晶体三极管特性与参数周彩霞课件

晶体三极管特性与参数周彩霞三极管的放大原理1、晶体管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏2、晶体管的电流分配和放大作用实验电路电路条件:发射结正偏、集电结反偏NPN管：VC>VB>VE

PNP管：VC<VB<VE

mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6

A(1)测量数据IB(mA)00.010.020.030.040.05IC(mA)0.0010.501.001.602.202.90IE(mA)0.0010.511.021.632.242.95IC/IB5050535558

IC/

IB50606070mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6

AIC和IE比IB大得多。IB

很小的变化可以引起IC很大的变化，即：基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的电流放大作用。(2)结论IE=IC+IB，即发射机电流等于集电极电流与基极电流之和。3、晶体管内部载流子的运动规律ICEIEIBEI

CBOIBIC（1）发射区向基区发射电子（2）电子在基区的扩散和复合（3）集电区收集从发射区扩散过来的电子三极管的电流放大作用：基极小电流对集电极大电流控制作用。ICBO：反向饱和电流ICEO：穿透电流以NPN型三极管为例讨论：4、

晶体管的电流分配关系

当管子制成后，内部条件（发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积）等确定，故电流的比例关系确定，即：小结：1.晶体管在发射结正偏、集电结反偏的条件下具有电流放大作用。2.晶体管的电流放大作用，实质上是基极电流对集电极电流的控制作用。RCECiBIERB+uBE

+uCE

EBCEBiC+

+

+

1、输入伏安特性

三极管的特性曲线及参数输入回路输出回路RCECiBIERB+uBE

+uCE

EBCEBiC+

+

与二极管特性相似。iBRB+uBE

EB+

EB+

RBO特性基本重合(电流分配关系确定)。特性右移(因集电结开始吸收电子)。导通电压UBESi管:(0.6

0.8)VGe管:(0.2

0.3)VO输入特性曲线2、输出伏安特性（1）调整RB使基极电流为某一数值。（2）基极电流不变，调整EC测量集电极电流iC和uCE电压。输出特性曲线50µA40µA30µA10µAIB=020µAuCE

/VO246

4321iC

/mAmAICECIBRBEBCEB3DG6

ARCV+uCE

（1）放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置。（2）截止区：发射结反偏或零偏，集电结反向偏置。（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置。VC>VB>VEuBE≤死区电压输出特性曲线三个工作区域：iB=0，VB≤VE，VB<VCiB>0，VB>VE

，VB>VC1、共发射极电流放大系数一般为几十

几百2、极间反向饱和电流集基间反向饱和电流ICBO、集射间反向饱和电流

ICEO。

主要参数及使用常识（1）直流电流放大系数（2）交流电流放大系数

iC

/mAuCE

/V50µA40µA30µA20µA10µAIB=0024684321例：如图所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种状态?(a)放大状态

(b)饱和状态

(c)截止状态

放大状态规律：

截止状态

饱和状态3、极限参数（1）集电极最大允许电流ICM

超过时值明显降低。（2）集电极最大允许功率损耗PCMPC=iC

uCE(1-13)（3）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO

当集--射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区