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文档简介
1、模拟电子技术复习题综合(第1、2 章)选择题1、在本征半导体中掺入微量的价元素,形成N型半导体。A.B.C.D.2、在N型半导体中掺入浓度更大的价元素,变成为型半导体。A.B.C.D.3、在本征半导体中,自由电子浓度空穴浓度。A.大于B.等于C.小于4、在 P型半导体中,自由电子浓度空穴浓度。A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后,A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由构成的。A.确定A.电子B.空穴C.离子D. 分子PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄B.基本不变C.
2、变宽D.无法8、设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是A.I seU B.C.D. I s9、稳压管的稳压区是其工作在A.正向导通B.反向截止C.反向击穿10、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 _B 。A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A.增大B.不变C.A 。减小 D. 都有可能12、 工作在放大区的某三极管,如果当I b从12卩A增大到 22A时, I c从 1mA 变为 2mA,那么它的卩约为 C。A. 83 B. 91 C. 100 D. 1013、 当场效
3、应管的漏极直流电流I d从2mA变为 4mA时,它的低频跨导g m将 _A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体管是A器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压 D.电压控制电流15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量D_。1 为 _D;图 216、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图为_A。基极电位总是处于中间 9V硅管硅管锗管锗管A.夹断电压U GS(off) B. 低频跨导C.可止可负D.C截止区C.饱和区B。Dg m C. 饱和漏极电流17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压耗尽型 PMOS管工
4、作在放大状态时,其栅源电压A.只能为正B.只能为负可正可负,也可为零18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的A.可变电阻(欧姆)区B.D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是I DSS D.开启电压U GS(th)器件。20、场效应管是A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压 D.电压控制电流21、基本共射放大电路中,基极电阻Rb的作用是AA. 限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B. 把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路22、基本共射放大电路中,集电极电阻A.限制集电极电流的大小B.化为输出电压的变化量C.防止信号源被
5、短路D.23、基本共射放大电路中,如果使用直流电压表测出Rc的作用是B将输出电流的变化量转保护直流电压源EcU CE 心 0 ,可能是因为A短路开路短路 D.卩过小24、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察A.相同 B.相反 C.相差 90 D.相差 27025、 NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小Rb失真消除,这种失真一定是_B失真。A. 饱和 B.截止 C.双向 D.相位26、 分压式偏置工作点稳定电路,当3 = 50时,I b=20卩A ,I c=1mA。若只更换3 = 100 的晶体管,而其他参数不变,则I B和I C分别是 A。A. 10 A, 1
6、mA B.20 i A, 2mA C.30 i A, 3mAD. 40 i A, 4mA27、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小28、放大电路产生零点漂移的主要原因是A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积最小,应选耦合方式。A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压30、放大电路的三种组态(A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用C.都有功率放大作用D.都不是一个放大器
7、由两级相同的放大器组成,已知它们的增益)。分别为 30dB 和40dB ,则放大器的总增益为(A. 30dB B. 40dB C. 70dB D. 1200dB31.多级放大器与单级放大器相比,电压增益将(A ) oA.提高B.降低C.不变D.不确定、填空1、PN结中扩散电流的方向是:从P区到N区,漂移电流的方向是从 N区到P区 。2、PN结的最大特点是单向导电性。3、使PN结正偏的方法是:将 P区接高电位,N区接低电位。4、PN结正偏时,有利于多数载流子的运动,阻碍少数载流子的运行。5、PN结反偏时,内电场与外电场的方向相同,空间电荷区变宽,有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运
8、动,此时PN结呈现的电阻大 ,PN结处于截止状态。6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小7、 P型半导体中的多数载流子是空穴 ,N型半导体中的多数载流子是电子 。以上为第一章习题8、从基极输入,从集电极输出的是共射极电路,从基极输入,从发射极输出的是共集电极电路。源 极电路;从栅极输入,9、从栅极输入,从漏输出的是共从源极输出的是共漏极电路。10、共集电极 放大电路的电压放大倍数不可能大于1,共基极 放大电路的电流放大倍数不可能大于111、某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级30dB、第三级15dB 、第四级60dB ,放大器的总增益为100,总的放大倍数为10。12、 当电压
9、放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo 的 时,所对应的两个频率分别称为上限频率和 下限频率,它们之间的频率范围,称为放大电路的通频带,它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。13、 多级电压放大器级间耦合方式有直接 耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。三、 判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。2、 PN结正向电流的大小由温度决定的。( X )3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。(X )4、在 N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(v )5、 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( X )6、 PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(
10、V )7、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(X )8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rgs大的特点。(V )9、若耗尽型N沟道 MOS管的 Ugs大于零,则其输入电阻会明显变小。 ( X )以上为第一章习题10、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;11、可以说任何放大电路都有功率放大作用;12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;(X )13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;15、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输
11、出都毫无变化;( X )16、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(X )2dB、第二级17、某两级放大器中各级电压增益为:第一级3dB,放大器的总增益为6 dB 。( X ) 四、 分析题I Zmin =R的取1、已知稳压管的稳定电压Uz = 6V,稳定电流的最小值5mA,最大功耗Pzm = 150mW。试求左图所示电路中电阻值范围。解:稳压管的最大稳定电流I zm = Pzm/ Uz = 25mA电阻 R的电流为I ZM| Zmin ,所以其取值范围为2、下图示电路中,已知输入I z=5mA , PzM=90mW,问输出电压解:稳压管正常稳压时,工作电流R1 =1k Q,
12、RL=3k Q,Uo能否等于6V ?I DZ应满足 IUi=12V, Uz=6V ,Z V I dz v I ZM,而I ZM即 5mA设电路中Rm90mW6V15mAv I dz v 15mADz能正常稳压,则Uo=Uz=6V。可求得:显然,I DZ I R I LUi UzR也4mARlI dz不在稳压工作电流范围内。以上为第一章习题3、测得工作在放大电路中三极管试判断它是NPN型还是1、2、3脚的电位分别是,PNP型,是硅管还是锗管,并在图上4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。+ 6V-2VI +6V+ 4V4-2V+1V3H 1 C.AF v 1 D.AF模拟电子技术复
13、习题综合(第5 章)一、填空题1. 集成运算放大器工作在线性区时,两输入端的电位可以近似为U+ = U-。相等 ,为保 反馈。负反馈正反2. 理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念,就是流进运放的电流为_0,两个输入端的电压为证运放工作在线性状态,必须引入负3. 为了工作在线性工作区,应使集成运放电路处于状态;为了工作在非线性区,应使集成运放电路处于馈或无反馈状态。4. 输入电阻很大的运算电路是同相比例运算放大器,电路中引入的是电压串联负反馈。5. 电压比较器中的集成运放通常工作在非线性 区,电路工作在开环 状态或引入正 反馈。6. 在模拟运算电路时,集成运算放大器工作在线性 区,而在比较器
14、电路中,集成运算放大器工作在非线性区。7.过零比较器可将正弦波变为为 三角 波。二、选择题1.集成运放电路实质上是一个A. 直接耦合的多级放大电路大电路B. 变压器耦合的多级放大电路方波,积分器可将方波变B.阻容耦合的多级放C.单级放大电路2. 为了工作在线性工作区,应使集成运放电路处于_B状态;为了工作在非线性区,应使集成运放电路处于_C状态。A.正反馈B.负反馈C.正反馈或无反馈D.负反馈或无反馈3. 关于理想集成运放的输入电阻和输出电阻论述正确的是A 。A.输入电阻为,输出电阻为输出电阻为C.输入电阻和输出电阻均为电阻均为 04.关于比例运算电路的说法,不正确的是A. 同相比例运算电路存
15、在共模信号B. 反相比例运算电路不存在共模信号0 B.输入电阻为0 ,D.输入电阻和输出即共模信号为零C. 同相和反相比例运算电路都可用叠加定理求输出D. 同相和反相比例运算电路都存在虚地u o= B5.在右图所示电路中,设Rf开焊,电路的输出电压A. + Uom B.Uom C.g6.在右图所示电路中,若R= Rf,电路的输出电压u o= _D7.右图所示电路的反馈类型和极性是B。A.电压串联负反馈B.电压串联正反馈A. + Uom B.UomD.u iC.电压并联负反馈D.电压并联正反馈8.右图所示电路的电压放大倍数为A。A. AufRfB.ufRfC.AufRfD. AufRfR应选用
16、A9. 为了得到电压放大倍数为A.反相比例运算电路C.积分运算电路10. 为了得到电压放大倍数为A.反相比例运算电路C.积分运算电路100 的放大电路,应选用B. 同相比例运算电路D.微分运算电路50的放大电路,B.同相比例运算电路D.微分运算电路11. 实现积分运算的电路是_A12. 如图所示电路,当输入方波信号时,电路的输出波形为C_。A.正弦波B.矩形波 C. 三角波D.尖脉冲13. 为了从信号中提取高频部分,应选用CA.低通滤波器B.带通滤波器C.D.带阻滤波器14. 为防止 50Hz电网电压干扰混入信号之中,应选用A.低通滤波器B.带通滤波器C.D.带阻滤波器15. 为获取信号中的直
17、流成分,应选用AA.低通滤波器B.带通滤波器C.D.带阻滤波器16. 为提取出10Hz 的信号,应选用_B。A.低通滤波器B.带通滤波器C.D.带阻滤波器17. 收音机用于选台的滤波器应为_C。A.低通滤波器B.高通滤波器C.D.带阻滤波器18. 为了将方波电压变换为三角波电压,应选用A.过零比较器B.滞回比较器C.积分运算电路D.微分运算电路19. 下列关于比较器的说法,不正确的是CA.比较器完成两个电压大小的比较,将模拟量转换为数高通滤波器高通滤波器高通滤波器高通滤波器带通滤波器字量B.构成比较器的集成运放工作在非线性区c比较器电路一定外加了正反馈D比较器的输出电压只有两种可能,即正的最大
18、值或负的最大值20. 下列关于滞回比较器的说法,不正确的是_BA. 滞回比较器有两个门限电压B. 构成滞回比较器的集成运放工作在线性区C. 滞回比较器电路一定外加了正反馈D. 滞回比较器的输出电压只有两种可能,即正的最大值 或负的最大值21. 积分电路可将方波变换为(B )。正弦波D.A. 尖顶脉冲B.三角波C.都不是 三、判断题:1. 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”( X )2. 运算电路中一般均引入负反馈。( V )3. 电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。( V )V )。4. 电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。(5.
19、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区(V6. 当集成运放工作在非线性区时,输出电压不是高电平,就是低电平。(V )7. 一般情况下,在电压比较器中,集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入了正反馈。( V ) 四、计算题1.求出电路的运算关系式。集成运算电路如图所示,试写出输出电压和输入电压和的关系表达式。(1)-O(2 )UiiRiHI11W 100K10K01 1*山2血丄一10KR3100E(3)22 E110K2.试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。解:在图示各电路中,集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。各电路的运算关系式分析如下:(a)(b)(c)(d)
20、模拟电子技术复习题综合(第6、7 章)一.填空题7-1 、稳压电源一般由整流 、滤波和稳压三部分电路组成。7-2 、在负载电流比较小时且其变化也比较小的时候,应采用 电容 滤波电路,而负载电流比较大时应采用电感滤波电路。7-3 、若电源变压器副边电压为U2,则采用半 波整流电路,其输出电压平均值为UO(AV)=;采用全波整流电路,其输出电压平均值为UO(AV) = U2。7-4、若电源变压器副边电压为U2 ,则桥式整流后的输出RlC (3 5 ) T/2的输出电压平均值为U O(AV)=c7-5、 电路如图7-1 所示。已知:U O(AV) =20V,Rl =100 Q。电压平均值为U O(A
21、V)满足,桥式整流电容滤波后7-6、电路如图7-2所示。已知图7-1压管Uz=5V , I z=5mA ,PzM =200mW流电阻 R的取值范围为150280QUi=1214V,稳Rl=250 Q。限;若R=220Q时,当负载电阻开路,则稳压管 大而损坏。可能因管耗过图7-27-7 、如图 7-3所示串联型稳压电路中,已知 Ui =25V,稳压管Uz=5V , R 1= R 3= 200QoR2=400 Q。T 2和 T 3管特性完全相同,T2基极电流可忽略不计,则R2的滑动端在中点时,T2且满足RlC (35)T/2仃呂,Li=rf _-Fx 亠 rzrr。则变压器副边电压U2= 17V1
22、若电容C脱焊,负载电阻Rl上的平均电流I L(AV)=150mAO管的基极电位Ub2为 5V,输出电压Uo的调节范围为:20V。图7-37-8 、电路如图7-4 所示。已知R1 =R2=R 3=200 Q,则输出电压Uo的最小值为9V,输出电压的最大值为18V。二.判断题6-1 、只要满足相位平衡条件,电路就会产生图7-4 正弦波振荡。(x)6-2 、在振荡频率特别高时,应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。(V)6-3 、正弦波振荡电路的频率应决定于选聘网络,而不应决定6-4 、桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。(X)6-5 、 具有选频网络
23、的放大电路引入正反馈,就将产生正弦波振荡。 (X)(V)6-6 、 RC 振荡电路的振荡管一直工作在线性放大区。6-7 、 电容三点式正弦波振荡电路输出的谐波成分比电感三点式的大,因此波形差。(X)6-8 、放大电路中的反馈网络,如果是正反馈则能产生振荡,如果是负反馈则不会产生振荡。6-9 、要制作频率稳定度很高, 一般采用石英晶体振荡电路。6- 10、 石英晶体振荡器在并联应用时是一个(V)7- 1 、 直流稳压电源是能量转换电路,流能量。 (V)7-2 、 在输出电压平均值相同的情况下, 单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。7-3 、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。7-4 、
24、在电网电压波动和负载电阻变化时,压绝对不变。(X)(X)且频率可调的正弦波振荡电路,(X)Q 值很高的电感。是将交流能量转换成直单相半波整流电路和(V)(V)稳压电路的输出电7-5 、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。(V)7-6 、 桥式整流电路中, 流过每个二极管的平均电流相同, 只有负载电路的一半。(V)7-7 、在电容滤波电路中,电容量越大,滤波效果越好,输出电压越小。(X)7-8 、电容滤波电路的输出特性比电感滤波的输出特性差。7-9、电容滤波适用于大电流场合,而电感滤波适用于高电压场合。 (X)(V)7-10 、集成三端稳压电源实质上就是串联稳压电源。79XX 系7-11、7
25、8XX 系列的集成三端稳压电源输出电压为正,列输出电压为负。(V)7-12、开关稳压电源的效率比串联型稳压电源的效果高,电路比串联稳压电源的简单。(X)7-13、开关稳压电源的调整管工作在放大和饱和状态。(X)7-14、开关稳压电源是通过控制调整管的截止和饱和导通时间比(脉冲占空比)来实现稳压的。(V).选择题A、 a+ F=2 n n( n = 0,1,2,)B、丨 AF | =1C、1 AF |1D、 a+ F =2 n n(n = 0,1,2,)且丨AF| 1 6-2、为了获得频率为10kHz的正弦波电压,应选用A、正弦波振荡器只需满足下述条件就能产生振荡(6-1DA、 RC正弦波振荡电
26、路电感二点式LC正弦波B振荡电路C、电容三点式LC正弦波振荡电路石英晶体正弦波振荡电路6-3、为了获得频率为2 MHz 的正弦波电压,应选用A、 RC正弦波振荡电路LC正弦波振荡电C、石英晶体正弦波振荡电路、以上均可6-4、为了获得频率极其稳定的正弦波电压,应选用C、石英晶体正弦波振荡电路D、以上均可6-5、 RC串并联网络在応时,电路呈A、感性B、阻性C6-6、在文氏桥RC正弦波振荡电路中,A 0 A =180 ,0 f=+180C.0 A=0 ,0 F=0 6-7、正弦波振荡电路中正反馈网络的作用是A、保证电路满足相位平衡条件的放大倍数C、使振荡器产生单一频率的正弦波、容性D 、以上都不是
27、C。B. 0 a=+180 , 0 f =+180A。B、提高放大器D、保证放大器满足幅值条件6-8 、在正弦波振荡器中,放大电路的主要作用是A、保证振荡器满足振荡条件能持续输出正弦波信号B、保证电路满足相位平衡条件、以上三种作用都具有C、 把外界的影响减小D6-9 、在 RC文氏桥正弦波振荡电路中,为了满足振荡的相位平衡条件,放大电路的输出信号与输入信号的相位差的适合值为 _D。A、90 B 、180 C 、270 D 、3606-10、并联石英晶体振荡电路的工作频率范围是f Sf 、? D6-13台电子设备中要求正弦波振荡电路的频率为20MHz左右,且频率稳定度达10 -10,应采用正弦波振荡电路。6-14A、 RC BLC C、石英晶体、以上均可、
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