22038光电传感器应用技术王庆有第1章 第3节

1、1.6光电效应光与物质作用产生的光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动， 使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。而被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象称为外光电效应。本节主要讨论内光电效应与外光电效应的基本原理。1.6.1 内光电效应1. 光电导效应光电导效应可分为本征光电导效应与杂质光电导效应两种，本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带产生本征吸收，导带中产生光生自由电子，价带中产生光生自由空穴。光生电子与空穴使半导体的电导率发生变化。这种在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率的变

2、化现象称为本征光电导效应。通量为e,的单色辐射入射到如图1-10所示的半导体上，波长的单色辐射全部被吸收，则光敏层单位时间所吸收的量子数密度Ne,应为e,l hnbdl=Ne,l(1-73)光敏层每秒产生的电子数密度Ge为Ge= hNe,l（1-74）在热平衡状态下，半导体的热电子产生率Gt与热电子复合率rt相平衡。光敏层内电子总产生率应为热电子产生率Gt与光电子产生率Ge之和Ge+ Gt= hNe,l+ rt（1-75）导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为R = K f (Dn + ni )(Dp + pi )（1-76）式中，Kf为载流子的复合几率，n为导带中的光生电子浓度，p为导带

3、中的光生空穴浓度，ni与pi分别为热激发电子与空穴的浓度。同样，热电子复合率与导带内热电子浓度ni及价带内空穴浓度pi的乘积成正比。即rt= Kf ni pi（1-77）在热平衡状态载流子的产生率应与符合率相等。即hNe,l + K f ni pi= K f (Dn + ni )(Dp + pi )（1-78）在非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总产生率与总复合率的差。即dDn = hN+ Kn p- K(Dn + n )(Dp + p )e,lfiifiidt=hNe,l- Kf (DnDp + Dpni+ Dnpi )（1-79）下面分为两种情况讨论：（1）在微弱辐射作用下，光

4、生载流子浓度n远小于热激发电子浓度ni，光生空穴浓度p远小于热激发空穴的浓度pi，并考虑到本征吸收的特点，n=p，式（1-79）可简化为dDn = hN- KDn(n+ p )e,lfiidt利用初始条件t = 0时，n = 0，解微分方程得- tDn = htNe,l (1 - et )式中=1/Kf(ni+pi)称为载流子的平均寿命。（1-80）由式（1-80）可见，光激发载流子浓度随时间按指数规律上升，当t时，载流子浓度n达到稳态值n0， 即达到动态平衡状态Dn0= htNe,l（1-81）光激发载流子引起半导体电导率的变化为Ds= Dnqm = htqmNe,l（1-82）式中，为电子

5、迁移率n与空穴迁移率p之和。半导体材料的光电导g为g = Ds bd= htqmbd N（1-83）e,lll可以看出，在弱辐射作用下的半导体材料的电导与入射辐射通量e,成线性关系。求导可得dg = hqtmdFe,lhnl 2由此可得半导体材料在弱辐射作用下的光电导灵敏度Sg= hqtmld gS=（1-85）gdFhcl2e,l可见，在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度为与材料性质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度l的平方成反比。（2）在强辐射的作用下，nni，ppi（1-79）式可以简化为dDn = hN- KDn2e,lfdt利用初始条件t = 0时，n = 0，解微分方程得1

6、 hN2ttDn = e,l（1-86）tanhKf式中，t = 1为强辐射作用下载流子的平均寿hK fNe,l命。强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系为1 2hbd12e,lg = qmF（1-87） hnKl 3抛物线关系。f进行微分得12hbd-112qmdg =FdF2 hnK（1-88）e,le,ll3f在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关而且与入射辐射量有关，是非线性的。2. 光生伏特效应光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换成电能的效应。当入射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价带中的光生空穴与导带中的光生电子在P

7、N结内建电场的作用下分开，并分别向如图1-11所示的方向运动，形成光生伏特电压或光生电流的现象。半导体PN结的能带结构如图1-12所示，当P型与N型半导体形成PN结时，P区和N区的多数载流子要进行相对的扩散运动，以便平衡它们的费米能级差扩散运动平衡时，它们具有如图所示的同一费米能级EF，并在结区形成由正负离子组成的空间电荷区或耗尽区。当设定内建电场的方向为电压与电流的正方向时，将PN结两端接入适当的负载电阻RL，若入射辐射通量为e, 的辐射作用于PN结上，则有电流I流过负载电阻，并在负载电阻RL的两端产生压降U，流过负载电阻的电流应为qUI = IF- ID (e KT-1)（1-89）式中，

8、 I为光生电流，ID为暗电流。当然，从（1-89）式也可以获得I的另一种定义，当U=0（PN结被短路）时的输出电流ISC即短路电流，并有hq-a= I=(1- edI)（1-90）e,lFhnsc同样，当I=0时（PN结开路），PN结两端的开路电压UOC为= KT ln( IF+ 1)U（1-91）OCqID光电二极管在反向偏置的情况下，输出的电流为I=I+ID（1-92）光电二极管的暗电流ID一般要远远小于光电流I，因此，常将其忽略。光电二极管的电流与入射辐射成线性关系hq（1-93）aI =(1 - e-d)e,lhn3. 丹培（Dember）效应如图1-13所示，当半导体材料的一部分被遮

9、蔽，另一部分被光均匀照射时，在曝光区产生本征吸收的情况下，将产生高密度 的电子与空穴载流子，而遮蔽区的载流子浓度很低，形成浓度差。这种由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮光面之间的伏特现象称为丹培效应。丹培效应产生的光生电压可由下式计算(m+ m)DnKT m- m np ln 1+ np0 U= m+ mn m+ p mDqnp0n0p式中，n0与p0为热平衡载流子的浓度；n0为半导体表面处的光生载流子浓度；n与p分别为电子与空穴的迁移率。n=1400cm2/(Vs) ，而p=500 cm2/(Vs) ，显然， np。半导体的迎光面带正电，背光面带负电，产生光生伏特电压。称这种由于双极性载流

10、子扩散运动速率不同而产生的光生伏特现象为丹培效应。4.光磁电效应在半导体上外加磁场，磁场的方向与光照方向垂直，当半导体受光照射产生丹培效应时，由于电子和空穴在磁场中的运动必然受到洛伦兹力的作用，使它们的运动轨迹发生偏转，空穴向半导体的上方偏转，电子偏向下方。结果在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压，称为光磁电场。这种现象称为半导体的光磁电效应。光磁电场为= - qBD(mn+ m p )(Dp0 - Dpd )E（1-95）n m+ p mZ0n0p式中，p0，pd分别为x=0，x=d处n型半导体在光辐射作用下激发出的少数载流子（空穴）的浓度；D为双极性载流子的扩散系数，在

11、数值上等于D = Dn Dp (n + p)（1-96）nDn + pDp其中，Dn与Dp分别为电子与空穴的扩散系数。5. 光子牵引效应当光子与半导体中的自由载流子作用时，光子把动量传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动。结果，在开路的情况下，半导体样品将产生电场，它阻止载流子的运动。这个现象被称为光子牵引效应。在室温下，P型锗光子牵引探测器的光电灵敏度为prm(1 - r) 1 - e-alp0S=pv1 + re-alpAc 1 +p01.6.2 光电发射效应当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为光电发射效应或称

12、为外光电效应。外光电效应中光电能量转换的基本关系为hn = 1 mv2+ E（1-99）0th2表明，具有能量的光子被电子吸收后，只要光子的能量大于光电发射材料的光电发射阈值Eth，则质量为m的电子的初始动能便大于0。光电发射阈值Eth的概念是建立在材料的能带结构基础上的，对于金属材料，由于它的能级结构如图1-15所示，导带与价带连在一起，因此，它的光电发射阈值Eth等于真空能级与费米能级之差Eth= Evac- Ef（1-100）式中，为真空能级，一般设为参考能级为0；费米能级为低于真空能级的负值；因此光电发射阈值Eth大于0。对于半导体，情况较为复杂，半导体分为本征半导体与杂质半导体，杂质

13、半导体中又分为P型与N型杂质半导体，其能级结构不同，光电发射阈值的定义也不同。图1-16所示为三种半导体的综合能级结构图，由能级结构图可以得到处于导带中的电子的光电发射阈值为= EAEth即导带中的电子接收的能量大于电子亲合势为EA的光子后就可以飞出半导体表面。而对于价带中的电子，其光电发射阈值Eth为= Eg+ EAEth（1-102）光电发射长波限为hc= 1239 (nm)l=（1-103）LEEthth利用具有光电发射效应的材料也可以制成各种光电探测器件，这些器件统称为光电发射器件。光电发射器件具有许多不同于内光电器件的特点：1.电发射器件中的导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动的动能，或通过电子的内倍增系统提高光电探