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ShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdShanghaiSiMATMicroelectronicsTechnologyCo.,LtdDocumentNo.:ASY-AE08弹坑实验与判别作业指导书InternaluseonlyxConfidentialRevision:00PagePAGE1of6TopconfidentialPAGEThisdocumentanditsinformationhereinarethepropertyofSiMATandallunauthorizeduseandreproductionareprohibited.REV.EFFECTIVEDATEDESCRIPTIONAPPROVECHECKORIGINATOR008/08/2008InitialIssueJinhuachen谈红英沈海军目的：测试键合焊接对产品质量产生的影响，保证产品质量。适用范围：所有MOSFET芯片系列产品；控制计划要求做弹坑试验的产品。三．作业频率：每周一键合现作业的产品都要做弹坑，新产品改机后应及时作业弹坑试验，调用程序的产品可在做弹坑的同时开机作业，若弹坑不良请统计数量，批次。弹坑试验作业及判断方法1盐酸溶液试验〔主要适用于Mosfet产品，如附图1所示〕〔附图1〕1.1将浓度为36％盐酸与水以1：2.5稀释后加热至80±51.2将焊线剪切后的制品完全浸入溶液浸10-15分钟，剪切方法如下图：沿框架管脚边缘（箭头所示位置）用锋利的刀片剪切，剪切之后的制品必须在实体显微镜下确认第一焊点金球状况，防止因线弧较短时或者剪切不当将金球带起，引起弹坑。割线后的制品，需用拨针将金线沿载片台边缘〔金球远端〕将金线轻轻挑起，防止金线黏附在载片台上，操作过程中绝对禁止金球受力。〔附割线后/拨线后图片〕割线后产品拨线后产品1.3将已腐蚀干净的制品分别放入水与酒精中，各用超声波清洗3～5分钟，然后晾干或吹干。注意：在整个作业（包括清洗）过程中，不可以将制品用力在溶液中晃动。不可以采用任何拔线方式去除未腐蚀掉的焊线。1.4将晾干后的制品在200倍或200倍以上显微镜下进行判定并填写《弹坑试验记录表》1.5配置的溶液使用12小时必须更换，即溶液使用期限为12小时。1.6产品检验判定方法←OK←NG具体内容图例（实物图）弹坑判断标准劈刀压着处无裂纹、变形时OK.(右图)OKOKNGNG2氢氧化钾溶液试验〔主要适用于IC电路产品，如附图2所示〕图2〕2.1在量杯中，用电子称称取适量氢氧化钾2.2以1：10的比例，用水溶解氢氧化钾后加热至80±52.3将制品（制品处理同1.2的方法）完全浸入溶液，煮10-20分钟2.4将已腐蚀干净的制品分别放入水与酒精中，各用超声波清洗3～5分钟，然后晾干或吹干。注意在整个作业（包括清洗）过程中，不可以将制品用力在溶液中晃动。2.5将晾干后的制品在200倍或200倍以上显微镜下进

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