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文档简介

集成电容器主讲人：目录集成电容器的基本概念1集成电容器的制造工艺2集成电容器的应用领域3集成电容器的设计注意事项4集成电容器的基本概念一集成电容器是将电容特性嵌入到半导体芯片中的一种元件。优点：体积小、性能高、集成度高广泛用于集成电路适用于高频应用某些特定应用中使用，具有较高的电容量集成电容器类型MOS电容器双极电容器电介质电容器集成电容器的制造工艺二集成电容器的制造工艺与CMOS和集成电阻器相似，但也有其独特之处。高纯度的单晶硅片（一）硅片准备在硅片表面生长一层二氧化硅，作为电容器的电介质层。（二）热氧化工艺防止电流泄漏涂布光刻胶，使用掩膜版将电容器的形状转印到光刻胶上。刻蚀掉不需要的材料，留下所需的电容器结构。（三）光刻与刻蚀（四）金属沉积决定沉积金属金属的厚度电极的面积电容器的电容值（五）后处理热处理器改善电容器的性能和稳定性集成电容器的应用领域三存储功能：在存储器件中，存储电荷以保持数据。频率选择：在调谐电路中，用于实现特定的频率响应。去耦合：用于去耦合电源信号，减少电源噪声对电路的影响。信号耦合：在放大器和滤波器电路中，用于信号的传输和分离。02010304集成电容器在现代电子设备中有着广泛的应用集成电容器的设计注意事项四集成电容器的设计注意事项：电容值的选择电介质材料的选择温度系数尺寸和布局电容值可能会随温度变化而改变总结五

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