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文档简介

1、蠕变,1 蠕变现象和蠕变曲线 当温度T(0.30.5)Tm(Tm为熔点,单位为K)时,金属材料在恒载荷的持续作用下,发生与时间相关的塑性变形,称为蠕变。 相应的应变与时间关系曲线称为 蠕变曲线。 金属材料的典型蠕变曲线 如图(1)所示。,图(1) 典型蠕变曲线,2 蠕变产生的机理 蠕变理论的基础是晶体缺陷的运动, 各种形式的晶体缺陷的运动都与热活化控制相关。 针对材料的高温蠕变,提出了解释材料产生蠕变的三种机理,分别为扩散蠕变机理、晶格机理和晶界滑移机理。,1)扩散蠕变机理 该机理认为材料内部的空位浓度差是产生蠕变的主要原因; 并且认为空位浓度的变化量与材料的外加应力成正比, 同时晶界对空位的

2、消失和产生起主要作用。 由于位错、晶界等非平衡缺陷的存在,在外界应力的作用下,实际材料中原子的力化学势场 分布并不均匀相等,从而导致不同区域之间原子扩散流的产生,材料发生扩散蠕变。,晶界上的张应力使空位的浓度增加到 c=c0exp(/kT) 压应力使浓度减少到: c=c0exp(- /kT) 式中: 为空位体积,c0为平衡浓度。 应力造成空位浓度差,质点由高浓度向低浓度扩散,即原子迁移到平行于压应力的晶界,导致晶粒伸长,引起形变。,图(2) 扩散蠕变,2)晶格机理 晶格机理是由于晶体内部的自扩散而使位错进行攀移。在一定温度下,热运动的晶体中存在一定数量空位和间隙原子;位错线处一列原子由于热运动

3、移去成为间隙原子或吸收空位而移去;位错线移上一个滑移面。或其他处的间隙原子移入而增添一列原子,使 错位线向下移一个滑移面。 位错在垂直滑移面方向的运动称 为位错的攀移运动,见图(3)。,图(3) 位错攀移,实际生产中利用位错的爬移运动来消除位错。 位错爬移时,应变速率: U=Anexp(-Q/RT)= Anexp(S /R)exp(- H/RT) 式中,Q为自扩散激活能;S为熵;H为自扩散激活焓。 该方程为杜恩和魏脱迈方程。 位错爬移是第二阶段蠕变的发生机理,当温度、应力恒定时,应变速率为一常数。 滑移和爬移的区别:滑移与外力有关;爬移与晶体中的空位和间隙原子有关。,3)晶界蠕变理论 晶界对蠕变速率有两种影响:高温下,晶界能彼此相对滑动,使剪应力得到松弛; 晶界本身是位错源,离晶界约为一个障碍物间距内的位错会消失。 说明: 大角度晶界是晶格匹配差的区域,可以认为是晶粒之间的非晶态结构区域。 在高温下,晶界表现为粘滞性 扩散蠕变与晶界蠕变是互动的。如果蠕变由

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