【MOOC期末】《固体与半导体物理基础》(电子科技大学)期末中国大学慕课答案

【MOOC期末】《固体与半导体物理基础》(电子科技大学)期末中国大学慕课答案

有些题目顺序不一致，下载后按键盘ctrl+F进行搜索期末考试固体与半导体物理基础期末考试客观题部分1.单选题：在室温全电离的情况下，P型半导体的掺杂浓度为，有n型杂质（）的掺入，若，在不考虑本征激发的情况下，其电中性条件为（）。

选项：

A、

B、

C、

D、

答案：【】2.单选题：n型半导体费米能级EF不仅随温度变化，还随掺杂的浓度而变化，当n型杂质浓度增加，其费米能级逐渐向（）靠拢

选项：

A、禁带中线

B、导带底部

C、价带顶部

D、导带顶部

答案：【导带底部】3.单选题：在布区边界，布洛赫电子的有效电子质量m*为

选项：

A、负值

B、正值

C、无穷大

D、零

答案：【负值】4.单选题：二维晶体，N个原胞数，每个原胞有5个原子，其格波支数和总振动模式数为

选项：

A、2支声学波，8支光学波，振动模式数为10N

B、2支声学波，3支光学波，振动模式数为10N

C、2支声学波，3支光学波，振动模式数为5N

D、2支声学波，8支光学波，振动模式数为5N

答案：【2支声学波，8支光学波，振动模式数为10N】5.单选题：对于n型半导体和金属的整流接触中，正向偏压的描述正确的是

选项：

A、正向偏压的方向应该与自建场的方向一致

B、金属接正极，半导体接负极，构成正向偏压

C、金属接负极，半导体接正极，构成正向偏压

D、以上都对

答案：【金属接正极，半导体接负极，构成正向偏压】6.单选题：热平衡状态下的非均匀半导体不具有统一的费米能级。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】7.单选题：是热平衡状态下非简并半导体的标志，与掺杂情况无关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】8.单选题：非简并半导体的EF随着温度的增加，一直向本征费米能级靠拢。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】9.单选题：不管是声学波还是光学波，相邻原子都沿同一方向振动。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】[vk-content]10.单选题：布洛赫定理描述的是在周期势场中运动电子的状态。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】11.单选题：金刚石的晶体结构是复式格子。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】12.单选题：同一种原子构成的晶格是布拉菲格子。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】13.单选题：多数载流子的准费米能级偏离平衡费米能级比少数载流子多。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】14.单选题：用费米分布函数描述电子状态的半导体是非简并半导体。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】15.单选题：直接带隙半导体就是导带底和价带顶在K空间具有相同的波矢。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】16.单选题：受主杂质电离是电子从受主杂质跃迁到价带。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】17.单选题：在绝对零度下，半导体的最高能带是填满的。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】18.单选题：禁带的宽度与周期性势场有关，禁带出现的位置与晶体结构有关。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】19.单选题：每个能带能容纳的电子数由晶体的原子数确定。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【错误】20.单选题：晶格振动能量的最小单位是“声子”。

选项：

A、正确

B、错误

答案：【正确】21.在考虑表面态的情况下，金-半接触一般只能形成层。在实际应用中要形成欧姆接触，一般利用效应来实现。

答案：【阻挡，隧道】22.载流子的漂移运动由产生的，载流子的扩散运动是由产生的，这两种运动由关系式联系起来。

答案：【电场，浓度不均匀，爱因斯坦】23.热平衡状态的标志是系统具有的费米能级，准费米能级是导带和价带的费米能级。

答案：【统一，局部】24.载流子遭到散射的根本原因是，主要的散射机构有和。

答案：【周期势场遭到破坏，电离杂质，晶格振动/周期势场遭到破坏，晶格振动，电离杂质】25.能向价带提供空穴的杂质为杂质，高温下的杂质半导体呈型。

答案：【受主，本征】26.晶格振动是以的形式在晶体中传播,一维双原子晶格振动的色散关系分为两支，一支为支，另一支为支。

答案：【格波，声学，光学/格波，光学，声学】27.密堆积有和两种结构，其中是复式格子。

答案：【密积立方，密积六方，密积六方/密积六方，密积立方，密积六方】28.氯化钠是格子，它的布拉菲格子是结构。

答案：【复式，面心立方】29.体心立方晶胞体积为原胞体积的倍。

答案：【2】30.晶格的最小重复单元称为，它是由平移矢量所构成的六面体。

答案：【原胞，平行】31.原子排列情况完全相同的格子称为格子，它的基元只有个原子。

答案：【布拉菲，1/布拉菲，一】固体与半导体物理基础期末考试主观题部分1.1.晶格常数为a一维晶格，采用紧束缚近似计算（10分）（1）S态电子能量表达式；（2）能带宽度；（3）电子的速度；（4）能带顶空穴的有效质量。

（1）S态电子能量表达式；（4分）（2）能带宽度；（2分）（3）电子的速度；（1分）（4）能带顶空穴的有效质量。（3分）2.画出n型半导体表面状态呈耗尽层和积累层时的能带图，标出EF、EC、EV。

耗尽层3分，积累层3分3.画出平衡p-n结的能带图。（4分）注明导带底、价带顶、费米能级的位置,以及势垒高度

导带底、价带顶、费米能级的位置（3分）以及势垒高度(1分）4.2.使用使用上一题的图，画出和。（5分）

晶面指数为的晶面为ABCD(2.5分)晶列指数为的晶列为OE(2.5分)5.求图中晶列AB的晶列指数和晶面ODE的晶面指数（其中A点为所在边的中点）。（5分）

解：晶列AB的晶列指数(2.5分)晶面ODE的晶面指数(2.5分)6.施主浓度ND=1017/cm3的n型硅，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它同Al接触时，形成阻挡层还是反阻挡层？（7分）[室温时kBT=0.026ev，（NC）硅=2.8×1019/cm3，硅的亲和能为4.05eV，Al的功函数为WAl=4.18eV]

17.设有一长度为L的一维金属线，试求能量E到E+dE的状态数。（5分）

设有一长度为L的一维金属线，试求能量E到E+d