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期末复习填空题（每空1分，共200空）1、下图是N沟道JFET的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流 mA，夹断电压为 V。321-4-2iD(mA)UGS(V)2、双极型三极管内部由 个PN结构成，结型场效应三极管内部有 个PN结,MOS场效应管共有 种类型。3、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太 时，将产生饱和失真，输出电压波形被削去 ；饱和失真时集电结 偏。 4、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力 。电子型半导体称为 型半导体。5、二极管的正向电流是由 载流子的 运动引起，温度升高时，其反向饱和电流 。6、二极管最主要的特性是 。7、如果双极型三极管三个极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为 型三极管。8、稳压管通常工作在 区，反向电流在较大范围变化时，两端电压 。9、PN结加正向电压，空间电荷区将 ；PN结加反向电压，空间电荷区将 。10、双极型三极管是 控制器件，双极型三级管放大电路除共射连接外还有 和 连接方式。场效应管是 控制器件。11、P型半导体是在本征半导体中掺入 原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是 。12、杂质半导体的导电性能决定于 。13、PN结反偏电压越大其势垒电容越 。14、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位分别是（-11.3V）、（-5V）、（-12V），则该管是 管（填“NPN”或“PNP”）。15、N型半导体是在本征半导体中掺入 价元素的原子，其多数载流子是 。16、二极管的伏安特性方程为= 。17、三极管工作在放大状态时，发射结 偏，集电结 偏。18、当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是 。19、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位如下图所示，则该管是 管（填“NPN”或“PNP”）。20、下图所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。 21、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图所示，该电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。 22、P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素的原子，其多数载流子是 。23、二极管正向导通时的交流电阻为 。24、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性。25、三极管工作在饱和状态时，发射结 偏，集电结 偏。26、当温度升高时，三极管穿透电流变化的趋势是 。27、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位如下图所示，则该管是 管（填“NPN”或“PNP”）。28、下图所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。29、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图所示，说明电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。30、N型半导体是在本征半导体中掺入 原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是 。31、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在 电容。32、二极管正向导通时，其直流电阻 交流电阻（填“”或“”或“=”）。33、一般二极管 （填“能”或“不能”）作稳压二极管使用。34、三极管工作在放大状态时，发射结电流是 电流，集电结电流是 电流（填“正向”或“反向”）。35、当温度升高时，三极管集电结反向饱和电流变化的趋势是 。36、下图所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。 37、在PNP型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图所示，说明电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。38、两个电流放大系数分别为b1和b2的晶体管复合，其复合管的b值约为 。39、已知某放大电路如下图所示，电路中D1和D2管的作用是消除 。40、在下图所示的电路中，稳压管DZ的稳定电压 UZ = 6V，最小稳定电流IZmin= 5 mA，输入电压UI =12V，电阻R=100W，在稳定条件下IL的数值最大不应超过 mA 。 R + + DZ IL UI RL U0 - - 41、按结构不同场效应管分为 型和 型两大类。42、当放大电路的输入信号频率等于截止频率时，放大电路的电压放大倍数的值约下降到中频时的 ，即增益下降 dB 。43、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中， 电路频带较宽（填“共射”、或“共基”或“共集”）。44、若差分放大电路的输入信号, ,则两输入端各自的差模信号的绝对值等于 。45、场效管的高频特性比晶体管的高频特性要 （填“好”或“差”）。 46、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中， 电路功率放大较强（填“共射”、或“共基”或“共集”）。47、若差分放大电路的输入信号, ,则共模信号等于 mV。48、在晶体管单管放大电路的三种连接方式中， 电路带负载能力较强（填“共射”、或“共基”或“共集”）。49、若差分放大电路的输入信号, ,则差模信号等于 mV。50、一般场效应三极管放大电路其 比双极型三极管放大电路的要高。51、放大电路的增益带宽积近似为 (填“变量”或“常量”)。52、若差分放大电路的输入信号为,，则共模信号为 mV。53、放大电路在提高放大倍数的同时，其频带宽度将变 。54、在三极管多级放大电路中，已知Au120，Au2100，Au31，则可知其接法分别为：Au1是 放大器，Au2是 放大器，Au3是 放大器。55、在差动放大电路中，发射极Re公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比KCMR 。56、某差分放大电路，若u I1 =100 mV，u I2 =80 mV则差模输入电压 uId= mV；共模输入电压uIc = mV。57、若三级放大电路中第一、第二及第三级的增益分别为30dB ， 20 dB，10dB,则其总电压增益为 dB，折合为 倍。58、在三极管多级放大电路中，已知第一级电压放大倍数为10，第二级电压放大倍数为（-10），第三级电压放大倍数为1，总的电压放大倍数为 ，第一级是 组态放大电路，第二级是 组态放大电路，第三级是 组态放大电路。59、产生零点漂移的主要原因 ，在电路结构上采用 放大器能够有效抑制。60、集成运放中通常将 电路放置于输出级，其主要优点是 。61、若某放大电路的两个输入信号电压的大小 ，极性 ，则称为差模输入。62、差动放大电路的基本功能是对差模信号 ，对共模信号 。63、理想运算放大器的差模输入电阻等于_ _，开环增益等于_。64、复合晶体管还称为 管，其主要作用是 。65、同相比例运放电路中引入了 负反馈网络。66、晶体管极间电容越 ，则其高频特性越好。67、场效应管的高频特性比晶体管的高频特性要 （填“好”或“差”）。68、在电源电压相同的情况下，功率放大电路与一般电压放大电路的区别除了前者比后者效率高及功率大外，前者比后者的 69、电压比较器以阈值来分类有 电压比较器和 电压比较器。70、影响放大电路低频特性的电容是 电容。71、晶体管特征频率越大，说明晶体管的高频特性越 。72、放大电路中引入 负反馈，可以实现电压电流转换。73、放大电路中引入 负反馈，可以实现电流电压转换。74、影响放大电路高频特性的电容是 电容。75、晶体管特征频率与电流放大倍数的上限频率fb的关系近似为 。76、功率放大电路的转换效率是指 。77电压比较器的三要素 ； ； 。78、反相比例运放电路，引入了 负反馈网络。79、设一阶有源滤波电路的电压放大倍数为，则此滤波器为 滤波器，其通带放大倍数为 ，截止频率为 Hz。80、如下图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 。81、在信号处理电路中，当有用信号频率低于100Hz时，可选用 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 滤波器。82、乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ= 、静态时的电源功耗PDC= 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 ，但这种功放有 失真。83、互补功率放大器，设置静态工作点使两管均工作在乙类状态，将会出现 的不良现象。84、当集成运放工作于线性状态时可用 和 两个特点来分析运放电路，而工作于非线性状态只能运用 这个特点来分析电路。85、负反馈对放大电路的主要影响 、 、 、 。86、按滤波电路的元器件分类滤波器可分 滤波器和 滤波器；按滤波电路中有无放大电路分 滤波器和 滤波器。87、交流电流并联负反馈放大电路，可以稳定输出 ， 输入电阻， 输出电阻；交流电压串联负反馈放大电路可以稳定输出 ， 输入电阻， 输出电阻。88、正弦波振荡电路主要由 、 、 、 及稳压环节四个部分组成；平衡条件为_ _。89、MOS管从绝缘层中是否注有离子分为 型和 型两类。90、直流电源的主要技术指标稳压系数定义为 。91、PWM开关电源是指 开关电源。92、集成芯片LM7805是 电路。93、集成芯片LM7812是 电路。94、直流电源的主要技术指标电压调整率定义为 。95、开关电源中DC-DC电路是 电路。96、集成电路LM317是 电路。97、直流电源的主要技术指标电压调整率（以mV为单位）定义为 。 98、直流电源的主要技术指标电流调整率（以mV为单位）定义为 。99、直流电源从调整管的工作状态分为 电源和 电源两种，两种电源中 电源的效率要高。集成三端稳压器LM7915的输出电压为 V，LM7812的输出电压为 V，LM7805的输出电压为 V；这类集成三端稳压器的输入电压比输出电压最低应高 V。100、为消除互补功率放大器交越失真现象，一般采取 措施。101、集成三端稳压器LM7909的输出电压为 V。LM7824的输出电压 V。102、直流电源通常采用 元件滤除高频噪声信号。103、在下图所示电路中， 输出电压最大值的表达式为 。 104、串联型直流稳压电源如下图所示。当电位器滑动点调至最上端，输出电压为 V；当电位器滑动点调至最下端，输出电压为 V。 T + u1 u2 1.5k 1k A 0.5k+ + uo uZ=6V 1k - 105、为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 _ 耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合放大电路应采用 _ _耦合方式。106、 对于单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V，则整流后的输出电压平均值等于_ _V；整流滤波以后的输出电压平均值约等于 V。107、 为提高放大电路输入电阻应引入_ _反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_ _ _反馈。108、温度升高时，杂质半导体中的 （填“少子”或“多子”）浓度明显增加。 109、二极管在温度升高时，正向特性曲线 移。110、二极管在温度升高时，反向特性曲线 移。111、在多级耦合放大电路中阻容耦合具有 优点。112、在多级耦合放大电路中变压器