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文档简介

模拟电子技术半导体基础知识（1）PN结外加正向电压正偏时内电场减弱，空间电荷区变窄，PN结呈低阻，多子扩散为主形成的正向电流

IF较大。

正偏时PN结导通（2）PN结外加反向电压反偏时内电场增强，空间电荷区变宽，PN结呈高阻，以少子漂移为主的反向电流

IR很小，与反偏电压大小无关

反偏时PN结截止PN结的导电性三、PN结P区接电源的正极N区接负极，正向偏置Forword简称正偏正向电流IF内电场EP区接电源的负极N区接正极，反向偏置Reverse简称反偏正偏导通，反偏截止。PN结单向导电性反向电流IR反向饱和电流IS很小伏安特性方程为三、PN结3.PN结的伏安特性i:PN结的电流IS

:

PN结的反向饱和电流u:加在PN结两段的电压UT：为温度的电压当量当T=300K时，PN结反向击穿当加于PN结的反向电压增大到一定数值UBR(ReverseBreakdown)时，反向电流突然急剧增加，这种现象称为PN结的反向击穿,特性方程不能描述

击穿类型热击穿、电击穿正偏反偏反向击穿区零偏u=0时，零偏i=0；u

>0时，正偏，指数规律变化u

<0时，反偏i

–IS；三、PN结3.PN结的伏安特性PN结反向击穿特性击穿类型：电击穿热击穿电击穿分为：齐纳击穿和雪崩击穿：齐纳击穿：(ZenerBreakdown)高掺杂时，耗尽层窄，较小的反向电压便可产生很强反向电场，将电子强行拉出共价键。产生大量电子空穴对(击穿电压<6V，负温度系数)雪崩击穿：(AvalanceBreakdown)低掺杂，耗尽层宽，当反向电压大时反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。(击穿电压>6V，正温度系数)—PN结未损坏，断电即恢复。—PN结烧毁,不可逆无论哪种电击穿，只要电流不超过额定范围，就可以被人们利用，如稳压管三、PN结4.PN结的电容效应（1）势垒电容

CB：Barrier势垒空间电荷区的宽度随反偏电压变化的等效电容。可以制成变容二极管PN结中的电荷量随外加反向电压变化而改变。（2）扩散电容

CD：Diffusion扩散电容是由多子在扩散过程中积累引起的。正偏时，P区内的PN结边缘有电子积累，N区内的PN结边缘有空穴积累，正偏电压增大相当于充电，反之减小时相当于放电。正偏时显著反偏时显著+

URP区N区P

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