IC 封装技术.ppt

IC封裝製程簡介ICAssemblyProcessIntroduction,IC的活動鏈IC封裝之目的,演進及趨勢封裝體外型簡介封裝體構造IC封裝流程可靠度及信賴性測試簡介,IC的活動鏈,IC封裝(電子構裝)之目的,演進及趨勢,封裝之目的支撐產品實體滿足電子產品的電性功能及訊號傳輸的要求使產品得以散熱避免電路因熱受到損壞保護電路避免受到環境破壞,IC封裝(電子構裝)之目的,演進及趨勢,封裝之演進,封裝之趨勢-輕、薄、短、小,IC封裝(電子構裝)之目的,演進及趨勢,電子構裝之分級,IC黏著於電路板之型態,封裝體外型簡介-名詞釋意,DIP:DualInlinePackageZIP:ZigzagInlinePackageSIP:SingleInlinePackage(M)SOP(N,W):(Mini)SmallOutlinePackage(Narrow,Wide)SSOP:ShrinkSmallOutlinePackageTSSOP:ThinShrinkSmallOutlinePackagePLCC/CLCC:Plastic/CeramicleadlesschipcarrierSOJ:SmallOutlineJ-leadpackageTO:TransistorOutlinePackageSOT:SmallOutlineTransistorQFN:QuadFlatNo-leadDFN:DualFlatNo-leadQFP:QuadFlatPackageLQFP/TQFP:Low/ThinFlatQuadFlatPackageCSP:ChipSize(Scale)PackageWLCSP:WaferLevelChipSize(Scale)PackageBGA/PBA:Ball/PinGridArrayTAB:TapeAutomatedBonding,封裝體外型簡介,四方扁平封裝(QFP),無引腳晶片載器(LCC),有引腳晶片塑膠載器(PLCC),雙排引腳封裝(DIP),薄小外形輪廓封裝(TSOP),單排引腳封裝(SIP),廠內封裝體,SOT-23(1.45mm)3,5,6,8LTSOT-23(0.8mm),JSOT6,8L,SOT-893,5L,SOT-2233L,SC-703L5L,TO-2203L,5L,TO-2633L,4L,5L,TO-251,TO-2523L,4L,5L,TO-923L,M3L,M4L,QFN(1.0mil)TQFN(0.8mil),DFN(1.0mil)TDFN(0.8mil),Punch,Saw,KPAK,DIP,SOPMSOPSSOPTSSOPSOP-P,SOP,SSOP,SOP-Exposedpad,Mini-SOP,TSSOP,LQFP(1.6mm)TQFP(1.2mm),BGA,WLCSP,封裝體構造,晶片,晶片托盤,黏粒Epoxy,外引腳,銲線:二銲點,導通線材:Au,Cu,Al,熱固型環氧樹脂,晶片保護層,銲線:一銲點,IC封裝流程,WaferGrinding,DieAttach(DA黏晶),EpoxyCuring(EC銀膠烘烤),WireBond(WB銲線),DieCoating(DC晶粒封膠),Plasma(Option),Molding(MD封膠),PostMoldCure(PMC封膠後烘烤),Dejunk/Trim(DT去膠去緯),WaferSaw(WS切割),SolderPlating(SP錫鉛電鍍),TopMark(TM正面印碼),Forming/Singulation(FS去框/成型),Scanning(Option),DryPacking,Shipping,IC封裝流程:全製程,接單下線,進料檢驗,晶圓切割,異常處理,由PC或Sales接到客戶訂單,檢查相關物料後下製造命令接獲客戶之晶圓(晶片)後做進料檢驗將晶片研磨至適當厚度將整片晶圓上的晶片切成具有完整功能的單一晶粒,晶片研磨,IC封裝流程:細部概要說明,二目視,黏粒,銀膠烘烤,切割完後針對切割品質做目檢烘烤基板內之水氣將單一晶粒黏到導線架上利用熱將黏晶粒之銀膠固化以固定晶粒,基板烘烤,銲線,點膠(選項),三目視,清除表面污染物以金線將晶片上之線路連結到導線架上使用保護膠將晶粒表面覆蓋,使其免於被外部應力或放射線破壞抽檢上述製造過程所產生的缺點,電漿清洗(選項),100%目檢,壓模,去膠緯(SMD),除膠膜,將產品之內部線路以環氧樹脂(黑膠)保護起來去除膠體邊緣多餘的黑渣及環繞膠體邊圓的金屬線(緯線,Dambar)去除溢出在導線架腳上的膠膜,以利導線架外部(外腳)的電鍍,蓋印,電鍍(植球),四目視-1,用油墨或雷射將產品品牌型號種類等相資料蓋或刻在膠體表面將錫鉛電鍍於導線架外部(外腳)以保護其免於氧化及提供銲錫檢查壓模到電鍍所有可能發生的缺點,成型,四目視-2,品管驗收,重工報廢,報廢,將導線架外腳依銲接之需求做成不同的外型尺寸檢查壓模到成型的所有缺點(主要為成型)出貨前之品質抽驗依客戶或產品需求包裝成所需樣式出貨,包裝出貨,IC封裝流程:晶圓進料檢驗(Waferincomeinspection),目的:檢驗晶片來料品質,以判斷是否需做特殊製程及通知客戶檢驗項目-文件,晶片數量,晶片刻號,MappingFile-缺點項目:1.CP缺點:探針痕跡過重、過大,刮傷,Ink不良2.FAB問題:金屬橋接、斷裂,銲墊變色、未開窗3.其他缺點:混料,破片,外物沾附工具:顯微鏡,Z軸顯微鏡,ContactAngle儀器,製程目的:將晶片從背面磨至適當厚度,以符合相關封裝體之需求.研磨目的1.防止翹曲(Warpage)2.平衡上下模流,防止灌不滿或保護層剝離3.薄型封裝需求:DIP-不磨;PLCC,QFP-19mil;TSOP,TQFP-12milSOP15mil設備:TapingMachine,Grinder,De-tapingMachine材料:膠帶Tape(fortapingandde-taping)置具:晶舟盒(Wafercassette),IC封裝流程:晶圓研磨(Wafergrinding),27mil,12mil,晶圓研磨步驟將晶片正面黏貼在膠帶上以平面砂輪在晶片背面研磨至設定厚度除去膠帶,並將晶片退入Cassette內,WaferTaping,WaferGrinding,Waferde-taping,研磨膠帶(Grindingtape)1.目的:在研磨製程時作為保護功用2.種類:UVType和NonUVType(Bluetape)3.重要特性:a.厚度:100250mb.黏性:NonUVType:20200gf/20mmUVType:350gf/20mm(before)3gf/20mm(afterUVirradiation)4.研磨膠帶選用之考量:a.晶圓Ink的厚度或晶圓長突塊之高度b.研磨之晶圓尺寸及研磨後之厚度c.低殘膠低污染,Grindingtape,De-tapingtype,TapingProcess,研磨機(Grinder),研磨機的外型,研磨的行程-1,研磨的行程-2,製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.貼片前須確認Ink之大小及高度,避免凸塊效應造成研磨破片.2.貼片機之切割刀需有壽命控制,以避免膠絲殘留造成研磨破片.3.粗磨砂輪需須定時整治清理,以控制表面粗糙度.4.研磨機之清潔需特別注意,避免殘留矽渣在Chucktable表面造成研磨時破片.5.貼片及撕片時有靜電產生,注意ESD防護.6.晶圓貼片時需注意不得有氣泡殘留.,IC封裝流程:晶圓貼片(Wafermount),製程目的:將晶片藉膠帶固定在晶圓環(waferring)上,以利後製程(晶圓切割,黏晶)之操作.設備:TapingMachine材料:膠帶Tape(UVType和NonUVType)重要特性:a.厚度:80150mb.黏性:NonUVType:50200gf/20mmUVType:1501000gf/20mm(before)530gf/20mm(afterUVirradiation)c.擴張性:250350m(5mm)置具:晶舟盒(Wafercassette),切割膠帶選用之考量1.晶片大小2.上片機之吸片強度3.良好之擴張性,製程目的:利用鑽石砂輪為將晶圓之上的晶(Die)割分.設備:SawMachine材料:切割刀(Blade)置具:晶片彈匣(Wafercassette),IC封裝流程:晶圓切割(Wafersaw,diesaw,wafercut),晶片切割步驟將晶片背面連同鐵環(固定用)黏貼在膠帶上以100度左右溫度烘烤十分鐘可稍增加黏度(Bluetape)連同Cassette送入切割機中,設定位置座標,進行切割,並以DIWater沖洗殘屑及SpinDry使用UVTape需用UV光源照射以降低黏性,便於將晶粒取下,WaferMount,Baking(Option),WaferSaw,UVRelease(Option),切割刀(Blade)1.種類Type:ZandZHtype.2.組成:鑽石顆粒,結合劑,矽袋3.重要特性:a.鑽石顆粒大小:切割能力,刀片壽命,正崩情形b.鑽石的集中度(密度):刀片壽命,正崩c.結合劑種類:正崩,切割能力,刀片壽命4.切割刀選用之考量:產品種類,切割道寬度,晶片厚度(刀刃長度),切割機(Sawmachine)Machinelay-out:,切割方式及結構-1:,切割方式及結構-2:,切割方式及結構-3:,切割道:,1.切割刀中心線與實際切割中心線之偏差.2.切割道寬度,不含切割缺陷(chipping)3.實際切割道寬度4.切割道中心至晶粒邊緣之距離5.碎裂缺陷之深度(chippingsize),切割站之異常:,製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.SawBladeLifeTimeControl及破損偵測功能2.進刀速度,轉速及切穿次數-DieCrack3.使用DIWater,減少晶片表面銲墊污染4.DIWater中加入CO2以增高水阻值,降低ESDIssue5.清洗水壓控制,以避免清洗不完全或應力破壞6.清洗角度控制亦可減少矽粉殘留7.KerfWidthControl(Bladethickness,進刀深度,進刀速度,轉速),製程目的:將晶(Chip/Dies)依照所需之位置置於導線架(LeadFrame)上並用膠（Epoxy）加以黏著固定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送至屬匣(Magazine)內，以送至下一製程進銲線。在此步驟中導線架提供晶黏著的位置，並預設有可延伸晶電的內、外引腳。導線架依同設計可有一個或個晶座設備:Diebonder,ionizer材料:基板或導線架(substrateorLeadframe),銀膠或絕緣膠(Epoxy)工具:點膠頭(Dispenser),頂針(Needle),吸嘴(Pick-uptool)置具:彈匣(Magazine),IC封裝流程:上片,黏晶,黏片(diebond,diemount,dieattach),黏粒步驟依BOM準備花架(基板)及銀膠將已切割完畢之Wafer及Cassette放入DieBonder之進料區,並設定座標位置及讀入mapping資料設備自動點適當膠量至DiePad上並吸取晶粒壓於其上做接合烘烤以將Epoxy固化,連結基座晶粒,MaterialPrepare,WaferPrepare,DieBond,EpoxyCure,黏粒製程準備,1.花架/基板準備:產品封裝型態,DiePad尺寸2.銀膠準備:回溫,震盪混合(離心脫泡),管制標簽3.GoodDie資料抓取a.InkDie-調整光學讀取燈光強度-一般取用未上Ink之GoodDie-常因燈光強度或Ink濃淡而有誤取或漏取b.Mapping-使用電子檔案儲存存於磁片中,或連線傳送-不因燈光或Ink而有誤差-會因各廠家而有不同之檔案格式而需轉檔,上片膠(Epoxy)組成:a.樹脂(Resin):會影響製程特性和化學反應性b.催化劑(Curingagents):催化劑與樹脂不同的組合會影響化學反應性，一般也稱為觸媒c.填充劑(Fillers):影響製程特性，比如黏性及流動性還會影響熱應力特性、熱傳導、機械強度和電傳導性d.稀釋劑(Diluent):在樹脂系統中可用來降低黏度的任何物質。e.加速劑(Accelerators):縮短烘烤時間及烘烤溫度,工具:1.點膠頭(Dispenser):依據不同晶粒大小做設計,使其在點膠後晶粒mount上後不會包氣,並於擴散過程中不至攀爬到晶粒表面-主要選用因子:口徑大小,外型配置形狀2.頂針(Needle):需依照不同的產品外型,特性,大小,膠帶的特性,去設計選擇頂針的外型,數量及配置位置-主要選用因子:針數,Radius,3.吸嘴總成(Pick-uptool):依據不同晶粒大小做設計,選擇不同尺寸的吸嘴(Rubbertip)-主要選用因子:晶粒尺寸,材質,上片機(Diebonder)Machinelay-out:,Leadframeinput,Waferelevator,Magazineoutputbelt,Magazineinputbelt,Monitor,Dispensersystem,Indexer,Wafertable,Keyboardandmouse,Waferinspection,Pick-upsystem,Post-bondinspection,Magazineelevator,上片製程:Dispenseandattach,上片製程:Ejectorandpick-up,上片站之異常:,晶粒脫落,偏移,膠量不足,花架腳沾膠,膠量過多,晶粒正面沾膠,製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.導線架或基板上料時之方向2.點膠頭的出膠方式設計,控制膠量3.吸嘴定期清理更換,以避免異物沾附刮傷4.膠量要控制,過多容易造成銀膠攀爬,污染晶粒表面;太少則附著不良或引起可靠性問題5.頂針選擇需注意針尖曲率,頂針數及受力位置6.頂針壓力及頂出高度不宜造成Tape貫穿Crack7.燈光調整需準確8.黏粒位置需控制良好,IC封裝流程:上片烘烤(Curing),製程目的:利用溫度將接著劑固化(聚合),並使其與晶粒及導線架或基板表面結合,使其固著於基座上設備:烤箱Oven材料:氮氣(N2)置具:彈匣(Magazine),彈匣托盤(Carrier),1.NormalCureEpoxya.固化時間長12小時b.兩段式固化溫度c.成本低2.SnapCureEpoxya.Cure時間短數十秒鐘三分鐘b.成本高3.FastCureEpoxya.Cure時間短510Minutesb.成本高,上片烘烤製程種類:,製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.氮氣流量2.迴風方式3.擺放產品數量4.擺放方向,烘烤異常事項1.溫度不足:晶粒脫落2.溫度過高:銀膠裂解,花架氧化3.脫層Delamination,製程目的:利用電漿之物理與化學雙特性有效去除leadframe,wafer,substrate表面有機物,無機物,光阻殘留以提升產品之良率;藉由Ar轟擊表面達到表面活化加強表面附著的能力.-WB前使用:去除die及基材表面之污染物,藉以提升表面共晶強度.-Molding前使用:清洗晶粒及基材表面,使moldingcompound附著良好,減少脫層之發生.設備:Plasmacleaner材料:需做表面清潔的產品,相關之氣體置具:Plasma專用彈匣(Magazine),IC封裝流程:濺擊清潔(Plasmaclean),製程目的:依照線圖,利用熱及超音波,使用金(鋁/銅)線銲接於晶片上的銲墊及導線架或基板的銲墊上,連接內外部線路,使晶片得以與外界溝通設備:Wirebonder材料:金線,銅線或鋁線(鋁片)工具:鋼嘴(capillary)置具:彈匣(Magazine),IC封裝流程:銲線,打線(Wirebond),銲線步驟參照銲線圖設定銲線位置,並設定銲線參數檢驗Wirepull,Ballshear,BondPosition,LoopHeight,Ballsize銲線機依照設定之程式,連續生產,Program有較佳之銲接品質-CDA值較小有利於Loop之成形，但較不利於Bond-對於finepitch、lowlooporlongloop選用圓角,以利Looping-目前常使用有90及120g.成型內徑Chamferdiameter“CD”:CD愈大,對Firstbond所形成之球愈大,h.成型內徑之角度InnerChamferAngle“ICA”:-主要影響bonding的品質及燒球(F.A.B)的好壞-目前適應有60及90i.鋼嘴長度Capillarylength“L”j.錐形高度Bottle-neckheight“BNH”:-BNH目前常使用有8mil,10miland12milk.錐形角度Bottle-neckangle“BNA”:-BNH及BNA的選用,主要針對finepitch產品。-BNA目前常使用有10,4.鋼嘴外型對銲線的影響,Bondheadsystem,Indexersystem,Keyboardandtrackball,PCbasedcontroller,Wirespoolsystem,Visionandbondermonitor,Input/outputelevator,銲線機(Wirebonder)1.Machinelay-out:,bonder,Bondingsystem,Controllersystem,Indexersystem,Wirespoolsystem,PRsystem,XYtable,Bondhead,Heatersystem,Ultrasonicmaker,I/Osystem,ControllerandPCB,Software,ISPsystem,Camerasystem,Lightsystem,Wirelengthcontrolsystem,Wirefeedsystem,Wiretensionsystem,Input/Outputsystem,Positioncontrolsystem,Movingsystem,EFOsystem,2.Machinedesign:,3.銲線機的總成:,超音波產生器及傳輸器,辨識系統,金線送給系統,熱壓板控制系統,4.銲線機的運動模式:a.Bondingcycle:Ball-Wedgebond,Descentto1stbondAfternewF.A.BisformedbyE.F.Osystematresetposition,capillarystartshighspeedmotiondownward;air-vacuumisappliedtokeeptheF.A.Bseatedinthecapillarychamfer,Tool1stinflectionpointShortlybeforereachingthebondpad,capillaryspeedreducestoconstantvelocity(CV)beforefirstcontactdetectionwiththepadsurface.Wire-clampclosewheninitialcontactisdetected,1stbondAftercontactdetection,theF.A.Bisdeformedbythecapillaryagainstthepadsurface,whileultrasonicenergy(USG)andbondforce(F)areappliedalongprogrammedbondtime(T).Thefirstbondtothepadismade,andwire-clampopen.,LoopheightBond-handandcapillaryrisetoacalculatedheightabovethepadtofromtheprogrammedwireloop,thenwire-clampclose.,Nextpage,Start,b.Bondingcycle:Wedge-Wedgebond,Descentto1stbondThebondingtooldescenttowardfirstbond.Thewedgewasangledholethroughwhichwireisfed.Wireclampisclose.,1stbondimpact.U.S.energyappliedDeformingthewireandweldingittothepadonthedie.Copperwirebondedatroomtemperaturewithwedgesmadefromtungstencarbide.Goldwirebondedat125to150Cwithwedgemadefromtitaniumcarbide,RisetoloopheightDuringtherisetothetopofloopmotion,wiremustpay-outthroughthewedgewithoutdamagethroughtheopenwire-clamp.Wedgepolishandfunnelshapearecriticallyimportanttoenablesmoothpay-out.,Descentto2ndbondThemotioncontrolsystemandsoftwarepositionthetooloverthesecondbondsite,andthewire-clampcloseasdescentbegins.,Nextpage,Start,c.Bondingsequence:,d.金線送線模式:,e.鋼嘴運動軌跡及銲線路徑:,銲線強度測試方式(Bondingtest),拉力測試示意圖推力測試示意圖,1.拉力測試破壞模式,2.推力破壞模式,銲線defectmode1.銲錯線(Wrongwire)2.線短路(Wireshort)3.漏和線(Missingbond)4.斷線(Brokenwire)5.線弧不良(Saggingwire)6.球銲偏(Ballshift)7.金球短路(Ballshort)8.球型不良(Smashball)9.球脫(Liftedball)10.失鋁(Peeling)11.彈坑(Cratering)12.二銲點脫(Liftedstitch),製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.鋼嘴的選擇及壽命的控制2.熱板度壓合的調整、尺寸及表面平坦的控制,避免壓合不良3.銲線參數的控制,可加強推拉力4.導線架內腳共平面度的控制,避免二銲點脫落5.導線架(基板)銲線區的鍍層品質(厚度,污染)6.銲線壓力太大或鋼嘴破損造成Cratering7.鋁層太薄或是超音波過重,造成Peeling8.金線種類的選擇,製程目的:在晶片表面覆蓋一層保護膠降低compound應力設備:Diecoatingmachine材料:保護膠(Polymide)工具:點膠針及膠管置具:彈匣(Magazine)規格:需覆蓋die表面90%以上,厚度目前無規定Defectmode:溢膠,覆蓋面積不足,膠量不足,IC封裝流程:點膠(Diecoating),製程目的:將熱固性塑膠加熱後使其成流體狀,擠壓進模具中,包覆晶粒及內部線路,防止溼氣等由外部侵入,有效將內部產生之熱排出於外部,提供能夠手持之形體設備:模具,油壓機,預熱板,送片機,自動送片機,膠餅預熱機材料:膠餅MoldCompound,洗模膠CleanCompound置具:鋁架LoadingFixture,彈匣Magazine,銅刷CopperBrush,銅片,氣槍AirGun,IC封裝流程:壓模,封蓋,封模(Molding,Encapsulation),封膠步驟依照BOM規訂之膠餅,取出做回溫檢查封裝型態,腳數,參數,並做假片,若有需要則清模將壓模完後之產品放置鋁架上並預熱,送入模具中,合模後投入已預熱膠餅,加壓進行封膠,CompoundPrepare,MoldDieBuy-off,Molding,膠餅(Moldingcompount)1.組成:a.環氧樹脂(Epoxyresin)b.硬化劑(Hardener)c.促進劑(Accelerator)d.抗燃劑(Flameretardant)e.填充劑(Filler)f.偶合劑(CouplingAgent)g.脫模劑(ReleaseAgent)h.顏料(Pigment)i.潤滑劑(Lubricent),2.材料管控:a.膠餅本身已成硬化之性質,但會隨兩種因素的影響造成其流動性的降低-存放地點的溫度:溫度越高硬化溫度越大-存放的時間:存放越久硬化的程度越大因此膠餅自冰庫領出,應於回溫24小時開封後,在一定期限內使用完畢,並免吸濕及硬化.b.應存放於4之冰庫,並管控之c.膠餅外箱應有管控標籤,註明回溫,領出,開箱及過期等日期.,3.材料特性:a.螺旋流長度(Spiralflowlength)b.固化時間(Geltime)c.比重(Specificgravity)d.玻璃轉換溫度(Grasstransitiontemperature)e.熱膨脹係數(CTE)f.熱傳導係數(Thermalconductivity)g.彈性強度(Flexuralstrength)h.彈性係數(Flexuralmodulus),壓模機,膠餅回溫,膠餅拆封,膠餅預熱,產品上鋁架,產品預熱,上模具,合模,投膠餅,固化,開模,沖膠,半自動封膠流程-1,空模,合模,放入L/F,灌膠,開模,離模,半自動封膠流程-2,壓模機的種類,壓模製程重要參數:1.合模壓力(Clamppressure)2.轉進壓力(Transferpressure)3.模子溫度(Moldtemperature)4.轉進時間/速度(Transfertime/speed)5.預熱溫度(Preheattemperature)6.固化時間(Curetime)7.預熱時間(Preheattime)8.模具表面(Moldsurface)9.膠粒重量(Pelletweight),壓模defectmode:1.未灌滿2.內/外部氣洞(void)3.偏心錯模4.wiresweep5.斷線(brokenwire)6.脫層(Delamination)7.內腳短路(Leadshort)8.反向壓模9.溢膠(Resinbleeding)10.翹曲(warpage)11.麻面(Staining)12.黏模(Stickingonmoldsurface),製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.膠餅本身特性,膠餅儲存,膠餅回溫及壽命控制2.模面清洗,避免進膠口,排氣孔堵塞及模面髒污影響粗糙度(光滑度)及蓋印附著性3.X-Ray檢驗以確認線弧狀況4.模溫,膠餅溫度,沖膠速度,沖膠壓力,快慢速點等參數控制,以避免氣孔,WireSweep,WireBroken,Warpage等缺點5.產品上模具後需檢查以避免跳片產生6.避免黏膠造成氣孔7.折膠方式與時間需把握8.缺角膠餅避免使用9.Plunger作業前需預熱,以避免Sticky10.進膠口的設計及壽命與氣孔有很大關係,製程目的:以油墨或雷射方式在膠體上蓋上或刻上產品名稱,型號,公司Logo,datacode等辨識資料設備:油墨蓋印機(移印機)PadPrinter,雷射蓋(刻)印機,刻板機工具:蓋印膠頭(Rubbertip)材料:油墨Ink,字板Plate(鋁板)置具:彈匣Magazine,IC封裝流程:蓋印,印字,印碼(Marking,Inking),蓋印步驟準備油墨依印碼明細製作字版或找出應用程式調整位置後,做假片以確認蓋印品質內容將產品送上蓋印機完成蓋印將蓋完印之產品送入烤箱烘乾,Ink/PlatePrepare,MarkBuy-off,Marking,Cure,油墨蓋印流程,整料,入彈匣,上料,烘烤Cure,下料,方向辨識,蓋印,IRCure,H2Torch,成品,油墨/雷射蓋印比較,蓋印defectmode1.印碼氣孔(Brandingbubble)2.印碼刮傷(Markingscratch)3.印碼斷字(Disconnectedbranding)4.蓋印偏移(Markingoff-center),製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.膠體表面清潔度的控制2.油墨濃度3.油墨壽命及儲存溫度4.油墨附著性試驗(3MTapeTest,Mil-Std-883MarkPermanence)5.Laser參數(電流,頻率,時間)6.蓋印範圍,位置及內容,製程目的:將壓模時未完全交聯鏈結的單體,在高問長時間下完成固化穩定,同時減少膠体(warpage)之發生設備:烤箱(Oven)置具:彈匣Magazine,彈匣提籃,IC封裝流程:穩定烤(Postmoldcuring),製程目的:將膠體與導線架間之膠及連接腳與腳間的連桿(Dambar)切除,以使此部份之底材可被電鍍設備:模具Dejunk/TrimDie,油壓機Press工具:牙刷置具:彈匣Magazine,酒精Alcohol,氣槍AirGun,IC封裝流程:去膠緯(Dejunk,Trim),去膠/去緯前,去膠/去緯後,製程目的:將壓模時延模具細縫所黏附於導線架上的膠膜(Flash,RisinBleed)去除,以利電鍍設備:除膠模機DeflashMachine材料:塑膠砂,玻璃砂,核桃砂,除膠液工具:銅刷,刮膠片,IC封裝流程:除膠膜(Deflash),製程目的:在底材上鍍上一層錫鉛(Sn8090%,Pb1020%),以避免底材氧化並提供作為上板的介質設備:電鍍機PlatingMachine重要量測:錫鉛組成,厚度,IC封裝流程:電鍍(Plating),電鍍步驟將導線架表面的Anti-PlateMaterial除去電鍍錫鉛到潔淨的底材上將殘留鍍層上的化學藥品清除並烘乾,Pre-Treatment,Plate,PostTreatment,電鍍流程,整料,上料,電解除膠,中和,電鍍,高壓水刀,酸洗,預浸,電解脫脂,水洗,烘乾,下料,電鍍defectmode,製程關鍵因素(Processkeyfactor)1.封膠之膠膜溢出,除膠參數及水刀壓力要控制2.鍍層厚度300600-inch成份85%+/-10%3.離子汙染,如氯離子需控制4.最後的水洗需使用純水,以避免污染5.各化學槽的濃度分析維護及更換6.錫絲的控制(特殊底材的酸洗,添加劑)7.電鍍極板的鈍化,氧化及導電性,製程目的:利用連續沖模的方式將封裝體(Package)之外腳(Outlead)彎曲所需之外型設備:模具Form/SingulationDie,油壓機Press工具:牙刷材料:Hardtray,tube,bag置具:彈匣Magazine,酒精A