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文档简介

模拟集成电路设计，半导体集成电路，模拟集成电路设计-1，模拟集成电路设计，1。金属氧化物半导体器件的物理基础，模拟集成电路设计，金属氧化物半导体场效应晶体管结构，模拟集成电路设计，衬底，Ldrawn:总沟道长度，Leff:有效沟道长度，Leff Ldrawn2 LD，金属氧化物半导体场效应晶体管结构，LD:横向扩散长度(体，体)，模拟集成电路设计，金属氧化物半导体管正常工作的基本条件，金属氧化物半导体管正常工作的基本条件是衬源(B，S)和衬漏(B，D)的所有Dpn结必须反向偏置！寄生二极管、模拟集成电路设计、NMOS和PMOS器件在同一衬底上，必须连接到最高电位的VDD。*P-SUB必须连接到最低电位的VSS！*阱中的金属氧化物半导体场效应晶体管衬底总是连接到源极，并且金属氧化物半导体场效应晶体管的所有pn结都被：反向偏置。模拟集成电路设计，例如：确定用于制造以下电路的衬底类型、模拟集成电路设计、NMOS器件的阈值电压vth、(a)由栅极电压控制的MOSFET、(b)耗尽区的形成、(c)反转的开始、(d)反转层的形成以及模拟集成电路设计

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