MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法_第1页
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文档简介

1MEMS高深宽比结构深度测量方法光谱反射法测量结果的不确定度评定、合成相对不确定度评定、扩展相对不确定度评定以及测试报告等内本标准适用于多种半导体材料上MEMS高深宽比刻蚀结构的深度测量。刻蚀结4测量原理I=a(rE0)2+f(1a)(rE0)2+2√af(1a)(rE0)2cos(2π)…………(1)2I——接收到的总反射光强;λ——入射光的波长;f——有效面积与沟槽面积的比值。Rtrench——沟槽的开口宽度;Dmax——光束最大可进入深度。光谱反射高深宽比结构深度测量系统包括宽光谱光源、LED光源、相机、光谱仪、显微物镜、分光棱镜、准直镜等。宽光谱光源和光学元件、光谱仪配合,获取样品的反射光谱。LED光源经由光学元件在样品表面形成大视场照明。系统软件用于将深度测量系统的测量信息进行数据处理与结果显示。环境温度:15℃~35℃;环境湿度:2080%;环境洁净,避免灰尘对样品表面的污染造成对测量结果的深度测量系统结构组成如图2所示。宽光谱光源由光纤端口耦合进入光学测量系统,依次通过准直镜、筒镜和物镜形成微光斑,用于单体和阵列沟槽的深度测量,反射光谱由光谱仪采集。LED光源和透测量。样品的反射光谱和图像数据传输给传送给计算机测量系统软件进行数据处理(如图334测试开始之前,通过光学显微图像选择无明显污染物和7.3.1光学系统光强度校正:将已知反射率的标样安装在样品台上,利用相机观察图像调焦至清晰位根据贝塞尔公式计算深度测量值的标准差,与10次测量深度平均值进行比对分析,并记录到附表1其中,δi为单次测量深度值和多次测量平 根据第三方测试机构提供的样品校准值的相对不确定度Urel(k=2)得到8.2.3光谱探测器波长准确度引起的测量不确定度u4数学形式,Iλ,SURF为样品上表面的反射光强,Iλ,BOTT为样品槽底的反射光强。首先,利用公式(9)构建结构深度为HSIMU的无波长偏差的理想光谱SSIMU。然后,在理想光谱SSIMU的光波长数据上叠加波长偏差σλ,构建含波长偏差的光谱SSIMU,,并计算SSIMU,光谱对应的结构深度值HSIMU,。u4=HSIMUHSIMU(9)8.2.4测量光谱噪声引起的测量不确定度u55u5=HSIMUHAVG..(10)8.2.5温度变化引入的测量不确定度u6不同测量时间的环境温度的将导致样品的几何尺寸发生变化,硅材料的膨胀系数α=2.5×10-6℃-1,测量时环境温度

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