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文档简介
DC/DC驱动线路设计 DCDC驱动电路设计摘要 本文介绍了一种常用的MOSFET驱动线路,该电路适用于全桥、半桥等互补对称驱动电路(双正激线路同名端需更改),可以有效的消除由于MOSFET米勒效应引起的误导通。线路简单成本较低。 关键词米勒效应、导通时间、关断时间一 适用范围该单元电路可用于一般的有双管驱动需求的整流电路中。二 规范满足的技术指标(特征指标)使用指标为:工作频率: 80K驱动电压:12.5V 驱动功率:1.23W(DC/DC管子采用IRFP460A) 三 详细的电路图 图1 驱动线路图四 工作原理简介 在桥式等有上下管存在的线路中,当上下管中的1只管导通时,另一管的VDS会迅速上升到较高的电压,此时由于mosfet结电容的存在,未导通管的GS间结电容会被充电(即米勒效应),当VGS高到一定程度时,该管导通,即出现上下管直通现象。 本文所介绍的驱动线路采用驱动变压器进行隔离,副边两个绕组分别用来驱动上管及下管,工作原理为:互补的驱动信号GD、GC经驱动芯片U301(TPS2812或4424)后,送出驱动能力提升后的驱动信号out1、out2,该信号再驱动由三极管(MJE172及MJE182)组成的推挽三极管,推挽三极管的输出电压加在驱动变压器的原边,作为变压器的原边输入,再经过驱动变压器后送出两路驱动信号。其中一个副边绕组的电压经过限流电阻(R228&R291或R287&R292)加到管子的GS间,使其导通,另外一个副边绕组通过二极管与电阻(D310&R323或D304&R308)将反压加在管子的GS间,作为管子的关断通道。五 设计调试要点1 变压器的设计: 工作频率为f,占空比D,Ae为磁芯截面积,最大工作磁通密度Bm,驱动变压器原边匝数N为: 变压器的匝比由所需的驱动电压及Vcc1的大小决定nVcc1/Vgs2 推挽三极管的作用:在驱动芯片内部高低信号由MOSFET产生、驱动电流较大时,由于MOSFET的导通电压由Rdson*Ids决定,所以会出现驱动信号管不彻底,影响管子的可调关断速度,增加损耗。3通过调节电阻R288及R291(R287&R292)可获得所需的mosfet开通速度,关断速度从损耗角度来讲越快越好,可直接通过一个二极管D304(D310)实现驱动线路的最大电流可通过如下计算: 4电容C390的作用是驱动变压器偏磁补偿5D314&R253(D3
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