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文档简介

集成电路加工光刻技术与光刻胶,集成电路加工主要设备和材料：光刻设备半导体材料:单晶硅等掩膜化学品:光刻胶(光致抗蚀剂)超高纯试剂封装材料,Themostrecentscannersarestepandscansystems.CanonFPA-6000AS4:ArF(193nm)Scannerwith0.85NA.Overlayprecisionis15nm.,FromCanonwebsite,光刻机：,光致抗蚀剂概念：在半导体器件和集成电路制造中，要在硅片等材料上获得一定几何图形的抗蚀保护层，是运用感光性树脂材料在控制光照（主要是UV光）下，短时间内发生化学反应，使得这类材料的溶解性、熔融性和附着力在曝光后发生明显的变化；再经各种不同的方法显影后获得的。这种方法称为“光刻法”。这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物称为“光致抗蚀剂”（又称光刻胶）,集成电路光刻加工过程：,Photo,Substrate,光致抗蚀剂,感光性树脂,Substrate,溶解性、熔融性、附着力,这种作为抗蚀涂层用的感光性树脂组成物光致抗蚀剂（又称光刻胶）,siliconsubstrate,oxide,PositiveLithography,Areasexposedtolightbecomesoluble.,Resultingpatternaftertheresistisdeveloped.,l,TenBasicStepsofPhotolithography,4Align&Expose,光学光刻技术的发展,极紫外（1314nm）,R=k/NA,分辨率,曝光光源波长,超大规模集成电路己光刻技术发展趋势,436nm(g线)、365nm(i线）抗蚀剂：,+,由重氮萘醌磺酸酯作为感光剂的传统光化学反应体系:,重氮萘醌磺酸酯酯化反应：,PS版分辨率：1012（显净3段）,Figure6:Patternmicrographwithlinewidthof0.5mFigure7:Patternmicrographwithlinewidthof0.75m,i线光刻图形：,Figure1.SEMimagesofpositive-tonepatternswith0.35mlineandspaceobtainedfromtheresistformulationof1a
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