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第四讲晶体三极管一 晶体管的结构和符号二 晶体管的放大原理三 晶体管的共射输入特性和输出特性四 温度对晶体管特性的影响五 主要参数 一 BJT的结构 a 小功率管 b 小功率管 c 大功率管 d 中功率管 一 BJT的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很低 且很薄 面积大 NPN型 PNP型 综上所述 三极管的放大作用 主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输 然后到达集电极而实现的 实现这一传输过程的两个条件是 1 内部条件 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度 且基区很薄 2 外部条件 发射结正向偏置 集电结反向偏置 三 晶体管的共射输入特性和输出特性 iB f vBE vCE const 2 当vCE 1V时 vCB vCE vBE 0 集电结已进入反偏状态 开始收集电子 基区复合减少 同样的vBE下IB减小 特性曲线右移 1 当vCE 0V时 相当于发射结的正向伏安特性曲线 1 输入特性曲线 以共射极放大电路为例 共射极连接 饱和区 iC明显受vCE控制的区域 该区域内 一般vCE 0 7V 硅管 此时 发射结正偏 集电结正偏或反偏电压很小 iC f vCE iB const 2 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域 截止区 iC接近零的区域 相当iB 0的曲线的下方 此时 vBE小于死区电压 放大区 iC平行于vCE轴的区域 曲线基本平行等距 此时 发射结正偏 集电结反偏 三 晶体管的共射输入特性和输出特性 1 共发射极直流电流放大系数 IC ICEO IB IC IB vCE const 1 电流放大系数 四 BJT的主要参数 与iC的关系曲线 2 共发射极交流电流放大系数 IC IB vCE const 1 电流放大系数 3 共基极直流电流放大系数 IC ICBO IE IC IE 4 共基极交流电流放大系数 IC IE vCB const 当ICBO和ICEO很小时 可以不加区分 四 BJT的主要参数 2 极间反向电流 1 集电极基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时 集电结的反向饱和电流 四 BJT的主要参数 2 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO 1 ICBO 四 BJT的主要参数 2 极间反向电流 1 集电极最大允许电流ICM 2 集电极最大允许功率损耗PCM PCM ICVCE 3 极限参数 四 BJT的主要参数 3 极限参数 四 BJT的主要参数 3 反向击穿电压 V BR CBO 发射极开路时的集电结反向击穿电压 V BR EBO 集电极开路时发射结的反向击穿电压 V BR CEO 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压 几个击穿电压有如下关系V BR CBO V BR CEO V BR EBO 五温度对BJT参数及特性的影响 1 温度对ICBO的影响 温度每升高10 ICBO约增加一倍 2 温度对 的影响 温度每升高1 值约增大0 5 1 3 温度对反向击穿电压V BR CBO V BR CE
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