三极管放大电路基础.ppt

1、3 三极管放大电路基础,晶体二极管: Diode 半导体器件的基础； 主要特性是单向导通性； 二端器件，应用时不易控制。 晶体三极管：Bipolar Junction Transistors (BJT) 三端器件，应用时易于控制； 用来实现受控源，它是放大器设计的基础,3 三极管放大电路基础,晶体三极管是由两个靠得很近并且背对背排列的PN结，它是由自由电子与空穴作为载流子共同参与导电的，因此晶体三极管也称为双极型晶体管(Bipolar Junction Transistors)，简称BJT,3 三极管放大电路基础,3.1 晶体三极管的物理结构与工作模式 3.2 晶体管放大模式的工作原理 3.3

2、 晶体管的实际结构与等效电路模型 3.4 晶体管的饱和与截止模式 3.5 晶体管特性的图形表示 3.6 晶体管电路的直流分析 3.7 晶体管放大器 3.8 晶体管的交流小信号等效模型 3.9 放大器电路的图解分析 3.10晶体管放大器的直流偏置 3.11单级晶体管放大器电路,3.1.1物理结构与电路符号,3.1三极管的物理结构与工作模式,根据PN结的排列方式不同，晶体三极管NPN型和PNP型两种。 NPN型三极管的物理结构和电路符号如图3-1-1所示,图3-1-1 NPN型(a)物理结构 (b)电路符号,3.1.1物理结构与电路符号,3.1三极管的物理结构与工作模式,PNP型三极管的物理结构和

3、电路符号如图3-1-2所示,图3-1-2 PNP型(a)物理结构 (b)电路符号,结构特点：基区的宽度很薄(m级)，发射区的掺杂浓度远大于基区，集电结的面积大于发射结面积,3.1.2三极管的工作模式,3.1三极管的物理结构与工作模式,依据晶体管的发射结(EBJ)和集电结(CBJ)的偏置情况，晶体管的工作模式如表3-1-1所示,表3-1-1： 晶体管的工作模式,3.2晶体管放大模式的工作原理,3.2.1 晶体管内部载流子的传递(以NPN为例,偏置电压VBE保证发射结正向偏置，偏置电压VCB保证集电结反向偏置，放大模式时晶体管内部的载流子运动如图3-2-1所示,图3-2-1,3.2晶体管放大模式的

4、工作原理,在发射结处(正偏) ： 由两边的多子通过发射结扩散运动而形成的电流。包括： 发射区中的多子(自由电子)通过发射结注入到基区而形成的电子电流 基区的多子(空穴)通过发射结注入到发射区而形成的空穴电流,图3-2-1,注意：注入到基区的自由电子边扩散边复合，同时向集电结边界行进。因基区很薄，绝大部分都到达了集电结边界，仅有很小部分被基区中的空穴复合掉（形成电流,在集电结处(反偏): 两边的少子通过集电结漂移而形成的。包括： 集电区中少子(空穴)漂移而形成的漂移电流 基区中少子(自由电子)漂移而形成的漂移电流 发射区注入的大量自由电子经集电结被集电区收集而形成的电流,3.2晶体管放大模式的工

5、作原理,说明： 发射区为高掺杂浓度、基区为低掺杂的浓度，因此有 集电区中因 由少数载流子形成的，因此有,图3-2-1,正向受控的电流：发射区中的自由电子通过发射结注入、基区扩散(复合)和集电区收集三个环节将发射区的注入电子转化为集电结电流，成为正向受控的电流，且其大小仅受发射结的正向偏置电压VBE控制，而几乎与集电结反向偏置电压VCB无关。 寄生电流：其它载流子运动产生的电流对正向受控作用都是无用的，称为寄生电流,一般情况下，由少子形成的电流 可忽略不计。但随着温度升高，本征激发的增强，基区和集电区的少子剧增，则该电流显著增大,3.2晶体管放大模式的工作原理,3.2.2晶体管的各极电流,集电极

6、电流,其中： 为反向饱和电流，常温下很小，可忽略不计。 但与温度密切相关，温度每升高10度， 约增大一倍。 因此，集电极的电流主要是 ，它主要受发射结的正向偏置电压VBE影响。集电极的电流可表示为,其中IS 为饱和电流，与基区的宽度成反比，与发射结的面积成正比，也称为比例(刻度)电流。典型范围为：10-1210-18A。 它也与温度有关，温度每升高5度，约增大一倍,3.2晶体管放大模式的工作原理,3.2.2晶体管的各极电流,基极电流,其中称为共发射极的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力。 对于给定的晶体管，其值为常数，一般在50到200之间，但会受温度影响,其中： IB1是由基

7、区注入到发射区的空穴产生的电流， IB2是基区中的空穴与发射区注入的自由电子复合引起的电流。 两者均与 成比例关系。基极电流也与集电极电流成比例关系，它可表示为,3.2晶体管放大模式的工作原理,3.2.2晶体管的各极电流,发射极电流,其中为共基极电流放大倍数，它反映了发射极电流 转化为集电极电流 的能力。其值一般小于约等于1 。 与 的关系满足： 或者 注意：PNP型晶体管的工作原理与NPN型晶体管对应，外部各极电流的大小与NPN型一样，但其实际电流的流向则与NPN型晶体管相反,内部看,外部看,例3.1 对于一个NPN型晶体管，当 时， 。求当 和 时，对应的VBE分别为多少,解,当 时： 则

8、 当 时： 则,例3.2 对某电路中NPN晶体管测量,其基极电流为14.46A，发射极电流为1.46mA，发射结电压为0.7V。求该条件下的 、 和,解,因为 则有 所以 因为 有则,3.3晶体管的实际结构与等效电路模型,3.3.1 晶体管的实际结构 (以NPN为例,NPN型晶体管的横截面如图3-3-1所示。 结构特点： 集电区是包围着发射区的，所以集电结比发射结有更大的结面积，这样使得被注入到薄基区的自由电子很难逃脱被收集的命运。因此， 就非常接近于1， 非常大,图3-3-1,3.3晶体管的实际结构与等效电路模型,3.3.2晶体管的等效电路模型,在正偏电压VBE及反偏电压VCB作用下，集电极

9、电流为： 并且与集电结反偏电压VCB大小无关， 相当于一个受VBE控制的压控电流源。 等效电路模型如图3-3-2所示。 该模型实际上是一个非线性的电压控制电流源,图3-3-1,3.4晶体管的饱和与截止模式,3.4.1晶体管的饱和模式,饱和模式：发射结与集电结电压均为正偏。 内部多数载流子（自由电子）的传递如图3-4-1所示,图3-4-1,载流子运动 在发射结VBE正偏作用下：多子正向传递，将发射结的IEN1传递到集电结的ICN1。 在集电结VBC正偏作用下：多子逆向传递，将集电结的ICN2传递到发射结的IEN2,3.4晶体管的饱和与截止模式,3.4.1晶体管的饱和模式,图3-4-1,发射极与集

10、电极电流,各电流同时受VBE 、VBC正偏作用控制，不具有正向受控作用 ； 随VBC的增大， ICN2增大，使得IE、IC迅速减小； 基区复合增加，基极电流IB比放大模式时增大； 则有各电流不再满足放大模式下的各电流关系,3.4晶体管的饱和与截止模式,3.4.1晶体管的饱和模式,图3-4-2,饱和模式等效电路模型：如图3-4-2,在饱和模式下，两个结均为正偏，近似用两个饱和导通电压： 表示 。 工程上取值(硅晶体管) 则有,大小与掺杂浓度有关,3.4晶体管的饱和与截止模式,3.4.2晶体管的截止模式,图3-4-3,截止模式等效电路模型：如图3-4-3,若忽略反向饱和电流 ，则各极电流均为零 ，

11、可用开路表示,截止模式：发射结与集电结电压均为反偏,3.5晶体管特性的图形表示,图3-5-1,伏安特性曲线：用曲线来描述晶体三极管各端的电流与电压关系。以共发射极为例(如图3-5-1,输入特性曲线：是以输出电压为参变量，描述输入端口的输入电流与输入电压之间的关系曲线。即,输出特性曲线：以输入电流(有时也用输入电压)为参变量，描述输出端口的输出电流与输出电压之间的关系曲线。即,3.5晶体管特性的图形表示,图3-5-2,当参变量VCE增大时，曲线向右移动，或者当vBE一定时，iB随VCE的增大而减小,3.5.1输入特性曲线,当VCE为常数时，输入特性曲线是描述输入端口电流iB随端口电压vBE变化的

12、曲线。改变参变量VCE的值，得到一组曲线,如图3-5-2所示,VCE在00.3V内变化时，集电结正偏，BJT工作在饱和模式。在vBE一定时，随VCE减小，饱和程度加深，导致iB迅速增大，即曲线向左移动较大。 VCE大于0.3V时，集电结反偏，BJT工作在放大模式。 iB几乎不随VCE而变化。实际上， iB随VCE增大而略有减小，即曲线向右略有移动,3.5晶体管特性的图形表示,图3-5-3,它分为四个区域： 放大区 截止区 饱和区 击穿区,3.5.2 输出特性曲线,当iB为常数时，输出特性曲线是描述输出端口电流iC随端口电压vCE变化的曲线。改变参变量iB的值，得到一组曲线,如图3-5-3所示,

13、3.5晶体管特性的图形表示,理想情况：放大区内iC的不随vCE变化而变化的。 实际器件：外加电压vCE的变化导致基区的宽度发生变化，该效应称为基区的宽度调制效应。 当vCE的增大时，基区中复合减少， 和 略有增大，曲线略有上翘,放大区,区域： 且 特点：满足,当iB等量增加时，输出特性曲线也将等间隔地平行上移,3.5晶体管特性的图形表示,集电极电流公式修正为,放大区,参变量由iB变为vBE，并反向延长相交于公共点A上，如图3-5-4所示。对应的电压用表示(VA)，称为厄尔利电压。 一般情况,图3-5-4,输出电导为,输出电阻为： 其中 为静态工作电流,3.5晶体管特性的图形表示,当 时，晶体管

14、的两个结均为正偏，晶体管工作在饱和 模式。 随着 的减小而迅速减小,截止区,工程上规定 以下的区域称为截止区。 晶体管工作在截止模式时各极电流均为零，即,工程上规定： 作为饱和区与放大区的分界线,饱和区,3.5晶体管特性的图形表示,击穿区,当 增大到一定值时 ，集电结发生反向击穿，导致集电极电流 剧增，此现象称为击穿。击穿类型为雪崩击穿,称为击穿电压,3.5晶体管特性的图形表示,图3-5-5,晶体管安全工作区域,极限参数,最大允许集电极电流,最大允许集电极耗散功率,集电极反向击穿电压,3.5晶体管特性的图形表示,图3-5-6,转移特性曲线：是指将输入端口的控制变量转移到输出端口的输出变量上。

15、对于BJT晶体管，即 关系，如图3-5-6,当 小于0.5V时，电流很小，可以忽略。 通常在0.6V0.8V之间,3.5.3 转移特性曲线,工程估算时：一般取,3.6 晶体管电路的直流分析,3.6.1分析方法,若 ，则晶体管工作在截止模式， ，依据电路情况进一步确定晶体管各极的电压； 若 ，假设晶体管工作在放大模式，则取 ，计算晶体管的各极电压和电流； 依据中各极的电压判断晶体管的工作状态。若 ，则晶体管工作在放大模式，假设正确，分析结束。若 ，则晶体管工作在饱和模式，假设不正确，转入步骤； 利用晶体管的饱和模型代入直流电路中晶体管，重新分析晶体管的各极电压和电流,分析方法(NPN型)：导通电

16、压 ，饱和电压,分析目的：分析晶体管的各极电压，确定晶体管的各个结的偏置， 进而确定晶体管的工作模式,PNP型：仅将 、 、 用分别代替 、 、 即可,例3.3 在图3-6-1所示的电路中，试分析该电路，确定晶体管各极的电压和电流。假定晶体管的,图3-6-1,解：因为 ，发射极通过电阻 接地，因此，发射结正偏，取 ，则有,判断,晶体管确实工作在放大模式，假设正确，则上述求得的各极电压、电流即为电路的解,例3.4 在图3-6-2所示的电路中，试分析该电路，确定晶体管各极的电压和电流。假定晶体管的,图3-6-2,解：因为 ，发射极通过电阻 接地， ，因此发射结反偏，晶体管 工作在截止模式，则有,例

17、3.5 在图3-6-3(a)所示的电路中，试分析该电路，确定晶体管各极的电压和电流。假定晶体管的,图3-6-3,解：因为 ，假设放大模式，取 ，则有,判断,因此晶体管工作在饱和模式，采用饱和模型如图(b)所示,注意： 以上三个例子的电路一样，但工作模式不一样,例3.6 在图3-6-4所示的电路中，试分析该电路，确定晶体管各极的电压和电流。假定晶体管的,图3-6-4,解：假设晶体管工作在放大模式，取 ，则有,假设正确(判断忽略,例3.7 在图3-6-5所示的电路中，试分析该电路，确定晶体管各极的电压和电流。假定晶体管的,图3-6-5,解：因为 ，发射极通过电阻 接正电源，因此，发射结正偏，取 ，

18、则有,例3.7 在图3-6-6(a)所示的电路中，试分析该电路，确定晶体管各极的电压和电流。假定晶体管的,图3-6-6,解：将左边部分等效为戴维南形式，如(b)图所示，其中,可求得,或者,例3.7说明,发射极与基极的电阻可以互相折算,计算基极的电流：将发射极的电阻 折算到基极中，其折算方法 为乘上系数 ，即为 ； 计算发射极电流：将基极的电阻 折算到发射极中，其折算方法 为乘上系数 ，即为,若 足够大，则有 ， ，工程估算时方便,放大对象交流信号的幅度； 晶体管工作模式放大模式需要直流偏置； 处理方式线性放大工作点应处在特性曲线的线性区域； 实现方法 将晶体管偏置在关系曲线上相对比较直线的工作

19、点Q的位置上(对应的电压电流分别为VBEQ，ICQ)； 将要放大的交流信号vbe叠加在直流电压VBEQ上，要求交流信号vbe的幅度足够小，可认为晶体管被约束在特性曲线的一小段几乎是线性的线段上，可以实现线性放大。 注意变量符号区别 交流量：小写符号小写下标，如 直流量：大写符号大写下标，如 总瞬时量：小写符号大写下标，如,3.7晶体管放大器,其中： 为待放大的交流小信号 为晶体管提供直流偏置电压，保证晶体管工作在放大模式,3.7晶体管放大器,3.7.1晶体管放大器的电路,图3-7-1,基本电路：如图3.7.1,直流分析：令 得直流通路，如下图所示， 则有,直流通路,3.7晶体管放大器,3.7.

20、2集电极电流与跨导,当满足 时，则有,集电极的总瞬时电流,基极与发射极之间总瞬时电压,直流与交流叠加,其中,称为跨导，将 转化为 的能力，它与 成正比关系。其单位为西门子(S,交流信号电流,直流偏置电流,3.7晶体管放大器,跨导的图形求解,跨导是在 特性曲线上对应的直流工作点Q处的斜率，如图3-7-2，即,则有,如图3-7-2,与直流工作点Q有关，即与直流偏置电流ICQ有关,3.7晶体管放大器,3.7.3基极电流与基极输入阻抗,基极交流信号电流,基极总瞬时电流,基极电流,基极输入阻抗,定义：从基极看进去的基极与发射极之间的交流电阻，记作,其中,基极直流偏置电流,3.7晶体管放大器,3.7.4发

21、射极电流与发射极输入阻抗,发射极直流偏置电流,发射极总瞬时电流,发射极电流,发射极输入阻抗,定义：从发射极看进去的发射极与基极之间的交流电阻，记作,发射极交流信号电流,其中,3.7晶体管放大器,基极输入电阻与发射极输入电阻的关系,基极输入阻抗,发射极输入阻抗,因为 或者,两者关系,说明：满足基极电阻与发射极电阻之间的折算关系,3.7晶体管放大器,3.7.5电压放大倍数,集电极的总瞬时电压,定义 电压放大倍数定义为输出交流电压与输入交流电压的比值，也称为电压增益,其中,交流信号电压,电压放大倍数,负号表示反相,3.7晶体管放大器,常用公式小结,3.8晶体管的交流小信号等效模型,信号组成： 总瞬时

22、量 = 直流分量 + 交流分量； 直流分量-决定晶体管的工作模式 交流分量-信号放大的对象 电路组成： 直流通路 + 交流通路； 直流通路-分析晶体管电路的直流分量 交流通路-分析晶体管放大器的相关性能 (要求必须在直流通路基础上进行分) 直流通路与交流通路的画法: 直流通路：令所有交流分量为零所得电路，即将交流独立电 流源开路，交流独立电压源短路。 交流通路：令所有直流分量为零所得电路，即将直流独立电 流源开路，直流独立电压源短路,3.8晶体管的交流小信号等效模型,直流通路、交流通路画法实例,a)图为晶体管放大器基本电路 (b)图为晶体管放大器的直流通路：在(a)图中将 短路即可。 (c)图

23、为晶体管放大器的交流通路：在(a)图中将 、 短路即可,对交流通路的分析通常采用交流小信号等效模型来分析,3.8晶体管的交流小信号等效模型,基极输入的交流电阻为 ，集电极的交流电流为 ，是电流控制电流源，交流小信号等效模型如图3-8-2(a)所示,3.8.1混合 型模型(适合NPN、PNP,图3-8-2,图(b)是电压控制电流源。 图(c)考虑基极引线接触电阻 和厄尔利效应的输出电阻 的电流控制电流源形式。一般取 则有： 图(d)考虑基极引线接触电阻 和厄尔利效应的输出电阻 的电压控制电流源形式,3.8晶体管的交流小信号等效模型,发射极输入的交流电阻为 ，集电极的交流电流为 ，是电压控制电流源

24、，交流小信号等效模型如图3-8-3(b)所示,3.8.2 T型模型(适合NPN、PNP) 共基极放大器,图3-8-3,因此集电极的交流电流也可以看成是一个电流控制的受控源，如图3-8-3(c)所示,又因为,3.8晶体管的交流小信号等效模型,分析方法 在实际放大器电路中，得到晶体管放大器的直流通路，并在此电路上确定晶体管的直流工作点的电压与电流，如 或 由直流工作点状态确定晶体管的交流小信号模型的有关参数： 如： 在实际放大器电路中，得到晶体管放大器的交流通路(将隔直电容和旁路电容短路) 选用一种尽可能简单的交流小信号模型代替交流通路中的晶体管 分析电路，求解所需的量(如电压增益、电流增益、输入

25、阻抗、输出阻抗及各部分的交流量等) 如有必要求解总瞬时量，则将相应的直流量与交流量进行线性叠加,3.8.3 交流小信号等效模型应用,3.8晶体管的交流小信号等效模型,实例分析：试分析图3-8-4所示的晶体管放大器电路的电压增益 ， 假设 。若输入信号 (mV) ，请写出集电极的输出电 压 的表达式,图3-8-4,解：直流通路如图,直流通路,交流小信号参数为,3.8晶体管的交流小信号等效模型,交流通路如图(a,总瞬时值为,代入模型如图(b,当输入信号 (mV)，则有,3.9 放大器电路的图解分析,第一步，确定晶体管的静态工作点Q，利用晶体管的输入特性曲线 来确定晶体管的基极电流 ，如图3-9-2

26、所示，其中 输入负载线,放大器电路分析也可以利用图形的方式进行求解，前提是必须知道晶体管的输入输出特性曲线,求解步骤,放大电路,图3-9-2 输入工作点图解,3.9 放大器电路的图解分析,第二步，确定晶体管的静态工作点Q，利用晶体管的输出特性曲线 ，依据 来确定晶体管的集电极电流 ，如图3-9-3所示，其中 输入负载线,要求： 工作点Q应位于放大区内，并且它所处的位置应保证输入信号幅度有合适的动态范围,图3-9-3 输出工作点图解,3.9 放大器电路的图解分析,第三步，基极加交流信号 ，如图3-9-4所示，此时基极的总瞬时电压为 对应于每个瞬时值，都可以画出对应的输入负载线，这些输入负载线与输

27、入特性曲线相交，交点坐标给出了相应的,放大电路,图3-9-4 输入瞬时值图解,3.9 放大器电路的图解分析,第四步，在输出特性曲线 中，如图3-9-5所示。当 瞬时变化时，工作点将沿着输出负载线移动 (如A、B)，从而确定晶体管的集电极电流 和电压 的波形，并进一步确定输出交流信号的分量 和,图3-9-5 输出图解,3.9 放大器电路的图解分析,电阻 的大小也会影响输出信号的幅度范围，如图3-9-6 较低的 值：其工作点 ，正向幅度会被严重限幅 较大的 值：其工作点 ，负向幅度会被严重限幅,工作点的选择,工作点的位置选择将影响信号的摆幅范围，工作点Q 的位置应尽可能选择在信号正负摆幅相等的位置

28、,折中选择,图3-9-6,3.10晶体管放大器的直流偏置,分压式偏置电路 常用偏置电路,3.10.1 单电源供电的偏置电路,在工程上： 一般取 ， (或者 )为 ， 两端的压降 通过电阻 和 的电流为发射极电流的十分之一,为减小 受温度和 的影响，电路设计时应满足,图3-10-1,例311 设计图3-10-1（a）所示放大器的偏置电路，要求 ，电源电压 。假设晶体管的,解：依据工程估算方法，因为 ， 取 ，则有 取 ，则 所以 因此发射极的电阻为 选择通过电阻 和 电流为发射极电流的十分之一，即 因此 又因为 则可以得到,图3-10-1,3.10晶体管放大器的直流偏置,正负电源供电图3-10-

29、2,3.10.2 双电源供电的偏置电路,与分压式偏置类似，只是将 电压换成 即可,为减小 受温度和 的影响，电路设计时应满足,图3-10-2,发射极电流,3.10晶体管放大器的直流偏置,3.10.3集电极与基极接电阻的偏置电路,图3-10-3,偏置电路如图3-10-3所示,发射极电流,与分压式偏置类似，只是将 电压换成 ， 换成 即可,为减小 受温度和 的影响，电路设计时应满足,3.10晶体管放大器的直流偏置,3.10.4 恒流源偏置电路,图3-10-4,恒流源偏置电路如图3-10-4所示,发射极电流,发射极电流与晶体管的 及电阻 的取值无关，因此电阻 的值可以很大。 采用恒流源偏置方式简化电

30、路设计,特点,说明：恒流源电路的实现将在后面的章节中介绍,3.11单级晶体管放大器电路,小信号放大器电路结构如图3-11-1所示,3.11.1放大器的性能指标,输入阻抗：对信号源而言，放大器可以看作是它的负载，用等效 电阻 表示，称为放大器的输入阻抗，即,性能指标,图3-11-1,3.11单级晶体管放大器电路,输出阻抗：对负载而言，放大器可以看作是它的等效信号源，输 出阻抗是该等效信号源的内阻，称为输出阻抗，用 表示。定义为输出端的开路电压与负载短路电流的比值,3.11.1放大器的性能指标,图3-11-2,外加的电压电流法求取输出阻抗：移去放大器电路中的独立源(独立电压源短路、独立电流源开路)

31、，并将负载用外加的电压 取代，求取电流 ,如图3-11-2所示。 则输出阻抗定义为,3.11单级晶体管放大器电路,相互转换关系,3.11.1放大器的性能指标,增益：也称为放大倍数，常用A表示。定义为放大器的输出量与输入量的比值，衡量放大器放大电信号的能力,四种增益形式 电压增益： 电流增益： 互阻增益： 互导增益,3.11单级晶体管放大器电路,基 极、发射极可作信号的输入端 发射极、集电极可作信号的输出端,3.11.2晶体管放大器的基本组态,三种基本组态电路,NPN型,PNP型,3.11单级晶体管放大器电路,交流通路如图3-11-4(a)所示，交流小信号模型电路如图3-11-4(b)所示,3.

32、11.3共发射极放大器,令独立电压源 ，相应的 ，则 ，因此 放大器的输出阻抗为,输入阻抗,图3-11-4,输出阻抗,3.11单级晶体管放大器电路,当集电极开路时，即 ，此时放大器的增益达到最大值,增益,电压增益,负号表示反相,或者,源电压增益：输出信号 与信号源 的比值，因,电流增益,例3.12共发射极放大器电路如图3-11-5所示。试求输入阻抗、输出阻抗及电压增益,晶体管小信号参数,解：直流分析：直流通路如右下图,图3-11-5,，,交流通路如图及交流小信号模型电路如下所示,输入阻抗,输出阻抗,电压增益,3.11单级晶体管放大器电路,发射极接电阻的共发射极放大器如图3-11-8，也称为改进型的共发放大器电路。 对应的交流通路及交流小信号等效电路如下图所示,3.11.4发射极接电阻的共发射极放大器,图3-11-8,交流通路 交流小信号等效电路,3.11单级晶体管放大器电路,工程估算时忽略电阻,输入阻抗 输出阻抗,输入输出阻抗,或采用电阻折算法,若计入电阻 ，则有(推算略,输入阻抗 输出阻抗,3.11单级晶体管放大器电路,电压增益(不计,优点：克服温度变化对晶体管 影响，提高放大器电路的工作稳定性,3.11单级晶体管放大器电路,交流通路如图3-11-9(a)，不计 的交流小信号模型电路图3-11-9(b,3.1