士兰明芯中文简介.ppt

1、热烈欢迎浙江省商务厅、杭州市外经局、开发区招商局领导和专家莅临指导！,杭州士兰明芯科技有限公司 简 介 2013年3月,报告提纲,士兰明芯背景与现状 产品简介 士兰明芯特点与优势 士兰明芯未来发展规划,士兰明芯背景与现状,成立于2004年9月，位于杭州经济技术开发区。注册资本金7亿元人民币，由上市公司杭州士兰微电子股份有限公司（SH.600460)独资成立。 目前产品应用：户内外彩屏、景观照明、通用照明。 现有员工500余人，其中销售、管理、技术人员约120余人。 月产能达到6万片2英寸外延片，其中15000片用于白光照明。,外延炉(MOCVD),主要生产设备,德国AIXTRON (爱思强)公

2、司-15台 美国VEECO （维易科）公司 -8台,产品介绍,显示屏用LED芯片 高亮度蓝光LED芯片 高亮度绿光LED芯片 高亮度红光LED芯片 白光照明用高亮蓝光LED芯片 高亮蓝光LED芯片,GaN 基 LED产品,Blue LED Epitaxial Wafer,Green LED Epitaxial Wafer,Blue LED Chip,Green LED Chip,AlInGaP 红光 LED 产品,High Brightness Red LED Chip,High Power Blue LED Chip,现有产品,高亮度蓝光LED芯片,芯片特性,抗ESD水平高（2000V HB

3、M） 电极粘附可靠 色彩分档细致（2.5nm） 亮度10mcd分档 漏电流小，10V小于0.5A 电流5mA-20mA色差小于3nm 芯片尺寸200m、230m、250m、280m、300m、320m任选,芯片结构,高亮度绿光LED芯片,芯片结构,芯片特性,抗ESD水平高（2000V HBM） 电极粘附可靠 色彩分档细致（2.5nm） 亮度20mcd分档 漏电流小，10V小于0.5A 电流5mA-20mA色差小于5nm 芯片尺寸200m、 230m、250m 、280m、300m、320m任选,芯片结构,芯片特性,高亮度红光LED芯片,抗ESD水平高（2000V HBM） 电极粘附可靠 色彩分

4、档细致（2nm） 亮度30mcd分档 漏电流小，10V小于0.5A 电流5mA-20mA色差小于1nm 芯片尺寸280m,用于白光照明的LED芯片,小功率白光芯片 8x12mil20mA-6lm 8x20mil20mA-7lm 10 x16mi20mAl-7lm 10 x23mil20mA-8lm 中功率白光芯片 14x28mil100mA-40lm 20 x40mil150mA-50lm 大功率白光芯片 45x45mil350mA-130-140lm,蓝色发光二极管芯片, 芯片描述,SL-NWIT0812-V#W#I#,蓝色发光二极管芯片, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 )

5、, 机械规范,*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为800V全测合格 。,封装成白光达到6lm以上, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 ), 机械规范,*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格 。,SL-NWIT1016-V#W#I#,封装成白光达到7lm以上, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 ), 机械规范,*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格 。,SL-NWIT0820-V#W#I#

6、,封装成白光达到7lm以上, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 ), 机械规范,*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格 。,SL-NWIT1023-V#W#I#,封装成白光达到8lm以上, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 ), 机械规范,*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为1000V全测合格 。,SL-MWIT1428-V#W#I#,封装成白光达到40lm以上, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 ), 机械规范,*说明：2000V是ES

7、D测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为1000V全测合格 。,SL-MWIT2040-V#W#I#,封装成白光达到50lm以上, 芯片描述, 光学和电学参数 ( Ta = 25 ), 机械规范,*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为500V全测合格 。,SL-MWIT4545-V#W#I#,封装成白光达到130lm以上,垂直结构LED功率芯片,可以实现10W/mm2输入，输入电流最大可以达到3A，光效达到120lm/W。 研发成果获得2012年度“杭州市科技进步一等奖”及“浙江省科技进步三等奖” 。,研发产品,知识产权情况

8、,授权： 发明专利8项 实用新型专利4项 外观专利2项 申请： 中国发明专利69项 国际发明专利2项,主要客户,深圳九州 JiuZhou Optoelectronics Co., Ltd 深圳雷曼 Ledman Optoelectronics Co., Ltd 深圳艾比森 ShenZhen Absen Industry Co., Ltd 佛山国星 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd 上海三思 Shanghai Sansi technology Co., LTD 深圳国冶星 Shenzhen Guoyexing Optoelectronics C

9、o., Ltd 长春希达 Changchun Cedar Electronics Technology Co., LTD 深圳洲明 Shenzhen unilumin Group Co., Ltd 深圳瑞丰 Shenzhen Refond Optoelectronics Co., Ltd 佛山蓝箭 Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd 深圳锐拓 Shenzhen Retop LED Display Co., LTD 深圳日上 Shenzhen Rishang Optoelectronics Co., Ltd,士兰明芯特点与优势,丰富的集成电路产业经验，严格监控生产流程，保证产品质量 良好的基础动力设施提供稳定的生产条件 与