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文档简介

第二章 材料的电学性能,1,.,2,在许多情况下,材料的导电性能比力学性能和热学还重要。,导电材料、电阻材料、电热材料、半导体材料、超导材料和绝缘材料等都是以材料的导电性能为基础的。,3,长距离传输电力的金属导线应该具有很高的导电性,以减少由于电线发热造成的电力损失。,举例:,陶瓷和高分子的绝缘材料必须具有不导电性,以防止产生短路或电弧。,作为太阳能电池的半导体对其导电性能的要求更高,以追求尽可能高的太阳能利用效率。,4,本章内容,金属的导电性 合金的导电性 半导体的导电性 材料的介电性 材料的超导电性,5,什么是材料的导电性?,能够携带电荷的粒子称为载流子,金属、半导体和绝缘体中载流子电子,离子化合物中的载流子离子,微观机理:材料中带有电荷的粒子响应电场作用发生 定向移动的结果。,欧姆定律,6,一些材料在室温下的电阻率,7,材料按电性能分类:,导体、半导体、绝缘体,8,导 体 纯金属的电阻率在108 107 m 金属合金的电阻率为107 105 m 半导体 电阻率为103 10+5 m 绝缘体 电阻率为10+9 10+17 m,电阻率的大小取决于材料的结构。,9,第一节 金属的导电性,晶体的能带理论 金属的导电机制 马基申定则 影响因素,10,1. 晶体的能带理论,晶体的能带理论是在量子力学研究金属导电理论的 基础上发展起来的,它的成功之处是在于定性地阐明了 晶体中电子运动的规律。,特征:不连续能量分布的价电子在周期性势场中的运动。,原子核,电子,内层电子,外层电子,离子实,价电子,构成等效势场,11,能带理论的出发点是固体中的电子不再束缚于个别的原子,而是在整个固体内运动,称为共有化电子。 在讨论共有化电子的运动状态时,假定原子实处在平衡位置,而把原子实偏离平衡位置的影响看成微扰。,能带理论的基本思想,12,晶体的能带,价电子的共有化使单个原子的价电子能级分裂,形成了能带。,13,14,电子的填充规则,电子填充在一系列准连续分布的能级上,服从泡利不相容原理,即依次从低向上填充,每一个能级上最多可填充2个电子; 电子的分布服从费米-狄拉克分布: 电子占据几率为1/2的能级位置称为费米能级,它反映了电子的填充水平。,电子的某一能级 上的分布几率:,15,费米分布函数,0K 时为一折线,在能量高于费米能量的区域几率为零,温度的升高将使得少量能量较高的电子跃迁到高能级。,费米能级,16,17,金属、半导体及绝缘体的比较,导带和价带重叠,绝缘体的禁带一般大于 5 eV,半导体的禁带一般小于 3 eV,18,金属,绝缘体,半导体,特征:最高占有带仅部分充满,即除了满带外,存在 不满带。,特征:电子恰好填满了最低的一系列能带,能量更高的 能带都是空的,而且禁带很宽(大于5 eV)。,特征:禁带宽度较窄(低于2.0 eV)。,19,常用术语,导带:最低的不满带 价带:最高的满带 禁带:价带最高能级与导带最低能级之间的 能量间隙 满带:所有能级全被2N个电子所充满的能带 空带:无电子填充的能带 允带:允许电子能量存在的范围,20,为什么金属能够导电?,无外电场时,满带,不满带,E(k),v(k),k,k,E(k),k,v(k),k,在无外电场作用时,无论是 满带还是非满带电子对电流 的贡献均为零,故晶体中无 宏观电流。,21,E(k),v(k),k,k,有外电场时,满带,不满带,E(k),k,v(k),k,在外电场作用下: 满带电子没有导电作用; 而在非满带中的电子运动 可以产生电流。,为什么金属能够导电?,22,第一节 金属的导电性,晶体的能带理论 金属的导电机制 马基申定则 影响因素,23,2. 金属的导电机制,金属,纯金属、合金,晶态、非晶态,纯金属:易于从理论上探讨其物性的共同规律。,合金或金属间化合物:可从工程上突出其使用性能。,金属电学性能的研究对象,24,满电子能带,半满带,满电子能带,空带,存在导带,满带和空带重叠,满电子能带,允带,满带和允带重叠,几种典型金属的能带,25,实际晶体总会有杂质,存在缺陷。传导电子在输运过程中的散射: 电子电子(电子散射) 电子声子(声子散射) 电子与杂质原子 电子与晶体点阵静态缺陷的相互作用,金属中的电阻,基本电阻,0 K下为零,理想金属的电阻只与电子散射和声子散射两种机制有关。,残余电阻,26,电子-声子与T 成正比 电子-缺陷与T 无关,27,.,第一节 金属的导电性,晶体的能带理论 金属的导电机制 马基申定则 影响因素,28,3. 马基申定则,为金属的基本电阻率,与温度有关;,为化学缺陷和物理缺陷引起的残余电阻率, 与温度无关。,声子散射和电子散射,杂质和缺陷上的散射,反映了金属的纯度和完整性,29,常常采用相对电阻率 晶体越纯,越完善,相对电阻率越大,许多完整的金属单晶可得到高达2l04的相对电阻率。,对理想的金属(没有缺陷和杂质),其电阻率在绝对 零度时为零;,金属的电阻率随温度升高而增大;,高温时金属的电阻率取决于 ,低温时取决于 。,30,金属中的电导与热导,魏德曼 - 弗兰兹定律,传导方式: 自由电子运动 热阻或电阻的起因:电子 电子之间的碰撞 低温下的电阻或热阻:都与电子 声子之间的碰撞有关,电导率,热导率,31,第一节 金属的导电性,晶体的能带理论 金属的导电机制 马基申定则 影响因素,32,4. 影响导电性的因素,温度的影响 受力情况的影响 冷加工的影响 晶体缺陷的影响 热处理的影响 几何尺寸效应的影响,33,温度对金属电阻的影响,一般规律 过渡族金属和多晶型转变 铁磁金属的电阻-温度关系的反常,34,一般规律,1理想金属晶体,2含有杂质的金属,3含有晶体缺陷的金属,35,在室温和更高温度 下,非过渡金属的 电阻率:,非过渡族金属的电阻温度曲线,电阻温度系数,电阻温度关系在低温条件下较复杂,室温以上则较简单。,36,电阻温度系数,0 T 温区的平均温度系数,在温度T 时的真电阻温度系数为,纯金属: 4103 过渡族金属,特别是铁磁性金属较高,Fe:6103 Co :6.6103 Ni :6.2103,37,过渡族金属,过渡族金属的电阻可以认为是由一系列具有不同 温度关系的成分叠加而成。,过渡族金属 的反常往往是由两类载体的不同 电阻与温度关系决定的。,38,多晶型转变,多晶型金属电阻率与温度的关系,线性关系只保持到350 850 900出现了多晶型 转变。,空穴导电,线性关系破坏,39,铁磁金属的电阻 - 温度关系反常,铁磁金属在居里点 附近电阻率温度系数存在 着极大值。,原因:与自发磁化有关,40,Ni和Pd的 与温度的关系,41,温度对具有磁性转变金属比电阻和电阻温度系数的影响,42,受力情况的影响,拉力的影响,压力的影响,在弹性范围内单向拉伸或扭转应力能提高金属的。,对大多数金属来说,在受压力情况下电阻率降低。,原因:金属在压力作用下,其原子间距缩小,内部缺陷形态、电子 结构、费米面和能带结构以及电子散射机制等都将发生变化。,为负,为正,43,正常金属元素,反常金属元素,电阻率随压力升高而下降,如Fe、Co、Ni、Rh、Pd、Cu、 Ag等。,电阻率随压力升高到一定值后下降,即电阻率有极大值, 如碱金属、碱土金属、稀土金属和第族的半金属等。,与压力作用下的相变有关,44,R/R0,R/R0,p10-8 Pa,p10-8 Pa,正常元素,反常元素,45,冷加工对金属电阻的影响,冷加工变形使纯金属电阻率增加,冷加工变形使一般固溶体电阻增加10-20 %,使 有序固溶体增加100 %甚至更高,对Ni-Cu,Ni-Cu-Zn,Fe-Cr-Al等合金,冷加工 变形则使电阻降低,低温时用电阻法研究金属的冷加工更为有效,46,晶体缺陷对电阻的影响,晶体缺陷(空位、位错、间隙原子等)会使金属 电阻率增加,点缺陷引起的残余电阻率变化远比线缺陷的影响大,对多数金属,当形变量不大时,位错引起的电阻率 变化与位错密度变化之间呈线性关系,47,空位、位错对一些金属电阻率的影响,48,热处理对金属电阻的变化,一般,淬火使晶格畸变,电阻增加, 退火使畸变回复电阻降低。,当退火温度接近再结晶温度时,电阻可恢复到接近冷加工前的水平;但当退火温度高过再结晶温度时,电阻反又增大,原因是再结晶后新晶粒的晶界阻碍了电子运动。 淬火能够固定金属在高温时空位的浓度,从而产生残余电阻。淬火温度愈高空位浓度愈高,则残余电阻率就越大。,49,冷加工变形Fe的电阻在退火时的变化,退火温度/,1形变量99.8 %,2形变量97.8 %,3形变量93.5 %,4形变量80 %,5形变量44 %,50,几何尺寸的影响,随着钼、钨单晶体厚度变薄,4.2 K时晶体的电阻增大

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