《模拟电子技术基础》(第四版)第1章.ppt

1、教材：模拟电子技术基础讲座：科能委，绪论，1，课程的地位和主要内容，电子技术研究电子设备，电路和应用科学技术。设备是公路、引言和模拟信号。时间和数值上连续的信号。电脑测试控制系统原理块图表，介绍，第二，电子技术的典型应用节目，第三，如何学好模拟，介绍，过程特征：内容多，内容混杂，工程性强。1、抓住“重点”。2、着重综合分析，着重工程。作业：期末考试：参考课和解决问题作业：每周一次，全校，参考答案，内容摘要，半导体部件是构成各种电子电路的基础，包括模拟电路和数字电路、集成电路、个别元件电路。牙齿章节首先介绍半导体的特性、半导体的载流子运动、PN结的单向导电性，并介绍半导体二极管、稳定管、半导体三

2、极管和场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。第一章一般定义半导体元件、1.2半导体二极管、1.3稳定管、1.4半导体电晶体、1.5场效应管、1.1半导体基本原理、1.1.1半导体的特性、1、导电介于导体和绝缘体之间的物体，称为半导体。例如：硅(Si)、锗(Ge)等价电子：围绕原子核运动的最外层轨道的电子导体3360低元素绝缘体：高元素硅(Si)、锗(Ge):介价电子、1.1半导体基础、价钱那是共价键结构。1.1.2本征半导体，相邻原子的价电子为共价电子，即共价键结构，4，、激励(温度和照明)是日程表需要注意的是，牙齿征晶半导体的载流子浓度不仅与半导体材料本身的性质有关，而且与温度密切相

3、关。半导体材料性能对温度的这种敏感性不仅可以用于制造热和感光元件，而且是半导体元件温度稳定性下降的原因。4，N型半导体结构示意图，N型半导体中，自由电子是多数流子，空穴是少数流子。4、4、对于杂质半导体，多边浓度几乎等于掺杂的物质浓度，多边浓度几乎不受温度影响。Shaozi(固有激发)浓度受温度影响很大。需要注意的是，无论是n型半导体还是P型半导体，都有很多载流子，但整体晶体仍然不带电，而是带有中性。混合杂质提高半导体的导电性不是最终目的。因为导体的导电性更强。杂质半导体的妙处在于，混合性质和浓度不同的杂质，徐璐以不同的方式组合P型和N型半导体，就可以制造出形色、多样性、用途不同的半导体元件。

4、流子的两个茄子运动：扩散流子在浓度差作用下的运动流子总是在高浓度到低浓度下扩散流子，在电场作用下的运动电子逆电流器方向上顺电场运动空穴。、P区、N区、空间电荷区，内部电场方向，1.2PNA结多子的扩散和器件的漂移达到动态平衡时，空间电荷区的宽度必须形成PN结。内部电场方向，R，1.2.2 PN连接的单向导电， 结论是，如果PN连接反向偏移，则电路的反向电流很小，几乎等于0，牙齿电流由少数载流子引起，因此温度影响很大(温度越高，反向电流就越大)。 此时，PN接头处于闭合状态。您可以看到PN接头具有单向传导。PN接头的电压电流性质，正偏置：p n-正向低电阻，反向：p-n 反向高电阻切断I=-Is

5、，反向击穿，PN接头性质2:击穿性质本征掺杂，q-u？l？反向击穿，正向和反向，开路电压：Uon，Si管：约0.5V Ge管：约0.1V，正向传导电压U，Si管：0.6V0.8V(。)Ge管：0.2v 0.3v(T=300k(270 c)表示室温，UT=26mV)。Is:反向饱和电流。反向段：| uD | UT区分iDIS，常规：特性曲线中的Uon和U计算时不区分Uon和U计算，二极管的VA特性受温度影响。随着环境温度的升高，二极管的正向特性曲线向左移动，反向特性曲线向下移动。，1.3.4二极管的等效电路也称为模拟二极管特性的电路，也称为二极管等效电路，二极管的等效模型。I？u？I，U，ID，

6、1，二极管的直流模型，1 3。二极管通且正向压降uD大于U时，电流iD与uD线性关系(直线斜率1/rD)，截止时反向流为0的等效模型，以上三个等效电路中1的误差最大，3的误差最小，一般使用2所示的等效电路很多。直流电阻，二极管主要使用限制、整流、钳制来判断二极管是否正向通。首先，假设二极管关闭，求出正极和负极电位。阳极阴极电位差UD时的正向传导；如果电路中有多个二极管，则正极和负极电位差最大的二极管首先通。通电后，阳极阴极电位差为正向传导电压(. 7V或.夹紧到v)。判断另一个二极管，将DC模型2、DC模型2、图1.2.6示例1.2.1电路、示例1下图中已知的VA=3V、VB=0V、DA、DB输出到锗管道。解析：如果DA先通过，则VY=30.3=2.7V，如果DA通过，则DB因逆偏转而受阻，隔离，DA起到钳位作用，Y末端的电势钳位为2.7V。示例2下图绘制了二极管限制电路、D是理想二极管、E=3V、ui=6 sin t V