PCB电镀-化铜.ppt

1、印刷线路板化铜电镀工艺及技术,Contents,1.线路板的结构及技术要求,1.Build-up层线宽 2.Build-up层线距 3.Core层线宽 4.Core层线距 5.盲孔孔径 6.盲孔内层孔环,7.盲孔外层孔环 8.通孔孔径 9.通孔孔环 10.Build-up层厚度 11.Core层厚度,多层PCB的结构,印刷电路板各种产品的技术规格要求,1.Tenting Process （干膜盖孔法） 适用于PCB、FPC、HDI等 量产最小线宽/线距 35/35m 2.Semi-Addictive Process（半加成法） 适用于WB Substrate、Flip Chip Substra

2、te 量产最小线宽/线距 12/12m 3.Modified Semi-Addictive Process （改良型半加成法） 适用于CSP、WB Substrate、Flip Chip Substrate 量产最小线宽/线距 25/25m,线路形成工艺的种类及应用范围,Tenting Process （干膜盖孔法）介绍:,普通PCB、HDI、FPC及Substrate Core层等产品，使用的基材为 FR-4（难燃性环氧树脂覆铜板） 、RCC（涂覆树脂覆铜板）、 FCCL（柔性基材覆铜板）等材料。,RCC：,FCCL：,FR-4：,线路形成工艺的种类及应用范围,SAP （半加成法）与MSAP

3、（改良型半加成法）介绍,SAP与MSAP工艺采用Build-up工艺制作。其中SAP的主要材料为 ABF（Ajinomoto Build-up Film）和液态树脂；MSAP工艺的主要 材料为超薄铜覆铜板（基材为BT、FR-5等，铜厚5m）,ABF材料,BUM液态树脂,覆铜板,线路形成工艺的种类及应用范围,盖孔法,干膜前处理, ,压膜,曝光,显影,蚀刻,去膜,化学沉铜, ,干膜前处理,压膜,曝光,显影,镀铜,化学清洗,去膜,闪蚀, , ,减薄铜蚀刻, ,干膜前处理,压膜,曝光,显影,镀铜,化学清洗,去膜,闪蚀, ,SAP,MSAP,线路形成工艺的种类及应用范围,Tenting Process

4、（干膜盖孔法）介绍,前处理,压膜,曝光,显影,蚀刻,去膜,目的：清洁铜面，粗化铜面， 增加干膜与铜面的结合力,目的：将感光干膜贴附在铜面上,目的：将设计的影像图形通过UV光 转移到PCB的干膜上,目的：将设计的影像图形通过UV光 转移到PCB的干膜上,目的：将没有覆盖干膜的铜面去除,目的：将铜面残留的干膜去除,线路形成工艺的种类及应用范围,SAP （半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍,SAP 与MSAP工艺的区别是，SAP的基材上面是没有铜层覆盖的，在制作线路前需在线路表面沉积 一层化学铜（约1.5m），然后进行显影等工艺； MSAP基材表面有厚度为35m厚度的电解铜， 制作线路前需用

5、化学药水将铜层厚度咬蚀到2m。,目的:将可感光的干膜贴附于铜 面上,目的:将设计之影像图形,转移至 基板的干膜上,目的:将没有曝到光之干膜去除,目的:将化铜层蚀刻掉,目的:将多余的干膜去除,目的:将显影后之线路镀满,线路形成工艺的种类及应用范围,ABF熟化后的膜厚约在3070m之间，薄板者以3040m较常用一般双面CO2雷射完工的24mil烧孔，其孔形都可呈现良好的倒锥状。无铜面之全板除胶渣(Desmearing)后，其全板面与孔壁均可形成极为粗糙的外观，化学铜之后对细线路干膜的附着力将有帮助。,雷射成孔及全板面式除胶渣,覆晶载板除胶渣的动作 与一般PCB并无太大差异，仍然是预先膨松(Swel

6、ling)、七价锰(Mn+7)溶胶与中和还原(Reducing)等三步。 不同者是一般PCB只处理 通孔或盲孔的孔壁区域，但覆晶载板除了盲孔之孔壁外，还要对全板的ABF 表面进行整体性的膨松咬蚀，为的是让1m厚的化 铜层在外观上更形粗糙，而令干膜光阻与电镀铜在大面积细线作业中取得更好的附着力。,ABF表面完成0.3-0.5m化学铜之后即可进行干膜光阻的压贴，随后进行曝光与显像而取得众多线路与大量盲孔的镀铜基地，以便进行线路镀铜与盲孔填铜。,咬掉部份化铜后完成线路,完成填充盲孔与增厚线路的镀铜工序后，即可剥除光阻而直接进行全面性蚀该。此时板面上非线路绝缘区的化学铜很容易蚀除，于是在不分青红皂白全

7、面铳蚀下，线路的镀铜当然也会有所消磨但还不致伤及大雅。所呈现的细线不但肩部更为圆滑连底部多余的残足也都消失无踪，品质反倒更好！此等一视同仁通面全咬的蚀该法特称为Differential Etching。,此六图均为SAP 323切片图；左上为1mil细线与内核板之50倍整体画面。中上为200倍明场偏光画面，右上为暗场1000倍的呈现，其黑化层清楚可见。左下为1000倍常规画面，中下为200倍的暗场真像。右下为3000倍ABF的暗场画面，底垫为1/3oz铜箔与厚电镀铜，铜箔底部之黄铜层以及盲孔左右之活化钯层与化铜层均清晰可见。,传统的 PTH,PTH 孔金属化,工艺流程 功能,去钻污 Secur

8、iganth P/P500/MV/BLG,溶胀 使树脂易被高锰酸盐蚀刻攻击 高锰酸盐蚀刻 去除钻污和树脂 还原 除去降解产物和清洁/处理表面. (清洁 / 蚀刻玻璃）,只有三个工艺步骤:,溶胀,还原,高锰酸盐 蚀刻,去钻污前（去毛刺后）各种 类型PCB 的状态 通孔和微盲孔中的钻污,铜箔,树脂,内层,多层,RCC/FR-4 板,裸树脂板,RCC 箔,内层底盘,玻璃纤维,钻污,钻污,芯,钻污,钻污,FR-4,SAP 膜,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,SBU Sequential Build-up Technology,工艺流程 溶胀,使树脂易受高锰酸盐蚀刻液的最佳攻

9、击并保障环氧树脂(Tg 150C)表面的微观粗糙度,溶胀,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 通孔和微盲孔中溶胀之后的钻污,溶胀之后,溶胀剂,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 溶胀之前 (0 秒),去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 溶胀150 秒之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 溶胀240秒之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,工艺流程 碱性高锰酸盐蚀刻,高锰酸盐蚀刻溶液除去内层（铜）表面的钻污，清洁孔壁并且粗化(Tg 150C)的环氧

10、树脂之表面,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,碱性高锰酸盐 蚀刻,高锰酸盐蚀刻之后,高锰酸盐蚀刻 蚀刻通孔和微盲孔的表面,CH4 + 12 MnO4- + 14 OH- CO32- + 12 MnO42- + 9 H2O + O2,2 MnO42- + 2 H2O MnO2 + OH- + O2,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,MnO4-,高锰酸盐蚀刻 溶胀之后 不经过蚀刻,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,高锰酸盐蚀刻 150 秒蚀刻之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,高锰酸盐蚀刻

11、240 秒蚀刻之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,环氧树脂 (未经固化),Bisphenol A Epichlorhydrin,高锰酸盐攻击环氧树脂分子中的极性官能团. 不含极性官能团的高分子化合物不能被去钻污.,高锰酸盐蚀刻 攻击环氧树脂,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,标准 FR-4 ( 150C),高-Tg ( 150 C),300 x,300 x,2000 x,2000 x,非均相交联,均相交联,去钻污,高锰酸盐蚀刻 去钻污的结果,高锰酸盐蚀刻 还原,还原剂能还原/除去

12、二氧化锰残留并对玻璃纤维进行前处理以期最佳（沉铜）的覆盖. 如有需要，玻璃纤维可被玻璃蚀刻添加剂同时清洁与蚀刻.,还原,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,还原 清洁后的通孔与微盲孔表面,还原之后,Mn4+ + 2 e- Mn2+,H2O2 2 H+ + 2 e- + O2,Conditioner,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,H2O2 / NH2OH,NH2OH 2 H+ + 2 H2O + 2 e- + N2,PTH前不同类型的PCB板 去钻污后的通孔以及微盲孔表面,经过去钻污处理后,多层板,FR-4,覆铜板,树脂,内层,传统的 PTH

13、,内层钻盘,FR-4 板,裸树脂板,钻孔之后,200 x,1000 x,通孔 钻孔之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,通孔 去钻污之后,去钻污之后,200 x,1000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto 裸树脂板 去钻污之前,去钻污之前,1000 x,5000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸树脂板 去钻污之后,去钻污之后,1000 x,5000 x,去钻污 Secur

14、iganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸树脂板 去钻污之前,去钻污之前,1000 x,2000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸树脂板 钻污之后,1000 x,2000 x,去钻污之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,钻孔之后,1300 x,3000 x,激光钻成的微盲孔 钻孔之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,去钻污之后,1100 x,2700 x,激光钻成的微盲孔

15、去钻污之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,钻孔之前,1000 x,1000 x,RCC 技术 激光钻成的 去钻污之前,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,去钻污之后,1000 x,1000 x,RCC 技术 激光钻孔 去钻污之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,工艺流程 - 特征 & 优点,溶胀,高锰酸盐 蚀刻,还原,简短的流程 只须3步 快速和有效的去钻污 体系内再生高锰酸盐（延长槽液寿命) 极好的玻璃处理性能 最高质量的去钻污 无害于环境 (交少的有机物) 应用于微盲孔具有最好的润湿性,去钻污 Securig

16、anth P/P500/MV/BLG,* 可选,工艺流程 垂直沉铜 应用,清洁,预浸,活化,微蚀清洁,调整*,还原,传统的 PTH,化学沉铜,垂直,优点： 均匀致密的化学铜沉积 优异的结合力（不起泡） 稳定的槽液使用寿命 沉积速率稳定，适用于通孔 和盲孔的生产制程,5 5 2 1 4 4 14. 20 时间分,工艺流程 清洁 & 调整,清洁剂确保孔内表面达到最佳的表面清洁状态，以便保证有良好的化学铜结合力,清洁,传统的 PTH,清洁/调整 树脂表面和铜表面的前处理,经过清洁剂/调整剂处理后,传统的 PTH,工艺流程 清洁 & 调整,如果去钻污工序中没有调整步骤,必须附加一个额外的调整剂或在使用

17、一些特殊的材料如：PTFE聚四氟乙烯, PI聚酰亚胺)时,清洁,调整,传统的 PTH,去钻污调整 !,清洁调整 玻璃表面的前处理,调整剂,经过清洁调整剂处理后,传统的 PTH,调整 表面前处理,调整 只有当表面清洁时，玻璃纤维的调整才会起作用来避免可能破坏连接机制的副效应!,最好的调整性能 在碱性高锰酸盐去钻污后的还原步骤中,调整剂产品 还原清洁剂 Securiganth P (速效普通的双氧水体系的还原剂，添加了调整剂成分) 还原清洁剂 Securiganth P500 (有机体系的还原剂，添加了调整剂成分),注意：若没有经过调整，化学铜后的背光效果会比较差 !,传统的 PTH,调整 机理,

18、-,树脂,玻璃纤维,调整剂分子 (表面活性剂 Tenside),部分带负电荷,经过调整后的玻璃表面,经过去钻污后的玻璃表面,-,-,-,-,-,-,-,-,-,均匀的，有机的，荷电表面,部分 带正电荷,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,传统的 PTH,调整 机理,/OH /OH /OH | | | O Si O Si O Si O | | | O O O | | |,N,N,n,调整剂的碳链 (部分带正电荷),玻璃纤维 的分子模型 (部分带负电),传统的 PTH,工艺流程 微蚀清洁,铜的蚀刻及粗化是为了化学铜-内层铜之间有良好的结合效果。,微蚀清洁剂 Securiagnt

19、h 过硫酸盐体系 通常的微蚀清洁剂基于过硫酸钠（SPS）适用于各种技术 微蚀清洁剂 Securiganth C 微蚀清洁剂是为特殊的表面性能而设计的。,微蚀清洁,传统的 PTH,微蚀清洁 蚀刻及粗化铜表面,SPS: Cu + S2O82- Cu2+ + 2 SO42-,经过微蚀清洁后,传统的 PTH,经过去钻污处理后,微蚀清洁 清洁及粗化铜表面,200 x,1000 x,玻璃颗粒,传统的 PTH,微蚀清洁 过硫酸钠的机理,铜的反应 (氧化反应),S2O82-+ 2 H+ + 2 e- 2 HSO4-,过硫酸根反应 (还原反应),S2O82- + 2 H+ Cu0 Cu2+ + 2 HSO4-,

20、Cu0 Cu2+ + 2 e-,铜溶解反应 (氧化还原反应),Na2S2O8 + H2SO4 + Cu0 CuSO4 + 2 NaHSO4,传统的 PTH,表面结构形貌 微蚀清洁剂 Securiganth 过硫酸钠 (SPS),传统的 PTH,经过刷板后的铜表面,经过微蚀清洁剂 Securiganth过硫酸钠处理之后的铜表面.,(150 g/l SPS, 25 ml/l H2SO4 50% w/w, 35C, 1.5分).,微蚀清洁 微蚀清洁剂 Securiganth C 的机理,铜的反应 (氧化反应),HSO5-+ 2 H+ + 2 e- HSO4- + H2O,微蚀清洁剂 Securiga

21、nth C 的反应(还原反应),HSO5- + 2 H+ Cu0 Cu2+ + HSO4- + H2O,Cu0 Cu2+ + 2 e-,铜溶解反应(氧化还原反应),KHSO5 + H2SO4 + Cu0 CuSO4 + KHSO4 + H2O,传统的 PTH,表面微观形貌 微蚀清洁剂 Securiganth C,经过刷板后的铜表面.,(50 g/l Securiganth Etch Cleaner C, 50 ml/l H2SO4 50% w/w, 35 C, 1.5 min),传统的 PTH,经过微蚀清洁剂 Securiganth C处理后的表面,工艺流程 活化/催化,预浸是用来避免前工序的

22、药液污染活化。,预浸 Neoganth 系列 预浸药液是为离子钯而设计的,预浸,传统的 PTH,工艺流程 活化/催化,离子钯（或胶体钯）主要吸附于树脂表面,以及经过调整过的玻璃纤维。使孔壁吸附一层钯金属导电层，以便于后续的化学铜工序。,活化,传统的 PTH,催化 Neoganth/Pallacat Catalyst 系列 离子钯的催化剂/胶体钯Pd-Sn催化溶液 是为普通的基材设计的催化剂,活化/催化 通孔及盲孔表面的活化,经过活化处理后,传统的 PTH,特征及优点 Neoganth Activator 系列 vs. 胶体钯系列 (Black Seeder),传统的 PTH,胶体催化剂 胶体的

23、组成（Black Seeder),传统的 PTH,PdCl2 + SnCl2,PdxSn(OH)y+ y Cl- + SnO(OH)2,H2O/H+,钯的吸附 调整过的表面 Neoganth Activator 系列的化学反应,Activator Neoganth 系列 Pd2+ 做为 PdSO4, 和有机络合剂,O | Si O(-) | O,玻璃,树脂,Pd 的吸附: 树脂 玻璃 铜,O | C O | O,N,传统的 PTH,钯的吸附 调整过的表面 胶体钯系列的化学反应 (Black Seeder),胶体钯催化剂系列 Pd2+ as PdCl2, and SnCl2 作为胶体种子r,O

24、| Si O(-) | O,Glass,Resin,Pd 的吸附: 树脂 玻璃 铜,O | C O | O,N,(+)N,n,传统的 PTH,特征及优点 Neoganth Activator 系列 vs. 胶体钯 (Black Seeder),Activator Neoganth Pd2+络合的低聚合物及随后的还原剂 优 优 优 低 无 无 Pd2+, pH = alkaline,化学 溶液能力 覆盖性能 玻璃 树脂 铜面上钯的 损耗 铜面的残留 对基材的腐蚀 可监控性,胶体钯催化剂 Pd/Sn胶体及随后的速化剂 (Sn 络合剂) 对氧化剂敏感 (Sn2+ Sn4+) 优 优 中等 可能 可能

25、 Pd, Sn2+,Sn4+, Cu, pH = 0,传统的 PTH,工艺流程 还原,经过活化后，Reducer Neoganth将吸附的离子钯还原为金属钯，使之能够在随后的化学铜工艺中起催化的作用。 速化剂系列 溶解/去除保护胶体的锡络合层，使金属钯暴露出来。,还原剂,传统的 PTH,还原 还原的钯种在表面上,经过还原处理后,传统的 PTH,钯还原 - Neoganth Reducer WA 化学反应 Dimethylaminoborane (DMAB),Pd2+ - L + 2 e- Pd0 + L,阴极反应,氧化还原反应,Pd2+-L + (CH3)2-NH-BH3 + 3 H2O Pd

26、0 + (CH3)2-NH + H3BO3 + 2 H+ + L + 2 H2,阳极反应,(CH3)2-NH-BH3 + 3 H2O (CH3)2-NH + H3BO3 + 2 e- + 2 H+ + 2 H2,传统的 PTH,工艺流程 化学铜,钯（氢）激活自催化化学铜反应，使铜沉积在经过活化/催化的表面。,化学铜,传统的 PTH,化学铜沉积 通孔及盲孔的沉积,经过化学铜沉积后的表面,传统的 PTH,化学铜沉积 主反应,反应 I:,Cu-L2+ + 2 HCHO + 4 OH- Cu0 + 2 HCOO- + 2 H2O + H2 + L,反应 II:,Cu-L2+ + HCHO + 3 OH

27、- Cu0 + HCOO- + 2 H2O + L,传统的 PTH,化学铜沉积 阴极反应,2 Cu2+ + 2 OH- Cu2O + H2O,阴极反应:,Cu2O + H2O Cu0 + Cu2+ + 2 OH-,Cu2+ + 2 e- Cu0,Cu - L2+ + 2 e- Cu0 + L,传统的 PTH,化学铜沉积 反应 I,阳极反应 I:,HCHO + 3 OH- HCOO- + 2 H2O + 2 e-,Cu - L2+ + 2 e- Cu0 + L,阴极反应:,Cu-L2+ + HCHO + 3 OH- Cu0 + HCOO- + 2 H2O + L,反应 I:,传统的 PTH,化学

28、铜沉积 副反应,甲醛的氧化反应:,2 HCHO + 2 OH- 2 H2C(OH)O-,2 H2C(OH)O- + 2 OH- 2 HCOO- + H2 + 2 H2O + e-,2 HCHO + 4 OH- 2 HCOO- + 2 H2O + H2 + 2 e-,阳极反应 II:,cat,Catalyst: Pd (H2) /Cu,传统的 PTH,化学铜沉积 反应 II,阳极反应 II:,2 HCHO + 4 OH- 2 HCOO- + 2 H2O + H2 + 2 e-,Cu - L2+ + 2 e- Cu0 + L,阴极反应:,Cu-L2+ + 2 HCHO + 4 OH- Cu0 +

29、2 HCOO- + 2 H2O + H2 + L,反应 II:,传统的 PTH,化学铜沉积 副反应,Cannizzaro:,2 HCHO + NaOH CH3OH + HCOONa,CO2 + 2 NaOH Na2CO3 + H2O,Carbonization:,HCOONa + NaOH Na2CO3 + H2,cat,Catalyst: Pd/Cu,传统的 PTH,Controllomat A 440 自动 主/从 添加,探针 光学测量 安全方便 温度修正 控制添加泵进行自动补加,传统的 PTH,化学反应 固定的组成消耗比例 在化学铜沉积期间. 主添加 铜的消耗 附从添加 NaOH, 甲醛

30、 和 络合剂的消耗,滴定 自动滴定分析仪,传统的 PTH,Phoenix PHX Monitoring System 与一日本公司有合作,滴定 自动滴定分析仪,滴定 化学测量 持久分析 控制添加泵进行自动补加,传统的 PTH,化学反应 根据产品的浓度分别进行补加. 单独补加 铜, NaOH, 甲醛 和 络合剂,工艺流程 电镀铜,在导电层上进行电镀以加厚通孔的厚度,酸铜溶液 (直流可溶阳极) e.g. Cupracid FP 酸铜溶液 (直流，不溶阳极) e.g. Cupraspeed IN 脉冲电镀铜溶液 (不溶阳极) e.g. Cuprapulse S4,电镀铜,传统的 PTH,电镀铜 -

31、通孔和盲孔的电镀,经过电镀铜后,Cu2+ + 2 e- Cu0,传统的 PTH,极少量的钯吸附在铜表面 适用于各种工艺 可适用于水平或垂直的应用 工作范围宽 使用可生物降解的络合剂，废水处理更容易 高速中等厚度的化学铜,经济,特点及优点 化学铜,传统的 PTH,使用离子钯体系 可利用胶体钯做为活化系统 能达到最高的可靠性指标 适用于大多数的基材 可靠性高 较好的调整-活化/催化系统 无“起泡” 药液易于监控及自动补加,技术,特点及优点 化学铜,传统的 PTH,环保,使用酒石酸盐的可生物降解的化学铜药液 使用不含汞/氰化物的稳定剂,特征及优点 化学铜,传统的 PTH,酸铜电镀工艺,全板电镀和图形

32、电镀流程介绍,电镀铜前处理和电镀铜槽介绍,电镀前处理 清洁剂,介绍 图形电镀前处理采用酸性清洁剂 ( PH 0-5) 绝大部分清洁剂没有微蚀作用 清洁剂作用： 去除铜表面的氧化 去除钝化 中和，酸化和湿润孔壁和干膜边缘，清洁，去除残留物 调整干膜侧壁，预防干膜析出,电镀前处理 微蚀,微蚀的目的和作用 微蚀粗化铜表面，加强铜铜结合力 去除铜表面的残留物和氧化物，避免污染电镀铜槽 微蚀药水介绍 硫酸: 10-50 ml/l H2SO4 氧化剂： 双氧水 H2O2 过硫酸钠Na2S2O8,电镀前处理 微蚀,技术基础介绍 空气搅拌有利于铜表面和孔内均匀的微蚀效果，但不利于硫酸双氧水体系 通常微蚀量控制

33、 0.5-1.0 m /min. 铜离子浓度决定槽寿命，当铜离子浓度超标时，建议新配槽： 过硫酸钠体系铜离子20 g/l, 双氧水体系铜离子30 g/l 影响微蚀量的因素： 氧化剂的浓度 硫酸的浓度 铜离子浓度 槽液温度 铜的晶体结构 空气搅拌,电镀前处理 酸浸,酸浸的目的和作用 酸浸是电镀铜前很重要的步骤 酸浸在电镀板面产生均匀的扩散层,确保电镀时板面处于相同游离态条件下快速的起镀。 去除铜面的氧化 保护电镀铜槽免受污染 活化和湿润铜表面，消除极化点，预防电镀表面缺陷 配槽浓度： 10v/v,酸铜电镀,垂直镀铜电镀反应,传统垂直电镀铜 阳极： Cu0 Cu2+ + 2e- 阳极区间铜溶解 阴

34、极： Cu2+ + 2e- Cu0 阴极区间铜沉积到线路板上,电镀铜药水,介绍 电镀铜槽液主要含： 硫酸铜，硫酸，氯离子，光亮剂，载运剂，整平剂。,电镀铜槽各要素的作用,电镀铜药水,介绍 硫酸铜(CuSO4 * 5 H2O): 五水硫酸铜和阳极铜作为电镀的金属来源,电镀铜药水,介绍 硫酸 (H2SO4): 作为硫酸体系的电镀铜，硫酸起导电作用。,电镀铜药水,介绍 氯离子 (Cl-): 氯离子对阳极均匀腐蚀起很重要的作用。 氯离子是光亮剂和载运剂的媒介。,电镀铜药水,电镀时没有添加剂,电镀铜药水,电镀时没有添加剂 电镀铜延展性类似于化学铜的沉积，仅约23 电镀铜层有很高的抗拉强度 50mN/cm

35、2,电镀铜药水,载运剂的作用,电镀铜药水,载运剂的作用 载运剂形成的极化层控制光亮剂，整平剂和氯离子 形成最佳的铜还原环境。 部分载运剂能调整铜表面并改善湿润性。 电镀铜表面比只有光亮剂电镀时稍光亮些，并且整平的效果有改善。 安美特电镀添加剂载运剂作为整平剂的一部分，是在阳极和阴极区间形成均匀极化层的必要成分。,电镀铜药水,整平剂的作用 整平剂和光亮剂协同作用，使电镀铜沉积光亮并象镜子反光一样。 整平剂带正电，在阴极线路板上高电流区阻碍铜沉积。,电镀铜药水,光亮剂作用 和载运剂，氯离子共同作用使得电镀铜沉积光亮如镜. 光亮剂又称电镀加速剂，催化剂。 光亮剂加速转化: Cu2+ Cu+ Cu0 光亮剂确保电镀铜层有好的延展性。,电镀铜药水,光亮剂的作用 和载运剂，氯离子共同作用使得电镀铜沉积光亮如镜