LED芯片投资项目的分析研究报告（完整版）

1、LED芯片投资项目的分析研究报告目录一、LED产业介绍1、LED的原理2、LED的特点3、LED企业特点4、LED产业链5、LED产业市场前景6、LED产业政策二、LED外延片芯片产业概况1 、外延片和芯片简介2、外延片芯片的产业价值3、外延片芯片制作工艺4、外延片芯片行业门槛5、外延片芯片行业技术难度6、外延片芯片在中国市场上的现况三、LED外延片芯片产业规模及发展趋势1 、 LED 外延片芯产业规模2、LED外延片芯发展趋势3、大功率LED市场现状及前景四、LED外延片芯片产业竞争格局1 、国际篇2、国内篇五、LED外延片芯片项目投资分析结论1 、我们的优势2、我们待续解决的问题一、LED

2、产业介绍1 、 LED 的原理LED( Light Emitti ng Diode)，即发光二极管，简称LED,是一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件，它可以直接把电转化为光。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为P-N结。在某些半导体材料的PN结中，注入少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结施加反向电压时，少数载流子难以注入，故不发光。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线， 光的强弱与电

3、流有关。 而光的波长也就是光的 颜色，是由形成 P-N结的材料决定的。以下为几种 LED灯样式图：耳4 LED基事结料岳知林：lUfan&iSeiriccMioH.:.匕聘制造LED的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，借此可以控制LED所发出光的波长，进而使得LED可以发出不同颜色的光。LED发出的红、绿、蓝光线根据其不同波长特性和大致分为紫红、纯红、橙红、橙、橙黄、黄、黄绿、纯绿、翠绿、蓝绿、纯蓝、蓝紫等, 其中橙红、黄绿、蓝紫色价格较纯红、纯绿、纯蓝便宜很多。表：LED分类及应用领域LED分类材料应冃可见光LED(450*7S0mm)般亮度ledGaP GaAsP AlGaAsJ 3C

4、家电v消费电子高亮度LEDAIGalnPt.槪、黄) IZ- by 11-mmipackif CnHfa JILimpMPL EsyWIilM* LED 也丹w +g h- *5M iunwM-H 25 m*.d Fa ixnri-dirk AioiEnif* irAwml UQ LcnpilTTKi LEOncnEi Donw toi wMtaiq-ihi-tfl KSKimi Wflw * ptmuftwn diiiEiMfeCL5、LED产业市场前景1）LED照明市场规模中国的照明产业经过了50多年的发展，已经逐步形成了以白炽灯、荧光灯等传统灯具为主体的照明市场。据中国照明协会统计，自1

5、999年以来，中国照明市场进入快速发展阶段，整体市场规模已经从 1999年的450亿元发展到2008年的3000亿元（包含照明出口量）。 根据2009年国家发改委等部门公布的半导体照明节能产业发展意见，到2015年，半导体照明节能产业产值年均增长率在30%左右，功能性照明达到 20%左右，液晶背光源达到50%以上，景观装饰等产品市场占有率达到70%以上。传统的白炽灯等照明灯具将逐步退出照明市场。2009年普通白炽灯产量为 27.3亿只，比2008年的33.4亿减少了 18.3%，预计到2013 年，我国白炽灯的年产量将减小到14.2亿只，2020年全面禁止生产和使用白炽灯。从半导体照明的应用领

6、域来看，目前主要分布在户外照明、景观亮化和室内照明三个主要领域。随着LED芯片性价比的提高，以及综合配光设计、控制设计、散热设计、灯具设计、 动力设计等因素、面向不同光环境应用特点的各类半导体照明解决方案体系的完善与成熟， 半导体照明已经越来越多的渗透进传统照明领域，逐渐得到广泛的应用和推广。如下图所示为中国的半导体照明市场规模：中国半导体照明市场规模6005004003002001002008201220132010201110090% 粼 70%5050%40X30%20%0%中国半辱体照阴市场规模f伉元 一1增长率从半导体照明的各个细分市场来看，由于用户群体和应用特点的不同也存在不同的市

7、场 特性。其中: 户外照明市场主要包括LED路灯市场、LED隧道灯市场等，并由于其应用的特殊性而得到了政府、交通等公共事业部门的大力鼓励和支持，是半导体照明最早渗透进传统照明领域的市场。由于公共交通能耗的逐步攀升， 政府近几年来开始大力推动半导体照明示范工程的建设，通过提供政府补贴等优惠政策，推动LED路灯和LED隧道灯的普及。如下图所示为中国户外LED照明的市场规模：180160140120100805040200中国尸外半导休照明产品市场规勲200620062010201120 22013谕Is. I I oooo- - - - ABrJ5s4J9TJO 一 一中團户外半辱体昭明市场规摸忆

8、元、LED路灯、LED隧道灯都是大功率半导体照明技术的具体应用，随着全国城市道路、隧道的建设，已经得到了快速的发展。从LED路灯市场来看，LEDinside估计2010年全球LED路灯装置数量约为 87万盏，较2009年61万盏成长约43%, 2009年中国地区LED路灯数量约为25万盏，预计2010年将增长60%达到40万盏以上的规模，到 2013年LED路灯市场规模将达到106.63亿元。在LED隧道灯市场上，据2009年公路水路交通运输业统计公报 披露，在2009年全国的公路隧道已达 3942公里。预计到2013年LED隧道灯市场规模将达 到20.57亿。如下图所示为 LED路灯、LED

9、隧道灯的市场规模：LED路灯市场规模160%140%12OS56020%180%40舄0%100%SOS6200%n 中国LED路灯市场规模（亿元1 増長率中国LED隧道灯市场规模血OJS囲號爾黒爲黑気黑醐聘9 753 10 0000131 H 1 .1 9 y 5 3 1- - 景观亮化帀场景观亮化半导体照明市场在发展初期主要以小功率的LED灯串、灯饰等为主，随着大功率的LED灯射灯、洗墙灯、泛光灯的推广和普及，其应用范围也越来越广泛。随着城市建设的逐步完善，以及人们对于城市及景观照明的要求越来越高，对城市光环境及光质量的要求逐步提升，使得景观亮化已经成为目前半导体照明的主要市场。分析显示，

10、LED景观照明市场总体呈现稳步增长的态势，预计到2013年市场规模达到 237.55亿元人民币。如下图所示 为全国LED景观亮化的市场规模：中国LED景观亮化照明市场规模中国杲观亮化照明市场规模忆元憎长率 室内照明市场室内照明市场主要包括商场室内照明、酒店室内照明、写字楼室内照明、 以及家居照明 等。从市场规模上看，室内照明市场由于应用群体的广泛将成长为规模最大的市场。随着LED灯具的价格逐渐降低，LED照明将逐渐进入商用照明及民用照明，从而走进千家万户改变人们传统的日常照明方式，预计在2013年室内照明将达到 98.2亿元的市场规模。如下图所示为全国室内LED照明市场规模：中国室内半导休照明

11、产品市场规模一 中国室內半导体照明产品市场规摸（亿元、2）LED照明市场驱动因素：从技术（lm/w ）到成本（$/lm）LED以其优异的性能被业界普遍认为是第四代光源的理想选择，LED光源在发光效率、使用寿命、回应时间、环保等方面均优于白炽灯、荧光灯等传统光源。表：LED与传统光源性能对比LED費光灯由駅灯嵐茫原理非逸非柱非逸择挫汉可见光抠近叩见光舍丸世红外光的竝时河IOiu的H/L 吉 rii相对龍洁环城皮奸身趣幷吐回收高対叶高15000小时4000 卜时1000小时资料来源：兴业证券研发中心LED发光效率逐年提高，已经达到了通用照明应用的需求。从Cree 2010年最新公布的结果来看，目前

12、其实验室白光LED发光效率达到200 lm/w，商用芯片达到160 lm/w，并计划在2013年量产200 lm/w 的LED。以LED照明封装模块的光效为160 lm/w 记，经过从光源到灯具的过程损失其中约50%，灯具输出的光效能达到 80 lm/w，仍然超过目前荧光灯60-80 lm/w 的光效，并远超过白炽灯10-15 lm/w 的效率。从光效上，LED照明已经达到了替代传统光源的标准。目前商用化的产品已经体现出LED在光效上的优势，如 LED灯泡采用螺杆式底座设计，可以直接用来替换传统的白炽灯泡，不需要改变现有灯头和线路，根据卡口尺寸和灯泡大小划分E26和E17型，4W LED灯泡可

13、替换25W白炽灯泡，6W LED灯泡可替换 40W白炽 灯泡，10W LED灯泡可替换60W白炽灯泡。寓4、腐甘圭就 D灯沦星号丧3、LED灯池号白畑肝池替枫光系LED灯泡对爭2SW200-Z501IH40W4D0-5001O10W60W600-8001m3）成本：降彳氐$/lm 是未来的发展方向技术上，以lm/w 为衡量标准，LED的光效已经达到了替代传统光源的要求，目前制约LED照明迅速普及的主要因素是其高昂的成本。由域灯泡览丸灯炽正）灯WW11W5W4S01WSOObij4001ni艷ImM80 bnA愉幡1-2是尢4*6鼻兀20-2 S良无克扎;庇明2-4获无5O-4j5臭元JOOO6

14、00015000霽科来爲:Topology贽业证 幕研袞屮心就衆LED灯管成本对比(120cm 120c tn)2000 bn2700bn16001m光,疏53 lmA95 |m/wL冬无3-5基无45-7fi关无0.5冬兀Z義兀?000J 0000费扌牛*:挥：h韭业址粮昭岌申心以灯泡型LED为例，LED单灯采购价格约为紧凑型荧光灯的 5倍、白炽灯的20倍。 而实际照明应用设计中，需要以光通量即流明为标准，计算单位流明的成本，LED产生1k流明的价格约是紧凑型荧光灯的 6倍、白炽灯的25倍，成本的差距还很大，成为 LED光 源普及的主要制约因素。因此认为，今后 LED照明发展的主要方向，不应

15、是 lm/w 为代表 的技术升级，而是$/lm为代表的成本降低。4）政策：推动LED照明发展重要影响因素技术和成本之外，各国家和地区政府对节能减排的积极态度，对白炽灯产品的停产和禁用计划，是推动LED照明替代发生的重要影响因素。很多发达国家规划在 2012年左右停止 制造和禁止使用白炽灯泡，LED凭借其节能减排和环境保护方面的优势，是白炽灯替代的理想选择，一旦技术和成本适当，预计会得到各国政府在政策上的大力支持。6、LED产业政策1）世界各国LED产业政策LED是未来的新一代光源，被公认为是21世纪最具发展前景的高技术领域。目前，世界各个国家和地区纷纷制定了LED技术与产业发展计划。日本早在一

16、九九八年就制定了“二十一世纪光计划”。欧盟从二000年七月，实施了 “彩虹计划”，在此基础上，于二00四年七月又启动了“固态照明研究项目”，成立了“欧洲光电产业联盟”。韩国在二000年制定了 “氮化稼半导体开发计划”，成立了光产业振兴会。美国在二00 一年启动的“下一代照明计划（NGLI）”及二00二年设立的“国家半导体照明研究计划”列入了能源法案。各国政府基于能源效率考量，纷纷制定出了禁止白织灯的生产与销售应用。A6.各GQ白炽灯禁刖时同表2009F卩度Q 2009 q特所凉灯更转向节能菠尢灯廿LID灯也正泾评怙中2009 4止也产，対10斗起進歩農止怙冊繪蜒白聂灯2010年丼釜止在来售场所

17、舸匾旄便用白炽灯.2012 吗住也眾止过口粗制進白炽灯EI本2012丰赵战止生严扫悄It 6硕灯2012 1 XX 2014年月，丸多勲由炽灯也将千2014 年在基阂市玲上禁止锚售”2012四 毕号另起禁止訥售100u白炽灯，10年乡月起禁止75山上囱担灯11丰9月起戛止們“以上白炽灯， 牛起煞止箱曙阳有扎我白机灯2012年越榦止俺用台炽灯2009幷9月龙咯止00、诅上古也灯葯（f ” 2012 4起望止 所有白悭灯201320）3耳起發jt炽斤就再2018中同发戏英计电在末走十半内着止白炽灯兌町于卄七爲：LKDmskkr彊担证刘秤岌中心2） 中国LED产业政策发展LED照明符合我国产业发展战

18、略，我国十分重视半导体产业的发展，相继出台了一系列政策，促进相关产业发展：2003年6月，科技部联合信息产业部、教育部、建设部、中科院、轻工业联合会等单 位成立国家半导体照明工程协调领导小组，紧急启动国家半导体照明工程。2006年7月，建设部公布的“十一五”城市绿色照明工程规划纲要中明确表示要 实现单位国内生产总值能源消耗降低20%勺目标，强调要落实节约资源和保护环境的要求，建设低投入、高产出、低能耗、少排放、能循环、可持续的国民经济体系和资源节约型、环 境友好型社会，并把“绿色照明一一在公用设施、宾馆、商厦、写字楼以及住宅中推广高效节电照明系统等”列为十大节能重点工程之一。2007年由国家发

19、改委牵头，财政部、商务部、信息产业部、国税总局等部委开始起草关于进一步鼓励软件产业与集成电路产业发展的若干政策，即受业界普遍关注的“半导体新政”。起草中的半导体产业扶持新政策包含“五免五减半”的企业所得税优惠政策、研发减税（采取信贷和减税并用的方式），以及半导体固定资本设备免税以及对集成电路设计安排专项资金支持等内容。2007年9月10日，建设部公布“十一五”城市绿色照明工程规划纲要，根据“规划”我国将在今后五年内大力推广城市绿色照明，以2005年底为基数，年城市照明节电目标5%到2010年，城市照明中高效节能灯具的应用率将达85%以上。2008年12月，中国国家发展和改革委员会，为加快推进节

20、能减排，逐步淘汰白炽灯， 加快推广节能灯，发展改革委已启动中国逐步淘汰白炽灯、加快推广节能灯行动计划编制工作，节能工作进一步落实。2009年 4月 28日，科学技术部在“关于同意开展“十城万盏”半导体照明应用工程试 点工作的复函”中正式发布在天津市、河北省石家庄市、河北省保定市、辽宁省大连市、黑龙江省哈尔滨市、上海市、江苏省扬州市、浙江省宁波市、浙江省杭州市、福建省厦门市、 福建省福州市、江西省南昌市、山东省潍坊市、河南省郑州市、湖北省武汉市、广东省深圳 市、广东省东莞市、四川省成都市、四川省绵阳市、重庆市、陕西省西安市等21 个城市开展半导体照明应用工程（以下简称“十城万盏”）试点工作。20

21、10年 8月， 国家发改委公布了 半导体照明节能产业发展意见 （以下简称 意见）， 将鼓励国产装备， 建立国产装备的风险补偿机制， 支持关键设备国产化， 并明确了半导体照 明节能产业发展的“六年计划”。意见提出了我国半导体照明节能产业的发展目标，到2015年，半导体照明节能产业产值年均增长率在 30%左右；产品市场占有率逐年提高，功能性照明达 到 20%左右， 液晶背光源达到 50%以上，景观装饰等产品市场占有率达到70%以上；企业自主创新能力明显增强，大型MOCV装备、关键原材料以及 70%以上的芯片实现国产化， 上游芯片规模化生产企 业 3-5 家；产业集中度显着提高，拥有自主品牌、较大市

22、场影响力的骨干龙头企业10家左右；初步建立半 导体照明标准体系； 实现年节电 400亿千瓦时， 相当于年减排二氧化碳 4000 万吨。此外，意见还明确了半导体照明节能产业发展的七大政策措施，包括统筹规划，促 进产业健康有序发展、 继续加大半导体照明技术创新支持力度、 积极实施促进半导体照明节 能产业发展的鼓励政策等。意见同时要求， 各级财税、 发展改革、科技等部门要推动落实国家对生产新型节能 照明产品的企业，从事国家鼓励发展的项目进口自用设备以及按照合同随设备进口的技术及配套件、备件，在规定范围内免征进口关税的优惠政策。鼓励采购国产MOCV装备，建立使用国产装备的风险补偿机制，支持关键装备国产

23、化。推动将半导体照明产品和关键装备列入节能环保产品目录， 享受相应鼓励政策。 推动将半导体照明产品纳入节能产品政府采购 清单。在道路、工矿企业、商厦和家庭 等领域选择推广相对成熟的半导体照明产品，条件 成熟时纳入财政补贴政策支持范围。2011 年， “十二五”规划纲要草案指出，要促进“中国制造”由大变强，支持高端新型电子信息、LED新能源汽车、太阳能光伏、风电等11个战略性新兴产业。在越来越明晰的政策引导下， “培育发展战略性新兴产业，提高产业核心竞争力和经济效益”成为今年全 国“两会”上备受各方关注的重要话题。2011年3月，全国人大代表、扬州市委书记王燕文向大会提交了“关于制定LED产业促

24、进法”的议案，提议国家尽快制定LED产业促进法，加大对LED产业扶持力度，积极 帮助扬州等国家重点 LED产业化基地迅速做大做强。在议案中， 王燕文表示， 在国家有关部委和省市地方共同努力下， 经过 30多年的发展，目前我国LED产业已初步形成了较为完整的产业链，产业规模不断扩大，特别是自2003年实行半导体照明工程以来，进入快速发展期，已经成为世界LED产业发展最快、潜力最大的地区。 2010 年半导体照明产业总体规模达 1200亿元，同比增长约 40%，显示出了市场的迫 切需求和产业发展的良好前景。但是，我们查阅的相关资料及与行业人士沟通得知，目前由于LED照明成本高，中下游产业相对技术简

25、单，因此，国家在政策扶持上重点是对中上游的外延片、芯片生产进行 补贴，以提高国内 LED产业技术水平。二、LED外延片芯片产业概况1 、外延片和芯片简介外延片生长主要依靠生长工艺和设备。 制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气 相沉积 (MOVCD，) 但即使是这种“最经济”的方法，其设备制造难度也非常大，国际上只有 德国、 美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产，设备非常 昂贵，一台 24 片机器的价格高达数千万元。 以往欧美厂商主要包括德国、 美国 Emcore 和 英国 ThommasSwan。 1992 年，德国 Aixttron 根据飞利涌 ( Phil

26、ips )授权专利生产出第一 台多片式行星式反应室的MOVCD机。此后，Emcor被Veeco收购，ThomasSwan被Aixtron收购。 但欧美企业对材料的研究有限， 因此设备的工艺参数不够完善。 而行业内最领先的日 本企业对技术严格封锁，其中对GaN 材料研究最成功的日本日 亚化学和丰田合成ToyodaGoosei ) 的 MOVCD 设备则根本不对外销售，另一家技术比较成熟的日本酸素(Sa nso)公司的设备则只限于日本境内出售。 芯片制造的难度仅次于材料制备，同属于技术和资本密集型产业，进入壁垒仍然很高。 其技术上的难题主要包括提高外量子效率、 降氐结温和有效散热。 目前核心技术同

27、样也掌握 在大企业手中，如美国 HP、Cree、德国Osram等。研究表明，衬底材料是 LED 照明的基础，也是外延生长的基础，不同的衬底材料需要 不同的外延生长技术， 又在一定程度度上影响到芯片加工和器件封装。 因此， 衬底材料的技 术路线必然会影响整个产业的技术路线，是各个技术环节的关键。2、外延片芯片的产业价值芯片的内量子效率、取光效率，统称为 LED 的电光转换效率，在一般情况下，电光转 换效率越高，成本、价格越氐，其应用面越宽广，在 LED 行业领域中，外延片生长、芯片 制造行业的附加值很高，仅次于材料制备。3、外延片芯片制作工艺外延片生长：外延片生长主要依靠生长工艺和设备，在外延炉

28、（MOCVD高温高压无氧环境下，有机金属（MO源）和氢化物分解成原子有序地淀积在芯片的表面，成为外延层， 器件的主要结构如发光层、限制层、缓冲层、反射层均已在外延工序中完成。芯片制造：芯片制造主要是做正、负极和完成分割检测。根据 LED组件结构的需要， 进行金属蒸镀，然后在外延芯片上光罩蚀刻及热处理而制作LED两端的金属电极，接着将衬底磨薄、抛光切割为细小的 LED芯片。芯片制造的最后一步是测试分选。4、外延片芯片行业门槛外延片芯片制作是技术、资本密集的“三高”产业：高难度、高投入、高风险，某些环节技术难度极大、工艺精度要求极高、 对技术和设备的依赖极强。同时氮化镓基化合物半导体外延片材料以及

29、芯片加工是资本投入量最大，技术含量最高，国际竞争最激烈，经营风险最大的领域。其制造难度仅次于材料制备，同属于技术和资本密集型产业，进入壁垒仍然很高。5、外延片芯片行业技术难度外延片的技术难题主要包括提高外量子效率、降低结温和有效散热，目前核心技术掌握在国外大企业手中， 如美国Cree、德国Osram等公司。芯片，由于衬底较脆且机械加工性 差，芯片切割过程的成品率为芯片制造阶段的重点。6、外延片芯片在中国市场上的现况分析现状增长快中国大陆芯片产能变化提升较快，是全球GaN芯片产能增长最快的地区大陆的蓝光芯片产能已超韩国。成为日、台后的第三大生产国中低端大陆GaN芯片仍以中低端为主性能提升较快，在

30、显示屏、信号灯、户外照明、中小尺寸背光灯应用获得 认可进口替 代目前国内产能不到国内封装需求的一半，高性能、大功率LED产品多要依靠进口高档蓝绿、四兀芯片从 Cree、AXT （大连路明子公司）、UOE、晶兀、韩 国进口发展历 史2002 年之前国内LED芯片完全依赖进口2003 年国家半导体照明工程启动，GaN功率型芯片从无到有，带动了小功率芯片的发展2006 年国内LED芯片需求量660亿只，进口 370亿只，国产化率 44%2007 年白光照明用小功率 GaN芯片达80亿只，国产化率超 30%，功率型GaN芯片达20%产值发展2008 年国内已安装 MOCVD设备约100台2009 年国

31、内已安装153台，其中生产 GaN的设备135台，四元的18台2010 年预计到2010年MOCVD的数量达到250台数据国产芯片2007 年2008 年2009 年08年增长09年增长产量（亿）38047055224%17%产值（亿）15192327%21%单价（元）0.0390.040.0422%3%GaN MOCVD8513559%四元系MOCVD151820%MOCVD合计10015353%增长原 因国内发展前几年所购MOCVD设备经过安装调试，陆续投入生产如上海蓝宝、厦门三安、大连路美、上海蓝光、深圳方大等产能转移台湾厂商将部分芯片产能向大陆转移如厦门明达光电加工生产台湾外延商放松外

32、延片出口，国内厂商进口外延片来生产芯 片如广东普光、士蓝明芯等产品结 构GaN芯 片亿只2007 年2008 年2009 年08年增长09年增长产能11516826946%60%产量9313518245%35%产能利用率81%80%68%0-16%国产化率35%41%46%17%12%2009 年种类需求总量国内产量芯片国产率产量比重产量增长GaN LED40018246%33%35%四元LED39620051%36%18%普亮LED26017065%31%0合计105655252%100%16%2008 年种类需求总量国内产量芯片国产率产量比重产量增长GaN LED33013541%28%5

33、0%四元LED34817049%36%42%普亮LED26017065%36%42%合计93847551%100%25%2007 年种类需求总量国内产量芯片国产率产量比重产量增长GaN LED2609035%24%四元LED30012040%32%普亮LED26017065%45%合计82038046%100%分析结构优化GaN心片增长率最冋，其占产量的比重逐步提冋其中蓝、绿芯片 80-100亿只，增长率为 62.5%产能利用GaN芯片的产能利用率在 2009年下滑较快进口替代随着国内产量、质量提升，替代进口 著LED芯片的趋势更加显参与者国内企业国内LED外延片生长和芯片制造的主要企业有：厦

34、门三安、大连路美、 上海蓝光、上海蓝宝、山东花光、杭州士蓝明芯、江西晶能光电、河北冋 辉、沈阳方大、厦门干照、江西联创、南昌欣磊、上海大晨、上海宇体、 深圳世纪晶源、深圳奥伦德、扬州华夏集成、廊坊清芯、甘肃新天电、武 汉迪源、西安中为、广州普光、东莞福地外资企 业武汉华灿、厦门晶宇、厦门明达、晋江晶蓝分析大连路美、 平厦门三安、杭州士兰微取得突破，不断接近海外中高档技术水三、LED外延片芯片产业规模及发展趋势1、LED外延片芯产业规模由于上游外延片生产和芯片制造环节技术要求较高，所以在中国大陆发展较迟，但增长迅速。2007年，我国LED芯片业实现产量 380亿粒，产值15亿元。2009年，我国

35、芯片产 值增长25%达到23亿元，与2008年的26%的增速基本持平。 2009年国产 GaN芯片产能增 加非常突出，较2008年增长60%达到22.4亿只/月，而实际年产量增加 40%达到182亿 只，国产率也提升到了 46%国产芯片的性能得到较大提升，在显示屏、信号灯、户外照明、 中小尺寸背光等高端应用获得认可，大功率芯片的性能和产量也得到很大提升。2002-2008年国内LED芯片市场规模数据来源：泰君安证券国内LED芯片企业稳步增加，MOCVD设备增长超过预期，国内芯片产能和企业经营状况仍将处于一个快速的提升过程之中。据 LED产业研究机构 LEDinside统计，至2009年8 月，

36、中国大陆现存LED芯片生产企业达62个，近几年呈快速上涨的势头。 企业的MOCVD拥 有量超150台，其中已经安装的生产型 GaN MOCV超过135台，生产型四元系 MOCVD 1冶左右，国内科研院所的研究型设备也有所增加。3 21 ID年来国内LED芯片生产徑业快速增加LED ln,汨时证械吋宅厢凶22国內GhN led芯片产能及塔怅情况-U1- 5: LE D Inside,亠时江 * 令 *).1 -按2009年各芯片企业LED外延芯片的销售额计算，中国LED芯片企业前10名排名如下:排苦企业苦称1廈门三安2杭州二兰明芯4山东浪遊华光（济面-潍坊基地）3大连昭芙5质门吃照廈门，插州基地

37、）6上海蓝光1武汶华灿3武汉莊源9广州品科10江门真明丽从中国前10名LED芯片企业看，2009年前7名企业LED外延芯片的销售都超过了 1亿 元人民币，前5名的销售额都超过了1.5亿元人民币。中国前 10名LED芯片企业，目前每个企业都在扩充产能， 总规划增加的达 MOCV数百台。在2009年至2010年资本投入的拉动 下，中国LED芯片行业规模和行业分布格局变化非常大。2009年，随着金融危机的影响逐步减弱和企业经营状况的迅速好转，国内芯片企业在2009年获得了一个较好的经营环境，预计未来几年，国内芯片产能和企业经营状况仍将处于一个快速的提升过程之中。芯片产能扩张有助于改善国内LED产业在

38、国际LED产业链中的地位。国内LED产业封装占产值的88%而利润价值较高的外延片、芯片环节国内并不占优势。通过LED封装切入LED产业链，然后向LED上游价值链延伸攫取产业链利润成为国内LED产业发展的必然趋势。预计未来几年将成为 LED芯片厂商的蓝海竞争时期，接着，自由的竞争环境将很快变成寡头垄断的格局，行业龙头公司不仅拥有强大的资本支持和工艺技术储备，还将迅速圈好“势力”范围，将可能强者恒强。2、LED外延片芯发展趋势LED的光效及价格是决定 LED产品市场应用的两个主要指标。光效的提高将极大的刺激价格的下降，而价格的下降将使LED逐步走入各种照明领域。目前LED的性价比已使其在景 观照明

39、、显示等领域获得主导地位，但在通用照明领域， 市场大规模的启动还有赖价格的下降与光效的提高。因此，光效的提高仍是业界广受关注的话题。据中国半导体照明网调查， 关于LED技术发展问题上，有一半以上的受访者乐观预估2011年国产LED大功率芯片白光光效的产业化水平将达到100120lm/W。对2011年LED照明产品开发关注点的调查中，也有近40%的受访者认为应着力于降低成本的研究。半导体照明技术正处于快速发展时期，从2000年开始LED的发光效率平均每年以1020lm/W的速度大幅提高。至 2010年国际上大功率白光LED产业化的光效水平已经达到130lm/W；韩国首尔半导体在 2010年第一季

40、度开始量产光效为100lm/W的AC LED产品。台湾工研院和晶元光电在开发出ACLED芯片后，又于近期开发了HVLED技术。中国大陆白光LED芯片光效的产业化水平也在2010年基本达到100lm/W左右，具有自主知识产权的功率型Si衬底白光LED芯片光效超过90lm/W。相信未来中国LED芯片发光效率有望获得进一步 的提高。同时在深紫外技术、GaN衬底、GaN外涎层激光剥离、Si衬底外延等方面有可能取得关键技术突破，形成自主知识产权。tOOlrrv W 以下18V10Q-120IitV154K2011年国产LED大功率白光光效的产业化水平将达到:l20lnvW 以上283、大功率LED市场现状及前景大功率LED芯片是指拥有大额定工作电流的发光二极管。普通LED功率一般为0.05W、工作电流为20mA而大功率LED可以达到1W 2W甚至数十瓦，工作电流可以是几十毫安 到几百毫安不等。由于目前大功