模拟电子线路32结型场效应管_第1页
模拟电子线路32结型场效应管_第2页
模拟电子线路32结型场效应管_第3页
模拟电子线路32结型场效应管_第4页
模拟电子线路32结型场效应管_第5页
已阅读5页，还剩8页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、3.2 结型场效应管,JFET结构示意图及电路符号,N沟道JFET管外部工作条件,VDS 0 (保证栅漏PN结反偏),VGS 0 (保证栅源PN结反偏),3.2.1 JFET管工作原理,VGS对沟道宽度的影响,若VDS=0,VDS很小时 VGD VGS,由图 VGD = VGS - VDS,因此 VDSID线性 ,若VDS 则VGD 近漏端沟道 Ron增大。,此时 Ron ID 变慢,VDS对沟道的控制（假设VGS 一定）,此时W近似不变,即Ron不变,当VDS增加到使VGD =VGS(off)时 A点出现预夹断,若VDS 继续A点下移出现夹断区,此时 VAS =VAG +VGS =-VGS(

2、off) +VGS （恒定）,若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l 不变（即Ron不变）。,因此预夹断后：,VDS ID 基本维持不变。,利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。,JFET工作原理：,综上所述，JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。,NJFET输出特性,非饱和区(可变电阻区),特点：,ID同时受VGS与VDS的控制。,3.2.2 伏安特性曲线,线性电阻:,饱和区(放大区),特点：,ID只受VGS控制，而与VDS近似无关。,数学模型：,在饱和区，

3、JFET的ID与VGS之间也满足平方律关系，但由于JFET与MOS管结构不同，故方程不同。,截止区,特点：,沟道全夹断的工作区,条件：,VGS VGS(off),IG0，ID=0,击穿区,VDS 增大到一定值时 近漏极PN结雪崩击穿, 造成 ID剧增。,VGS 越负 则VGD 越负 相应击穿电压V(BR)DS越小,JFET转移特性曲线,同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。,ID =0 时对应的VGS值 夹断电压VGS（off） 。,VGS=0 时对应的ID 值 饱和漏电流IDSS。,JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。,JFET电路模型,利用,得,各类FET管VDS、VGS极性比较,VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型,VGS极性取决于工作方式及沟道类型,由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下：,N沟道FET：VDS 0，ID流入管子漏极。,P沟

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论