【毕业学位论文】含微量镍或锗之锡银铜锡球接点冲球试验特性研究

國立高雄大學電機工程學系碩士班 碩士論文 含微量鎳或鍺之錫銀銅錫球接點衝球試驗特性研究 A 究生：張效銓 撰 指導教授：藍文厚 博士 中華民國98年1月 i 含微量鎳或鍺之錫銀銅錫球接點衝球試驗特性研究 指導教授：藍文厚 博士 國立高雄大學電機工程學系 學生：張效銓 國立高雄大學電機工程學系 摘要 本論文之錫球衝擊試驗可量化錫球接點結構在高速剪力荷載下之結構強度與性質，且與上板掉落衝擊可靠度有相當程度的正相關性。本研究即以錫球衝擊試驗針對不同無鉛錫球成份、表面處理與錫球接點結構狀態進行測試，在 500 釐米/秒之衝擊速度，對其所反應之暫態結構響應進行解析，針對實驗組合的抗掉落衝擊能力與性質進行評估，並利用統計軟體，進行顯著性差異檢定，以取得客觀之結果。本研究針對結構點結構實驗化錫表面處理與接點結構強度與關鍵字：錫球，衝球試驗，錫球接點結構，著性差異檢定。 as a in of a is In we IT at an 00mm/s on on of or on IT In IT be by in no i e to a Ni MC e of 謝 學昶麟博士以其專業外，同事淑華、盈達、岳、秉豐、東鴻、孟鎧、燦賢、英志與姝嫻等，有 錄 .文摘要.錄. 目錄. 目錄. 論. 1 1言. 1 1密度半導體封裝. 1 1保政策. 1 1球接點. 2 1態荷載可靠度. 2 1球試驗. 3 1究動機與目的. 4 1. 4 1構. 4 1構接點成. 5 1獻回顧. 5 1節. 6 第二章 衝球試驗系統與. 10 2. 10 2裝層級範圍的定義. 10 2裝的目的. 11 v 2柵陣列封裝簡. 12 2. 12 2. 13 2. 13 2球試驗系統. 14 2球試驗發展背景. 14 2球機制之發展. 15 2球試驗之原理. 17 2. 19 2構. 20 2構接點成. 20 第三章 衝球試驗. 29 3驗. 29 3球成. 29 3. 29 3裝. 30 3驗試片. 30 3驗步驟與流程. 31 3置作業. 32 3球試驗. 33 3據. 34 3品. 35 第四章 實驗結果與. 42 4-1 . 42 4構. 43 4球成. 44 . 45 4裝. 45 4構接點成. 46 第五章 綜合結論以及. 62 5合結論. 62 5-2 . 63 . 64 附錄. 68 目錄 圖 1裝體演進圖1. 8 圖 1導體製造鏈1. 8 圖 1. 9 圖 1應2. 9 圖 2裝層級1 . 21 圖 2球試驗示意圖1. 21 圖 2鎚衝擊示意圖. 22 圖 2. 22 圖 2. 23 圖 2. 23 圖 2-7：. 24 圖 2-8：. 24 圖 21. 25 圖 2落測試與衝球試驗之應. 25 圖 2. 26 圖 2擊. 26 圖 2球接點結構. 27 圖 2. 27 圖 2. 28 圖 3片外觀(92L) . 37 圖 3-2： . 37 圖 3-3： . 38 圖 3擊裝置. 38 3-5：. 39 圖 3-6：. 39 圖 3擊. 40 圖 3擊. 40 圖 3球試驗機1. 41 圖 3. 41 圖 4構. 49 圖 4構. 50 圖 4-3：. 51 圖 4-4：. 52 圖 4-5：. 52 圖 4-6：. 53 圖 4-7：. 54 圖 4-8：. 54 圖 4-9：. 55 圖 4. 56 圖 4. 57 圖 4. 58 圖 4. 59 圖 4. 60 圖 47. 61 圖 47. 61 目錄 表 1. 7 表 1-2： . 7 表 3驗組. 35 表 3擊. 36 表 3試. 36 表 4構. 47 表 4構. 47 表 4110組實驗統計結果(. 48 表 41120組實驗統計結果(. 48 表 ：第1組實驗數據與. 68 表 ：第2組實驗數據與. 68 表 ：第3組實驗數據與. 69 表 ：第4組實驗數據與. 69 表 ：第5組實驗數據與. 70 表 ：第6組實驗數據與. 70 表 ：第7組實驗數據與. 71 表 ：第8組實驗數據與. 71 表 ：第9組實驗數據與. 72 表 0：第10組實驗數據與. 72 表 1：第11組實驗數據與. 73 表 2：第12組實驗數據與. 73 表 3：第13組實驗數據與. 74 表 4：第14組實驗數據與. 74 x 表 5：第15組實驗數據與. 75 表 6：第16組實驗數據與. 75 表 7：第17組實驗數據與. 76 表 8：第18組實驗數據與. 76 表 9：第19組實驗數據與. 77 表 0：第20組實驗數據與. 77 1 第一章 序論 1言 理速度 1高密度半導體封裝 封裝演進上，W/B)製程程封裝及上板板，用以論。 1環保政策 關環保法2006of (r)、g)、2 封裝材料成份上，1錫球接點 在球(裝體導體