南宁电子信息高技术产业项目立项申请

1、南宁电子信息高技术产业项目立项申请一、基本情况（一）项目名称南宁电子信息高技术产业项目1956年国务院制定的1956-1967科学技术发展远景规划中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。半导体产业链复杂、技术难度高、需要资金巨大，且当时国内外特定的社会环境，中国在资金、人才及体制等各方面困难较多，导致中国半导体的发展举步维艰。直到70年代，中国半导体产业的小规模生产才正式启动。原电子工业部部长在其著作芯路历程中回忆这一阶段历史，提到发展中第一个误区“有设备就能生产”，70年代从日本、美国引进了大量二手、淘汰设备建立了超过30条生产

2、线，但引进后无法解决技术、设计问题，也没有管理、运营能力，第一批生产线未能发挥应有的作用，就淡出了市场。90年代，国家再度启动系列重大工程，为改变半导体行业发展困境，最知名的为908、909工程，908工程在1990年启动，投资20亿元建设国际领先的1微米(1000nm)制程工艺的晶圆制造产线。由于中国彼时整体经济力量还在蓄积，因此经费、设备引进、建厂等环节仍然阻力较大，直至1998年产线得以竣工。此时国际工艺节点达到0.18微米，中国生产线刚建成就落后两代。在1996年国家启动了“909”工程，整体投资约100亿元，并且做出很多打破审批的特事特办，参与其中的公司如今只剩两家，一个是909工程

3、的主体华虹集团，另一个则是完全自筹1.355亿元资金的华为设计公司，也就是后来的海思。集成电路产业链主要分为集成电路设计、集成电路制造以及集成电路封装测试等三个主要环节，同时每个环节配套以不同的制造设备和生产原材料等辅助环节。半导体设备位于整个半导体产业链的上游，在新建晶圆厂中半导体设备支出的占比普遍达到80%。一条晶圆制造新建产线的资本支出占比如下：厂房20%、晶圆制造设备65%、组装封装设备5%，测试设备7%，其他3%。其中晶圆制造设备在半导体设备中占比最大，进一步细分晶圆制造设备类型，光刻机占比30%，刻蚀20%，PVD15%，CVD10%，量测10%，离子注入5%，抛光5%，扩散5%。

4、2017年全球半导体设备市场总量约为566亿美元，同比增长37%，2018年约在600亿美元规模。中国是全球半导体设备的第三大市场，2018年中国半导体设备123.78亿元。我国半导体设备销售收入一直保持高速增长状态，2018年全国半导体设备销售收入123.78亿元，同比增长39.14%，2015-2018年期间，我国半导体设备销售收入复合增长率高达37.93%。半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，核心设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的top3市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等核心设备的国产率普遍较低。经过多年培

5、育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到28nm，并在14nm和7nm实现了部分设备的突破。从政策上看，随着国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025等纲领的退出，国内针对半导体装备的税收优惠、地方政策支持逐步形成合力，为本土半导体设备厂商的投融资、研发创新、产能扩张、人才引进等创造良好环境。财政部先后于2008、2012、2018年出台税收政策减免集成电路生产企业所得税。从地方产业政策来看，多地退出集成电路产业扶持政策及发展规划，从投融资、企业培育、研发、人才、知识产权、进出口以及政府管理等方面退出一系列政策，对符合要求的企业给予奖励和研发补助。全球半导体分为IDM模式和垂直分工模

6、式两种商业模式，老牌大厂由于历史原因，多为IDM模式。随着集成电路技术演进，摩尔定律逼近极限，各环节技术、资金壁垒日渐提高，传统IDM模式弊端凸显，新锐厂商多选择Fabless（无晶圆厂）模式，轻装追赶。集成电路设计为知识密集型产业，国际上比较典型的参与者主要有AMD、英伟达、高通、联发科、苹果、华为海思等公司。芯片设计可以分为数字集成电路设计和模拟集成电路设计两大类。模拟集成电路设计包括电源集成电路、射频集成电路等设计。模拟集成电路包括运算放大器，线性整流器，锁相环，振荡电路，有源滤波器等。相较数字集成电路设计，模拟集成电路设计与半导体器件的物理材料性质有着更大的关联。数字集成电路设计包括系

7、统定义，寄存器传输级设计，物理设计，设计过程中的特定时间点，还需要多次进行逻辑功能，时序约束，设计规则方面的检查，调试，以确保设计的最终成果合乎最初的设计收敛目标。全球芯片设计产业现状全球芯片设计产业龙头企业主要分布在美国，中国，台湾等国家地区，2018年，中国企业海思半导体首次入围全球芯片设计前十企业，营收规模排名全球第五。从整体来看，美国企业仍然占据了绝对主流，前10大芯片设计公司中有8家都来自美国，其他仅有海思半导体和联发科(中国台湾)上榜。2018年全球芯片设计产业规模大约为1139亿美元，同比增速14%，过去五年符合增速约为6.6%。由于近几年智能手机等终端对于芯片性能和数量需求的快

8、速提升，全球芯片设计产业得以快速增长。特别是随着整体芯片设计工艺的持续升级，芯片设计产业充分享受了下游芯片制造大规模投资的产业红利，产业持续高速增长。（二）项目建设单位xxx有限公司（三）法定代表人卢xx（四）公司简介公司始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，宾客至上服务理念，将一整套针对用户使用过程中完善的服务方案。公司的能

9、源管理系统经过多年的探索，已经建立了比较完善的能源管理体系，形成了行之有效的公司、车间和班组级能源管理体系，全面推行全员能源管理及全员节能工作；项目承办单位成立了由公司董事长及总经理为主要领导的能源管理委员会，能源管理工作小组为公司的常设能源管理机构，全面负责公司日常能源管理的组织、监督、检查和协调工作，下设的能源管理工作室代表管理部门，负责具体开展项目承办单位能源管理工作；各车间的能源管理机构设在本车间内，由设备管理副总经理、各车间主管及设备管理人为本部门的第一责任人，各部门设立专（兼）职能源管理员，负责现场能源的具体管理工作。公司引进世界领先的技术，汇聚跨国高科技人才以确保公司产业的稳定发

10、展和保持长期的竞争优势。公司近年来的快速发展主要得益于企业对于产品和服务的前瞻性研发布局。公司所属行业对产品和服务的定制化要求较高，公司技术与管理团队专业和稳定，对行业和客户需求理解到位，以及公司不断加强研发投入，保证了产品研发目标的实施。未来，公司将坚持研发投入，稳定研发团队，加大研发人才引进与培养，保证公司在行业内的技术领先水平。上一年度，xxx有限责任公司实现营业收入10178.96万元，同比增长21.92%（1830.24万元）。其中，主营业业务半导体集成电路生产及销售收入为9535.75万元，占营业总收入的93.68%。根据初步统计测算，公司实现利润总额2356.66万元，较去年同期

11、相比增长557.27万元，增长率30.97%；实现净利润1767.49万元，较去年同期相比增长385.47万元，增长率27.89%。（五）项目选址某工业园区（六）项目用地规模项目总用地面积45122.55平方米（折合约67.65亩）。（七）项目用地控制指标该工程规划建筑系数56.65%，建筑容积率1.15，建设区域绿化覆盖率7.13%，固定资产投资强度198.28万元/亩。项目净用地面积45122.55平方米，建筑物基底占地面积25561.92平方米，总建筑面积51890.93平方米，其中：规划建设主体工程35733.14平方米，项目规划绿化面积3700.15平方米。（八）设备选型方案项目计划

12、购置设备共计164台（套），设备购置费4606.60万元。（九）节能分析1、项目年用电量774929.78千瓦时，折合95.24吨标准煤。2、项目年总用水量12147.90立方米，折合1.04吨标准煤。3、“南宁电子信息高技术产业项目投资建设项目”，年用电量774929.78千瓦时，年总用水量12147.90立方米，项目年综合总耗能量（当量值）96.28吨标准煤/年。达产年综合节能量25.59吨标准煤/年，项目总节能率20.69%，能源利用效果良好。（十）项目总投资及资金构成项目预计总投资15481.66万元，其中：固定资产投资13413.64万元，占项目总投资的86.64%；流动资金2068

13、.02万元，占项目总投资的13.36%。（十一）项目预期经济效益规划目标预期达产年营业收入15738.00万元，总成本费用11995.02万元，税金及附加242.44万元，利润总额3742.98万元，利税总额4501.69万元，税后净利润2807.24万元，达产年纳税总额1694.46万元；达产年投资利润率24.18%，投资利税率29.08%，投资回报率18.13%，全部投资回收期7.01年，提供就业职位252个。（十二）进度规划本期工程项目建设期限规划12个月。（十三）项目评价1、项目达产年投资利润率24.18%，投资利税率29.08%，全部投资回报率18.13%，全部投资回收期7.01年，

14、固定资产投资回收期7.01年（含建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。2、在我国国民经济和社会发展中，制造业领域民营企业数量占比已达90%以上，民间投资的比重超过85%，成为推动制造业发展的重要力量。近年来，受多重因素影响，制造业民间投资增速明显放缓，2015年首次低于10%，2016年继续下滑至3.6%。党中央、国务院高度重视民间投资工作，近年来部署出台了一系列有针对性的政策措施并开展了专项督查，民间投资增速企稳回升，今年1-10月，制造业民间投资增长4.1%，高于去年同期1.5个百分点。二、背景及必要性(一)项目建设背景当前，大数据、云计算、物联网、人工智能等信息产业技术快速发展，

15、持续为半导体产业提供强劲市场需求，全球集成电路产业将迎来新一轮的发展机遇。全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示，2018年全球半导体市场规模达到4688亿美元，同比增长13.7%。模拟芯片、微处理器、逻辑芯片和存储器市场规模分别为588亿美元、672亿美元、1093亿美元和1580亿美元。2018年全球存储器市场增速依旧领跑，达到27.4%;模拟芯片市场增速为10.7%，处理器电路市场增速为5.2%，逻辑芯片市场增速为6.9%。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路(约占81%)，光电器件(约占10%)，分立器件(约占6%)，传感器(约占3%)，因此通常将半导体和集成电路等价。受中美贸易因素

16、以及智能手机、PC需求动能减弱影响，2019上半年全球半导体景气低迷。根据美国半导体产业协会(SIA)的数据显示，2019年上半年，全球半导体市场销售额累计为2037亿美元，比2018年同期销售额下降了14.5%。近年来，中国已成为带动全球半导体市场增长的主要动力，多年来市场需求均保持快速增长，以中国为核心的亚太地区在全球半导体市场中所占比重快速提升。根据中国半导体协会公布的数据来看，2018年中国集成电路行业销售额为6532亿元，同比增长20.7%，但受到全球半导体市场下降影响，中国集成电路产业增速有所下降。中国半导体行业协会统计，2019年1-6月中国集成电路产业销售额为3048.2亿元，

17、同比增长11.8%。一直以来，我国国内集成电路行业聚焦于产业链的下游位置，主要优势在于集成电路组装和封测。但近年来国内集成电路的产业结构持续优化。2019年上半年，中国集成电路设计业销售收入比重为39.6%，集成电路制造业销售收入比重为26.9%，集成电路封装测试业销售收入比重为33.5%。对比过去，如今我国国内集成电路的产业结构明显更加合理。在国内集成电路产业发展中，集成电路设计业始终是国内集成电路产业中最具发展活力的领域，增长也最为迅速。根据中国半导体行业协会统计，集成电路设计业销售收入从2014年的1047.4亿元增长到2018年的2519.3亿元。截至2019年上半年中国集成电路设计业

18、销售收入为1206.1亿元，同比增长18.3%，增速有所下滑。2014年以来，我国集成电路制造业销售收入波动增长，从2014年的712.1亿元增长至2018年1818.2亿元，翻了近2.6倍。截至2019年上半年，我国集成电路制造业销售额累计达到820亿元，同比增长11.9%。目前，我国集成电路制造业中存储器工艺实现突破14纳米逻辑工艺，但与国外仍有两代差距。在我国产业升级大时代背景下，随着我国消费电子产业的崛起、相关产业工程师数量的日益增多，使得中国集成电路封测业迅速崛起，目前我国封测领域已经处于世界第一梯队。根据中国半导体行业协会的统计数据，我国集成电路封装测试行业市场规模逐年增长，201

19、8年，我国集成电路封装测试行业市场规模突破2000亿元，达到了2193.9亿元，同比增长16.1%。截至2019年上半年，我国国集成电路封装测试行业销售额累计达到1022.1亿元，同比增长5.4%，增速大幅下滑。全球半导体市场增长与经济环境有明显同步性，2018年半导体市场规模稳定增长，预计2019年将延续稳定趋势，下半年将迎来逐步回暖。从厂商角度来看，2018年行业垄断形式依然显着，前十大厂商占据市场近八成份额，短期内新兴厂商实现突破难度较大。从并购角度来看，2018年延续了2017年平稳的并购态势，但相比2015-2016年已经规模明显缩减，随着收购标的减少以及监管趋严，未来大规模并购的可

20、能性将会越来越小。(二)必要性分析据了解，2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存化等综合因素的干扰，全球半导体产业普遍处于下滑态势。作为半导体产业里的关键产品之一，集成电路领域的发展趋势备受关注。集成电路(integratedcircuit)是一种微型电子器件或部件。缩写为IC；采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构;是使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面发展的核心因素之一。根据Gartner报告显示，2019年全球半导体收

21、入总计4,183亿美元，相比2018年下滑了11.9%。从国内情况来看，受到全球半导体市场下滑影响，我国集成电路产业2019年增速也出现显著下降，根据中国半导体行业协会统计，2019年1-9月，中国集成电路产业销售额5,049.9亿元，同比增长13.2%，增速同比下降了9.2个百分点。据中商产业研究院数据库显示，2020年1-2月中国集成电路出口量有所增长，2020年1-2月中国集成电路出口量为327.2亿个，同比增长13.6%。2020年，深圳宝安湾腾讯云计算有限公司正式成立，注册资本为2000万元，由腾讯云的运营主体腾讯云计算(北京)有限责任公司全资控股，法定代表人为腾讯云副总裁王景田。三

22、、产品规划分析（一）产品规划项目主要产品为半导体集成电路，根据市场情况，预计年产值15738.00万元。进入二十一世纪以来，随着我国国民经济的快速持续发展，经济建设提出了走新型工业化发展道路的目标，国家出台并实施了加快经济发展的一系列政策，对于相关行业来说，调整产业结构、提高管理水平、筹措发展资金、参与国际分工，都将起到积极的推动作用，尤其是随着我国国民经济逐渐融入全球经济大循环，各行各业面临市场国际化，相应企业将面对极具技术优势、管理优势、品牌优势的竞争对手，市场份额将会形成新的分配格局。项目产品的市场需求是投资项目存在和发展的基础，市场需要量是根据分析项目产品市场容量、产品产量及其技术发展

23、来进行预测；目前，我国各行业及各个领域对项目产品需求量很大，由于此类产品具有市场需求多样化、升级换代快的特点，所以项目产品的生产量满足不了市场要求，每年还需大量从外埠调入或国外进口，商品市场需求高于产品制造发展速度，因此，项目产品具有广阔的潜在市场。通过对国内外市场需求预测可以看出，我国项目产品将以内销为主并扩大外销，随着产品宣传力度的加大，产品价格的降低，产品质量的提高和产品的多样化，项目产品必将更受欢迎；通过对市场需求预测分析，国内外市场对项目产品的需求量均呈逐年增加的趋势，市场销售前景非常看好。（二）用地规模该项目总征地面积45122.55平方米（折合约67.65亩），其中：净用地面积4

24、5122.55平方米（红线范围折合约67.65亩）。项目规划总建筑面积51890.93平方米，其中：规划建设主体工程35733.14平方米，计容建筑面积51890.93平方米；预计建筑工程投资3694.95万元。南宁，简称邕，别称绿城、邕城，是广西壮族自治区首府、北部湾城市群核心城市，国务院批复确定的中国北部湾经济区中心城市、西南地区连接出海通道的综合交通枢纽。截至2018年，全市下辖7个区、5个县，总面积22112平方千米，建成区面积372平方千米，常住人口725.41万人，城镇人口452.61万人，城镇化率62.4%。南宁地处中国华南地区、广西南部，中国华南、西南和东南亚经济圈的结合部，是

25、泛北部湾经济合作、大湄公河次区域合作、泛珠三角合作等多区域合作的交汇点，也是中国面向东盟开放合作的前沿城市、中国东盟博览会永久举办地、国家一带一路有机衔接的重要门户城市，南部战区陆军机关驻地。南宁古属百越之地，东晋大兴元年（318年），建晋兴郡，为郡治所在地，南宁建制从此开始，至今已有1700年历史；唐朝贞观年间（632年），更名邕州，设邕州都督府，南宁的简称邕由此而来；元朝泰定元年（1324年），邕州路改名为南宁路，取南疆安宁之意，南宁得名始于此。南宁是一座历史悠久的文化古城，同时也是一个以壮族为主的多民族和睦相处的现代化城市。2017年1月，国务院发布北部湾城市群发展规划，将南宁定位为面向

26、东盟的核心城市，支持建成特大城市和边境国际城市；2018年11月入选中国城市全面小康指数前100名；2018年重新确认国家卫生城市（区）。2023年，第三届全国青年运动会将在广西举行，广西计划采取以南宁市为主，其他城市辅助的办赛模式举办青运会。（三）用地总体要求本期工程项目建设规划建筑系数56.65%，建筑容积率1.15，建设区域绿化覆盖率7.13%，固定资产投资强度198.28万元/亩。项目预计总建筑面积51890.93平方米，其中：计容建筑面积51890.93平方米，计划建筑工程投资3694.95万元，占项目总投资的23.87%。（四）选址综合评价投资项目选址符合国家相关供地政策及规划要求

27、，其建筑系数、建筑容积率、建设区域绿化覆盖率、办公及生活服务用地比例、投资强度等各项用地指标，均符合工业项目建设用地控制指标（2008版）中的相关规定要求。四、项目风险评估投资项目涉及的利益群体，从紧密程度讲，首先是项目承办单位的职工，其次是周边的居民；项目实施后，企业的经济效益将大幅度提高，企业的职工可从投资项目中直接受益；投资项目的建设运营，必将促进当地财政税收的增长，有利于加快当地的道路、交通、环境、公益事业等各个方面的发展，周边居民是投资项目的间接受益者。通过对以上社会影响分析、互适性分析、社会风险分析，说明投资项目的建设具有良好的社会可行性，有利于促进项目建设地和谐社会的发展，因此，

28、投资项目从社会影响角度分析是完全可行的。五、投资方案（一）固定资产投资估算本期项目的固定资产投资13413.64(万元）。（二）流动资金投资估算预计达产年需用流动资金2068.02万元。（三）总投资构成分析1、总投资及其构成分析：项目总投资15481.66万元，其中：固定资产投资13413.64万元，占项目总投资的86.64%；流动资金2068.02万元，占项目总投资的13.36%。2、固定资产投资及其构成分析：本期工程项目固定资产投资包括：建筑工程投资3694.95万元，占项目总投资的23.87%；设备购置费4606.60万元，占项目总投资的29.76%；其它投资5112.09万元，占项目总

29、投资的33.02%。3、总投资及其构成估算：总投资=固定资产投资+流动资金。项目总投资=13413.64+2068.02=15481.66（万元）。（四）资金筹措全部自筹。六、项目经济效益分析（一）营业收入估算该“南宁电子信息高技术产业项目”经营期内不考虑通货膨胀因素，只考虑半导体集成电路行业设备相对价格变化，假设当年半导体集成电路设备产量等于当年产品销售量。项目达产年预计每年可实现营业收入15738.00万元。（二）达产年增值税估算达产年应缴增值税=销项税额-进项税额=516.27万元。（三）综合总成本费用估算根据谨慎财务测算，当项目达到正常生产年份时，按达产年经营能力计算，本期工程项目综合

30、总成本费用11995.02万元，其中：可变成本10365.37万元，固定成本1629.65万元，具体测算数据详见总成本费用估算一览表所示。（四）利润总额及企业所得税利润总额=营业收入-综合总成本费用-销售税金及附加+补贴收入=3742.98（万元）。企业所得税=应纳税所得额税率=3742.9825.00%=935.75（万元）。（五）利润及利润分配1、本期工程项目达产年利润总额（PFO）：利润总额=营业收入-综合总成本费用-销售税金及附加+补贴收入=3742.98（万元）。2、达产年应纳企业所得税：企业所得税=应纳税所得额税率=3742.9825.00%=935.75（万元）。3、本项目达产年

31、可实现利润总额3742.98万元，缴纳企业所得税935.75万元，其正常经营年份净利润：企业净利润=达产年利润总额-企业所得税=3742.98-935.75=2807.24（万元）。4、根据利润及利润分配表可以计算出以下经济指标。（1）达产年投资利润率=24.18%。（2）达产年投资利税率=29.08%。（3）达产年投资回报率=18.13%。5、根据经济测算，本期工程项目投产后，达产年实现营业收入15738.00万元，总成本费用11995.02万元，税金及附加242.44万元，利润总额3742.98万元，企业所得税935.75万元，税后净利润2807.24万元，年纳税总额1694.46万元。七

32、、项目结论1、降低中小企业成本，发挥减轻企业负担工作机制的作用，进一步推进合理降低企业税负，全面实施涉企收费目录清单管理，规范涉企收费行为，减轻中小企业负担。优化行政审批流程和企业投资项目相关审批程序，推进降低制度性交易成本。推进降低企业融资成本，推动降低企业用能、用地成本等。2、3、本期工程项目投资效益是显著的，达产年投资利润率24.18%，投资利税率29.08%，全部投资回报率18.13%，全部投资回收期7.01年（含建设期），表明本期工程项目利润空间较大，具有较好的盈利能力、较强的清偿能力和抗风险能力。半导体材料升级换代。作为集成电路发展基础，半导体材料逐步更新换代，第一代半导体材料以硅

33、（Si）为主导，目前，95%的半导体器件和99%以上的集成电路都是硅材料制作。20世纪90年代以来，光纤通讯和互联网的高速发展，促进了以砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料的需求，其是制造高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于通讯、光通信、GPS导航等领域。第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。国内半导体材料市场高速增长。半导体材料市场会根据半导体行业的变化而变化。目前，2015年全球半导体材料市场产值已达到434亿美元，约占据整体产业的13%

34、，其规模巨大。国内半导体材料市场近年来受产业链增长拉动，半导体材料销售额保持较高增速，2006-2015年保持平均14%的增长率。2015年已经达到61.2亿美元的规模，且占有率有持续增长的趋势。预计随着全球半导体产业向大陆转移，日本、台湾等占有率将有所下降，而大陆半导体材料市场将会进一步扩大。新一代半导体应用领域广泛，潜在市场空间大。第二、三代半导体材料正在引起清洁能源和新一代电子信息技术的革命，无论是通信、照明、消费电子设备、新能源汽车、智能电网、还是军工用品，都对这种高性能的半导体材料有着极大的需求。未来第三代半导体技术的应用将催生我国多个领域的潜在市场，届时将产生巨大的市场应用空间。通

35、信技术更新换代，传输速度呈数量级增长。从上世纪80年代至今，每一代移动通信标准都有着其标志性的能力指标和核心关键技术。1G只能提供模拟语音业务；2G的GSM网络可提供数字语音和低速数据业务；3G以CDMA为技术特征，用户峰值速率达到2Mbps至数十Mbps，可以支持多媒体数据业务；4GLTE网络用户峰值速率可达100Mbps以上，能够支持各种移动宽带数据业务。5G技术将引领新革命。相比前四代通讯技术，5G网络的变革将更加全面，在进一步提高通讯传输速度的同时，更加强调连续广域覆盖、热点高容量、低时延高可靠和低功耗大连接等场景下的技术需求，为进一步升级的移动互联网市场，和新兴的物联网、智能汽车、智

36、能制造、虚拟现实等市场提供多元化的技术方案。目前国际主流的行业组织、运营商、设备厂商和芯片厂商都在积极投入5G标准的制定，预计到2020年前后，5G网络将实现商用。未来，5G网络的商用必然将催生移动通信芯片升级换代的海量市场，同时也将带来通讯芯片市场版图的巨大变化。5G技术高速率和低延迟的要求，对化合物半导体提出了新的需求。比如功率、线性度、工作频率、效率、可靠性等都需要达到极高的标准。由于5G通信全频带通信的特性，5G手机中射频前端芯片数量将进一步增加，带动以GaAs为代表的第二/三代化合物半导体产业链发展。具体到实践当中，可以从设备端和基站端两分析。基站端需求。5G实际应用中，带相控阵天线的手机将发射信号给基站和微蜂窝基站，基站和微蜂窝基站将与相控阵天线对接以实现信号连接。基站使用的射频功率管一般采用LDMOS工艺，但现在LDMO