南信大模拟电路期末试题

1、复习题二 注意：1、先把书上知识点和做过的作业理解会做，然后再复习这部分内容。 2、期中考试前发的样卷里有很多第十章直流稳压电源相关的题目。 1、放大电路中的静态分量是指,动态分量是指。 A、直流电源所提供的电压、电流， B、电压、电流中不随输入信号变化的部分， C、电压、电流中随输入信号变化的部分， D、正弦交流输入、输出信号 2、NPN和PNP型晶体管的区别取决于 A、半导体材料硅和错的不同，B、掺杂元素的不同， C、掺杂浓度的不同，D、P区和N区的位置不同。 N沟道和P沟道场效应管的区别在于 A、衬底材料前者为硅，后者为猪， B、衬底材料前者为N型，后者为P型， C、导电沟道中载流子前者

2、为电子，后者为空穴。 3、晶体管工作在放大区时，发射结为，流过发射结的主要是；集电结为. 流过集电结的主要是 A、正向偏置，B、反向偏這，C、零偏置，D、扩散电流，E、漂移电流 4、某硅二极管在正向电压Up =0.6V时，正向电流ID = 10mA。当（7。增加10% （即 增大到）时，则人）约为。 Ax 10mA B、11mA , C、20mA D. 100mA 5、已知某二极管在温度为25C时的伏安特性如图中实线所示，在温度为7；时的伏安特 性如图中虚线所示。 1. 在25C时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大 2. 温度7；是大于25C还是小于25C 6、两个放大倍

3、数相同、输入和输岀电阻不同的放大电路A和B,对同一个内阻等于零 的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明 A的输出电阻比B的 A、输入电阻，B、输出电阻 C、大，D、小 7、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻 的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压比B的小，这说明A的 、输岀电阻比B的。 A、输入电阻，B、输出电阻 C、大，D、小 8、某硅晶体管输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及英交流负载线、静态工作 点。如图所示。设晶体管的：=, 1. 确左人的数值，画岀宜流负载线（要标出关键点的数值）；

4、2. 确泄沧和心的值； 3. 在这种情况下，最大不失真输岀电压幅值是多少 4. 为了获得更大的不失真输出电压，心应增大还是减小 9. 放大电路和所使用的晶体管输岀特性曲线如图所示.晶体管的厶鼻=,电容的容量足 够大。 1. 估算电路静态时的氐： 2. 图解确定电路静态时心和虽Q： 3. 图解确立此时的最大不失真输出电压幅值岛； 4. 为获得尽可能大的不失真输出电压，尺卜应调整到多大（设饱和电压虽s=）。 10. 已知图示电路中晶体管的0 = 150, rbb. = 3OOQ . 鼻=，电容的容量足够大，对 交流信号可视为短路。 1. 要求静态电压UQ =4V,估算皿的值。 2. 求电压放大倍数AQjUj、输入电阻 rbel +(1 + 01)R； + R) Lmax fOM 如 R = 34375O 6 12 0 -6 o/V =4 = 4V U“= 2V UT2 =10V 2. 1/V no/V 6 一 U!2/V -6 no/V 6 23、1. U ! -HUz L 6 6 0 D1+ D2 0 xof n In3n4n U,U.L 2o(AV)a 092，L(AV)2 9，D(AV)a 45 , Urm = 2l2