项目一晶体硅太阳电池制造工艺

1、 项目一项目一 晶体硅太阳电池制造工艺晶体硅太阳电池制造工艺 通过前面的学习，我们掌握了半导体的一通过前面的学习，我们掌握了半导体的一 些理论知识，了解了由石英砂到硅片的加工过些理论知识，了解了由石英砂到硅片的加工过 程。但是，硅片的制备目的是什么呢？主要是程。但是，硅片的制备目的是什么呢？主要是 为了下一步晶体硅电池片的制备。晶体硅太阳为了下一步晶体硅电池片的制备。晶体硅太阳 电池的制备工艺有哪些呢？从今天开始我们就电池的制备工艺有哪些呢？从今天开始我们就 进行这些方面的学习。进行这些方面的学习。 1、掌握所用硫酸、硝酸、氢氟酸、氢氧、掌握所用硫酸、硝酸、氢氟酸、氢氧 化钠、三氯氧磷等药液的

2、特性，所发生的化钠、三氯氧磷等药液的特性，所发生的 化学方程式。化学方程式。 2、掌握晶体缺陷的类型。、掌握晶体缺陷的类型。 3、掌握材料的光学特性。、掌握材料的光学特性。 4、了解半导体的欧姆接触特性。、了解半导体的欧姆接触特性。 通过学习，了解制绒、扩散、刻蚀、通过学习，了解制绒、扩散、刻蚀、 pecvd、电极制备等设备的结构，并且会、电极制备等设备的结构，并且会 进行基本的操作。掌握椭偏移、冷热探针、进行基本的操作。掌握椭偏移、冷热探针、 电子天平秤、电子显微镜等检测设备的使电子天平秤、电子显微镜等检测设备的使 用方法，并且能够通过检测数据判断制备用方法，并且能够通过检测数据判断制备 工

3、艺的合格与否。工艺的合格与否。 任务一任务一 硅片的清洗制绒硅片的清洗制绒 任务二任务二 扩散制结扩散制结 任务三任务三 刻蚀刻蚀 任务四任务四 减反射膜的制备减反射膜的制备 任务五任务五 电极制备电极制备 项目内容项目内容 任务一任务一 硅片的清洗制绒硅片的清洗制绒 选择恰当的制绒试剂是制绒好坏的关键，选择恰当的制绒试剂是制绒好坏的关键， 根据根据 不同的硅片正确选择试剂；通过学习，掌握制绒的不同的硅片正确选择试剂；通过学习，掌握制绒的 整个流程及其原理。整个流程及其原理。 1、除去来料表面的机械损伤层；、除去来料表面的机械损伤层； 2、除去表面的有机物，金属杂质；、除去表面的有机物，金属杂

4、质； 3、在硅片两个表面形成一层绒面（或者表面织、在硅片两个表面形成一层绒面（或者表面织 构化）以增加硅片对光的吸收，降低反射构化）以增加硅片对光的吸收，降低反射 一、晶体硅表面的反射原理一、晶体硅表面的反射原理 二、单晶与多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 一、晶体硅表面的反射原理：一、晶体硅表面的反射原理： 当光入射到一定角度当光入射到一定角度 的斜面，光会反射到另一角的斜面，光会反射到另一角 度的斜面，形成二次或者多度的斜面，形成二次或者多 次吸收，从而增加吸收率。次吸收，从而增加吸收率。 制绒后硅表面的反射光制

5、绒后硅表面的反射光 一、晶体硅表面的反射原理一、晶体硅表面的反射原理 晶体硅太阳电池一般是利用硅切片，晶体硅太阳电池一般是利用硅切片， 由于在硅片切割过程中损伤，使得硅片由于在硅片切割过程中损伤，使得硅片 表面有一层表面有一层1020m的损伤层，在太阳的损伤层，在太阳 电池制备时首先需要利用化学腐蚀将损电池制备时首先需要利用化学腐蚀将损 伤层去除，然后制备表面绒面结构。伤层去除，然后制备表面绒面结构。 二、单晶与多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别 二、单晶与多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别 对于对于单晶硅单晶硅而言，选择择优化学腐蚀剂的而言，选择择优化学腐蚀剂的 碱性溶液，就可以在硅片表面形

6、成金字塔结构，碱性溶液，就可以在硅片表面形成金字塔结构， 称为绒面结构，称为绒面结构， 由不同晶粒构成的铸造由不同晶粒构成的铸造多晶硅片多晶硅片，由于硅，由于硅 片表面具有不同的晶向，利用非择优腐蚀的酸片表面具有不同的晶向，利用非择优腐蚀的酸 性腐蚀剂，在铸造多晶硅表面制造类似的绒面性腐蚀剂，在铸造多晶硅表面制造类似的绒面 结构，增加对光的吸收。结构，增加对光的吸收。 二、单晶与多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别 二、单晶与多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别 单晶制绒后显微镜观测图单晶制绒后显微镜观测图 多晶制绒后显微镜观测图多晶制绒后显微镜观测图 晶硅制绒后的绒面晶硅制绒后的绒面 二、单晶与

7、多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别 在低浓度在低浓度naoh水溶液中，硅片表面发生水溶液中，硅片表面发生 腐蚀，产生密集的金字塔型角锥体结构。大多腐蚀，产生密集的金字塔型角锥体结构。大多 使用廉价的浓度约为使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制的氢氧化钠稀溶液来制 备绒面硅，腐蚀温度为备绒面硅，腐蚀温度为70-85oc化学反应方程化学反应方程 式：式： si+2naoh+h2o=na2sio3+2h2 （一）原理（碱性制绒）（一）原理（碱性制绒） 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （二）制绒前后的绒面（二）制绒前后的绒面 制绒前显微镜观测图制绒前显微镜观测图 制绒后显微镜观测图制绒后显

8、微镜观测图 绒面绒面 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 槽号1#槽2-4#槽7#槽9#槽 功能去损伤层制绒去na2sio3 去金属离 子 清洗液组成 氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸 naohnaohipana2sio39 h2ohfhcl 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 一共有一共有10个槽，个槽，5、6、8、10槽中是去离子水槽中是去离子水 异丙醇（异丙醇（isopropanol ipa）(ch3)2choh 表面湿润作用表面湿润作用 na2sio39 h2o作用：表面作用：表面活性剂，以加快硅的腐蚀活性剂，以加快硅的腐蚀。 氢

9、氟酸作用：去除硅表面的硅酸钠以及氧化物。主要反应氢氟酸作用：去除硅表面的硅酸钠以及氧化物。主要反应 方程式为：方程式为： na2sio3(无色粘稠的液体)+2hf=h2sio3 (不溶于水的白色胶状物)+2naf sio2+6hf=h2sif6+2h2o 盐酸作用：去除硅片表面的金属离子。盐酸作用：去除硅片表面的金属离子。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 1、插片、插片 （1）片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入）片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入 片盒中，每盒最多插片盒中，每盒最多插25片硅片。片硅片。 （2）禁止手与片盒、硅

10、片直接接触，必须戴塑料洁净）禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净 手套或乳胶手套操作。每插手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。张硅片，需更换手套。 （3）操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。）操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 禁止手与片盒、硅片直 接接触，须戴塑料洁净 手套或乳胶手套操作片。 不能与硅 片和片盒 接触 垫海绵 插片 插插 片片 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 2、上料、上料 （1）硅片插完后，取出片盒）硅片插完后，取出片盒

11、底部的海绵，扣好压条。化学底部的海绵，扣好压条。化学 药剂称重上料药剂称重上料 （2）将已插好硅片的片盒整）将已插好硅片的片盒整 齐、有序的装入包塑的不锈钢齐、有序的装入包塑的不锈钢 花篮中，片盒之间有适当的间花篮中，片盒之间有适当的间 隔。隔。 上料上料 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 3、参数设置、参数设置 加热制绒液体到设定温度以后，根加热制绒液体到设定温度以后，根 据本班目标生产量在控制菜单上进行据本班目标生产量在控制菜单上进行参参 数设置数设置（包括粗抛、碱蚀、喷淋、鼓泡（包括粗抛、碱蚀、喷淋、鼓泡 漂洗时间和产量的设置）。漂洗时间

12、和产量的设置）。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 4、甩干、甩干 从槽中取出硅片，然后把盛从槽中取出硅片，然后把盛 放硅片的花篮放在甩干机中甩干，放硅片的花篮放在甩干机中甩干， 根据实际情况设定甩干时间。往根据实际情况设定甩干时间。往 甩干机机中放置硅片时，要把放甩干机机中放置硅片时，要把放 置的花篮对称放置，以防甩干机置的花篮对称放置，以防甩干机 工作时运转不稳。工作时运转不稳。 硅片甩干机硅片甩干机 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 5、检测、检测 清洗好的硅片要清洗好的硅片要 对减薄量和

13、绒面进行对减薄量和绒面进行 检测。检测。 所用仪器是：所用仪器是： 电子天平秤和电子显电子天平秤和电子显 微镜。微镜。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 化学腐蚀液的配制、添加化学腐蚀液的配制、添加 化学药剂称重化学药剂称重 补加异丙醇补加异丙醇 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 制绒的设备制绒的设备 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （三）单晶制绒工艺流程（三）单晶制绒工艺流程 （四）（四）影响单晶制绒的因素影响单晶制绒的因素 1、影响单晶制绒的因素、影响单晶制绒的因素 （1）金字塔从硅片缺陷处产生。）金字塔从硅片缺陷处产生。 （2）

14、缺陷和表面沾污造成金字塔形成。）缺陷和表面沾污造成金字塔形成。 （3）化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金）化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金 字塔形成。字塔形成。 （4）异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。）异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （5）硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质，）硅对碱的择优腐蚀是金字塔形成的本质， 缺陷、沾污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔缺陷、沾污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔 的连续性及金字塔大小。的连续性及金字塔大小。 （6）绒面形成最终取决于两个因素：）绒面形成最终取决于两个因素： 腐蚀速率腐蚀速率 及各向

15、异性。及各向异性。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （四）（四）影响单晶制绒的因素影响单晶制绒的因素 2、腐蚀速率快慢影响因子、腐蚀速率快慢影响因子 （1）腐蚀液流至被腐蚀物表面的）腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率移动速率； （2）腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的）腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应反应 速率速率； （3）生成物从被腐蚀物表面）生成物从被腐蚀物表面离开的速率离开的速率。 三、单晶硅片的制绒三、单晶硅片的制绒 （四）（四）影响单晶制绒的因素影响单晶制绒的因素 （一）原理（酸性制绒）（一）原理（酸性制绒） hf和和hno3的混合液的混合液。其中。其中hno3 作为氧化剂

16、，作为氧化剂， 它与硅反应，在硅的表面产生致密的不溶于硝酸的它与硅反应，在硅的表面产生致密的不溶于硝酸的 sio2层，使得层，使得hno3 和硅隔离，反应停止；但是二和硅隔离，反应停止；但是二 氧化硅可以和氧化硅可以和hf反应，生成可溶解于水的络合物六反应，生成可溶解于水的络合物六 氟硅酸，导致氟硅酸，导致sio2层的破坏，从而硝酸对硅的腐蚀层的破坏，从而硝酸对硅的腐蚀 再次进行，最终使得硅表面不断被腐蚀。再次进行，最终使得硅表面不断被腐蚀。 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 化学反应方程式：化学反应方程式： si+4hno3h+h2o=sio2+4no2+2h2o sio2+4hf=si

17、f4+2h2o （易挥发的四氟化硅气体易挥发的四氟化硅气体 ） sif4+2hf=h2sif6（可溶、易挥发可溶、易挥发） 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （一）原理（酸性制绒）（一）原理（酸性制绒） 绒面绒面 制绒前显微镜观测图制绒前显微镜观测图 制绒后显微镜观测图制绒后显微镜观测图 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （二）制绒前后的绒面（二）制绒前后的绒面 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流程 1、二号制绒槽：、二号制绒槽： 化学反应方程式：化学反应方程式： si+4hno3h+h2o=sio2+4no2+2h2o sio2+4h

18、f=sif4+2h2o （易挥发的四氟化硅气体易挥发的四氟化硅气体 ） sif4+2hf=h2sif6（可溶、易挥发可溶、易挥发） 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流程 2、四号碱洗槽、四号碱洗槽 酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的 多孔硅膜多孔硅膜。这个多孔硅膜具有极低的反射系数，。这个多孔硅膜具有极低的反射系数， 但是，它不利于但是，它不利于p-n结的形成和印刷电极，利用结的形成和印刷电极，利用 naoh溶液洗除多空硅，使用稀释的溶液洗除多空硅，使用稀释的naoh溶液溶液 来去除这个多孔硅膜。来去除

19、这个多孔硅膜。 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流程 槽内结构槽内结构 六号酸洗槽：六号酸洗槽： 利于利于hcl和和hf洗除洗除 杂质金属离子和进杂质金属离子和进 一步去除硅表面残一步去除硅表面残 留的二氧化硅。留的二氧化硅。 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流程 我校学生在进行下料收片我校学生在进行下料收片 硅片从六槽传递流硅片从六槽传递流 经清洗槽、干燥槽、下经清洗槽、干燥槽、下 料台。在此处，硅片被料台。在此处，硅片被 收集起来。收集起来。 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶

20、制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流程 4、多晶制绒注意事项、多晶制绒注意事项 控制点控制点: 减薄量、绒面坑洞大小、反射率减薄量、绒面坑洞大小、反射率 影响因素影响因素: 溶液浓度、反应时间、温度溶液浓度、反应时间、温度 减薄量过小减薄量过小：损伤层去除不干净，导致表面复：损伤层去除不干净，导致表面复 合严重，影响合严重，影响isc，最终影响，最终影响eff。 减薄量过大减薄量过大：反射率大，吸收光小，影响：反射率大，吸收光小，影响isc， 最终影响最终影响eff；片子薄，碎片率增加。；片子薄，碎片率增加。 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流

21、程 我校学生在进行制绒操作我校学生在进行制绒操作 四、多晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒 （三）多晶制绒的工艺流程（三）多晶制绒的工艺流程 任务二任务二 扩散制结扩散制结 扩散制结是电池片制造中至关重要的扩散制结是电池片制造中至关重要的 一步，通过学习，要掌握制结的原理和制一步，通过学习，要掌握制结的原理和制 结的整个工艺流程，了解所用试剂的注意结的整个工艺流程，了解所用试剂的注意 事项。事项。 1、用三氯氧磷（、用三氯氧磷（pocl3）管式扩散的方法，）管式扩散的方法， 将原始的将原始的p型硅片的一面扩散进磷原子，形成型硅片的一面扩散进磷原子，形成p-n结。结。 2、吸杂，将硅片中的杂质吸附到

22、硅片表面、吸杂，将硅片中的杂质吸附到硅片表面 psg层，然后通过酸洗的方式将层，然后通过酸洗的方式将psg去除，从而去去除，从而去 除杂质。除杂质。 3、合适的、合适的pn结深度可以使得硅片在烧结阶段结深度可以使得硅片在烧结阶段 得到合适的欧姆接触，并且不会发生烧穿现象。得到合适的欧姆接触，并且不会发生烧穿现象。 一、扩散定义一、扩散定义 二、太阳电池磷扩散方法二、太阳电池磷扩散方法 三、三氯氧磷（三、三氯氧磷（pocl3）液态源扩散原理）液态源扩散原理 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 五、扩散影响因素五、扩散影响因素 当物质内有梯度（化学位、浓度、当物质内有梯度（化学位、浓度、 应

23、力梯度等）存在时，由于物质的热应力梯度等）存在时，由于物质的热 运动而导致质点的定向迁移过程。扩运动而导致质点的定向迁移过程。扩 散是一种传质过程，本质是质点的热散是一种传质过程，本质是质点的热 运动。运动。 一、扩散定义一、扩散定义 1、三氯氧磷（、三氯氧磷（pocl3）液态源扩散）液态源扩散 2、喷涂磷酸水溶液后链式扩散、喷涂磷酸水溶液后链式扩散 3、丝网印刷磷浆料后链式扩散、丝网印刷磷浆料后链式扩散 二、太阳电池磷扩散方法二、太阳电池磷扩散方法 三、三氯氧磷（三、三氯氧磷（pocl3）液态源扩散原理）液态源扩散原理 三氯氧磷（三氯氧磷（pocl3）液态源扩散是现在企业）液态源扩散是现在企

24、业 中最常用的方法，即在高温的环境下，三氯氧磷中最常用的方法，即在高温的环境下，三氯氧磷 与氧气反应形成五氧化二磷，五氧化二磷与硅反与氧气反应形成五氧化二磷，五氧化二磷与硅反 应生成二氧化硅和磷，磷在高温的环境下，以间应生成二氧化硅和磷，磷在高温的环境下，以间 隙态或替换位的形式进入硅片表面形成隙态或替换位的形式进入硅片表面形成n型层。型层。 反应方程为：反应方程为： 4pocl3+3o2=2p2o5 +6cl2 2p2o5+5si=5sio2+4p 晶硅内杂质的分布方式晶硅内杂质的分布方式 三、三氯氧磷（三、三氯氧磷（pocl3）液态源扩散原理）液态源扩散原理 四、扩散制结工艺过程四、扩散制

25、结工艺过程 扩散炉的简易结构扩散炉的简易结构 1、清洗、清洗 所做清洗用的化学品为所做清洗用的化学品为c2h2cl3，熟称，熟称tca，初次，初次 扩散前，扩散炉石英管首先连接扩散前，扩散炉石英管首先连接tca装置，当炉温装置，当炉温 升至设定温度，以设定流量通升至设定温度，以设定流量通tca60分钟清洗石英分钟清洗石英 管。清洗开始时，先开管。清洗开始时，先开o2，再开，再开tca；清洗结束后，；清洗结束后， 先关先关tca，再关，再关o2。清洗结束后，将石英管连接扩。清洗结束后，将石英管连接扩 散源瓶，待扩散散源瓶，待扩散 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 2、饱和、饱和 每班生产

26、前，需对石英管进行饱和。炉温每班生产前，需对石英管进行饱和。炉温 升至设定温度时，以设定流量通小升至设定温度时，以设定流量通小n2（携源）（携源） 和和o2，使石英管饱和。，使石英管饱和。20分钟后，关闭小分钟后，关闭小n2和和 o2。初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产。初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产 时，需使石英管在时，需使石英管在950oc通源饱和通源饱和1小时以上。小时以上。 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 3、装片、装片 戴好防护口罩和干戴好防护口罩和干 净的塑料手套，将清洗甩净的塑料手套，将清洗甩 干的硅片从传递窗口取出，干的硅片从传递窗口取出， 放在洁净台上。用吸

27、笔依放在洁净台上。用吸笔依 次将硅片从硅片盒中取出，次将硅片从硅片盒中取出， 插入石英舟。插入石英舟。 我校学生正在进行扩散前的插片我校学生正在进行扩散前的插片 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 4、送片、送片 用舟叉将装满硅片的石英舟用舟叉将装满硅片的石英舟 放在碳化硅臂浆上，保证平放在碳化硅臂浆上，保证平 稳，缓缓推入扩散炉。稳，缓缓推入扩散炉。 4、送片、送片 用舟叉将装满硅片的石英舟用舟叉将装满硅片的石英舟 放在碳化硅臂浆上，保证平放在碳化硅臂浆上，保证平 稳，缓缓推入扩散炉。稳，缓缓推入扩散炉。 扩散制结用的设备扩散制结用的设备 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 5、

28、回温、回温 打开打开o2，等待石英管升温至设定温度。，等待石英管升温至设定温度。 6、扩散、扩散 打开小打开小n2，以设定流量通小，以设定流量通小n2（携源）进行扩（携源）进行扩 散。三氯氧磷（散。三氯氧磷（pocl3）液态源扩散）液态源扩散pocl3是无色透是无色透 明的液体具有强烈的刺激性气味，承装在玻璃瓶中。明的液体具有强烈的刺激性气味，承装在玻璃瓶中。 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 7、关源，退舟、关源，退舟 扩散结束后，关闭小扩散结束后，关闭小n2和和o2，将石英舟缓缓，将石英舟缓缓 退至炉口，降温以后，用舟叉从臂桨上取下石英退至炉口，降温以后，用舟叉从臂桨上取下石英 舟

29、。并立即放上新的石英舟，进行下一轮扩散。舟。并立即放上新的石英舟，进行下一轮扩散。 如没有待扩散的硅片，将臂浆推入扩散炉，尽量如没有待扩散的硅片，将臂浆推入扩散炉，尽量 缩短臂桨暴露在空气中的时间。缩短臂桨暴露在空气中的时间。 四、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 8、卸片、卸片 等待硅片冷却后，将硅片从石等待硅片冷却后，将硅片从石 英舟上卸下并放置在硅片盒中，英舟上卸下并放置在硅片盒中， 放入传递窗。放入传递窗。 9、方块电阻测量、方块电阻测量 利用四探针测试法对扩散制结利用四探针测试法对扩散制结 后的硅片进行方块电阻的测量后的硅片进行方块电阻的测量。 方块电阻测量仪方块电阻测量仪 四、

30、扩散制结工艺过程四、扩散制结工艺过程 温度：温度越高，扩散速率越快温度：温度越高，扩散速率越快 时间：时间越长，推进深度越大时间：时间越长，推进深度越大 浓度：扩散浓度越大，方块越小浓度：扩散浓度越大，方块越小 五、扩散影响因素五、扩散影响因素 任务三任务三 刻蚀、去刻蚀、去psg 扩散后的硅片表面、周边以及扩散后的硅片表面、周边以及 背面都会形成背面都会形成n型层和型层和psg。通过。通过 学习，要掌握去除周边和学习，要掌握去除周边和psg的原的原 理和工艺。理和工艺。 1、去除硅片四周边缘的、去除硅片四周边缘的n型层，型层， 消除硅太阳能电池短路。消除硅太阳能电池短路。 2、去除扩散后硅片

31、表面的、去除扩散后硅片表面的psg， 提升电性能。提升电性能。 一、刻蚀目的一、刻蚀目的 二、刻蚀种类二、刻蚀种类 三、去三、去psg 四、湿法刻蚀流程四、湿法刻蚀流程 五、注意事项五、注意事项 由于在扩散过程中，即使采用背靠背的由于在扩散过程中，即使采用背靠背的 单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘） 都将不可避免地扩散上磷。都将不可避免地扩散上磷。pn结的正面所收结的正面所收 集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域 流到流到pn结的背面，而造成短路。此短路通道结的背面，而造成短路。此短路通道 等效于降低并联电阻

32、。经过刻蚀工序，硅片等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序，硅片 边缘的带有的磷将会被去除干净，避免边缘的带有的磷将会被去除干净，避免pn结结 短路造成并联电阻降低短路造成并联电阻降低。 一、刻蚀目的一、刻蚀目的 刻蚀主要有刻蚀主要有干法刻蚀干法刻蚀和和湿法刻蚀湿法刻蚀两大类。两大类。 1、干法刻蚀、干法刻蚀 即等离子体刻蚀，是采用高频辉光放电反应，使反应气体即等离子体刻蚀，是采用高频辉光放电反应，使反应气体 激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻 蚀的部位，在那里与被材料进行反应，形成挥发性反应物而被蚀的部位，在那里与被材料进行

33、反应，形成挥发性反应物而被 除去。除去。 干法刻蚀设备干法刻蚀设备夹具与底座卡紧夹具与底座卡紧夹具放置好后腔体夹具放置好后腔体 内全图内全图 二、刻蚀种类二、刻蚀种类 2、湿法刻蚀、湿法刻蚀 利用滚轴，将硅片边缘和背面与反应液面接触，利用滚轴，将硅片边缘和背面与反应液面接触， 采用硝酸和氢氟酸与硅片反应，将边缘和背面多余采用硝酸和氢氟酸与硅片反应，将边缘和背面多余 的的n型层去除。再通过氢氟酸与硅片正面的磷硅玻璃型层去除。再通过氢氟酸与硅片正面的磷硅玻璃 反应，将磷硅玻璃去除。反应，将磷硅玻璃去除。 湿法刻蚀设备湿法刻蚀设备 二、刻蚀种类二、刻蚀种类 3、控制点、控制点 （1）等离子刻蚀参数：

34、设定功率）等离子刻蚀参数：设定功率450-70w，反射，反射 功率功率15w，辉光时间，辉光时间600-1100s，辉光气压，辉光气压50- 110pa。 （2）刻蚀后须测试硅片边缘是否为）刻蚀后须测试硅片边缘是否为p型，刻蚀宽度型，刻蚀宽度 小于小于0.5mm，如有刻蚀不彻底需要重新刻蚀。，如有刻蚀不彻底需要重新刻蚀。 二、刻蚀种类二、刻蚀种类 刻蚀后进行的是去刻蚀后进行的是去psg，去，去psg工作原理为：工作原理为： 扩散时扩散时poc13与与si反应生成副产物反应生成副产物sio2残留于硅片残留于硅片 表面，形成一层磷硅玻璃（掺表面，形成一层磷硅玻璃（掺p2o5的的sio2，含有未，含

35、有未 渗入硅片的磷源）。磷硅玻璃对于太阳光线有阻挡渗入硅片的磷源）。磷硅玻璃对于太阳光线有阻挡 作用，并会影响到后续减反射膜的制备，需要去除。作用，并会影响到后续减反射膜的制备，需要去除。 去除原理是，利用去除原理是，利用hf与与sio2能够快速反应的化学特能够快速反应的化学特 性，使硅片表面的性，使硅片表面的psg溶解。溶解。 主要反映方程式主要反映方程式 4hf+sio2=sif4+2h2o 三、去三、去psg 湿法刻蚀的工艺过程湿法刻蚀的工艺过程 四、湿法刻蚀流程四、湿法刻蚀流程 湿法刻蚀是集去周边湿法刻蚀是集去周边pn结和去结和去psg于一体的工于一体的工 艺过程，所用设备与清洗制绒设

36、备类似，其工艺过程艺过程，所用设备与清洗制绒设备类似，其工艺过程 如表所示，整个过程一共有七个槽，槽与槽之间有以如表所示，整个过程一共有七个槽，槽与槽之间有以 下关系：下关系： 1、“一化一水一化一水”，硅片每经过一次化学品，都，硅片每经过一次化学品，都 会经过一次水喷淋清洗。会经过一次水喷淋清洗。 2、除刻蚀槽和第一道水喷淋之间、除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽其它的槽和槽 之间都有吹液风刀。之间都有吹液风刀。 四、湿法刻蚀流程四、湿法刻蚀流程 3、除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋、除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋 结构，去结构，去psg氢氟酸槽是喷淋结构，而且片子进氢氟酸槽

37、是喷淋结构，而且片子进 入到溶液内部。入到溶液内部。 4、最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要、最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要 将所有化学品全部洗掉，所以水压最大。相应的，将所有化学品全部洗掉，所以水压最大。相应的， 最后的吹干风刀气压最大。最后的吹干风刀气压最大。 四、湿法刻蚀流程四、湿法刻蚀流程 1、刻蚀前放片时盖板下第一片和最下面一片、刻蚀前放片时盖板下第一片和最下面一片p面要朝外。面要朝外。 2、刻蚀机石英罩用酒精擦洗完不可直接投片进行刻蚀、刻蚀机石英罩用酒精擦洗完不可直接投片进行刻蚀 辉光，必须等到酒精自动烘干之后方可进行操作。辉光，必须等到酒精自动烘干之后方可进行操作。 3、

38、硅片清洗完未及时甩干，会有水纹印产生。、硅片清洗完未及时甩干，会有水纹印产生。 4、影响刻蚀效果的因素有：刻蚀机压力、辉光颜色。、影响刻蚀效果的因素有：刻蚀机压力、辉光颜色。 五、注意事项五、注意事项 5、去除、去除psg槽体清洗的注意事项：槽体清洗的注意事项： 首先排掉清洗槽、背面储水槽的液体，用无尘布首先排掉清洗槽、背面储水槽的液体，用无尘布 擦拭槽壁至干净，擦拭后纯水冲洗槽壁，然后进擦拭槽壁至干净，擦拭后纯水冲洗槽壁，然后进 水至正常液位，至此完成清洗。水至正常液位，至此完成清洗。 6、交接班的事项：、交接班的事项： 本版的运行状况（设备、工艺、质量），本版的运行状况（设备、工艺、质量）

39、，5s的的 状况确认，操作记录与流程卡填写到那个序号，状况确认，操作记录与流程卡填写到那个序号， 生产那个厂家、批号、等级，在制品的数量，工生产那个厂家、批号、等级，在制品的数量，工 装夹具，机器的产数。装夹具，机器的产数。 五、注意事项五、注意事项 7、异常状况基本的处理和回馈的流程、异常状况基本的处理和回馈的流程 确认异常状况，停止生产，上报直接主管，确认异常状况，停止生产，上报直接主管， 等待相关人员处理。等待相关人员处理。 8、刻蚀后未清洗的在制品数量和存放时、刻蚀后未清洗的在制品数量和存放时 间的要间的要 求：数量小于求：数量小于1600片，存放时间片，存放时间 小于小于2小时。小时

40、。 9、清洗甩干后未镀膜的在制品数量和存、清洗甩干后未镀膜的在制品数量和存 放时间的要求：数量小于放时间的要求：数量小于800片，存放时片，存放时 间小于间小于0.5小时。小时。 五、注意事项五、注意事项 10、生产运行前必须检查每个槽位的时间设定。、生产运行前必须检查每个槽位的时间设定。 11、换液时，必须穿戴防护用品和穿戴的先后、换液时，必须穿戴防护用品和穿戴的先后 顺序为：顺序为： 防护用品：防毒面具、连体防护服、防酸防护用品：防毒面具、连体防护服、防酸 碱鞋、乳胶手套、长袖防护手套。碱鞋、乳胶手套、长袖防护手套。 首先戴好乳胶手套，把鞋子脱了，接着穿首先戴好乳胶手套，把鞋子脱了，接着穿

41、 上连体防护服，然后把防酸碱鞋穿上，带好防毒上连体防护服，然后把防酸碱鞋穿上，带好防毒 面具，最好带好长袖防护手套。面具，最好带好长袖防护手套。 五、注意事项五、注意事项 任务四任务四 减反射膜的制备减反射膜的制备 减反射膜是提高硅太阳电池转换效减反射膜是提高硅太阳电池转换效 率的又一工艺，减反射膜不仅可以增加率的又一工艺，减反射膜不仅可以增加 光的吸收，还可以增加少子寿命，是制光的吸收，还可以增加少子寿命，是制 备太阳电池的重要工艺流程。通过学习备太阳电池的重要工艺流程。通过学习 要掌握要掌握pecvd的工作原理，的工作原理，sinx:h的的 钝化作用。钝化作用。 在硅片表面沉积一层氮化硅薄

42、膜，在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜， 利用光学增透原理，减少光线反射，并利用光学增透原理，减少光线反射，并 同时起到硅片表面的顿化作用，有利于同时起到硅片表面的顿化作用，有利于 提高转换效率。提高转换效率。 一、减反射原理一、减反射原理 二、二、sinx:h减反射膜和减反射膜和pecvd技术技术 三、三、pecvd种类种类 四、四、sinx:h 简介简介 五、制备过程五、制备过程 六、六、sinx:h的钝化作用的钝化作用 七、七、pecvd对电性能影响对电性能影响 九、九、pecvd技术的优势技术的优势 八、制绒与减反射膜八、制绒与减反射膜 光照射到平面的硅片上，其中一部分被反射，即光照射到平面

43、的硅片上，其中一部分被反射，即 使对绒面的硅表面，由于入射光产生多次反射而增加使对绒面的硅表面，由于入射光产生多次反射而增加 了吸收，但也有约了吸收，但也有约11%的反射损失。在其上覆盖一层的反射损失。在其上覆盖一层 减反射膜层，可大大降低光的反射。当减反膜的折射减反射膜层，可大大降低光的反射。当减反膜的折射 率和厚度的乘积等于四分之一入射波长，即率和厚度的乘积等于四分之一入射波长，即 n1d1=/4时，从第二个界面返回到第一个界面的反时，从第二个界面返回到第一个界面的反 射光与从第一个界面的反射光相位相差射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，形成度，形成 了相消干涉。了相消干涉。 一、

44、减反射原理一、减反射原理 若控制若控制n1d1的乘积等于太阳光的乘积等于太阳光 强度最强的蓝绿光波长的四分之一附强度最强的蓝绿光波长的四分之一附 近，则可有效的增加半导体对太阳光近，则可有效的增加半导体对太阳光 的吸收作用。的吸收作用。 产生相消干涉的条件产生相消干涉的条件 1 1 4n d 不考虑吸收系数，反射率公式不考虑吸收系数，反射率公式 2 01 2 12 2 01 2 12 )()( )()( nnnn nnnn r 一、减反射原理一、减反射原理 如果膜材料的反射率是其两边材料的如果膜材料的反射率是其两边材料的 折射率的几何平均值，即折射率的几何平均值，即n12=non2，则反，则反

45、 射率的最小值为零。射率的最小值为零。 除了有合适的折射率和膜后外，减反除了有合适的折射率和膜后外，减反 射膜材料还必须是透明的，减反射膜常沉射膜材料还必须是透明的，减反射膜常沉 积为非结晶的或无定形的膜层，以防止在积为非结晶的或无定形的膜层，以防止在 晶界处的光散射问题。晶界处的光散射问题。 一、减反射原理一、减反射原理 二、二、sinx:h减反射膜和减反射膜和pecvd技术技术 企业中常用的减反射膜是企业中常用的减反射膜是sinx:h，制备技术是，制备技术是 pecvd（等离子增强化学气相沉积）。（等离子增强化学气相沉积）。 制备原理为：制备原理为： 利用低温等离子体作能量源，样品置于低气

46、压利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压 下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发 热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量 的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体 反应，在样品表面形成固态薄膜。反应，在样品表面形成固态薄膜。 发生的反应方程式为：发生的反应方程式为： hsihsissih 6hih3 3 2 23 400 4 等离子体 hnnnh 3hh2 2 2 400 3 等离子体 2yx 400 34 hhnsinhsih z 二、二、sinx:h减反

47、射膜和减反射膜和pecvd技术技术 三、三、pecvd种类种类 pecvd可分为直接式和间接式。可分为直接式和间接式。 直接式直接式：基片位于一个：基片位于一个 电极上，直接接触等离子体，电极上，直接接触等离子体， 样品或样品的支撑体就是电样品或样品的支撑体就是电 极的一部分（低频放电极的一部分（低频放电10- 500khz或高频或高频13.56mhz）。）。 间接式：间接式：基片在等离子区域之外，等离子体基片在等离子区域之外，等离子体 不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不 是电极的一部分。是电极的一部分。 三、三、pecvd种类种类 正常的正常的sin

48、x的的si/n之比为之比为0.75，即，即si3n4。但是。但是 pecvd沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变 化，化，si/n变化的范围在变化的范围在0.75-2左右。除了左右。除了si和和n， pecvd的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz或或sinx:h。 si/n比对比对sinx薄膜性质的影响：薄膜性质的影响： 1、电阻率随、电阻率随x增加而降低增加而降低 2、折射率、折射率n随随x增加而增加增加而增加 3、腐蚀速率随密度增加而降低、腐蚀速率随密度增加而降低 四、四、 sinx:h 简介简

49、介 五、制备过程五、制备过程 进料腔(1) 加热腔(2) 工艺腔(3) 冷却腔(4) 出料腔(5) 进料腔有预热的作用，在载板进入腔体后， 先冲入n2，再进行抽真空； 加热腔在工艺中起着加热的作用； 工艺腔在等离子及真空条件下，硅烷与氨气在400 c时反应生 成si3n4，覆盖在硅片表面上； 进料腔与出料腔防止特色气体溢出，增加安全性。 使电池片体逐渐降低温度 将刻蚀、去磷硅玻璃后的硅片从硅片盒中取出插将刻蚀、去磷硅玻璃后的硅片从硅片盒中取出插 入石墨舟中，如图，每个石墨舟可放置入石墨舟中，如图，每个石墨舟可放置216片。插片完片。插片完 成后将石墨舟推入腔内。成后将石墨舟推入腔内。 从硅片盒

50、向石墨舟中插片从硅片盒向石墨舟中插片 五、制备过程五、制备过程 pecvd设备设备 扩散车间净化等级为扩散车间净化等级为1万级万级 五、制备过程五、制备过程 镀完减反射膜的硅片取出后要进行检测，检测镀完减反射膜的硅片取出后要进行检测，检测 的主要内容是减反射膜的厚度和折射率，一般膜厚的主要内容是减反射膜的厚度和折射率，一般膜厚 在在80-90nm，折射率在，折射率在2.04-2.10之间。所用的设备之间。所用的设备 是椭偏移。是椭偏移。 椭偏仪椭偏仪 五、制备过程五、制备过程 六、六、sinx:h的钝化作用的钝化作用 由于硅晶体表面存在大量的空键，他由于硅晶体表面存在大量的空键，他 们会吸引周

51、围的金属杂质成为复合中心，们会吸引周围的金属杂质成为复合中心， 从而缩短少子寿命最终影响太阳电池的性从而缩短少子寿命最终影响太阳电池的性 能。因此对材料表面和体内缺陷进行钝化能。因此对材料表面和体内缺陷进行钝化 非常重要。钝化工艺一般分非常重要。钝化工艺一般分表面氧钝化表面氧钝化和和 氢钝化氢钝化。 表面氧钝化：表面氧钝化： 通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比 较常用的方法，可使较常用的方法，可使si-sio2界面的复合界面的复合 速率大大下降，其钝化效果取决于发射速率大大下降，其钝化效果取决于发射 区的表面浓度、界面态密度和电子、空区的表面浓度、界面态密度和电子

52、、空 穴的俘获截面。在氢气氛围中退火可使穴的俘获截面。在氢气氛围中退火可使 钝化效果更加明显。钝化效果更加明显。 六、六、sinx:h的钝化作用的钝化作用 氢钝化：氢钝化： 钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长 中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝 化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离 子 体 处 理 。 在 多 晶 硅 太 阳 电 池 表 面 采 用子 体 处 理 。 在 多 晶 硅 太 阳 电 池 表 面 采 用 pecvd法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅法镀上一层氮

53、化硅减反射膜，由于硅 烷分解时产生氢离子，烷分解时产生氢离子，h能与硅中的缺陷或杂能与硅中的缺陷或杂 质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或 者导带。对多晶硅可产生氢钝化效果。者导带。对多晶硅可产生氢钝化效果。 六、六、sinx:h的钝化作用的钝化作用 七、七、pecvd对电性能影响对电性能影响 1、减反射膜提高了对太阳光的、减反射膜提高了对太阳光的 利用率，有助于提高光生电流利用率，有助于提高光生电流 密度，进而提高转换效率。密度，进而提高转换效率。 2、薄膜中的氢对电池的表面钝、薄膜中的氢对电池的表面钝 化降低了发射结的表面复合速化降低了发射结的表

54、面复合速 率，减小了暗电流，提升了开率，减小了暗电流，提升了开 路电压，从而提高了光电转换路电压，从而提高了光电转换 效率。效率。 多晶硅电池镀膜前后的多晶硅电池镀膜前后的i-v 曲线曲线 八、制绒与减反射膜八、制绒与减反射膜 制绒制绒与与减反射膜减反射膜是两个不同的工艺，都是高效电是两个不同的工艺，都是高效电 池工艺的一部分。池工艺的一部分。 制绒制绒就是去除机械损伤层，制作光陷阱，减少光就是去除机械损伤层，制作光陷阱，减少光 反射。是属于电池制造过程中的第一个重要工序。反射。是属于电池制造过程中的第一个重要工序。 减反射膜减反射膜的原理就是位于介质和电池表面具有一的原理就是位于介质和电池表

55、面具有一 定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相 互间进行反射从而完全抵消。用互间进行反射从而完全抵消。用sio2或或sinx作为作为 减反射膜还可以降低表面复合，增加少数载流子减反射膜还可以降低表面复合，增加少数载流子 的寿命。的寿命。 八、制绒与减反射膜八、制绒与减反射膜 九、九、pecvd技术的优势技术的优势 1、低温成膜，常用温度区间、低温成膜，常用温度区间 300400oc，对，对 基体影响小，避免高温工艺的不利影响。如：基体影响小，避免高温工艺的不利影响。如： 膜层晶粒粗大，膜层和基体间生成脆性相。膜层晶粒粗大，膜层和基体间生成脆性相。

56、 2、较低的压强下成膜（、较低的压强下成膜（20-100pa），粒子间），粒子间 碰撞、散射作用提高了膜厚及成分的均匀性，碰撞、散射作用提高了膜厚及成分的均匀性， 薄膜针孔少、组织致密，内应力小、不易产生薄膜针孔少、组织致密，内应力小、不易产生 裂纹。裂纹。 任务五任务五 电极制备电极制备 太阳能电池的关键是太阳能电池的关键是pn结，有了结，有了 pn结即可产生光生载流子，但有光生载结即可产生光生载流子，但有光生载 流子的同时还必须将这些光生载流子导流子的同时还必须将这些光生载流子导 通出来，而丝网印刷工序印刷浆料的主通出来，而丝网印刷工序印刷浆料的主 要作用就是为了导电，把电池片中的电要作用

57、就是为了导电，把电池片中的电 子导通出来子导通出来 。 1、丝网：、丝网： （1）印背电极：用银）印背电极：用银-铝浆，起导通作用，进行组件组铝浆，起导通作用，进行组件组 装时方便焊接装时方便焊接 （2）印背电场：用铝浆，收集电流，产生背表面场。）印背电场：用铝浆，收集电流，产生背表面场。 （3）印表面电极：用银浆，形成栅线，收集光生载流子。）印表面电极：用银浆，形成栅线，收集光生载流子。 2、烧结：蒸发浆料中的有机成分，使浆料和硅片形成良、烧结：蒸发浆料中的有机成分，使浆料和硅片形成良 好的欧姆接触好的欧姆接触 一、基本原理一、基本原理 二、工艺流程二、工艺流程 三、操作注意事项三、操作注意

58、事项 四、常见不良及对策四、常见不良及对策 利用网版图文部分网孔透墨，非图文部分网孔不透墨利用网版图文部分网孔透墨，非图文部分网孔不透墨 的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料，刮胶对的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料，刮胶对 网版施加一定压力，同时朝网版另一端移动。浆料在移动网版施加一定压力，同时朝网版另一端移动。浆料在移动 中从网孔中挤压到承印物上，由于粘性作用而固着在一定中从网孔中挤压到承印物上，由于粘性作用而固着在一定 范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙，网版范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙，网版 通过自身的张力产生对刮胶的回弹力，并通过回墨刀将浆通过

59、自身的张力产生对刮胶的回弹力，并通过回墨刀将浆 料轻刮回初始位置，完成一个印刷行程。料轻刮回初始位置，完成一个印刷行程。 一、基本原理一、基本原理 丝网网版外形丝网网版外形印刷过程印刷过程 一、基本原理一、基本原理 二、工艺流程二、工艺流程 print dry load 丝网印刷设备丝网印刷设备 二、工艺流程二、工艺流程 电极制备电极制备 二、工艺流程二、工艺流程 第一道：背面（正）电极印刷第一道：背面（正）电极印刷 使用使用ag/al浆浆(ag浆浆)，起导通作用，进行组件组，起导通作用，进行组件组 装时方便焊接，装时方便焊接，al背场的可焊性不佳。背场的可焊性不佳。 印刷步骤：印刷步骤： 1

60、、将镀好膜的硅片，镀膜的一面朝下，放入印刷机、将镀好膜的硅片，镀膜的一面朝下，放入印刷机 上料的承片盒内。上料的承片盒内。 2、机器自动运行，进行印刷。、机器自动运行，进行印刷。 二、工艺流程二、工艺流程 3、用游标卡尺检测印刷是否偏移，并进行调整。、用游标卡尺检测印刷是否偏移，并进行调整。 4、观察是否有漏浆、虚印、堵网等现象，并可、观察是否有漏浆、虚印、堵网等现象，并可 视情况进行处理。视情况进行处理。 5、注意压板、粘板，碎片等异常情况，并及时、注意压板、粘板，碎片等异常情况，并及时 处理。处理。 6、印刷完毕，进入烘箱烘干，后进行下道背面、印刷完毕，进入烘箱烘干，后进行下道背面 电场印