光纤通信实验报告1 光源的P I特性测试

1、光纤通信实验报告1 实验室名称：光纤通信实验室 实验日期： 2014年12月11日 学 院 信息科学与工 程学院 专业、班级 姓 名 实验名称光源的P-I特性测试 导指 教师 教师评语 教师签名： 年 月 日 实验目的： 1、了解半导体激光器LD的P-I特性。 2、掌握光源P-I特性曲线的测试方法。 实验器材： 1、实验器材：主控&信号源模块、2号、25号模块 各一块 2、23号模块（光功率计） 一块 3、FC/PC型光纤跳线、连接线 若干 4、万用表 一个 实验内容： 激光器的电流与电压的关系类似于正向二极管的特性。该实验就是通过测量输出功率和电流关系，对该线性关系进行测量，以验证P-I的线

2、性关系。最后根据实验数据，绘出光源P-I特性曲线。 实验原理： 数字光发射机的指标包括：半导体光源的P-I特性曲线测试、消光比（EXT）测试和平均光功率的测试。接下来的三个实验我们将对这三个方面进行详细的说 明。 P(mW)I(mA)Ith LD半导体激光器P-I曲线示意图 半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点，微小的电流变化会导致光功率输出变化，是光纤通信中最重要的一种光源，激光二极管可以看作为一种光学振荡器，要形成光的振荡，就必须要有光放大机制，也即启动介质处于粒子数反转分布，而且产生的增益足以抵消所有的损耗。半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如上图所示，该特性有一个转折点

3、，相应的驱动电流称为门限电流（或称阈值电流），用I表示。在门限电流以下，激光器工作于自发辐th射，输出（荧光）光功率很小，通常小于100pW；在门限电流以上，激光器工作于受激辐射，输出激光功率随电流迅速上升，基本上成直线关系。激光器的电流与电压的关系类似于正向二极管的特性。该实验就是对该线性关系进行测量，以验证P-I的线性关系。 P-I特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选阈值电流I尽可th能小，没有扭折点， P-I曲线的斜率适当的半导体激光器：I小，对应P值就小，th这样的激光器工作电流小，工作稳定性高，消光比大；没有扭折点，不易产生光信号失真；斜率太小，则要求驱动信号太大，给驱动

4、电路带来麻烦；斜率太大，则会出现光反射噪声及使自动光功率控制环路调整困难。 实验步骤： 1、关闭系统电源，按如下说明进行连线： （1）用连接线将2号模块TH7（DoutD）连至25号光收发模块的TH2（数字输入），并把2号模块的拨码开关S4设置为“ON”，使输入信号为全1电平。 （2）用光纤跳线连接25号光收发模块的光发输出端和光收接入端，并将光 。”光功率计“打到S1收发模块的功能选择开关（3）用同轴电缆线将25号光收发模块P4（光探测器输出）连至23号模块P1（光探测器输入）。 2、将25号光收发模块开关J1拨为“10”，即无APC控制状态。开关S3拨为“数字”，即数字光发送。 3、将25

5、号光收发模块的电位器W4和W2顺时针旋至底，即设置光发射机的输出光功率为最大状态； 4、开电，设置主控模块菜单，选择主菜单【光纤通信】【光源的P-I特性测试】功能。 5、用万用表测量R7两端的电压（测量方法：先将万用表打到直流电压档，然后将红表笔接TP3，黑表笔接TP2）。读出万用表读数U，代入公式I=U/R7，其中R7=33, 读出光功率计读数P。 调节功率输出W4，将测得的参数填入表格。 P(uW) u(V) I(A) 实验过程原始记录（数据、图表、波形等）： 1、实验过程： 实验接线与结果显示图： 在主控&信号源模块，选择光纤通信菜单，在其中选择选择第一个实验，光源的P-I特性测试。 2

6、实验结果记录 测得参数填入表格如下： P(uW) 413.7 387.0 309.6 239.8 172.5 97.84 13.62 0.16 0.60 0.34 0.51 0.27 0.43 u(V) 0.64 0.0049 0.0081 0.018 0.013 0.0103 I(A) 0.0155 0.019 P(uW) 7.576 1.318 1.040 0.700 0.5120 0.3750 0.1922 0.05 0.13 0.12 u(V) 0.15 0.09 0.14 0.11 0.0015 0.0027 0.0036 0.0042 0.0033 I(A) 0.0039 0.00

7、45 最后根据实验测得数据，用Matlab绘出光源P-I特性曲线图如下： 实验得LD半导体激光器P-I特性曲线450400350300250Wu/P20015010050002468101214161820I/mA Matlab绘制曲线代码如下： x=19,18,15.5,13,10.3,8.1,4.9,4.5,4.2,3.9,3.6,3.3,2.7,1.5;y=413.7,387,309.6,239.8,172.5,97.84,13.62,7.576,1.318,1.040,0.700 ,0.512,0.375,0.1922; plot(x,y) ););ylabel(P/uWxlabel(

8、I/mA )特性曲线LD半导体激光器P-I实验得title(grid on; 对实验结果曲线图的阈值电流部分进行局部放大，如图所示： 实验得LD半导体激光器P-I特性曲线(阈值电流部分)252015Wu/P10503.844.24.44.64.8I/mA 实验结果及分析： 通过进行了光源的P-I特性测试实验，结合了书本上的知识，我对半导体激光器LD的P-I特性有了进一步的了解，同时也掌握了光源P-I特性曲线的测试方法。 首先可以学习到，P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流，I和P都有其阈值。当I小于阈值电流时，激光器发出的是自发辐射光；当I大于阈值电流时，发出的是受激辐射光，光功率随驱动电

9、流的增加而增加。故一般信息的传输采用调制的方法，一般在I大于其阈值电流的线性区间上进行调制。且激光器输出光功率随温度的变化而变化，因为激光器的阈值电流随温度升高而增大，二是外微分量子效率随温度升高而减小，故温度升高时，输出光功率明显下降，达到一定温度时，激光器就不辐射了。P-I特性也是选择半导体激光器的依据，选择的时候，应该选择阈值电流尽可能小，没有扭折点，P-I曲线的斜率适当的半导体激光器。 在做实验的过程中，也因为是初次接触，还有些不习惯，从这第一个实验开始对实验箱的每个模块进行熟悉，中间在读数的时候，我们测得的数据波动的很厉害，不能稳定地读数，所以只能取中间值进行采集。 在实验的过程中，我们对多组数据进行了测量。我们首先由u=0.05(V)测量至u=0.64(V)，发现了P-I大致的规律，后又估计在u=0.15(V)左右对应有阈值电流，故又在此范围附近多测量了几组，使最终结