理，j）可看作真实u矢量定义光束电场的极化性质。这个表达类似于含时微扰的名 1）。占据态与未占据态之间转换的细节。介电常数就描述了一种因果效应，它的实数部和虚数部之间由Kramers-Kronig变换相联系。利用这个变换就可以得到介电常数的实数部用于描述电子态转变的位置算符矩阵元素通常用动量算符矩阵元素来表示，这样可以在倒易点阵空间直接的进行计算。局域势函数会影响计算，在CASTEP计算中一般采用非定域势函数。本文在进行BFGS 晶体结构几何优化时就选择了非局域势函数。经过矫正后的矩阵元素可以描述如下：HXOcdWllr）叫10利用超软赝势（Ult

34、ra soft Pseudopotential）计算时会增加额外矩阵元素，在目前CASTEP计算中这部分矩阵元素并没有涉及。采用规范保守势计算结果发现与采用超软赝势计算符合的很好，因此额外的那 部分矩阵元素对于计算结果的影响不大。Drude校正的光导率cr0和Drude限制系数晶体光学性质IR部分受能带内部的影响较大，采用经验Drude表达形式就可以精确地描述这个影响。Id与材料许多实际参数有关，一般这些参数可以通过实验Drude的贡献，同样可以得到在其它光学常数中的分布。Auger得到。结合上式和式7就可以了解介电函数中Drude限制参数描述了计算过程中未涉及因素引起光谱宽化现象，比如电子间

35、的散射效应（包括 效应）、电子与声子之间的散射效应以及电子与晶体结构缺陷之间的散射效应等。在casteP中光学性质计算结果的准确性与下列因素有关：1. 导带数量（Number of con duction bands）:直接决定了 Kramers-Kro nig 变换的准确性。2. 截止能量（Energy cutoff）:体系能量进行迭代计算过程中，电子基态能量本征值精度直接影响能带结构 以及光学性质，提高截止能量的数值可以提高计算精度，可以得到更准确未占据态的自恰电荷密度和震动自由度。3. 迭代计算中 K点数量(Number of k-points in the SCF calculatio

36、n):与截止能量对体系基态能量计算影响 一样，K点数量越多，迭代计算能量越准确。4. 积分 Brillouin zone K 点数量(Number of k-points for Brillouin zone integration):在计算光学性质矩阵元 素时Brillouin zone选取的K点数量应当是合适的，与电子能量相比，矩阵元素在Brillouin zone变化更快,因此必须选取足够数量的K点来提高矩阵元素计算结果的准确性。从目前计算结果对比来看，提高上述参数的准确性时，光谱中特征峰可以快速地达到实际的要求。当 然CASTEP中对光学性质的计算还有不少的局限性，电介质极化引起的局域

37、场效应在现在计算中被忽略 了，这对光谱计算有一定的影响，但在目前计算方式下将是无法进行的。准粒子和DFT能带带隙以及激子等都会影响计算结果。状态密度在Brillouin zone 区的表示：给定能带n对应的状态密度 Nn(E)定义为:、八、dkNn (k) =4兀(E- En(k)En(k)描述了特定的能带分布情况，积分在整个Brillouin zone进行。另外一种表示状态密度的方法基于Nn (E)dE与第N级能带在能量E到E+dE范围内允许波矢量数成比例。总体状态密度N (巳 就是对所有的能带允许电子波矢量求和，从能带极小值积分到费米能级就得到了晶体中包含的所有的电子数。在自旋 极化体系中

38、状态密度可以用向上自旋(多数自旋(majority spin) )和向下自旋(少数自旋(mi norityspin)分别进行计算，他们的和就是整体状态密度分布，它们的差值称为自旋状态密度分布。借助于状 态密度这个数学概念可以直接对电子能量分布进行积分而避免了对整个Brillouin zone积分。状态密度分布经常用于快速直观的分析晶体的电子能带结构，比如价带宽度、绝缘体中能隙以及主要特征谱峰强度 分析，这对于解释实验各种谱数据有很大的帮助。状态密度还可以了解当晶体外部环境如压力等发生变 化时电子能带的变化情况。状态密度数值化计算方法很多，最简单的方法是对各个能带电子能级进行采用柱状图取样Gau

39、ssian拟和。用这种方法绘制的状态密度分布图不存在类似于van-Hove奇点尖锐分布，但只需要少量的K点即可。其他的准确方法基于对Brillouin zone参考点之间采用线形或二次方内叉法。目前最可靠和普遍使用的方法是四面体叉入法，但这种方法与Brillouin zone网格特殊点是不融合的。因此CASTEP使用了由Ackland发展的简单的线性内叉法，对Monkhorst-Pack倒易基组平行六面体采用线性内叉法，能带能量组合基组进行柱状取样。2.4偏态密度(PDOS )和局域状态密度(LDOS)偏态密度(PDOS)和局域状态密度是一种分析电子能带结构有效的半经验方法。局域状态密度表示

40、了体系中不同原子在各个能谱范围内电子状态分布情况。偏态密度(P DOS)进一步将上述分布以角动量贡献进行量化分析。了解状态密度分布峰值中S、P和D轨道贡献是很有用的。LDOS和PDOS提供了一种定量分析电子杂化状态的方法，对于解释XPS和光谱峰值的起源很有帮助。PDOS计算基于Mullikenpopulation分析，每个给定原子轨道在能带各个能量范围内分布均表示出来，特定原子所有轨道的状态密 度分布和以LDOS表示出来。与整体态密度计算相似，采用了高斯混合算法或线形内叉法。Brillouin zone 积分取样大快固体中电子状态只允许存在于由边界条件确定一系列k点中，固体周期性结构中包含了无

41、限数 量的电子，这对应于无限数量的k点。无限数目的电子波函数计算利用Bloch定理转变为用有限数量k点计算有限数量的波函数。每个k点处电子占据态都会对电子势有贡献，因此在理论上要进行无限数量的 计算。对于十分临近的k点，它们的电子波函数几乎是完全相同的，因此在DFT表达中对所有k点求CASTEP计算原理XBAPRS和（等价于对整个 Brillouin zone积分）可以采用有效的离散化数值计算，即在Brillouin zone选取有限数量的特殊点。进一步考虑到对称性，只对Brillouin zone无法简并的部分才计入计算过程。Payne以及Srivastava and Weaire等人的文献

42、提供特殊k点选择方法以及求和加权的评论。采用上述方法以后，选用 很少的k点对绝缘体电子状态计算就可以获得对电子势和总能量准确的近似。对于金属体系而言为了得 到费米能级准确性，需要更致密的k点数量。采用更多k点数量就可以减小因K点数量限制而产生的对 总能量计算的误差，与获得基组数量方程收敛方法类似。当对对称性不同的两个体系的能量进行对比时， 与k点取样相关的计算收敛精度要更高，例如比较FCC或HCP结构相对稳定性。在这种情况下计算 误差是不可避免的，因此能量必须达到绝对收敛精度。要注意的是，体系总能量不会因k点数量的不同而发生变化，因此即使收敛精度很低时能量计算也一样， 这就与平面波基组截止能量

43、的收敛计算不同，后者平面基组增大时总能量会减少。Monkhorst-Pack 特殊点（special points）Mon khorst -PackMon khorst -PackMon khorst -Pack发展了一种目前普遍采用的特殊k点产生方法，最初只在立方体系中使用，后来将其进一步扩展到了六方晶格中，在倒易空间沿着坐标轴生成均匀规则分布的k点网络。网络采用三个积分来定义，qi where i=1,2,3，确定了与主坐标轴之间的偏差。这些积分得到了下面的一些数字:ur=(2 r-qi-1)/2 qwhere r varies from 1 toq.23from these seque nces by:The Mon khorst -P ack grid is obta ined kp rs=Upb1 + U rb2 + U sb3q1q2q3这个基组不同点进一步调和，对调和基组中的特定点按照其镜像对称点进行加权性取样。在对基组中所有点调和前，可以增加一个常数变化，应用于六方点阵结构时，在沿a and b轴方向所有点产生一个轻微修正的结果。Up=(p-1)/ qiWhere p varies from 1 toq.计算材料学报告中应当注意的问题：随着新一带材料学计算软件的不断开发和更新，采用计算机来模拟和预