微电子概论（第3版）课件2-5-2JFET结构与电流控制原理

上传人：h*** IP属地：山东上传时间：2025-04-23 格式：PPTX 页数：7 大小：1.75MB 积分：9.6 举报 版权申诉

已阅读5页，还剩2页未读，继续免费阅读

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一目录1.JFET结构2.5.2JFET结构与电流控制原理2.JFET中沟道电流的控制特点1.JFET结构

n沟耗尽型JFET结构：又称控制栅栅（Gate）：导电通道沟道（Channel）：提供导电载流子源（Source）：

接受导电载流子漏（Drain）由于是高掺杂P+，可视为等电位。1.JFET结构导电沟道为n型，因此称为n沟JFET。沟道长度：L，宽度：W。

注意厚度2a为两个高掺杂栅区之间的距离，不是沟道厚度。如果将栅改为n型区域，沟道采用p型，则成为p沟JFET。

n沟耗尽型JFET结构2.JFET导电沟道的形成与控制栅和源之间加反偏因此沟道范围由耗尽层确定栅区p＋重掺杂耗尽层主要向n区扩展n区中导电沟道厚度发生变化改变栅源反偏电压耗尽层宽度变化导电沟道尺寸随之发生变化

(1)n沟耗尽型JFET导电沟道的形成(2)导电沟道的控制3.JFET中沟道电流的控制特点(1)栅源电压VGS控制沟道控制漏源之间的电流ID

因此JFET是电压控制器件。(2)栅源电压VGS加在反偏的pn结上控制电流很小因此JFET工作时，是用一个小的输入功率控制一个比较大的输出功率。(3)ID是在沟道中由漏源之间电压VDS产生的电场作用下的多数载流子漂移电流JFET导电过程只

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。