模拟电路第四版第一章作业解答.ppt

1，作业：P69至70，3，4，5，6，7，8，9，10，11，12；作业：P70至71；作业：P67，1，2(ffr(1)在n型半导体中充分混合三价元素，就可以转化为p型半导体。()(2)n型半导体的多子是自由电子，因此具有负电性。(3)PN接头没有光或电压时，接头电流为零。()(4)放大状态的晶体管，集电极电流由多个子漂移动作形成。(5)接合场效应管和栅源电压必须使栅源之间的耗尽层承受反向电压，才能保证较大的特性。()(6)如果耗尽型n通道MOS管的大小大于0，则输入电阻会明显减小。()，第二，选择正确答案，填空。(l)PN连接加上正向电压，空间电荷面积为a。a .变窄b .基本不变c .变宽(2)稳定管的调节器在c上工作。a .正向传导b .反向阻断器c .反向击穿(3)晶体管放大时，发射结电压和集电极结电压必须为b。a .前一个的半偏置，后一个也是b .前一个的正偏置，后一个是c .前一个的正偏置，后一个是正(4)UGS=0V，则在恒流区域工作的fet有a，c。a .接合管b .增强型MOS管c .耗尽型MOS管，3，1.3电路为已知ui=5s in (v)，二极管传导电压ud=0.7v，如图P1.3所示。绘制Ui和uO的波形并显示振幅。图P1.3，图P1.3，解决方案：0 ui 3.7v时二极管D1正向传导，uo=3.7v同样，在-3.7v ui 0处，二极管D1，D2阻止uo=ui。Ui izm=25ma，通过过流烧毁稳定管。解决方案：(1)如果ui=10v，则将uo=uz=6v设置为稳定管中的电流为4mA，小于最小稳定电流，因此稳定管不会损坏。因此，当图P1.6，ui=15v，uo=uz=6v设定时，稳定器管的电流为：(2)，在7，1.7图P1.7所示的电路中，发光二极管传导电压ud=1.5v仅在正向电流在5 15毫安时工作。(1)开关s处于什么位置时，指示灯发光吗？(2)R的范围是多少？解决方案：(1)S关闭，打开电路后，发光二极管可以发光。(2) IR=ID在5 15毫安范围内，r的范围在图P1.7，8，1.8中，已知两个晶体管的电流放大系数分别为50和100，因此，现在对放大电路中两个电子管电极的电流进行了测量，如图P1.8所示。每一个都求出不同电极的电流，显示其实际方向，并在其中画出管子。解决方案：首先根据电流方向确定两个晶体管针脚，如解决方案图P1.8所示。，IB=10uA，IC=1mA，根据电流方向判断为NPN管，IE=1.01mA，IB=100uA，IE=5.1mA，根据电流方向判断为PNP管，IC=图P1.8、图P1.8、(b)、(a)、9，1.9测量放大电路中六个晶体管的直流位，如图P1.9所示。在圆圈内绘制管子，分别显示是硅胶管还是锗管。图P1.15，解决方案：每个晶体管管道和材料取决于硅管UBE=0.7V、锗管UBE=0.2V和针脚之间的电压关系。答案与解决方案表P1.9相同。接脚图如图P1.9所示。解决方案表P1.15，解决方案图P1.15，10，1.10电路图P1.10所示，晶体管传导时间UBE=0.7V，=50。在3种情况下(0V、1V和3V)，试验VBB是t的操作状态和输出电压uO值。解决方案：(1) vbb=0时晶体管b，e接头零偏移。t切除，uo=12v。(2) vbb=1v时晶体管b，e接头正偏置。t表示放大状态。(3) vbb=3v时晶体管b，e接头正偏置。t处于饱和状态。图P1.10，11，1.11电路显示晶体管的=50，| ube |=0.2v，饱和管的压降| uces |=0.1v，如图P1.11所示；稳定电压uz=5v，正向传导电压ud=0.5v. Ui=0v时uo=？如果Ui=-5v，则uo=？图P1.11，解决方案：ui=0时晶体管切断，稳定管击穿，uo=-uz=-5v。Ui=-5v时，uo=0.1v，因为晶体管已饱和。12，1.12分别在图P1.12所示的每个电路中判断晶体管是否有可能在放大状态下工作。图P1.12，解决方案：(a)可能。由于放大管是PNP管，因此满足UE ub UC、发射接头正偏差、集电极接头反向偏移、放大条件。(b)可能。放大管是NPN管，因此UC ub UE，发射接头正，与集电极接头相反，满足放大条件。(c)不行。放大管是PNP管，因此不满足ub UE、发射接头偏移